JPS6326747A - メモリ内蔵装置における誤動作防止装置 - Google Patents
メモリ内蔵装置における誤動作防止装置Info
- Publication number
- JPS6326747A JPS6326747A JP61169927A JP16992786A JPS6326747A JP S6326747 A JPS6326747 A JP S6326747A JP 61169927 A JP61169927 A JP 61169927A JP 16992786 A JP16992786 A JP 16992786A JP S6326747 A JPS6326747 A JP S6326747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- battery
- voltage
- stored
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 14
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 10
- 101100464779 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CNA1 gene Proteins 0.000 abstract description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 208000032368 Device malfunction Diseases 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Safety Devices In Control Systems (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、装置の電源切断時に電池でバックアップされ
るメモリを内蔵した、メモリに格納されたメモリ情報に
基づく動作機能を有するメモリ内蔵装置に関し、特に装
置の電源切断によって消耗された電池の電圧低下により
生じる装置の誤動作防上に関する。
るメモリを内蔵した、メモリに格納されたメモリ情報に
基づく動作機能を有するメモリ内蔵装置に関し、特に装
置の電源切断によって消耗された電池の電圧低下により
生じる装置の誤動作防上に関する。
(従来の技術)
従来、ファクシミリ装置等の電子機器装置においては、
例えばユーザーの使用形態によりその形態に適合した種
々のデータがディップスイッチで設定されていた。しか
しながら、装置の利用機能の増加に伴い、設定すべきデ
ータ量か膨大となり、データの設定はディップスイッチ
からメモリへの格納へと変わってきた。例えばファクシ
ミリ装置においては、相手先の電話番号を予めメモリに
設定したオートタイヤル機能等か其備されている。
例えばユーザーの使用形態によりその形態に適合した種
々のデータがディップスイッチで設定されていた。しか
しながら、装置の利用機能の増加に伴い、設定すべきデ
ータ量か膨大となり、データの設定はディップスイッチ
からメモリへの格納へと変わってきた。例えばファクシ
ミリ装置においては、相手先の電話番号を予めメモリに
設定したオートタイヤル機能等か其備されている。
このように、装置機能にかかわるデータを格納したメモ
リは、通常装置の電源が切断された場合でもデータを正
確に保持できるように、補助用電源の電池でバックアッ
プされている。第3図は、従来のメモリのバックアップ
回路を示す図である。同図において、DI 、 D2
、 D:]はダイオード、D4は定電圧用のツェナーダ
イオード、旧は抵抗、CIは平滑用コンデンサ、IC1
は装置の機能にかかわるデータを格納するメモリ、Bl
は装置の電源切断時にメモリICIをバックアップする
ための電池である。このメモリバックアップ回路の動作
は、装置の電源(+5V、+12V)がオンのとき、+
5Vの電源がD3を介してメモリ[CIの電源端子1に
電流を供給する。また同時に、+12Vの電源が旧、D
Iを介して電池Blの充電を行う。装置の電源か切断さ
れた場合には、メモリICIの格納データが損われない
ように、電池旧がメモリIC1へ電流を供給する。
リは、通常装置の電源が切断された場合でもデータを正
確に保持できるように、補助用電源の電池でバックアッ
プされている。第3図は、従来のメモリのバックアップ
回路を示す図である。同図において、DI 、 D2
、 D:]はダイオード、D4は定電圧用のツェナーダ
