JPS63261178A - 静電容量測定回路 - Google Patents

静電容量測定回路

Info

Publication number
JPS63261178A
JPS63261178A JP63081179A JP8117988A JPS63261178A JP S63261178 A JPS63261178 A JP S63261178A JP 63081179 A JP63081179 A JP 63081179A JP 8117988 A JP8117988 A JP 8117988A JP S63261178 A JPS63261178 A JP S63261178A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
capacitors
variable
phase
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63081179A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0644027B2 (ja
Inventor
チャールズ ダブリュー ワトソン ジュニア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SPX Technologies Inc
Original Assignee
General Signal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Signal Corp filed Critical General Signal Corp
Publication of JPS63261178A publication Critical patent/JPS63261178A/ja
Publication of JPH0644027B2 publication Critical patent/JPH0644027B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/223—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
    • G01N27/225—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity by using hygroscopic materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605—Measuring capacitance

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、可変コンデンサの静電容量(キャパシタン
ス)を測定する方法と装置、及び相対湿度によって静電
容量が変化する容量型センサを用いて相対湿度を測定す
る方法と装置に関する。またこの発明は、測定すべき変
数の大きさと静電容量が関連している容量型センサを用
いてその他の変数を測定する方法と装置に関する。
(従来の技術) 容量型湿度センサは例えば、第1の導電性極板領域をチ
ップ−にに施し、次にこの領域を誘電体となるポリイミ
ド等所望厚のポリマーで覆い、その後導電層としての第
2極板を誘電体上に被着することによって構成し得る。
ポリイミドは薄い吸水性の誘電膜を形成し、この膜の誘
電率が吸収した水の濃度に比例して変化するため、組合
せ全体の静電容量が周囲域の湿度によって変化する。
容量型センサの別の例は、容量型圧力トランスデユーサ
である。これらトランスデユーサの現在における−態様
では、2枚のシリコン極板間に接着されるシリコンダイ
アフラムを用い、ダイアフラムの各側にコンデンサを形
成する。これらのコンデンサが、ダイアフラムの両側間
での圧力差に応答する。この構造における両極板間の誘
電体は通例シリコーン油である。
上記の容量型圧力トランスデユーサと容量型湿度センサ
どちらにおいでも、可能なら、測定回路と容量型センサ
を単一のモノリシックシリコンチップ上に集積化するの
が望ましいことが認められている。こうずれば、回路の
センサ及びその他の容量要素は同一の極板寸法及び同一
の誘電体厚を有するように、同時に基板上へ容易に構成
できる。
これは全てのコンデンサに同一の特性を与え1、測定回
路を電気的に微調整したりあるいは極板の寸法を物理的
に微調整して特性の整合を図る必要なく、それらのコン
デンサを測定回路内に組み込むのを可能とする。また、
単一チップを使うことによって、回路の構成部品が同一
の周囲条件下に置かれるため、湿度及び圧力の変化は同
し量だけ回路の構成部品に彫金を及ぼず。測定回路の構
成部品全てをηトーヂソブ上に配置可能であれば、測定
回路の各要素をできるだけ類(Pさせ、それらをできる
だけセンサに近代し1て配置し、各要素がセンサと非常
によくイ以た特性を持ち口つセンサと極く近い周囲条件
下に置かれろようにするのが望ましいことが認、められ
ている。
一般に、静電容量の4111定に関する従来の技術では
抵抗を用いる必要がある。大きく正確な抵抗が、チップ
上でかなりの領域を必要とすることは周知である。また
、抵抗によって回路に導入されるパラメータの精度に対
する依存を避けることが望ましい。同しく、半うn体デ
バイスやマチルハイブレークによって導入される変化も
避りることか望ましい。こうした理由から、コンデンサ
のパラメータ値と外部の標で1(電圧に依存する必要だ
けとなれば、幾つかの改善が見込まれる。その−っの改
善は、製造コストを最少叩化することである。この利点
は、半導体製造手順のマスク及びレイアラI・の段階で
コンデンサが整合可能となる事実、及びこれら要素を厳
密に整合できるii7能性(JL、較正の必要なく交換
可能に使えるように全てが同一のスパンと同一のズレを
有する最終ユニットを与えねばならないときでも微調整
を不要にする事実を考慮すれば明らかであろう。
A、 / D変換器の分野では、切換式コンデンサ回路
が知られている。このような切換回路は、Freder
iksen著の刊行物[−直観的ICCMO3の発展」
、103〜105真に示されている方法で増巾器回路の
入力を変えるのに有効な切換式コンデンサを用いている
。こうして回路には、CMOSアナログスイッチ、電圧
利得用の一連の容量結合形論理インバータ、及び一部が
電圧を電荷に変換し、残りが変換器間を結合するコンデ
ンサから成るサンプルデータ比較器が含まれている。」
二記特定の回路は静電容量の測定に有用でないが、一連
の容量結合形論理イン云−夕を使って切換式コンデンサ
回路のための増巾を行うことを示しており、回路内のコ
ンデンサは論理インバータをショー1゜させることによ
ってゼロ化される。この手法は、本発明の切換式コンデ
ンサ回路の一態様で、増巾及びコンデンサの設定を行・
うのに使われる。
(発明が解決しよ・うとする課題) この発明のl」的は、改良された静電容量測定回路、特
に小寸法のモノリシックシリ′:lンチソプ−1−に容
易に隼積可能な′::1ンデンザ及びその他の回路部品
だけを用いて容量形センサの静電容量を測定し、較正l
]的のために回路部品を物理的に微調整したりあるいは
付属の測定回路を電気的に微調整する必要がないように
した静電容量測定回路を提供するごとムこある。
この発明の別の目的は、測定回路の全てのコンデンサを
同一・のシリηンチソプ上に築積するのが不可能であっ
ても最少の微調整で済むように、容量形湿度センザの静
電容量を測定する測定回路を提供することにある。
更にこの発明の目的は、温度または湿度の変化によるド
リフトの影響を測定が受シリないようになす方法で、容
量形湿度センザの静電容量を測定する測定回路を稈1j
することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明の実施においては、測定すべき変数の大きざによ
って静電容量が変化す容量型センサなどの可変コンデン
サの静電容量を測定する方法及び回路が提供される。本
回路は、2位相の測定サイクルの第1位相中可変出力電
