JPS63260366A - ビデオ増幅器 - Google Patents
ビデオ増幅器Info
- Publication number
- JPS63260366A JPS63260366A JP63069200A JP6920088A JPS63260366A JP S63260366 A JPS63260366 A JP S63260366A JP 63069200 A JP63069200 A JP 63069200A JP 6920088 A JP6920088 A JP 6920088A JP S63260366 A JPS63260366 A JP S63260366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current source
- branch
- voltage
- transistor means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101150111088 WAR1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/42—Amplifiers with two or more amplifying elements having their DC paths in series with the load, the control electrode of each element being excited by at least part of the input signal, e.g. so-called totem-pole amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
- H03F3/45089—Non-folded cascode stages
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
- H04N5/148—Video amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビデオ増幅器のような広帯域増幅器に係る。
増幅器の出力信号が2進信号として処理される場合は、
増幅器は厳しい切替特性をもつよう望まれる。他方では
出力信号がさまざまな画像中間調に対応する複数個のさ
まざまな値を持たなければならない場合は、線形特性を
もつビデオ増幅器が利用されている。しかしながら従来
形比例増幅器蘂でのみ増加されるから、出力信号は入力
信号の上昇に理れないようにすることはできないことが
観察される。このようにして、出力信号はある一定の上
4時間の後にのみ望みの電圧レベルに達するであろう。
増幅器は厳しい切替特性をもつよう望まれる。他方では
出力信号がさまざまな画像中間調に対応する複数個のさ
まざまな値を持たなければならない場合は、線形特性を
もつビデオ増幅器が利用されている。しかしながら従来
形比例増幅器蘂でのみ増加されるから、出力信号は入力
信号の上昇に理れないようにすることはできないことが
観察される。このようにして、出力信号はある一定の上
4時間の後にのみ望みの電圧レベルに達するであろう。
増幅されるべき信号が、前記上昇時間のオーダーあるい
は幾分小さいパルス幅をもつパルス信号であれば、出力
信号はその充分な振幅に達することはできないであろう
。従って、増幅器の帯域幅は上4時間によって実際的に
限定される。
は幾分小さいパルス幅をもつパルス信号であれば、出力
信号はその充分な振幅に達することはできないであろう
。従って、増幅器の帯域幅は上4時間によって実際的に
限定される。
従って広げた帯域幅を持ち、そして入カー号のパルス幅
が小さい時でさえも、広範囲の振幅にわたり出力レベル
内の変化を再生することができるビデオ増幅器を提供す
ることが本発明の目的である。
が小さい時でさえも、広範囲の振幅にわたり出力レベル
内の変化を再生することができるビデオ増幅器を提供す
ることが本発明の目的である。
この目的は特許請求の範囲第1項に記載した通りの特徴
をもつビデオ増幅器によって達成される。
をもつビデオ増幅器によって達成される。
本発明によれば、1段又は多段ビデオ増幅器において、
少なくとも1個のトランジスタ増幅回路が、トランジス
タが入力信号の小変化範囲内では線形特性を示し、かつ
大きな入力信号変化の範囲内では厳格な切替特性を示す
ようにして設計されきな段階的上昇に応答して出力信号
の上昇時間が減じられる。他方では、入力信号の変化が
小さくあるいは入力信号が大きな段階的上昇の後事突上
一定であるときは、線形特性がf!I勢で、そのため出
力信号が入力レベルに比例する所望レベルに保持される
。
少なくとも1個のトランジスタ増幅回路が、トランジス