イオード、旧は抵抗、CIは平滑用コンデンサ、IC1
は装置の機能にかかわるデータを格納するメモリ、Bl
は装置の電源切断時にメモリICIをバックアップする
ための電池である。このメモリバックアップ回路の動作
は、装置の電源(+5V、+12V)がオンのとき、+
5Vの電源がD3を介してメモリ[CIの電源端子1に
電流を供給する。また同時に、+12Vの電源が旧、D
Iを介して電池Blの充電を行う。装置の電源か切断さ
れた場合には、メモリICIの格納データが損われない
ように、電池旧がメモリIC1へ電流を供給する。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記構成のメモリバックアップ回路を有
する装置には、次のような問題点があった。
する装置には、次のような問題点があった。
装置の電源か長時間に渡って切断された場合、メモリバ
ックアップ用の電池の電圧か著しく低下してしまい、そ
の結果、メモリに格納されたデータが消去されたりある
いは不明確なものとなってしまう。従って、装置の電源
を投入した際、メモリ内容にかかわる機能か正常に動作
せず、誤動作するという問題点があった。
ックアップ用の電池の電圧か著しく低下してしまい、そ
の結果、メモリに格納されたデータが消去されたりある
いは不明確なものとなってしまう。従って、装置の電源
を投入した際、メモリ内容にかかわる機能か正常に動作
せず、誤動作するという問題点があった。
上記問題点は、例えばオートダイヤル機能を有するファ
クシミリ装置において誤った相手にダイヤルをしてしま
う恐れがある(メモリがファクシミリ電話番号を格納し
ているため)。
クシミリ装置において誤った相手にダイヤルをしてしま
う恐れがある(メモリがファクシミリ電話番号を格納し
ているため)。
そこで本発明は、装置の電源切断によりバックアップ用
電池の電圧が低下してメモリ内容か不明確(消去)とな
った場合にも、予めメモリに格納されたデータに基づく
装置の動作機能を制御し、装置の誤動作を防止したメモ
リ内蔵装置における誤動作防止装置を提供することを目
的とする。
電池の電圧が低下してメモリ内容か不明確(消去)とな
った場合にも、予めメモリに格納されたデータに基づく
装置の動作機能を制御し、装置の誤動作を防止したメモ
リ内蔵装置における誤動作防止装置を提供することを目
的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、前記問題点を解決するために、装置の電源切
断時に電池でバックアップされるメモリを有し、少なく
ともメモリに格納されたメモリ情報に基う〈動作を行う
機能を有するメモリ内蔵装置において、以下の手段を設
けて構成される。
断時に電池でバックアップされるメモリを有し、少なく
ともメモリに格納されたメモリ情報に基う〈動作を行う
機能を有するメモリ内蔵装置において、以下の手段を設
けて構成される。
メモリ内蔵装置における誤動作防止装置・は、電池の電
圧を検出する検出手段と、装置の電源投入時に、検出手
段から得られた検出結果に基づき予めメモリに格納され
たメモリ情報を削除し、再度メモリ情報がメモリに格納
されるまで装置の動作制御を行う制御手段とを設けて構
成される。
圧を検出する検出手段と、装置の電源投入時に、検出手
段から得られた検出結果に基づき予めメモリに格納され
たメモリ情報を削除し、再度メモリ情報がメモリに格納
されるまで装置の動作制御を行う制御手段とを設けて構
成される。
本発明の好適な実施態様は、前記検出手段が、メモリに
格納されたメモリ情報を保持することのできる基準電圧
と、電池からの出力電圧とを比較することにより電池の
電圧検出を行う比較器である。
格納されたメモリ情報を保持することのできる基準電圧
と、電池からの出力電圧とを比較することにより電池の
電圧検出を行う比較器である。
(作用)
本発明によれば、以上のようにメモリ内蔵装置における
誤動作防止装置を構成したので、各技術的手段は次のよ
うに作用する。
誤動作防止装置を構成したので、各技術的手段は次のよ
うに作用する。
前記検出手段は、装置の電源投入時に装置の電源切断に
より消耗された電池の電圧を検出する。
より消耗された電池の電圧を検出する。
この検出手段は、例えばメモリに格納されたメモリ+1
7報を保持することのできる基準電圧VTHと、電池か
らの出力電圧v6とを比較し、その比較結果として、■
7□〈vBのときハイレベル(メモリに格納されたメモ
リ情報が正確に保持されていることを示す)、vT□〉
■8のときロウレベル(メモリ+吉報が不明確又は破損
さねたことを示す)の電圧を出力する。