圧に充電される少なくとも1つの標準コンデンサを必要
とする一方、可変コンデンサは固定電圧に充電される。
両コンデンサは、測定サイクルの第2位相中ループの形
で接続される。両コンデンサ間の接合点における電位が
所定のバランス値と比較され、出力電圧がバランス値か
らのずれをゼロに減少させる方向に反復して変化される
結果、出力電圧は可変コンデンサの静電容量に比例する
。
未知の電位と標準電位両方のための差動入力を有するA
/D変換器と、デジタル指示計を用いて出力電圧をデジ
タル読取値に変換したい場合、本発明は、測定される湿
度の範囲に関する出力電圧のフルスケールレンジとゼロ
偏差が前記指示計j−にフルスケール指示を発生ずるよ
うに、各入力を前記A/D変換器に適応させる回路を含
むことができる。この回路は、サンプリング電圧から給
電され且つ電位引出タップで接続された電位差計で、A
/D変換器の入力がゼロ偏差に適応するように、前記タ
ップに位置に依存して未知入力の大きさを変化させる電
位を供給する電位差計を含む。また、前記タップから及
び前記サンプリング電圧間の分圧器から給電される回路
網も含まれ、この回路網の出力が標準入力を変更して、
フルスケールレンジを表す出力電圧の変化にA、 / 
D変換器を適応させる。電位差計のタップは、各コンデ
ンサが集積回路技術によって同一基板上に同時に作製さ
れる場合のように、標準コンデンサが未知の可変コンデ
ンサと正確に整合しないとき、必要な調整を与えられる
ように調整可能でなければならない。各コンデンサが正
確に等しく製造されれば、微調整が必要なくなるので、
タップは固定点とし得る。
可変コンデンサが湿度センサである場合、本発明の一態
様では2つのコンデンサを完全に整合さするために、両
コンデンサを集積回路技術によって、同一の素材を用い
同時に同一基板上に製造する。標準コンデンサの静電容
量が湿度の変化によって変わるのを防ぐため、標準コン
デンサは測定すべき湿度を持つ雰囲気への露出から密封
する必要がある。
(実施例) 第1図は、この発明の方法及び装置両方の動作を例示す
るための簡略化回路を示す。第1図では、相対湿度を測
定する容量型センサ等の可変コンデンサCXがノード1
0で、固定つまり標準コンデンサC1と直列に接続され
ている。2つの重複しない位相を持つ測定サイクルの第
1位相では、図示のようにスイッチ1と2が閉じられ、
固定電圧源3がコンデンサCXの両端に電圧■、を与え
、可変電圧源4がコンデンサCrの両端に電圧V。
を与える。測定サイクルの第2位相では、スイッチ6を
閉じスイッチ1と2を開くことによって、両コンデンサ
CXとC,、が電圧源5から供給される固定のサンプリ
ング電圧と直列に接続される。
両コンデンサ内の電荷が再配分可能となり、高インピー
ダンス検出器7が、両コンデンサ間の接合点に存在する
電位とこの電位用の所定バランス値との差を検出つまり
測定する。第1図において、その差はノード1oの電位
と標準点8での電位すなわちバランス値との差を見て取
ることによって検出つまり測定される。ずれまたは差が
ゼロでないと、可変電圧源4が変更される。図示の回路
では、この変更が検出されたずれと対応した方向になさ
れる。すなわち、ノード1oと標準点8の間の電位差が
負であれば、電圧V0が減少される。
標準点8は多くの電位のうち任意のものとし得る;例え
ば、回路の共通電位または電圧源5両端での電圧降下の
半分を表わす電位で、前者は抵抗R1とR2の除去を可
能とし、後者では両抵抗が等しい値となる。
検出器7によって検出される所定のバランス値からの差
のズレがゼロに保たれていれば、電圧V0の値はコンデ
ンサcXの静電容量の変化値に比例することが認められ
る。これは、cXの静電容量が第1位相での充電後にそ
れが保持している電荷に生じる変化に伴って変化するに
つれ、C。
での充電電圧も変化してそれが保持する電荷を同様に変
化させるという事実に基づいている。次いで、第2位相
中に発生ずる電荷の再配分が、検出器によって検出され
るずれの減少が起きるように、2つのコンデンサの両端
に生じる電圧間で変化したバランスを与える。適正な方
向での多数回の反復後、ずれはゼロに達し、VoがcX
の静電容量を表わす測定値となる。
第1図の回路の適正な動作は、サンプリング電圧がある
一定の極性または大きさであることを必要とせず、事実
」二、大きさはゼロでもよく、あるいは出力電圧■。が
ある一定の極性であることを必要としない。サンプリン
グ電圧の極性反転はVoと測定される可変静電容量との
間の関係を逆にするだけで、一方V。の極性は一般に他
のパラメータの関数となる。
第2図に、第1図に示した動作の原理に従う回路がより
詳しく示しである。第2図において、第1図の標準点8
は回路の共通電位で、検出器7は縦続接続された論理イ
ンバータと、付設のスイッチを含む積分増+11器とか
ら成る。バランスの指示として検出器7によって検出さ
れる標準コンデンサを横切る所定の電位差が、インバー
タのトリガー電圧となり、それらの入力と出力のショー
トによって確立される。このトリガー電圧は、C1が充
電される電圧つまりVtでもある。第2図において、容
量型湿度センサとなり得る可変コンデンサC8は、標準
コンデンサCrと追加の標準コンデンサC8を含む回路
網に、各コンデンサの一端子をノード10へ接続するこ
とによって接続されている。これらコンデンサの他端子
は、スイッチング素子11〜16を介して、出力電圧■
。または所定のザンプリング電圧■9または回路の共通
電位へ選択的に接続される。この回路の目的上、スイッ
チング素子11〜15はMO3hランジスタスイソチ、
スイッチング素子16はCMOSスイッチである。」二
記のコンデンサの他に、第1図中C,で表わした漂遊静
電容量も勿論存在する。
後で説明されるように、漂遊静電容量は2次的な影響し
か及ぼさない。
この回路の動作時、測定サイクルの2位相をタイミング
調整するのに使われる2相クロツクの第1の設定位相φ
1中には、スイッチ11.13及びI6が閉じられ、残
りのスイッチが開かれる。
第5図に示し後で説明するこのクロックは、第1位相中
に両極性P1とP2−1及び第2のサンプリング位相φ
2中に両極性P2とP2−を持つ2つの重複しないクロ
ック信号を与える。第2のサンプリング位相中は、スイ
ッチ12.14及び15が閉じられ、スイッチ11.1
3及び16が開かれる。
第2図に示すように、ノード10は一つの論理インバー
タ20に接続され、この論理インバータ20はコンデン
サ22を介して別の論理インバータ24に接続されてい
る。論理インバータ24の出力は更に別の論理インバー
タとCMOSスイッチ28を介して端子29に接続され
、端子29はコンデンサ30を介して回路の共通電位に
接続する。更に端子29は図示のごとく、CMOSスイ
ッチ32を介して演算用11器34の反転入力に接続さ
れている。増巾器34は積分項中回路を形成するように
、その負帰還回路中にコンデンサ36を有する。また図
示のごとく、増巾器の非反転入力は電圧■8に接続され
、増巾器の出力が出力電圧■。となり、出力電圧V。ば
スイッチ16の片側に帰還される点共に、C工の測定静
電容量値の読取値を得るのに使える任意の指示または記
録回路にも与えられる。
スイッチ28と32は、設定位相中32が閉じて28が
開くようにクロック信号によって駆動され、この間、増
巾器34の反転入力の電位が非反転入力の電位Vaと等
しくなるまで、コンデンサ30の電荷が増11器34の
出力、従ってコンデンサ36の電荷を変化させる。これ
ば、連続するサンプリング位相中にコンデンサ30が充
電される各電圧の積分値である出力V0を与える。サン
プリング位相中、スイッチ28と32は逆にされ、設定
位相からザンプリング位相への切換時に発生ずるノード
10ての電位に比例した論理インバー夕の出力からコン
デンサ30が充電される。
クロックのタイミングとコンデンサCX、C0及びCr
のパラメータは、これらのコンデンサが各位相中それら
に印加される電圧に適した全電荷を得られるようなもの
でなりればならないことが明らかであろう。つまり、接
続の切換によって起きる過渡状態は、回路が再び切り換
る前に設定可能とされる。