タが入力信号の小変化範囲内では線形特性を示し、かつ
大きな入力信号変化の範囲内では厳格な切替特性を示す
ようにして設計されきな段階的上昇に応答して出力信号
の上昇時間が減じられる。他方では、入力信号の変化が
小さくあるいは入力信号が大きな段階的上昇の後事突上
一定であるときは、線形特性がf!I勢で、そのため出
力信号が入力レベルに比例する所望レベルに保持される
。
この挙動によって、本発明ビデオ増幅器は例えば、増幅
が16の画像中間調に対応する16個の鮮明な値の間で
変化する振幅をもつパルス状ビデオ信号を増幅すること
ができる。入力信号の周波数が例えば150〜200
Hllzと同じ程大きくとも、出力信号の最大1胃時間
はパルス幅より小さくなり、その結果すべての16個の
出力レベルは相互にはっきりと区別されるであろう。
が16の画像中間調に対応する16個の鮮明な値の間で
変化する振幅をもつパルス状ビデオ信号を増幅すること
ができる。入力信号の周波数が例えば150〜200
Hllzと同じ程大きくとも、出力信号の最大1胃時間
はパルス幅より小さくなり、その結果すべての16個の
出力レベルは相互にはっきりと区別されるであろう。
所望の増幅特性を提供する有効な増幅回路は特ギ消失の
減少をもたらす増幅回路のさらに特定的な特徴に関連す
、る。
減少をもたらす増幅回路のさらに特定的な特徴に関連す
、る。
本発明の好ましい具体例を以下に付図と関連させて説明
する。
する。
第1図によれば、増幅回路は、電源10と直列接圧電圧
端子(+)と接続するコレクタを持つトランジスタ■1
を含む。増幅回路の入力電圧■iはトランジスタT1の
ベースに供給される。
端子(+)と接続するコレクタを持つトランジスタ■1
を含む。増幅回路の入力電圧■iはトランジスタT1の
ベースに供給される。
第2分岐16はトランジスタ■2を含み、そのコレクタ
は別の定電流源18と接続する。出力電圧■oは、電流
源18及びトランジスタ12間の一点で捕えられる。増
幅回路の出力に加えられる容量性9倚は、コンデンサC
によって代表される。トランジスタT2のベース電圧■
b2を制御するための帰還回路20は、コレクタ及びト
ランジスタ■2のベース間に接続された抵抗器R1及び
トランジスタT2のベース及びアース間に並列接続され
たコンデンサC2と抵抗器R2を含む。
は別の定電流源18と接続する。出力電圧■oは、電流
源18及びトランジスタ12間の一点で捕えられる。増
幅回路の出力に加えられる容量性9倚は、コンデンサC
によって代表される。トランジスタT2のベース電圧■
b2を制御するための帰還回路20は、コレクタ及びト
ランジスタ■2のベース間に接続された抵抗器R1及び
トランジスタT2のベース及びアース間に並列接続され
たコンデンサC2と抵抗器R2を含む。
流1 の二分の−である。従ってトランジスタail
工
■ を通過する電流11は7□に等しく、そして電圧v
b2は正規にはViに等しい。
b2は正規にはViに等しい。
入力電圧■iの小さい又は緩徐な変化に応答して、電圧
■b2はViに従フて変化する。もし例えば入力電圧■
・が増加すれば、トランジスタT2を横切るベース−エ
ミッタ電圧降下は、両方のトランジスタT1、■2のエ
ミッタ電圧■。がより大きくなるように減らされる。ト
ランジスタ■2のベース−エミッタ電圧は減らされる傾
向をもつから、トランジスタ■2を通る電圧降下及び従
って出力電圧V0が増加される。トランジスタT2のベ
ース電圧■b2は分圧抵抗器R1、R2の効果によって
増加される。従って■b2が入力電圧■iの新たなレベ
ルに等しくなるや否や新たな平衡が達成される。
■b2はViに従フて変化する。もし例えば入力電圧■
・が増加すれば、トランジスタT2を横切るベース−エ
ミッタ電圧降下は、両方のトランジスタT1、■2のエ
ミッタ電圧■。がより大きくなるように減らされる。ト
ランジスタ■2のベース−エミッタ電圧は減らされる傾
向をもつから、トランジスタ■2を通る電圧降下及び従
って出力電圧V0が増加される。トランジスタT2のベ
ース電圧■b2は分圧抵抗器R1、R2の効果によって
増加される。従って■b2が入力電圧■iの新たなレベ
ルに等しくなるや否や新たな平衡が達成される。
増幅係数Aは
A=Vo/■・=■o/vb2=1十R1/R2によっ
て与えられる。
て与えられる。
入力電圧■iの大きな突発的増加の場合は、帰還回路2
0はトランジスタのベース電圧■b2を本具この場合、
トランジスタ■1およびT2はスイッチのように挙動す
る。トランジスタ■1はトランジスタ■2が全閉してい
るあいだ全開する。従って完全電流■2は負荷容量Cに
充電するため用いることができる。その結果出力電圧■
。の超比例的増加が生じる。
0はトランジスタのベース電圧■b2を本具この場合、
トランジスタ■1およびT2はスイッチのように挙動す
る。トランジスタ■1はトランジスタ■2が全閉してい
