JPS63266063A - Ｉｔｏ膜作成方法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜作成方法Info
- Publication number
- JPS63266063A JPS63266063A JP10089787A JP10089787A JPS63266063A JP S63266063 A JPS63266063 A JP S63266063A JP 10089787 A JP10089787 A JP 10089787A JP 10089787 A JP10089787 A JP 10089787A JP S63266063 A JPS63266063 A JP S63266063A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sputtering
- ito film
- chamber
- oxidation
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は低抵抗のＩ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−０ｘｉｄｅ）膜作成方法に関するものである。
−０ｘｉｄｅ）膜作成方法に関するものである。
く従来の技術〉
従来、低抵抗（７）ＩＴＯ膜（膜厚１０００−１５００
＾。
＾。
面抵抗θ〜４０Ω／６Ｉ）は、真空蒸着法、電子ビーム
蒸着法あるいはスパッタリング法により作成されてきた
。
蒸着法あるいはスパッタリング法により作成されてきた
。
後者のスパッタリング法は大別すると次の２種類になる
。
。
（１）金属ターゲラ） （Ｉｎ／Ｓｎ）の反応性スパッ
ターアニール （２）酸化物ターゲラ）（ＩＴＯ）のスパッタ→アニー
ル （１）の反応性スパッタによる方法を第２図に示す。
ターアニール （２）酸化物ターゲラ）（ＩＴＯ）のスパッタ→アニー
ル （１）の反応性スパッタによる方法を第２図に示す。
チャンバー１の中にＩｎ／Ｓｎの金属ターゲット２が配
置され、基板３は矢印ように送り込まれる。
置され、基板３は矢印ように送り込まれる。
チャンバー１内の反応ガス４はＡｒと０□の混合ガスか
らなり、その比はＡｒ：０２＝９０＝１０程度であるＯ 〈発明が解決しょうとする問題点〉 スパッタリング法による（１）の欠点は、Ｉｎの酸素親
和力が太きいため、スパッタ中に金属ターゲット表面が
酸化し、成膜の膜質が変化することである。（２）の欠
点は、膜質が安定であるが、酸化物ターゲットを出発材
とするため、ターゲット価格が高くなること（金属ター
ゲットの約２倍）、及び、反応性スパッタを行わないた
めに成膜の酸化度が固定されてしまい、種々の特性膜に
容易に対応できないことである。
らなり、その比はＡｒ：０２＝９０＝１０程度であるＯ 〈発明が解決しょうとする問題点〉 スパッタリング法による（１）の欠点は、Ｉｎの酸素親
和力が太きいため、スパッタ中に金属ターゲット表面が
酸化し、成膜の膜質が変化することである。（２）の欠
点は、膜質が安定であるが、酸化物ターゲットを出発材
とするため、ターゲット価格が高くなること（金属ター
ゲットの約２倍）、及び、反応性スパッタを行わないた
めに成膜の酸化度が固定されてしまい、種々の特性膜に
容易に対応できないことである。
本発明は、スパッタリング法によるＩＴＯ作成方法に係
り、安価なターゲットで、膜質が安定し、かつ成膜の酸
化度も容易に制御し得る作成方法？提供するものである
０ く問題点を解決するための手段〉 Ｉｎ／Ｓｎの金属ターゲラ）ｋ用い、スパッタによりＩ
ｎ／Ｓｎの金属膜を形成する工程、酸素ラジカル法によ
り前記金属膜を酸化する工程とを有し、前記二工程を複
数回繰り返すことを特徴とする０く作用〉 上記方法によれば、スパッタ中に金属ターゲットが酸化
されることがなく、また酸化度は次工程の酸素ガスの導
入程度（真空度）にエフ容易に制御できる。
り、安価なターゲットで、膜質が安定し、かつ成膜の酸
化度も容易に制御し得る作成方法？提供するものである
０ く問題点を解決するための手段〉 Ｉｎ／Ｓｎの金属ターゲラ）ｋ用い、スパッタによりＩ
ｎ／Ｓｎの金属膜を形成する工程、酸素ラジカル法によ
り前記金属膜を酸化する工程とを有し、前記二工程を複
数回繰り返すことを特徴とする０く作用〉 上記方法によれば、スパッタ中に金属ターゲットが酸化
されることがなく、また酸化度は次工程の酸素ガスの導
入程度（真空度）にエフ容易に制御できる。
〈実施例〉
第１図に本発明の一実施例を示す０
チヤンバー１はゲート５にニジ成膜室６と酸化室７に仕
切られ、成膜室６にはＩｎ／Ｓｎの金属ターゲット２が
、また酸化室７には酸素ラジカル噴射装置８が配置され
ている。ここで、金属ターゲット２はＩｎ：５ｎ＝９０
：１０（ｗｔ比）であり、成膜室６のスパッタガス９は
Ａｒ１００％で、成膜速度は１００ＯＡ／分程度である
。
切られ、成膜室６にはＩｎ／Ｓｎの金属ターゲット２が
、また酸化室７には酸素ラジカル噴射装置８が配置され
ている。ここで、金属ターゲット２はＩｎ：５ｎ＝９０
：１０（ｗｔ比）であり、成膜室６のスパッタガス９は
Ａｒ１００％で、成膜速度は１００ＯＡ／分程度である
。
まず、成膜室６において、スパッタにエフ基板ａ上にＩ
ｎ／Ｓｎの金属層Ｔｈ３００Ａ生成する。次に基板３を
酸化室７に移動してラジカル酸化法により金属層を酸化
して３００ＡのＩＴＯ膜を形成する。
ｎ／Ｓｎの金属層Ｔｈ３００Ａ生成する。次に基板３を
酸化室７に移動してラジカル酸化法により金属層を酸化
して３００ＡのＩＴＯ膜を形成する。
次に再び成膜室６に移動し金属膜を積層し、また酸化室
７−に移動して酸化する０これを所望回繰り返す０１回
の成膜・酸化工程では３００Ａ／回であり、１２０ＯＡ
の薄膜の場合であれば４回繰り返えされる。そして最後
にアニールを施す。
７−に移動して酸化する０これを所望回繰り返す０１回
の成膜・酸化工程では３００Ａ／回であり、１２０ＯＡ
の薄膜の場合であれば４回繰り返えされる。そして最後
にアニールを施す。
酸素ラジカル分子ｉｊ、ｌＸｌ０−”Ｔｏｒｒ程度中の
酸素ガスに、１２０ｎｍの発光ピークを有するＵＶラン
プを照射することに工っで生成され、酸化室７の噴射装
置８により噴射される０３０ＯＡ程度のスパッタ膜はこ
のラジカル化された酸素と速やかに反応する。酸化程度