第3図は、論理インバータ20用に使用可能な回路を示
す。この回路では、CMO3増11器40と42が増巾
及び論理的反転を与える一方、測定サイクルの設定位相
巾必要に応じてCMOSスイッチ44と46が増巾器の
入力と出力をショートさせ、ノード10を固定電位に保
つ。この場合、固定電位はトリガー電圧V1として知ら
れる論理インバータのしきい電位で、第1位相中はV 
、、 1である。スイッチ44と46は、測定サイクル
の設定位相中インバータの入力と出力をショートさせる
ために閉じられ、測定サイクルのザンブリング位相中開
かれる結果、設定位相の間ノード10はしきい電位V 
1. lにクランプされ、またザンプリング位相の間ノ
ード10の電位V12は浮動可能となる。
勿論、論理インバータ20はサンプリング位相中顕著な
電流を引き込まず、設定位相中はコンデンサを充電して
ノード10をvtlに保つのに必要な電流を供給する。
\他の論理インバータ22と24は、第3図のインバー
タ20について示したのと同様に構成できる。インバー
タ22〜24も設定位相中それらの出力に連結される入
力を有し;またコンデンサ22等のコンデンサをインバ
ータ間に設け、個々のしきい電圧間の差を許容すること
も可能である。第2図に段間コンデンサ22だけを示し
たのは、残りの各段間に同様のコンデンサを含める必要
は必ずしもないからである。上述したような論理インパ
ークの特性として、これらインバータの出力は、しきい
電圧からの入力のずれが正方向のとき低くなり、ずれが
反対方向のとき高くなる。この特性は、Vo対VSの関
係を示した第4図のインバータ伝達特性に例示しである
。
入ノコのトリガー電圧■、からのわずかな変化でも著し
い出力の変化を生じる点に注意されたい。特性曲線の険
しい部分の傾斜は、その素子が製造される特定の方法に
依存する。
第5図は、測定サイクルの2位相をタイミグ調整するの
に使用可能なりロック回路を示す。このクロック回路で
は、非重複式のクロックモジュール50がマルチバイブ
レーク53から入力を受は取るDフロップ52によって
駆動される。図示のように、クロックモジュールの出力
は正負の電位φI、PIおよびP、−と、正負の電位φ
2、P2及びP2−である。
第2図の測定回路の動作は、2つの位相φ1とφ2中の
コンデンサC,、Co及びCrにおける電荷を調べるこ
とによって検討できる。
φ1中ノード10の電圧はトリガー電圧V y 1に保
持される一方、φ2中ノード10の電圧は回路網内の各
コンデンサでの電荷によって決まる電圧Vt2で浮動可
能となる。各コンデンサでの電荷は次の通り: φ1の肝       φ2の場合 0−+ =CX(Vtl)         QXz=
CX(V、−Vt2)Q、、−C8(V、lVt+) 
   Q。2=C0(V+z)Q、、=C,(Vo−V
tl)    Q、Z=C,(−Vt2)Qy1=Cy
(V+1)      Qyz=Cy(Vtz)。
もしΔロー0□−0□及びΔVv=V+、z〜Vtl、
であるならば、A単一CX(−VS+ΔVt)、ΔQo
=C0(Vs+Δνt)、 ΔQ、−Cr(110+ΔVt )、 及びΔQy、−Cy(ΔV、)。
ノード10への電荷の総変化はゼロでなければならない
から、 Δ0、+Δ0゜→−ΔG、+ΔQy=Oi及びもしΣC
=CX+C6+CX+Cy、であるならば、CX(−V
s+ΔVt) +co(vs+ΔVt)+Cx(Vo+
Δvt)+cy(Δνt)−〇、及び VS(C0−C
,) + C,V0+ΣCΔv、−0゜ΔV t−0が
バランスとして定義される回路網条件で、■。がCXの
測定値であることがら:従って、出力電圧は可変静電容
量CXと、静電容量C0によって決まる定数偏差とを加
えたものの関数であることが理解できよう。
出力電圧とCXの指示値との関係を片寄らせるのが望ま
しくなければ、コンデンサC8とそれに付設のスイッチ
ング素子を省けることは当業者にとって明らかであろう
。
また漂遊静電容量Cyの値は、」二記で得られたCXと
70間の最終的な関係のどの項にも現われていないので
、可変コンデンサで得られる測定値の精度に影響を及ぼ
さないことも明らかであろう。
しかし、漂遊静電容量Cyは感度に対して影響を及ぼず
。
MOS F ETスイッチ44と46は、片側のゲート
と他側のソース及びドレインとの間にそれぞれ静電容量
を有する。これらの静電容量は誤差をもたらすが、かか
る誤差はそのスイッチング動作のために小型のトランジ
スタを用い旧っそれらを厳密に整合させるように同しサ
イズとすることによって最小限とし得る。
増巾器34の非反転入力に加わる電圧v8ば、VS/2
にはソ等しくずべきである。Vaがv3/2と正確に等
しくないと、積分出力V。において、低逓倍と比べ高逓
倍で逓倍サイズにわずがな非対称性が導入されるという
影響がでる。
前述したように、可変コンデンサが容量型湿度センサで
ある場合は、測定回路網内の全てのコンデンサを同一基
板上に設け、それらのコンデンサを同一の極板面積及び
同一の誘電率で構成するのが望ましい。極板の面積はフ
ォトリソグラフィで慎重に制御できるが、誘電体の厚さ
従って誘電率は容易に制御できない。しかし、回路網内
の全てのコンデンサについて同一の物質を用いる周知の
技術によれば、0.1%以内に整合可能である。尚、コ
ンデンサC8とCrは湿気から完全に密封するよう注意
しなければならないが、cXは湿気の変化に対する迅速
な応答を得るため、湿気を素早く誘電体へと浸透可能で
なければならない。
コンデンサCXは、周知の集積回路技術を用いて、第6
図に示すように構成し得る。この構造では、n形シリコ
ンがコンデンサの一方の極板を形成するP十拡散領域を
存する。この極板は、フィールド酸化物によって限定さ
れたポリイミド誘電体で覆われている。誘電体上には、
コンデンサの第2の極板としてアルミ箔が被着されてい
る。このアルミ箔は、それを覆っているポリイミドの保
護コーティングを浸透した後、水分子が周囲の雰囲気か
ら前誘電体へ浸透可能とするように充分に薄くする。
コンデンサC8とCrは第7図に示すように構成でき、
第2の電極が第6図に示した薄いアルミ箔に代わる厚い
アルミ極板で構成されている。これらのコンデンサは周
囲雰囲気の湿度の変化に感応してはならないので、厚い
アルミ極板はこれらコンデンサの誘電体へ水分子が浸透
するのを防ぐように形成される。第6図に示したポリイ
ミドの保護コーティングは、頂部の極板を汚染から保護
 q する必要がないため省略できる。
コンデンサC0とCXを周囲雰囲気の湿度の変化から保
護するのが不可能な用途においては、周囲雰囲気の湿度
の変化によって誘電率が変化するような誘電体を持たな
いように、別の方法でこれらのコンデンサを構成するの
が望ましい。この種の場合、コンデンサC6とCrは第
8図に示すように構成できる。この構成では、誘電体と
して5iO7を用いるのが有利なことが見い出されてい
る。
この酸化物は湿気を感知しないので、コンデンサを水藤
気から密]:;1する必要がない。但し、CXで用いて
いるのと異なる誘電体の使用は勿論、温度及び湿度の変
化に伴ってコンデンサC8とCrがCXを追跡するのを
不能とする。更に重要なこととして、コンデンサCXが
C6及びCrと同一の時点及び同一のプロセスで製造さ
れず、従って正確に同一の特性を有する見込めないため
、各測定回路が異なるスパン及びレンジの大きさを有す
るようになる。
一例として、CXば8〜l Opf、 C0は7pf。
t  (5 C,、ば3pfの各個とし得る。電圧■8は2.5ボル
トとでき、■、は通常約2.5ボルトである。■5は5
〜6ボルトの範囲とし得る。測定サイクルの各位相中に
コンデンサが完全に充電可能なように、8 Khz程度
のクロック周波数が使われている。コンデンサ22は2
0pf、コンデンサ30は、0.3pfとでき、この場
合コンデンサ36は2ooprの値を有する。電圧■。
は1〜5ポルI・の範囲て変化し、測定系で用いるのに
望ましい電圧範囲を与える。
別の態様において、本発明は第2図の積分増r1]器に
代え、デジタル−アナログ変換器に接続されたデジタル
カウンタを用いることもできる。
本発明の更に別の態様では、デジタル読取値を得るのが