るあいだ全開する。従って完全電流■2は負荷容量Cに
充電するため用いることができる。その結果出力電圧■
。の超比例的増加が生じる。
トランジスタ■ 、T2の厳格な切替挙動の場合、転回
速度、即ち出力電圧V。の最大増加速度V =1,2
/Ct。。
速度、即ち出力電圧V。の最大増加速度V =1,2
/Ct。。
(但しCtotは総出力容量である)
によりて与えられる。振幅■ をもつ正弦出力+ta
X 信号と見なせば、帯域幅(f(−3dB )によって表
わされる)は (V /β)・2π、 f(−3dB ) = (1
2ax /C=(1/2N /C tot tail totf(−3dB
> = (1/ 2) I 1,11・J/(2πC
tot vlaX ” によって与えられる。
X 信号と見なせば、帯域幅(f(−3dB )によって表
わされる)は (V /β)・2π、 f(−3dB ) = (1
2ax /C=(1/2N /C tot tail totf(−3dB
> = (1/ 2) I 1,11・J/(2πC
tot vlaX ” によって与えられる。
もし例えば、最大出力振幅■1laXが10Vであり、
出力容量が8pFであれば、そしてもしl がtai
l 108n、Aに定められていれば、帯域幅f(−3dB
)は150MHzと同じ大きさである。
出力容量が8pFであれば、そしてもしl がtai
l 108n、Aに定められていれば、帯域幅f(−3dB
)は150MHzと同じ大きさである。
C2の容量は小さい信号挙動を最適化するために調節さ
れなければならない。真直ぐな周波数曲線を考慮すれば
、C2は次式のオーダでなければならない。
れなければならない。真直ぐな周波数曲線を考慮すれば
、C2は次式のオーダでなければならない。
(C+Cc)、2.re、^、(1/R1+1/R2)
+C、R1/R2 但しC6はコレクターベース容量であり、「eはトラン
ジスタ■2のエミッタインピーダンス(U、E/Ic)
であり、そしてAは振幅係数である。
+C、R1/R2 但しC6はコレクターベース容量であり、「eはトラン
ジスタ■2のエミッタインピーダンス(U、E/Ic)
であり、そしてAは振幅係数である。
第2図は、トランジスタ■2が2個のトランジスタ’2
1、T22の直列接続によって置き代えられた修正形増
幅器回路を示す。抵抗器R1は直列接続された2個の抵
抗器R11、R1゜によって置き代えられている。トラ
ンジスタ■2゜のベースは抵抗器R及びR1□の間の1
点に結合されている。トランジスタ”21のコレクター
ベース容IC,の彩管を補償するためのコンデンサCは
抵抗器R11と並列に接続され、coに事実上等しい容
量値をもつ。
1、T22の直列接続によって置き代えられた修正形増
幅器回路を示す。抵抗器R1は直列接続された2個の抵
抗器R11、R1゜によって置き代えられている。トラ
ンジスタ■2゜のベースは抵抗器R及びR1□の間の1
点に結合されている。トランジスタ”21のコレクター
ベース容IC,の彩管を補償するためのコンデンサCは
抵抗器R11と並列に接続され、coに事実上等しい容
量値をもつ。
電流源10はトランジスタT3及び、負電圧端子−■1
に結合されるエミッタ抵抗器R3によって形成される。
に結合されるエミッタ抵抗器R3によって形成される。
トランジスタT3のベースは別の負電圧端子−v2に結
合される。
合される。
電流源18は直列接続された2個のトランジスタT41
、’42と、正電圧端子+■3と結合したエミッタ抵抗
器R4によって形成される。トランジスタT4□のベー
スは正電圧端子十V4に結合する。
、’42と、正電圧端子+■3と結合したエミッタ抵抗
器R4によって形成される。トランジスタT4□のベー
スは正電圧端子十V4に結合する。
トランジスタT のベースは電圧端子+■4に、さらに
抵抗器R及びR6を介して出力端子■。
抵抗器R及びR6を介して出力端子■。
の容flICCに事実上等しい容量値をもつ。
単一トランジスタの代りに直列トランジスタ’21、’
22及びT41、T4□を提供する目的は、電力消失と
各トランジスタのコレクターエミッタ電圧を減じること
である。
22及びT41、T4□を提供する目的は、電力消失と
各トランジスタのコレクターエミッタ電圧を減じること
である。
トランジスタT 1T 及び■3は同一タイプのn
pn−トランジスタである。それらは非常に小さいコレ
クターベース容量(例えばC,=2pF)と限界周波数
2GHzをもつ。エミッタ電流利得り’21、’22の
それに事実上等しい小さなコレクターベース容量をも持
つ。
pn−トランジスタである。それらは非常に小さいコレ
クターベース容量(例えばC,=2pF)と限界周波数
2GHzをもつ。エミッタ電流利得り’21、’22の
それに事実上等しい小さなコレクターベース容量をも持
つ。