7報を保持することのできる基準電圧VTHと、電池か
らの出力電圧v6とを比較し、その比較結果として、■
7□〈vBのときハイレベル(メモリに格納されたメモ
リ情報が正確に保持されていることを示す)、vT□〉
■8のときロウレベル(メモリ+吉報が不明確又は破損
さねたことを示す)の電圧を出力する。
制御手段は、検出手段から得られた検出結果に基づき、
例えば時運したように比較器の出力電圧かロウレベルの
ときは、装置の電源切断前に予めメモリに格納されてい
たメモリ情報を削除し、その後新たなメモリ情報がメモ
リに格納されるまて、餌記予めメモリに格納されていた
メモリ情報に基づく装置の動作を禁止させる。
例えば時運したように比較器の出力電圧かロウレベルの
ときは、装置の電源切断前に予めメモリに格納されてい
たメモリ情報を削除し、その後新たなメモリ情報がメモ
リに格納されるまて、餌記予めメモリに格納されていた
メモリ情報に基づく装置の動作を禁止させる。
また、比較器の出力電圧がハイレベルのときは、メモリ
に格納されたメモリ情報が正確に保持されているので、
通常の動作(新たにメモリ情報をメモリに格納すること
なく、装置の電源切断前に予めメモリに格納されたメモ
リ情報に基づく動作)をさせる。
に格納されたメモリ情報が正確に保持されているので、
通常の動作(新たにメモリ情報をメモリに格納すること
なく、装置の電源切断前に予めメモリに格納されたメモ
リ情報に基づく動作)をさせる。
従って、本発明によりば、長時間装置の電源を切断し、
電池の電圧低下によりメモリ情報が不明確(消去)され
ても、装置の誤動作を防止できる。よって前記問題点を
解決できるのである。
電池の電圧低下によりメモリ情報が不明確(消去)され
ても、装置の誤動作を防止できる。よって前記問題点を
解決できるのである。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第1図は本実施例によるメモリ内蔵装置における誤動作
防止装置に係る回路構成を示す図である。同図において
、ブロックlは第3図に示すように従来の説明で用いた
メモリバックアップ回路を示し、ブロック2は本実施例
により付加された回路を示す。ブロック2に示すコンパ
レータCMP 1は、一方の端子3に電池81の出力電
圧■8を、他方の端子2に抵抗R2とR3により設定さ
れた基準電圧Vvnを人力する。この基準電圧VTRは
、メモリIC1が格納されたメモリ情報を保持すること
のてきる最低電圧に設定される。コンパレータCM四は
電池旧の電圧■。と基準電圧VTI+とを比較し、その
比較結果つまりコンパレータCM四の出力4は、Vn>
VTll (7) ト’6 バー1’ L/ ヘルニ
、Vll<VTll (1)とはきロウレベルになる。
防止装置に係る回路構成を示す図である。同図において
、ブロックlは第3図に示すように従来の説明で用いた
メモリバックアップ回路を示し、ブロック2は本実施例
により付加された回路を示す。ブロック2に示すコンパ
レータCMP 1は、一方の端子3に電池81の出力電
圧■8を、他方の端子2に抵抗R2とR3により設定さ
れた基準電圧Vvnを人力する。この基準電圧VTRは
、メモリIC1が格納されたメモリ情報を保持すること
のてきる最低電圧に設定される。コンパレータCM四は
電池旧の電圧■。と基準電圧VTI+とを比較し、その
比較結果つまりコンパレータCM四の出力4は、Vn>
VTll (7) ト’6 バー1’ L/ ヘルニ
、Vll<VTll (1)とはきロウレベルになる。
人力ボートIC2は、コンパレータ(JP lの出力4
を入力端I。に接続し、出力端り。−D、を図示しない
制御回路に接続し、コンパレータCMP lの比較結果
を111記ル制御回路へ与えるためのインターフェース
機能を有する。前記制御回路は、装置の7a源投入によ
り起動し、入力ポートIC2の各人力’UNo〜I7)
及び出力端(Do〜D7)の選択を示す信号を、人力ポ
ートIC2の端子Gへ送出する。そして、人力ボートI
C2を介して得られたコンパレータCMP ]の出力情
報(出力4のハイレベル又はロウレベル)に基つき、装
置の各構成部(例えばメモリIC1や後述する表示部)
の動作機能を制御する。
を入力端I。に接続し、出力端り。−D、を図示しない
制御回路に接続し、コンパレータCMP lの比較結果
を111記ル制御回路へ与えるためのインターフェース
機能を有する。前記制御回路は、装置の7a源投入によ
り起動し、入力ポートIC2の各人力’UNo〜I7)
及び出力端(Do〜D7)の選択を示す信号を、人力ポ
ートIC2の端子Gへ送出する。そして、人力ボートI