望ましい場合、第2図の積分増巾器の出力にアナログ−
デジタル変換器を接続して用いるることもできる。
第9図は、第2図の積分増巾器を、TeledyneS
emiconductor社で製造され同社の1984
年版データ取得設計ハンドブック、7〜73頁に示され
たアナログ−デジタル(A / D )変換器へ接続す
るための有用な凹1路を示す。
ごのユニットは、2000カウントのデジタル読取値を
与える。■以外のスケールファクタを与えるため、A、
 / D変換器用の標準電圧を判定してスケールファク
タに適応させる回路が必要である。
また、A / D変換器7126の低入力端子IN L
Oに適切な電圧を導入することによって、ゼロの湿度点
での偏差に適応する必要t)ある。第9図の回路は、こ
れらの適応を与えしかもこれらの適応を、第8図に示し
たコンデンサC0とCrを用いる場合に1つより多い電
位差計の調整を必要としない方法で与えるように構成さ
れる。これば、第9図の回路の製造を簡単化する。何故
なら、各装置の較正において相対湿度の2つの値でなく
1つの値で回路を調整するたりてよく、装置が交換可能
になるからである。通常は偏差とレンジに関し、異なる
湿度での別々の調整が必要となる。
第9図の回路に関する以下の説明を理解する」二で留意
しなLJればならない因子は、次の通りである: 1、測定コンデンサCXの誘電体が、C0及びCrの誘
電体(SiO□)と異なる材料・(ポリイミド)である
。つまり、測定コンデンサの静電容量は湿度によって変
化する一方、他の静電容量は変化しない。
2、  C,/C,ば、それぞれの特性が固有的に同一
となるように、2つのコンデンサが同一のプロセスで同
一時点に製造されるため各回路毎に定数である。
3、  CX/C,ば、2つのコンデンサが作られる製
造プロセスが異なるためユニット毎に変化する。
4、 フルスケール(相対湿度100%)でのCXの静
電容量はCX(100)として設計され、相対湿度O%
でのCXの静電容量がCX(0)として設計される。比
CX(100) /CX(0)がαとして表わされる。
5、 αは定数である。
6.71.26等のA/D変換器は、測定可変電圧及び
標準電圧両方のための差動入力を有する。
上記から、CX/Crを補正可能な回路を設けるのが望
ましく、また前述したようにその補正を1つの電位差計
で行うのが望ましいことが明らかであろう。
第9図において、測定レンジの偏差は、電位差計60の
電位差引出タップ60aを調整し、A/D変換器62の
INLO端子つまりピン30に必要な入力を与えること
によって適応解消される。
電位差計60は、6Vの電位源として示した起電力源6
4によって給電され、起電力源64が電位差計60及び
ツェナーダイオード70と直列な抵抗66と68を含む
ものとして示した直列回路に給電を行う。ツェナーダイ
オードが回路内に含まれているのは、回路の他の部品用
の負電源を与えるためである。
ゲインGと称する量CX(100)〜CX(0)は、次
式で書き表わせる。
G=(a −1)CX(0)□ CX 湿度O%における第2図の回路の出力電圧■。5は次の
通りであるから、 ■5 voS=cX(0)−Co− ■5 これを代入して; Cr αとC,/C,は定数だから、」二式の第2項はvsに
対する分圧器によって表わせる。これは第9図中、抵抗
72と74から成る分圧器として示しである。つまり、
ライン76を経てREF IIIピン36に導入される
電圧が、−1一式の定数項に適応する。第1項は、抵抗
72と組合わされた別の分圧器回路の一部を形成する抵
抗78によって取り出され、従ってREF  Hlにも
影響を及ぼず。
REF  LO、ピン35は図示のごとく、回路の共通
電位に接続されている。共にピン36への入力を与える
分圧器と抵抗78の結果が、測定回路のスパンをA 、
/ D変換器のスパンに適応させ、例えば100%の相
対湿度に対応する電圧■。で7】26の続出値がフルス
ケールとなるようにする。
7126用の標準コンデンサはコンデンサ90として示
してあり、0.1fの値を有する。712G用Qこ設げ
られる外部発振回路は、ピン38.39及び40に接続
されるものとして示しである。この回路は、18にの抵
抗92吉56pfのコンデンサ94を含む。ピン27.
28及び29のために必要な回路は、O,1,5fのコ
ンデンリ−96,0,24fのコンデンサ98及び1.
8Mの抵抗99を含むものとして示しである。
第9図に示すように、第2Mの回路の出力からの入力V
。は、1Mとし得る抵抗100を介し且つ0.002f
とし得るコンデンサ]02と交差してINH+ピン34
に導かれる。
【図面の簡単な説明】
第1図は発明の一態様の簡略化回路図;第2図は発明の
別の態様のより詳しい回路図;第3図は第2図の地中器
の論理インバータをショートさせるのに用いるスイッチ
ング回路の回路図;第4図は第2図の論理インパークの
伝達特性のグラフ;第5図は第2図の各スイッチング素
子を切り換えるのに使用可能なりロンク回路の回路図;
第6図は集積回路技術を用いて構成された容量型湿度セ
ンサの一態様の断面図;第7図は第1及び2図の回路で
有用な標準コンデンサの一態様の断面図;第8図は標準
コンデンサが湿度の変化を感知しないようにするのが望
ましい場合の、第1及び2図の回路で有用な標準コンデ
ンサの一態様の断面図;第9図は第1図の回路を712
6A/D変換器へ接続するのに使用可能な回路の回路図
である。 1、.2,6.] 1〜16・・・・・・接続(スイッ
チング)手段、3・・・・・・固定電圧(V、)源、4
・・・・・・可変出力電圧(■。)源、5・・・・・・
ザンプリング電圧(■s)源、7・・・・・・検出器(
測定回路)、10・・・・・・ノード、20,24.2
6・・・・・・論理インパーク(20:クランプ手段)
、28.32.44゜46・・・・・・CMOSスイッ
チ(44−、4,6ニジヨー1一手段)、30.36・
・・・・・第1.2積分コンデンサ、34・・・・・・
演算地中器、60・・・・・・電位差計、62・・・・
・・A/D変換器、72,78.74・・・・・・分圧
器、CX・・・・・・可変コンデンサ、C,、Co・旧
・・第1,2標準コンデンサ。 FI6. 5

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、可変コンデンサの静電容量を測定する方法において
    ; 少なくとも1つの固定の標準コンデンサを与える段階; 前記標準コンデンサを前記可変コンデンサと直列回路で
    接続し、両コンデンサの共通接続点に回路ノードを形成
    する段階; 反復する2位相測定サイクルの第1位相中に、前記ノー
    ドを固定電位にクランプしながら、前記コンデンサの少
    なくとも1つを固定電圧に充電する段階; 前記2位相測定サイクルの第2位相中に、前記ノードを
    クランプしないで前記直列回路を閉ループで接続し、前
    記コンデンサ間での電荷の再配分を可能とする段階; 前記測定サイクルが第1位相から第2位相へ移行すると
    き、クランプされていない前記ノードにおける電位の変
    化を検出する段階; 前記検出された変化に応答して前記直列回路内の電荷を
    自動的に変更する段階で、該変更が、複数の測定サイク
    ルの間に前記変化のいずれがゼロに減少されるような方
    向及び大きさである;及び 前記複数の測定サイクルの間に電荷が変更された量を積
    分することによって、該変更の積分が標準及び可変コン
    デンサの両静電容量間の差の大きさつまり可変静電容量
    の大きさを示すものとなす段階;を含む方法。 2、前記電荷を変更する段階が、一端で前記ノードに接
    続され、他端で可変出力電圧に接続された別のコンデン
    サによって実施され、前記可変出力電圧が前記ノードで
    の電位の検出変化に応答して、該変化がゼロに減少され
    るまで変更されることによって、前記可変出力電圧が可
    変コンデンサの静電容量を指示する請求項1記載の方法
    。 3、可変コンデンサの静電容量を測定する方法において