この具体例では、電圧−■1は一5■のオーダーにあり
、他方では電圧+■3はおよそ35Vである。抵抗器R
1R、R及びR6の抵抗はおよそ1にΩであり、R2の
抵抗はおよそ100Ωである。入力電圧■iが0.1〜
1.1■の範囲内で変壬 化し、出力電圧V。はおよz5〜25Vの範囲にある。
、他方では電圧+■3はおよそ35Vである。抵抗器R
1R、R及びR6の抵抗はおよそ1にΩであり、R2の
抵抗はおよそ100Ωである。入力電圧■iが0.1〜
1.1■の範囲内で変壬 化し、出力電圧V。はおよz5〜25Vの範囲にある。
電流■ はおよそ8011八で、出力容ff1Cはお
ail よそ4E)Fである。容量C2はおよそ50pFである
。
ail よそ4E)Fである。容量C2はおよそ50pFである
。
本発明の別の具体例を第3図に示す。この具体例は先に
説明した具体例からは、トランジスタT1のコレクタが
、pnp トランジスタT5と正電圧端子+■ に結合
したエミッタ抵抗器R6とによって形成される別のM流
源22に結合している点が異なる。トランジスタT5の
コレクタはこのトランジスタのベースに直接に接続され
、そしてさらに比較的高い抵抗をもつかあるいは省略さ
れることもできる抵抗R7を介してアースされる。
説明した具体例からは、トランジスタT1のコレクタが
、pnp トランジスタT5と正電圧端子+■ に結合
したエミッタ抵抗器R6とによって形成される別のM流
源22に結合している点が異なる。トランジスタT5の
コレクタはこのトランジスタのベースに直接に接続され
、そしてさらに比較的高い抵抗をもつかあるいは省略さ
れることもできる抵抗R7を介してアースされる。
電流源18は単一トランジスタT6によって形成され、
そのベースはトランジスタT5のベースに直接的に結合
される。
そのベースはトランジスタT5のベースに直接的に結合
される。
トランジスタT1が開放すると、トランジスタT5のベ
ース電圧が降下し、その結果電流源22によって捉供さ
れた電流11が増加する。電流源18及び22がトラン
ジスタT6及びT5のベースの共通電位のために相互に
連動するから、電流11の増加は電流■2の同梯の増加
によって表わされる。
ース電圧が降下し、その結果電流源22によって捉供さ
れた電流11が増加する。電流源18及び22がトラン
ジスタT6及びT5のベースの共通電位のために相互に
連動するから、電流11の増加は電流■2の同梯の増加
によって表わされる。
それゆえトランジスタ■1が全開すれば、トランネ
第4図に潤す変形回路では、単一トランジスタT2は直
列接続トランジスタによって再び置き代えられる。電流
源22はトランジスタT5のコレクタ及び抵抗器R7の
結合点間に挿入されている。
列接続トランジスタによって再び置き代えられる。電流
源22はトランジスタT5のコレクタ及び抵抗器R7の
結合点間に挿入されている。
トランジスタ■7のベースは定電圧端子+■4に接続さ
れる。
れる。
電流源18は第3図に関連して説明したトランジスタ■
6、及び第2図のトランジスタT41、T4□に比較さ
れてもよいトランジスタ”41、”42を含む。トラン
ジスタ’42のベースは正電圧端子+V5に接続し、そ
の電圧はV3より小さりV4より大きい。
6、及び第2図のトランジスタT41、T4□に比較さ
れてもよいトランジスタ”41、”42を含む。トラン
ジスタ’42のベースは正電圧端子+V5に接続し、そ
の電圧はV3より小さりV4より大きい。
本発明は実現化する好ましい具体例につりで、第3図の
回路の別の変形例を示す第5図にrIAit。
回路の別の変形例を示す第5図にrIAit。
て次に説明する。
第5図によれば、付加トランジスタT8及びT9はトラ
ンジスタT2及び16間に直列接続されている。別の付
加トランジスタ’10はトランジスタT1及び15間に
挿入される。トランジスタT8及び”10のベースは定
電圧端子十■4に接続され、トランジスタ■、のベース
は別の定電圧端子+■5に接続される。
ンジスタT2及び16間に直列接続されている。別の付
加トランジスタ’10はトランジスタT1及び15間に
挿入される。トランジスタT8及び”10のベースは定
電圧端子十■4に接続され、トランジスタ■、のベース
は別の定電圧端子+■5に接続される。
コンデンサC1は抵抗WAR1と並列に接続される。
抵抗器R7(第3図)は削除される。
第5図の例では、電圧−■1はおよそ一5Vの古
値をもち、一方では電 はおよそ+42Vの値を持
つ。端子+■ 及び+V5の電圧は、トランジスタ■8
、T9及びTloが飽和しないような方法で選択される
。例えば、端子+■4の電圧は+4Vに決められ、端子
+■5の電圧は+38Vに設定される。従ってトランジ
スタT1、■2及びトランジスタT5、T6を横切る電
圧効果は比較的小さい。
つ。端子+■ 及び+V5の電圧は、トランジスタ■8