C2を介して得られたコンパレータCMP ]の出力情
報(出力4のハイレベル又はロウレベル)に基つき、装
置の各構成部(例えばメモリIC1や後述する表示部)
の動作機能を制御する。
次に、本実施例の動作について第2図を参照して説明す
る。
る。
第2図は、本実施例によるメモリ内蔵装置における誤動
作防止装置に係る動作を示すタイムチャートである。同
図において、信号波形Aは装置の電源(+5V、 +1
2V )のオン、オフを示し、番号1,2,3.はそれ
ぞれ電源投入時(オンの時)を示す。信号波形Bは電池
81の出力電圧VB、信号波形CはコンパレータCMP
Iの出力4の電圧、信号波形りはメモリICIをクリ
ア(メモリに格納されたデータの消去)するタイミング
、信号波形EはメモリICIにデータを再度格納設定す
るタイミング、信号波形FはメモリIC1に格納された
データが不正確であることを表示させ(図示しない表示
部)、メモリICIに格納されたデータにかかわる動作
を禁止する区間を、各々示している。
作防止装置に係る動作を示すタイムチャートである。同
図において、信号波形Aは装置の電源(+5V、 +1
2V )のオン、オフを示し、番号1,2,3.はそれ
ぞれ電源投入時(オンの時)を示す。信号波形Bは電池
81の出力電圧VB、信号波形CはコンパレータCMP
Iの出力4の電圧、信号波形りはメモリICIをクリ
ア(メモリに格納されたデータの消去)するタイミング
、信号波形EはメモリICIにデータを再度格納設定す
るタイミング、信号波形FはメモリIC1に格納された
データが不正確であることを表示させ(図示しない表示
部)、メモリICIに格納されたデータにかかわる動作
を禁止する区間を、各々示している。
先1′始めに、装置の電源(+5V、 +]2V )が
切断された状態で、電池旧の電圧(■8)か消費されV
B<Vr++であるとする。このとき、第2図に示すよ
うに装置に電源が投入されると(信号波形Aの投入時l
)、起動された制御回路は人力ボートIC2から得られ
たコンパレータCMP lの出力4のチェックを行う。
切断された状態で、電池旧の電圧(■8)か消費されV
B<Vr++であるとする。このとき、第2図に示すよ
うに装置に電源が投入されると(信号波形Aの投入時l
)、起動された制御回路は人力ボートIC2から得られ
たコンパレータCMP lの出力4のチェックを行う。
この時、コンパレータCMI3+の出力4は、前述した
ようにVn<V’、oのためロウレベルであるく第2図
に示す信号波形C)。従って、制御回路は、図示しない
信号線を介して、メモリTCIに格納されたデータをク
リアさせるだめの信号(信号波形Cに示すタイミングで
)をメモリIC1へ送る。こわと同時に、装置に設けら
れた表示部(図中省略)に対し、メモリIC1に格納さ
れたデータが不明確であること又は破損されたことを表
示させるための信号を送る。これによって、例えば装置
を取扱う扱者は、表示部に表示された情報により、メモ
リIC1に格納されたデータか不明確であることを認識
し、そのメモリ内容にかかわる動作が禁止される。その
後、扱者か正確なデータをメモリICIへ格納設定する
と((3号波形E)、これを示す情報を図示しない信号
線より受取った;し制御回路は、前記表示部に対しメモ
リ内容不明確の表示を消去させるための信号を送る。こ
むによって、電池81の電圧低下により影ツを受けたメ
モリ内容にかかわる装置の8!;動作が防止されたこと
になる。
ようにVn<V’、oのためロウレベルであるく第2図
に示す信号波形C)。従って、制御回路は、図示しない
信号線を介して、メモリTCIに格納されたデータをク
リアさせるだめの信号(信号波形Cに示すタイミングで
)をメモリIC1へ送る。こわと同時に、装置に設けら
れた表示部(図中省略)に対し、メモリIC1に格納さ
れたデータが不明確であること又は破損されたことを表
示させるための信号を送る。これによって、例えば装置
を取扱う扱者は、表示部に表示された情報により、メモ
リIC1に格納されたデータか不明確であることを認識
し、そのメモリ内容にかかわる動作が禁止される。その
後、扱者か正確なデータをメモリICIへ格納設定する
と((3号波形E)、これを示す情報を図示しない信号
線より受取った;し制御回路は、前記表示部に対しメモ
リ内容不明確の表示を消去させるための信号を送る。こ
むによって、電池81の電圧低下により影ツを受けたメ
モリ内容にかかわる装置の8!;動作が防止されたこと
になる。
次に、信号波形Aの電源投入時2に示すような場合には
、電源切断により電池Blの電圧■8は低下するか、V