    ; 少なくとも1つの固定の標準コンデンサを与える段階; 前記標準コンデンサを前記可変コンデンサと直列回路で
    接続し、両コンデンサの共通接続点に回路ノードを形成
    する段階; 反復する2位相測定サイクルの第1位相中に、前記ノー
    ドを固定電位にクランプしながら前記直列回路内に固定
    電圧源を入れることによって、前記コンデンサを異なる
    電圧に充電する段階;前記2位相測定サイクルの第2位
    相中に、前記ノードをクランプしないで前記直列回路内
    の前記固定電圧源の極性を反転し、前記コンデンサ間で
    の電荷の再配分を可能とする段階; 前記測定サイクルが第1位相から第2位相へ移行すると
    き、クランプされていない前記ノードにおける電位の変
    化を検出する段階; 前記検出された変化に応答して前記直列回路内の電荷を
    自動的に変更する段階で、該変更が、複数の測定サイク
    ルの間に前記変化のずれがゼロに減少されるような方向
    及び大きさである;及び 前記複数の測定サイクルの間に電荷が変更された量を積
    分することによって、該変更の積分が前記標準及び可変
    コンデンサの両静電容量間の差の大きさつまり可変静電
    容量の大きさを示すものとなす段階;を含む方法。 可変コンデンサの静電容量を測定する装置において; 少なくとも1つの固定のコンデンサ; 前記コンデンサの1つに所定の電荷を形成する手段; 前記コンデンサを直列回路で接続し、前記コンデンサに
    おける電荷の再配分を可能とする手段;及び 前記再配分の大きさに応答して前記直列回路内の電荷を
    変更させ、前記再配分の大きさを所定の値とすることに
    よって、必要な変更の量が可変コンデンサの静電容量の
    大きさを示すように動作可能な手段;を備えた装置。 5、前記電荷の再配分の大きさに応答して動作可能な手
    段が、前記固定及び可変両コンデンサ間の回路ノードに
    おける電位の所定値からのずれに応答する請求項4記載
    の装置。 6、前記電荷の再配分の大きさに応答して動作可能な手
    段が、反復する2位相測定サイクルの一方の位相中に前
    記電荷の再配分を検出し、他方の位相中に前記直列回路
    内の電荷を変化させ、電荷の再配分の大きさを前記所定
    値へと近付けるように動作する請求項4記載の装置。 7、可変コンデンサの静電容量を測定する装置において
    ; 各々が固定の静電容量を有する第1及び第2の標準コン
    デンサ; 前記各標準コンデンサの一方の側を前記可変コンデンサ
    の一方の側に接続して、接続点に回路ノードを形成する
    回路手段; 第1及び第2の固定電圧を与える第1及び第2の固定電
    圧源; 可変出力電圧を与える出力電圧源; 反復する2位相測定サイクルの第1位相中に、前記可変
    コンデンサの他方側を前記第1の固定電圧源に接続し、
    前記第2標準コンデンサの他方側を前記第2の固定電圧
    源に接続し、前記ノードの電位を固定値にクランプして
    前記各コンデンサに初期電荷を形成するように動作可能
    なスイッチング手段; 前記スイッチング手段が、前記測定サ イクルの第2位相中に、前記ノードをクランプせず、前
    記可変コンデンサの他方側を前記第2の固定電圧源に接
    続し、前記第2標準コンデンサの他方側を前記第2の固
    定電圧源に接続して前記各コンデンサにおける電荷を再
    配分可能とし、前記可変コンデンサの静電容量の変化が
    前記ノードでの電位のクランプ値からのずれを変化させ
    るように動作可能でもあること; 前記出力電圧を前記第1標準コンデンサの他方側に接続
    し、前記ずれを変化させるように機能する手段;及び 前記ノードに接続され、連続する測定サイクルにわたり
    前記ずれに応答して前記出力電圧を、前記ずれをゼロへ
    と減少させる方向に変化することによって、前記出力電
    圧が前記可変コンデンサの静電容量の大きさの関数とな
    るように動作可能な検出手段;を備えた装置。 8、前記第1の固定電圧源がゼロボルトの固定電圧を与
    える請求項7記載の装置。 9、前記測定サイクルの第1位相中にのみ前記可変出力
    電圧が前記第1標準コンデンサの他方側に接続され、前
    記測定サイクルの第2位相中には前記第1標準コンデン
    サの他方側が前記第1の固定電圧源に接続される請求項
    7記載の装置。 10、前記全てのコンデンサが、これら全てのコンデン
    サを同時に作製する製造プロセスによって単一のモノリ
    シック基板上に集積化され、前記全てのコンデンサが周
    囲雰囲気の湿度の変化に伴って誘電率が変化する誘電体
    を有し、前記標準コンデンサが該標準コンデンサの静電
    容量が一定となるように周囲雰囲気から保護されている
    請求項7記載の装置。 11、前記可変コンデンサが湿度の変化に伴って誘電率
    が変化する誘電体を有し、前記標準コンデンサが湿度の
    変化によっても誘電率が変化しない誘電体を有する請求
    項7記載の装置。
JP63081179A 1987-04-01 1988-04-01 静電容量測定回路 Expired - Lifetime JPH0644027B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/032,664 US4831325A (en) 1987-04-01 1987-04-01 Capacitance measuring circuit
US032664 1987-04-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63261178A true JPS63261178A (ja) 1988-10-27
JPH0644027B2 JPH0644027B2 (ja) 1994-06-08

Family

ID=21866142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63081179A Expired - Lifetime JPH0644027B2 (ja) 1987-04-01 1988-04-01 静電容量測定回路

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4831325A (ja)
EP (1) EP0285070B1 (ja)
JP (1) JPH0644027B2 (ja)
CA (1) CA1283168C (ja)
DE (1) DE3886244T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5499190A (en) * 1992-01-16 1996-03-12 Hamamatsu Photonics K.K. System for measuring timing relationship between two signals
JP2014111202A (ja) * 2014-03-06 2014-06-19 Seiko Epson Corp 液体輸送装置
JP2015079993A (ja) * 2010-06-11 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3915563C1 (ja) * 1989-05-12 1990-10-25 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
JPH07109423B2 (ja) * 1990-05-01 1995-11-22 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
US5194819A (en) * 1990-08-10 1993-03-16 Setra Systems, Inc. Linearized capacitance sensor system