、T9及びTloが飽和しないような方法で選択される
。例えば、端子+■4の電圧は+4Vに決められ、端子
+■5の電圧は+38Vに設定される。従ってトランジ
スタT1、■2及びトランジスタT5、T6を横切る電
圧効果は比較的小さい。
一般に、トランジスタのコレクターベース容量はコレク
ターベース電圧■CBに左右される。第5図に従う回路
は、トランジスタT、T2及び■6のコレクターベース
容IOCがほとんど一定であるという利点を持ち、その
結果、コレクターベース容量上の、従って増幅器の周波
数曲線上の入力及び出力電圧変化の影響が取除かれる。
ターベース電圧■CBに左右される。第5図に従う回路
は、トランジスタT、T2及び■6のコレクターベース
容IOCがほとんど一定であるという利点を持ち、その
結果、コレクターベース容量上の、従って増幅器の周波
数曲線上の入力及び出力電圧変化の影響が取除かれる。
より特定的には、出力電圧■。が変化すれば、トランジ
スタT2のコレクターベース容量C6及び、従つてこの
トランジスタの入力容ff1c、oはほぼ一定である。
スタT2のコレクターベース容量C6及び、従つてこの
トランジスタの入力容ff1c、oはほぼ一定である。
トランジスタT8及びT、のコレクターC1oの一定値
によって決定される。
によって決定される。
容ff1c1は、臨界性のより低いコンデンサC2を適
性に選択するために設けられる。容量C1の値はできる
だけ低くかつ実際的に選ばれなければならない。直線周
波数曲線は、もし C+C,ゴC−R1/R2 2+n−1 であれば得ることができる。
性に選択するために設けられる。容量C1の値はできる
だけ低くかつ実際的に選ばれなければならない。直線周
波数曲線は、もし C+C,ゴC−R1/R2 2+n−1 であれば得ることができる。
1具体例においては、Cは4pFの値を持ち、Cは1〜
2pFの値を持ち、そしてC1は1pFに設定され、他
方ではC2はおよそ6〜129Fに設定される。
2pFの値を持ち、そしてC1は1pFに設定され、他
方ではC2はおよそ6〜129Fに設定される。
総出力容量Ctotは
によって与えられる。
トランジスタT9及び”10は、トランジスタT6及び
T1のコレクターペース電圧が大きく変化するのをそれ
ぞれ防ぎ、その結果、トランジスタT 及びT1のコレ
クターベース容ff1CCもまた事実上一定となる。
T1のコレクターペース電圧が大きく変化するのをそれ
ぞれ防ぎ、その結果、トランジスタT 及びT1のコレ
クターベース容ff1CCもまた事実上一定となる。
さらにトランジスタT8、T9及び”10は出力の大部
分を澗失し、その結果、トランジスタT1、■ 、T5
及びT6は低電力消失のみを持つ(例えば1ワツト以下
)。これはこれらのトランジスタの温度偏差が減らされ
るという利点をもつ。
分を澗失し、その結果、トランジスタT1、■ 、T5
及びT6は低電力消失のみを持つ(例えば1ワツト以下
)。これはこれらのトランジスタの温度偏差が減らされ
るという利点をもつ。
本発明は以上説明した具体例に限定されない。
当業者には以上説明した具体例が本発明の主旨から逸脱
することなく、さまざまの方法で修正され囲に限定した
本発明の範囲内にあるものと見なされる。
することなく、さまざまの方法で修正され囲に限定した
本発明の範囲内にあるものと見なされる。
第1図は本発明の第1具体例の別幅回路の内容を説明す
る回路図、第2図は第1具体例の回路の変形例の回路図
、第3図は本発明第2具体例を説明する回路図、第4図
は第3の具体例の変形例の回路図、第5図は第3図の具
体例の変形例の回路図である。 10、18・・・・・・電流源、12・・・・・・分岐
回路、T1.T2・・・・・・増幅回路、■i・・・・
・・入力低化、■。・・・・・・出力信号、C・・・・
・・コンデンサ、20・・・・・・帰還回路。 Fig、 5″
る回路図、第2図は第1具体例の回路の変形例の回路図
、第3図は本発明第2具体例を説明する回路図、第4図
は第3の具体例の変形例の回路図、第5図は第3図の具
体例の変形例の回路図である。 10、18・・・・・・電流源、12・・・・・・分岐
回路、T1.T2・・・・・・増幅回路、■i・・・・
・・入力低化、■。・・・・・・出力信号、C・・・・
・・コンデンサ、20・・・・・・帰還回路。 Fig、 5″
Claims (8)
- (1)少なくとも1個のトランジスタ増幅回路を含むビ
デオ増幅器であって、前記増幅回路は、トランジスタが
入力信号の僅かな変化範囲で線形特性と、大きな入力信
号変化に応答して厳格な切替特性とを示すようにして設
計されていることを特徴とするビデオ増幅器。 - (2)―分岐回路に接続した第1電流源と、―前記分岐
回路の第1分岐内に設けられ、かつ前記第1分岐内を流
れる電流を制御するため入力電圧に応答する第1トラン