[l>VTRであるため、メモリICIに格納されたデ
ータは正確に保持されていたことになる。従って、■]
御回路は、コンパレータCMP Iの出力4かハイレヘ
ルであることを検出し、メモリI01のデータクリヤ及
び表示部へのメモリデータネ正確の表示の指令を発しな
い。つまり、予めメモリIC+に格納されたデータに基
づき装置は通常の動作を行う。
、電源切断により電池Blの電圧■8は低下するか、V
[l>VTRであるため、メモリICIに格納されたデ
ータは正確に保持されていたことになる。従って、■]
御回路は、コンパレータCMP Iの出力4かハイレヘ
ルであることを検出し、メモリI01のデータクリヤ及
び表示部へのメモリデータネ正確の表示の指令を発しな
い。つまり、予めメモリIC+に格納されたデータに基
づき装置は通常の動作を行う。
また、信号波形Aの電源投入時3に示すような場合には
、電池旧の電圧v8が■。<VT、、のため、前述と同
扛の動作か行われる。
、電池旧の電圧v8が■。<VT、、のため、前述と同
扛の動作か行われる。
(発明の効果)
本発明によれば、電池の電圧を検出する検出手段と、検
出手段から得られた検出結果に基づき予めメモリに格納
されたメモリ情報を削除し、再度メモリ情報がメモリに
格納されるまで装置の動作制御を行う制御手段とを設け
たので、効果は次のようになる。
出手段から得られた検出結果に基づき予めメモリに格納
されたメモリ情報を削除し、再度メモリ情報がメモリに
格納されるまで装置の動作制御を行う制御手段とを設け
たので、効果は次のようになる。
装置の電源を長時間切断した際に、電池の電圧か低下し
てメモリに格納されたメモリ情報か不明確となっても、
不明確なメモリ情報は削除され、このメモリ+1j報に
基づく装置の動作は禁止される。つまり、装置の誤動作
を防1ヒすることかでき、優れた機能を有する誤動作防
止装置を提供できる。
てメモリに格納されたメモリ情報か不明確となっても、
不明確なメモリ情報は削除され、このメモリ+1j報に
基づく装置の動作は禁止される。つまり、装置の誤動作
を防1ヒすることかでき、優れた機能を有する誤動作防
止装置を提供できる。
第1図は本発明の一実施例による誤動作防止装置の回路
構成図、第2図は本実施例による誤動作防止装置の動作
を説明するためのタイムチャート、第3図は従来のメモ
リバックアップ回路図である。 ICI・・・メモリ、IC2・・・人力ポート、B1・
・・電池、(:MPl−・・コンパレータ。
構成図、第2図は本実施例による誤動作防止装置の動作
を説明するためのタイムチャート、第3図は従来のメモ
リバックアップ回路図である。 ICI・・・メモリ、IC2・・・人力ポート、B1・
・・電池、(:MPl−・・コンパレータ。
Claims (2)
- (1)装置の電源切断時に電池でバックアップされるメ
モリを有し、少なくともメモリに格納されたメモリ情報
に基づく動作を行う機能を有するメモリ内蔵装置におい
て、 電池の電圧を検出する検出手段と、 装置の電源投入時に、検出手段から得られた検出結果に
基づき予めメモリに格納されたメモリ情報を削除し、再
度メモリ情報がメモリに格納されるまで装置の動作制御
を行う制御手段とを設けたことを特徴とするメモリ内蔵
装置における誤動作防止装置。 - (2)前記検出手段が、メモリに格納されたメモリ情報
を保持することのできる基準電圧と、電池からの出力電
圧とを比較することにより電池の電圧検出を行う比較器
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のメ
モリ内蔵装置における誤動作防止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169927A JPS6326747A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | メモリ内蔵装置における誤動作防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169927A JPS6326747A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | メモリ内蔵装置における誤動作防止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326747A true JPS6326747A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15895520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169927A