AU645151B2 (en) * 1990-11-16 1994-01-06 Siemens Aktiengesellschaft Measuring instrument for determining the alcohol content of a mixture
JP2561040B2 (ja) * 1994-11-28 1996-12-04 日本電気株式会社 容量型センサの容量変化検出回路およびその検出方法
AT401826B (de) * 1995-06-01 1996-12-27 Peter Ing Klementschitz Messverfahren
RU2156472C2 (ru) * 1997-05-06 2000-09-20 Ставропольская Государственная Сельскохозяйственная Академия Устройство для измерения электрической емкости
US5999010A (en) * 1997-12-08 1999-12-07 Simplex Solutions, Inc. Method of measuring interconnect coupling capacitance in an IC chip
JP4467027B2 (ja) * 2000-10-30 2010-05-26 ミヤチシステムズ株式会社 電気回路の断線検査方法
GB2376081B (en) * 2001-03-14 2004-12-08 Micron Technology Inc Measurement of the integrity of a power supply
GB0121418D0 (en) 2001-09-04 2001-10-24 Smiths Group Plc Capacitance measuring systems
EP1439386A4 (en) * 2001-09-28 2005-01-19 Ngk Spark Plug Co OIL DETERIORATION SENSOR
RU2214610C2 (ru) * 2001-12-13 2003-10-20 Ставропольская Государственная Сельскохозяйственная Академия Устройство для измерения неэлектрических величин конденсаторными датчиками
US6724612B2 (en) 2002-07-09 2004-04-20 Honeywell International Inc. Relative humidity sensor with integrated signal conditioning
US6867602B2 (en) * 2002-07-09 2005-03-15 Honeywell International Inc. Methods and systems for capacitive balancing of relative humidity sensors having integrated signal conditioning
US7240564B2 (en) * 2002-07-30 2007-07-10 Alliant Techsystems Inc. Method and apparatus for detecting and determining event characteristics with reduced data collection
US6828802B2 (en) 2002-08-16 2004-12-07 Rosemount Inc. Pressure measurement device including a capacitive sensor in an amplifier feedback path
RU2231801C1 (ru) * 2002-11-21 2004-06-27 Ставропольский государственный аграрный университет Устройство для измерения емкости конденсаторного датчика
CA2539261C (en) * 2003-09-16 2011-05-17 Cardiomems, Inc. Implantable wireless sensor
RU2258232C1 (ru) * 2004-03-22 2005-08-10 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ставропольский государственный аграрный университет Устройство для измерения емкости и диэлектрических потерь конденсаторного датчика
WO2006002301A1 (en) * 2004-06-21 2006-01-05 Kele, Inc. Measuring the capacitance of a capacitive sensor with a microprocessor
US7205779B2 (en) * 2005-01-25 2007-04-17 Jennings Thomas A Apparatus and method for monitoring and determining the moisture content in elastomer materials
US7504833B1 (en) 2005-04-01 2009-03-17 Cypress Semiconductor Corporation Automatically balanced sensing device and method for multiple capacitive sensors
TW200644422A (en) * 2005-04-22 2006-12-16 Cypress Semiconductor Corp Directional capacitive sensor system and method
FI117733B (fi) * 2005-05-10 2007-01-31 Micro Analog Syst Oy Lineaarisoijapiiri
US7375535B1 (en) 2005-09-19 2008-05-20 Cypress Semiconductor Corporation Scan method and topology for capacitive sensing
WO2007075887A2 (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Weiss Instruments, Inc. Micropower voltage-independent capacitance measuring method and circuit
US7312616B2 (en) 2006-01-20 2007-12-25 Cypress Semiconductor Corporation Successive approximate capacitance measurement circuit
US8040142B1 (en) 2006-03-31 2011-10-18 Cypress Semiconductor Corporation Touch detection techniques for capacitive touch sense systems
US7721609B2 (en) 2006-03-31 2010-05-25 Cypress Semiconductor Corporation Method and apparatus for sensing the force with which a button is pressed
US8004497B2 (en) 2006-05-18 2011-08-23 Cypress Semiconductor Corporation Two-pin buttons