ジスタ手段と、 ―前記分岐回路の第2分岐内に設けられた第2電流源と
、 ―前記第2分岐内で前記第1及び第2電流源間に設けら
れた第2トランジスタ手段と、 ―第2電流源と第2トランジスタ手段との間で選択され
た出力電圧から、第2トランジスタ手段のための制御信
号を引き出すための帰還回路と を特徴とする増幅回路。 - (3)前記帰還回路が前記第2トランジスタ手段のベー
ス及びコレクタ間に結合された第1抵抗器と、前記第2
トランジスタ手段のベース及びアース間に結合された第
2抵抗器と、前記第2抵抗器と並列接続されたコンデン
サとを含む、特許請求の範囲第2項に記載の増幅回路。 - (4)前記第1分岐内を流れる電流が第3電流源によっ
て供給されること、及び前記第2電流源が、前記第1分
岐内の電流変化が前記第2電流源によって供給される電
流の同様の変化によって表わされるようにして前記第3
電流源と連動される、特許請求の範囲第2項又は第3項
に記載の増幅回路。 - (5)前記第2トランジスタ手段及び/又は前記第2及
び第3電流源の各々が、直列接続された少なくとも2個
のトランジスタを含む、特許請求の範囲第2項から第4
項のいずれか1項に記載の増幅回路。 - (6)前記第2分岐が、前記第2トランジスタ手段及び
前記第2電流源間で直列接続された第1及び第2付加ト
ランジスタを含んでおり、出力電圧は前記付加トランジ
スタ間の1点で選択されること、及び付加トランジスタ
のベースがそれぞれ定電圧端子に接続されてその電圧は
付加トランジスタが飽和しないようにして選択され、さ
らに前記付加トランジスタの各々を横切る電圧降下が前
記第2トランジスタ手段を横切る電圧降下よりも、前記
第2電流源の出力トランジスタを横切る電圧降下よりも
大きいようにして選択される、特許請求の範囲第2項か
ら第4項のいずれか1項に記載の増幅回路。 - (7)前記帰還回路が前記第1抵抗器と並列接続された
別のコンデンサを含む、特許請求の範囲第4項及び第6
項に記載の増幅回路。 - (8)第3付加トランジスタが、前記第1電流源及び前
記第1トランジスタ手段間に挿入されており、さらに第
2トランジスタ手段に直接に接続された第1付加トラン
ジスタと同じ電圧端子に接続されたベースを持つ、特許
請求の範囲第6項又は第7項に記載の増幅回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP87200538.4 | 1987-03-25 | ||
| EP87200538A EP0283593A1 (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | Videoamplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260366A true JPS63260366A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=8197596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069200A Pending JPS63260366A (ja) | 1987-03-25 | 1988-03-23 | ビデオ増幅器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4859962A (ja) |
| EP (1) | EP0283593A1 (ja) |
| JP (1) | JPS63260366A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075582A (en) * | 1989-03-30 | 1991-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Integratable bandpass filter circuit |
| GB9319106D0 (en) * | 1993-09-15 | 1993-11-03 | Plessey Semiconductors Ltd | Preamplifier circuit arrangements |
| GB2302626B (en) * | 1995-06-24 | 2000-05-03 | Motorola Inc | A high voltage operational amplifier output stage |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3689848A (en) * | 1970-05-04 | 1972-09-05 | Us Navy | Voltage-to-current converter |