Pending JPS6326747A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | メモリ内蔵装置における誤動作防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326747A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425919A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Sharp Corp | 記憶装置のバックアップ回路 |
| JPH0450957U (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-28 | ||
| JP2003022670A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Nec Yamagata Ltd | 半導体集積回路 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61169927A patent/JPS6326747A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425919A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Sharp Corp | 記憶装置のバックアップ回路 |
| JPH0450957U (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-28 | ||
| JP2003022670A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Nec Yamagata Ltd | 半導体集積回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5951071B2 (ja) | メモリ保護回路 | |
| KR930000812B1 (ko) | 메모리구동장치 및 방법 | |
| US5831347A (en) | Apparatus for determining if the duration of a power failure exceeded predetermined limits | |
| EP0697791B1 (en) | Apparatus for determining if the duration of a power failure exceeded predetermined limits | |
| JPH0142002B2 (ja) | ||
| JPH069553Y2 (ja) | 電源回路 | |
| JPS5897721A (ja) | 電源回路 | |
| JP3716909B2 (ja) | バックアップ電源装置及び該バックアップ電源装置を備えた電気機器 | |
| JPS6142174Y2 (ja) | ||
| KR200213022Y1 (ko) | 실시간 콘트롤러의 전원 공급회로 | |
| JPS5897719A (ja) | 電源回路 | |
| JP2631661B2 (ja) | 電子機器 | |
| JPS6367423B2 (ja) | ||
| JPH05134787A (ja) | 情報処理装置 | |
| KR910001885Y1 (ko) | 전원 인가시 메모리 보호회로 | |
| JPH0389845A (ja) | スロースタート回路 | |
| US4433250A (en) | Power supply control apparatus | |
| KR910007181Y1 (ko) | 마스터 스위치와 화상스위치 동시 구동회로 | |
| JPS5843408Y2 (ja) | 記憶装置の保護装置 | |
| JPS6260437A (ja) | 電源バツクアツプ回路 | |
| JPH07104015A (ja) | 電圧検知回路 | |
| JP2001286069A (ja) | 相互接続判定回路 | |
| JPH10322922A (ja) | 過放電防止回路 | |
| JPH06153393A (ja) | 電源回路 | |
| JPH03180916A (ja) | 表示管表示式電子機器 |