US8902173B2 (en) * 2006-09-29 2014-12-02 Cypress Semiconductor Corporation Pointing device using capacitance sensor
US8547114B2 (en) 2006-11-14 2013-10-01 Cypress Semiconductor Corporation Capacitance to code converter with sigma-delta modulator
US8089288B1 (en) 2006-11-16 2012-01-03 Cypress Semiconductor Corporation Charge accumulation capacitance sensor with linear transfer characteristic
DE102007003887A1 (de) * 2007-01-19 2008-07-24 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Bedienung einer Vorrichtung zur kapazitiven Bestimmung und/oder Überwachung einer Prozessgröße
US8058937B2 (en) 2007-01-30 2011-11-15 Cypress Semiconductor Corporation Setting a discharge rate and a charge rate of a relaxation oscillator circuit
US9500686B1 (en) 2007-06-29 2016-11-22 Cypress Semiconductor Corporation Capacitance measurement system and methods
US7804307B1 (en) 2007-06-29 2010-09-28 Cypress Semiconductor Corporation Capacitance measurement systems and methods
WO2009006556A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Cypress Semiconductor Corporation Normalizing capacitive sensor array signals
US8169238B1 (en) 2007-07-03 2012-05-01 Cypress Semiconductor Corporation Capacitance to frequency converter
US8089289B1 (en) 2007-07-03 2012-01-03 Cypress Semiconductor Corporation Capacitive field sensor with sigma-delta modulator
US8570053B1 (en) 2007-07-03 2013-10-29 Cypress Semiconductor Corporation Capacitive field sensor with sigma-delta modulator
US8525798B2 (en) 2008-01-28 2013-09-03 Cypress Semiconductor Corporation Touch sensing
US8358142B2 (en) 2008-02-27 2013-01-22 Cypress Semiconductor Corporation Methods and circuits for measuring mutual and self capacitance
US8319505B1 (en) 2008-10-24 2012-11-27 Cypress Semiconductor Corporation Methods and circuits for measuring mutual and self capacitance
US7924028B2 (en) * 2008-03-20 2011-04-12 Honeywell International Inc. Method and system for adjusting characteristics of integrated relative humidity sensor
US8058884B2 (en) * 2008-08-20 2011-11-15 Synaptics Incorporated System and method for measuring a capacitance and selectively activating an indicating transducer
US8321174B1 (en) 2008-09-26 2012-11-27 Cypress Semiconductor Corporation System and method to measure capacitance of capacitive sensor array
FR2938344B1 (fr) * 2008-11-07 2010-11-19 Continental Automotive France Dispositif de mesure d'une variation de la capacitance d'une structure capacitive variable
US8228076B2 (en) * 2009-03-27 2012-07-24 Texas Instruments Incorporated Deconvolution-based capacitive touch detection circuit and method
DE102009017011A1 (de) * 2009-04-14 2010-10-28 Balluff Gmbh Schaltungsanordnung zur Bestimmung einer Messkapazität
TWI392877B (zh) * 2009-11-17 2013-04-11 Ili Technology Corp 電容感測電路以及電容差異感測方法
US8564301B2 (en) * 2010-11-08 2013-10-22 Semiconductor Components Industries, Llc Device and method for determining capacitance as a function of voltage
KR101472001B1 (ko) * 2012-12-06 2014-12-15 이성호 Ac 전원에 연동한 커패시턴스 검출 수단 및 방법
US10444862B2 (en) 2014-08-22 2019-10-15 Synaptics Incorporated Low-profile capacitive pointing stick
CN105974202B (zh) * 2016-06-21 2019-06-28 北京华峰测控技术股份有限公司 具有多量程的微电容参比测量电路及方法
US11313824B2 (en) * 2018-11-16 2022-04-26 Minebea Mitsumi Inc. Detecting device
CN114924128B (zh) * 2020-05-21 2024-08-27 芯海科技(深圳)股份有限公司 电容检测电路、集成电路、电子设备以及电容检测方法
WO2026006207A1 (en) * 2024-06-25 2026-01-02 Ipg Photonics Corporation Device and process for measuring capacitance of capacitor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3221247A (en) * 1963-02-08 1965-11-30 Simmonds Precision Products Solid state capacity servo measuring system utilizing inductive feedback
