JPS6326328A - 化学気相蒸着処理装置 - Google Patents

化学気相蒸着処理装置

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JPS6326328A
JPS6326328A JP17016286A JP17016286A JPS6326328A JP S6326328 A JPS6326328 A JP S6326328A JP 17016286 A JP17016286 A JP 17016286A JP 17016286 A JP17016286 A JP 17016286A JP S6326328 A JPS6326328 A JP S6326328A
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Japan
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JP17016286A
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English (en)
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JPH0430460B2 (ja
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Kinya Inamoto
稲本 金也
Katsujiro Watabe
渡部 勝治朗
Hideo Shichinohe
七戸 秀夫
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JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化学気相蒸着処理装置、詳細番こは、化学気相
蒸着処理(以下、CVD処理と称す)により高珪素鉄板
を連続的に製造するための装置に関する。
〔従来の技術〕
電磁鋼板として高珪素鉄板が用いられている。この種の
鋼板はSlの含有量が増すほど鉄損が低減され、Si:
6.5%では、鉄歪が0となり、最大透磁率もピークと
なる等、最も優れた磁気特性を呈することが知られてい
る。
従来、高珪素鉄板を製造する方法として、圧延法、直接
鋳造法及び滲珪法(主としてCVD法)があるが、この
うち圧延法は8i含有量4係 程度までは製造可能であ
るが、それ以上のSt含有量では加工性が著しく悪くな
るため冷間加工は困難である。また直接鋳造法、所謂ス
トリップキャスティングは圧延法のような加工性の問題
は生じないが、未だ開発途上の技術であり、形状不良を
起こし易く、特に高珪素鉄板の製造は困難である。
これに対し、CVD法は低珪素鋼を溶製して圧延により
薄板とした後、表面からStを浸透させることにより高
珪素鉄板を製造するもので、これによれば加工性や形状
不良の問題を生じることなく高珪素鉄板を得ることがで
きる。
このようなCVD法による高珪素転板製造プロセスでは
、鋼板を加熱帯でCVD処理温度まで加熱した後、CV
D処理帯に送り込み、s i ct、を含む無酸化性ガ
ス雰囲気中で滲珪処理し、次いで拡散処理帯において、
均熱保持等の方法により8iの拡散処理を行う。
しかし、このような連続処理プロセスでは、CVD処理
帯内の雰囲気ガス中のs t ct4濃度やガス圧力、
さら正こはラインスピードによって処理される鋼板の8
1含有量が大きく変化し、製品の品質管理が非常に難し
いという問題がある。このような問題に対して、出来上
がった高珪素鉄板をサンプリングして分析し、その結果
をラインの操業条件にフィードバックするという方法で
は、対応に時間がかかり過ぎ十分な品質管理を行うこと
ができない。
本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、CV
D処理によりSi含有量が常に一定にコントロールされ
た高珪素鉄板を製造することができる装置を提供せんと
するものである。
〔問題を解決するための手段〕
このため本発明は、入側から加熱帯、CVD処理帯、拡
散処理帯、及び冷却帯を有するCVD処理装置において
、冷却帯の出側に、通板する高珪素鉄板に面して設けら
れる渦電流検出コイルと、該渦電流検出コイルの出力に
基づきラインスピード及び/又はCVD処理帯に供給す
るガス中の5IC24濃度を制御する制御装置とを備え
たことをその基本的特徴とする。
〔作 用〕
本発明は、高珪素鉄板の81含有量と磁気特性とが相関
を持つことに着目し、ライン出側に、渦電流検出コイル
を鉄板に対して非接触で対向させ、この渦電流検出コイ
ルのインピータンスが一定となるようラインスピードま
たはCVD帯に導入するガス中の5icz。
濃度、若しくはその双方をコントロー・ルしS1含有量
が一定の高珪素鉄板を得るようlこするものである。第
2図は鉄板の81含有量と初比透磁□率との関係、第3
図は渦電流検出コイルを高珪素鉄板に対し10mで対向
させた状態で測定された渦電流検出コイルのインピーダ
ンスとSi含有量との関係を示すものであり、本発明で
は検出されたインピーダンスに基づき、これが一定とな
るよう上記制御が行われる。
以上の制御において、ラインスピードを一定とし、5t
ct、  濃度を変化させた場合のSi含有量の変化応
答と、5tct、  濃度一定でラインスピードを変化
させた場合のSi含有量の変化応答とを比べると、後者
のほうがst含有量変化の応答が速い。しかし、ライン
スピードをあまり大きく変化させると、続く拡散処理帯
や冷却帯での滞留時間が大きく変化し、品質にも影響を
与えるため好ましくない。
このためSi含有量の変動状況に応じラインスピード制