| US4414574A (en) * | 1980-12-23 | 1983-11-08 | Electrohome Limited | Video amplifier with blank stretching |
| US4393355A (en) * | 1981-10-26 | 1983-07-12 | Motorola, Inc. | Operational amplifier |
-
1987
- 1987-03-25 EP EP87200538A patent/EP0283593A1/en not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63069200A patent/JPS63260366A/ja active Pending
- 1988-03-23 US US07/172,011 patent/US4859962A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4859962A (en) | 1989-08-22 |
| EP0283593A1 (en) | 1988-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5854574A (en) | Reference buffer with multiple gain stages for large, controlled effective transconductance | |
| US7592871B1 (en) | Fully differential current-feedback CMOS/bipolar operational amplifier | |
| EP0478298A2 (en) | Low-noise preamplifier for magneto-resistive heads | |
| CA2016001C (en) | Low impedance buffer circuitry | |
| KR0152701B1 (ko) | 감쇠 귀환형 차동증폭기 | |
| US20120086509A1 (en) | Amplifier Input Stage and Slew Boost Circuit | |
| US4573021A (en) | Circuit output stage arrangement | |
| JPH04273610A (ja) | 集積回路用フィルタ回路 | |
| US4629910A (en) | High input impedance circuit | |
| JPH0865134A (ja) | バッファ回路 | |
| AU559556B2 (en) | A circuit for a high impedance signal source | |
| JPS63260366A (ja) | ビデオ増幅器 | |
| US4757275A (en) | Wideband closed loop amplifier | |
| US5128631A (en) | Operational amplifier having improved slew rate | |
| US4167708A (en) | Transistor amplifier | |
| US7199655B2 (en) | Multistage amplifier circuit without interstage coupling capacitor | |
| US4847566A (en) | CMOS Amplifier having enhanced current sinking and capacitance load drive | |
| JPH05347563A (ja) | D/a変換装置 | |
| JPS63169119A (ja) | 差動比較器 | |
| US5801587A (en) | Variable gain peak detector | |
| JPH03154508A (ja) | 増幅器回路 | |
| US6369638B2 (en) | Power drive circuit | |
| US6683740B1 (en) | Architecture for a hard disk drive write amplifier circuit with damping control | |
| US4084129A (en) | Voltage controlled variable gain circuit | |
| US3383610A (en) | High gain operational amplifier having constant frequency response characteristics |