は酸素ガスの導入速度で制御できる。
酸素ガスに、１２０ｎｍの発光ピークを有するＵＶラン
プを照射することに工っで生成され、酸化室７の噴射装
置８により噴射される０３０ＯＡ程度のスパッタ膜はこ
のラジカル化された酸素と速やかに反応する。酸化程度
は酸素ガスの導入速度で制御できる。
なお、ｌＸｌ０−２Ｔｏｒｒ程度まで酸化室７に酸素ガ
スを導入し、ここで１２０ｎｍの発光ピークを有するＵ
Ｖランプを照射し酸素ラジカルを生成しておいてもよい
。酸化度は真空度にエフ制御できる。
スを導入し、ここで１２０ｎｍの発光ピークを有するＵ
Ｖランプを照射し酸素ラジカルを生成しておいてもよい
。酸化度は真空度にエフ制御できる。
上記方法により、膜厚１２０ＯＡ、面抵抗３０Ω／−１
透過率８６％（ａｔ５５０ｎｍのガラス込み）の低抵抗
ＩＴＯ膜が再現性よく容易に作成できた〇〈発明の効果
〉 以上のように本発明に工れば、安価で酸化度の制御も容
易である有用なＩＴＯ膜作成方法が提供できる。
透過率８６％（ａｔ５５０ｎｍのガラス込み）の低抵抗
ＩＴＯ膜が再現性よく容易に作成できた〇〈発明の効果
〉 以上のように本発明に工れば、安価で酸化度の制御も容
易である有用なＩＴＯ膜作成方法が提供できる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図、第２図は従来
例を示す概略図である。 １・・・チャンバー、２・・・金属ターゲット、３・・
・基板、５・・・ゲート、６・・・成膜室、７・・・酸
化室、８・・・酸素ラジカル噴射装置。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至 （他！名）第１図 第２図
例を示す概略図である。 １・・・チャンバー、２・・・金属ターゲット、３・・
・基板、５・・・ゲート、６・・・成膜室、７・・・酸
化室、８・・・酸素ラジカル噴射装置。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至 （他！名）第１図 第２図
Claims (1)
- １、Ｉｎ／Ｓｎの金属ターゲットを用い、スパッタによ
りＩｎ／Ｓｎの金属膜を形成する工程と、酸素ラジカル
法により前記金属膜を酸化する工程とを有し、前記二工
程を複数回繰り返すことを特徴とするＩＴＯ膜作成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10089787A JPS63266063A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | Ｉｔｏ膜作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10089787A JPS63266063A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | Ｉｔｏ膜作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266063A true JPS63266063A (ja) | 1988-11-02 |
Family
ID=14286131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10089787A Pending JPS63266063A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | Ｉｔｏ膜作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63266063A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005276689A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tadahiro Omi | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、導電酸化物膜を含む電極または配線の形成方法、電子装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および電子装置 |
| US8421061B2 (en) | 2006-03-10 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device including the memory element |
| US8664035B2 (en) * | 2006-07-28 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10089787A patent/JPS63266063A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005276689A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tadahiro Omi | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、導電酸化物膜を含む電極または配線の形成方法、電子装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および電子装置 |
| US8421061B2 (en) | 2006-03-10 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device including the memory element |
| US8664035B2 (en) * | 2006-07-28 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device |
| TWI493692B (zh) * | 2006-07-28 | 2015-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶元件及半導體裝置 |
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