US3903478A (en) * 1974-07-30 1975-09-02 Simmonds Precision Products Fluid density measuring system
US4054833A (en) * 1976-06-11 1977-10-18 Setra Systems, Inc. Capacitance measuring system
US4096758A (en) * 1977-05-24 1978-06-27 Moore Products Co. Pressure to electric transducer
GB2020434B (en) * 1978-05-02 1982-09-29 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Apparatus for humidity detection
US4250452A (en) * 1979-04-19 1981-02-10 Motorola, Inc. Pressure sensitive transducer circuits
GB2058364B (en) * 1979-09-01 1983-03-23 Ferranti Ltd Capacitance measuring apparatus
DE3024794A1 (de) * 1980-06-30 1982-01-28 Gebrüder Bühler AG, 9240 Uzwil Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von kenngroessen, insbesondere von getreide
US4423371A (en) * 1981-09-03 1983-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for microdielectrometry
US4568875A (en) * 1984-01-06 1986-02-04 Micro Sensors Incorporated Moisture corrected denier measurement
US4558595A (en) * 1985-03-29 1985-12-17 Honeywell Inc. Capacitance monitoring bridge circuit for an enthalpy responsive device
JPS61235745A (ja) * 1985-04-11 1986-10-21 Sharp Corp 湿度センサ−
US4656871A (en) * 1985-07-16 1987-04-14 Motorola, Inc. Capacitor sensor and method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5499190A (en) * 1992-01-16 1996-03-12 Hamamatsu Photonics K.K. System for measuring timing relationship between two signals
JP2015079993A (ja) * 2010-06-11 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017015721A (ja) * 2010-06-11 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014111202A (ja) * 2014-03-06 2014-06-19 Seiko Epson Corp 液体輸送装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3886244D1 (de) 1994-01-27
CA1283168C (en) 1991-04-16
DE3886244T2 (de) 1994-07-14
EP0285070B1 (en) 1993-12-15
US4831325A (en) 1989-05-16
JPH0644027B2 (ja) 1994-06-08
EP0285070A1 (en) 1988-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0285070B1 (en) Capacitance measuring circuit
US6724612B2 (en) Relative humidity sensor with integrated signal conditioning
US6867602B2 (en) Methods and systems for capacitive balancing of relative humidity sensors having integrated signal conditioning
US10338022B2 (en) Sensor circuit and method for measuring a physical or chemical quantity
US5543717A (en) Integrable conductivity measuring device
US20060029123A1 (en) Remote diode temperature sense method with parasitic resistance cancellation
US8132465B1 (en) Sensor element placement for package stress compensation
US4091683A (en) Single channel electrical comparative measuring system
JPS5921509B2 (ja) 静電位計
EP3296709B1 (en) Temperature-to-digital converter
US12625171B2 (en) Current sensing circuit
US11946958B2 (en) Current sensing circuit
JPS60178368A (ja) 測定電流をこれに比例するパルスレ−トに変換する方法および装置
JPS6232372A (ja) 容量測定用回路
CN111208346B (zh) 一种小信号电压测量装置及方法
JPS6182104A (ja) 静電容量型距離計
Vlassis et al. Pressure sensors interfacing circuit with digital output
EP1695073B1 (en) Methods for capacitive balancing of relative humidity sensors having integrated signal conditioning
US20250347721A1 (en) Closed loop, high accuracy hall effect sensor afe with autozeroed switched-capacitor analog accumulator
JPH044979Y2 (ja)
SU898266A1 (ru) Устройство дл измерени температурных полей
SU1411687A1 (ru) Устройство дл измерени поверхностного потенциала
SU330402A1 (ja)
CN121444352A (zh) Delta-sigma传感设备
SU712775A1 (ru) Автоматический измеритель составл ющих комплексного сопротивлени

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term