御と5tcz、 濃度制御を適宜選択することが好まし
い。例えばS1含有量が何らかの原因で突発的に変動し
た場合にはラインスピードを主体とした制御を行い、一
方、Sl  含有量が比較的ゆっくりと変動する場合に
は5tct、  濃度を主体とした制御を行う。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を示すもので、(1)は加熱
帯、(2)はCVD処理帯、(3) ハ拡散処理帯、(
4)は冷却帯、(5)はシール帯、(6)は帯状珪素鋼
板、(7)は巻取電動機、(イ)はCVD処理帯へのガ
ス供給配管、α咎は5tcz、  のコントロールバル
ブ、翰は5icz、  とArガスとを混合するガスミ
キサである。
前記冷却帯(4)の出側には、珪素鋼板に対向するよう
渦電流検出コイル(8)が配設されている。
(A)は上記渦電流検出コイル(8)の出力に基づき、
ラインスピード及び5icz、 濃度をコントロールす
るための制御装置であり、このうち(9)はインピーダ
ンスブリッジ、Hは81含有量設定器、θυは差動増幅
器、a邊はバイパスフィルタ、(1創まローパスフィル
タ、α→は加算器、09はラインスピード設定器、(1
6)は巻取電動機(力のドライバー、07)はコントロ
ールバルブ(IQのドライバーである。
このような設備において、帯状珪素鋼板(6)に非接触
で対向した渦電流検出コイル(8)のインピーダンスは
鋼板の珪素含有量に対応して変化する(第3図参照)。
このインピーダンスの変化をインピーダンスブリッジ(
9)で電圧信号の変化とする。そして、Si含有量設定
器Qt)で設定された信号とインピーダンスブリッジ(
9)の出力信号が差動増幅器αI)で比較され、その偏
差に応じた信号が出力される。そして、ラインスピード
コントロールを行う場合には、上記出力信号はバイパス
フィルタ(l力を通して予めラインスピードが設定され
た設定器(151の信号と加算器側で加算され、その信
号によって例えば、Si含有量が少なくなった時にはラ
インスピードを遅くするよう巻取電動機(力を電動機の
ドライバαeでコントロールする。
一方、81C14濃度をコントロールする場合には、差
動増幅器αυからの出力信号は、ローパスフィルタα階
を通してコントロールバルブ(lυのドライバー(17
)に入゛力し、例えば8i含有量が少なくなった場合に
は、コントロールパル1a秒を開いて5iCt、  ガ
スの流量を多くし、Sl含有量を一定にコントロールす
る。
そして、以上のラインスピード、5tcL。
濃度のコントロールは、Sl含有量の変化状況に応じて
選択的または複合的になされる。
なお、本発明は渦電流検出コイルによる検出に基づきラ
インスピード、5iC1,濃度0:)コントロールを行
うものであるが、他の方式として、抵抗測定器により鋼
板の抵抗を測定し、この測定値に基づき同様の制御を行
うことができる。すなわち、鋼板の抵抗と81含有量も
相関関係があり、上記コントロールを行うことができる
。この抵抗は、銅帯が高温状態でも測定が可能であり、
例えば拡散処理帯の中に抵抗計を設置し、その測定を行
う。
〔発明の効果〕
以上述べた本発明によれば、得られる高珪素鉄板のSl
含有量をライン中で常に監視し、迅速且つ高精度の81
含有量コントロールを行うことができ、このため品質が
一定の高珪素鉄板を安定して製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一実施例を示す説明図である。第
2図は鋼板中の81含有量と初比透磁率との関係を示す
ものである。 第3図は鋼板と渦電流検出コイルのインピーダンスとの
関係を示すものである。 図において%(1)は加熱帯、(2)はCVD処理帯、
(3)は拡散処理帯、(4)は冷却帯、(8)は渦電流
検出コイル、(A)は制御装置である。 特許出願人  日本鋼管株式会社 発 明 者   稲   本   金   也第  1
  図 5iCl++Ar +FeCl2 ?8開ロ北3−26328 (4) 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 入側から加熱帯、化学気相蒸着処理帯、 拡散処理帯、及び冷却帯を有する化学気相蒸着処理装置
    において、冷却帯の出側に、 通板する高珪素鉄板に面して設けられる渦電流検出コイ
    ルと、該渦電流検出コイルの出力に基づきラインスピー
    ド及び/又は化学気相蒸着処理帯に供給するガス中のS
    iCl_4濃度を制御する制御装置とを備えた化学気相
    蒸着処理装置。
JP17016286A 1986-07-18 1986-07-18 化学気相蒸着処理装置 Granted JPS6326328A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17016286A JPS6326328A (ja) 1986-07-18 1986-07-18 化学気相蒸着処理装置

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JP17016286A JPS6326328A (ja) 1986-07-18 1986-07-18 化学気相蒸着処理装置

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Publication Number Publication Date
JPS6326328A true JPS6326328A (ja) 1988-02-03
JPH0430460B2 JPH0430460B2 (ja) 1992-05-21

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