JPS6326809A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6326809A JPS6326809A JP17025186A JP17025186A JPS6326809A JP S6326809 A JPS6326809 A JP S6326809A JP 17025186 A JP17025186 A JP 17025186A JP 17025186 A JP17025186 A JP 17025186A JP S6326809 A JPS6326809 A JP S6326809A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 19
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分計）
本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等に用い
られる、集積化薄膜技術を用いて作製される薄膜磁気ヘ
ッドに関するものである。
られる、集積化薄膜技術を用いて作製される薄膜磁気ヘ
ッドに関するものである。
（従来の技術）
周知の通り、最近の磁気言己録の分野においては高記録
密度化が増々進み、記録媒体と共に磁気記録を支える薄
膜磁気ヘッドにおいても前述の高記録密度化に対応する
ことが強く求められている。
密度化が増々進み、記録媒体と共に磁気記録を支える薄
膜磁気ヘッドにおいても前述の高記録密度化に対応する
ことが強く求められている。
この様な高記録密度化（特に、狭トラツク幅化）に対応
した薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、第２図（ａ）。
した薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、第２図（ａ）。
（ｂ）に示した如き構造のヘッドが提案されている。
すなわち、第２図（ａ）においてセラミックス等より成
る基板（図示せず）上に軟磁性薄膜より成るヨーク２及
び導体より成る薄膜のコイル４が形成されており、前記
ヨーク２と同一面上に磁気的連続性を損うことなく形成
された（通常は、ヨーク２と同一の軟磁性薄膜を用いる
）磁束誘導路、所謂リターン、パス（ｒｅｔｕｒｎ ｐ
ａｔｈ）３を有し、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成してい
る。
る基板（図示せず）上に軟磁性薄膜より成るヨーク２及
び導体より成る薄膜のコイル４が形成されており、前記
ヨーク２と同一面上に磁気的連続性を損うことなく形成
された（通常は、ヨーク２と同一の軟磁性薄膜を用いる
）磁束誘導路、所謂リターン、パス（ｒｅｔｕｒｎ ｐ
ａｔｈ）３を有し、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成してい
る。
一方、磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドにおいては、第２図（
ｂ）に示した如くヨーク２とリターン・パス３との間に
ＮｉＦｅ合金等より成る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）
６が、前記ヨーク２及びリターン・パス３と磁気的連続
性を保持し、且つ電気的には絶縁されて配置された構造
となっている。
ｂ）に示した如くヨーク２とリターン・パス３との間に
ＮｉＦｅ合金等より成る磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）
６が、前記ヨーク２及びリターン・パス３と磁気的連続
性を保持し、且つ電気的には絶縁されて配置された構造
となっている。
以上述べてきた様な誘導型あるいは磁気抵抗型薄膜磁気
ヘッドにおいては、トラック幅ＴＷはヨーク２の膜厚で
規定される。このため、狭トラツク化は、ヨーク２を成
す軟磁性薄膜の膜厚を薄くすることにより成されるので
、狭トラツク化が本質的に容易である。
ヘッドにおいては、トラック幅ＴＷはヨーク２の膜厚で
規定される。このため、狭トラツク化は、ヨーク２を成
す軟磁性薄膜の膜厚を薄くすることにより成されるので
、狭トラツク化が本質的に容易である。
つまり、上、下２の磁性体層を間にコイルを挟んで積層
し、前記両相性体層をエツチング加工して狭トラツク化
を行なう従来の薄膜磁気ヘッドに比較して、ヨークの膜
厚をうすくする事で狭トラツク化が実現される為、製造
プロセスが簡便で容易であり、価格の低減化が達成され
るという利点を有してる。
し、前記両相性体層をエツチング加工して狭トラツク化
を行なう従来の薄膜磁気ヘッドに比較して、ヨークの膜
厚をうすくする事で狭トラツク化が実現される為、製造
プロセスが簡便で容易であり、価格の低減化が達成され
るという利点を有してる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、第２図に示した如きヘッドは以下に述べ
る様な大きな欠点を有していた。
る様な大きな欠点を有していた。
第３図は、第２図（ｂ）のヘッドのリターン・パス３を
成す軟磁性薄膜部を抜き出して示した略図である。（第
３図においてはリターン・パス３を成す軟磁性薄膜の磁
気異方性はリターン・パス長手方向と平行な方向を容易
軸方向９とする様に付与された場合のみを示すが、これ
と直交する方向が各軸方向９となる場合でも以下の事情
は同じである。）ヘッド動作時の磁束の流れを考えると
例えば右側のヨークより流入（磁気抵抗型の場合はＭＲ
素子を介して）し、リターン・パス３を通過する磁束８
の方向は、リターン・パス３の途中で必ず、容易軸方向
９と平行となる箇所が存在していた。このことは、リタ
ーン・パス３と同一平面上に形成する第２図に示した如
き薄膜磁気ヘッドにおいては必然的に生じる現象である
。
成す軟磁性薄膜部を抜き出して示した略図である。（第
３図においてはリターン・パス３を成す軟磁性薄膜の磁
気異方性はリターン・パス長手方向と平行な方向を容易
軸方向９とする様に付与された場合のみを示すが、これ
と直交する方向が各軸方向９となる場合でも以下の事情
は同じである。）ヘッド動作時の磁束の流れを考えると
例えば右側のヨークより流入（磁気抵抗型の場合はＭＲ
素子を介して）し、リターン・パス３を通過する磁束８
の方向は、リターン・パス３の途中で必ず、容易軸方向
９と平行となる箇所が存在していた。このことは、リタ
ーン・パス３と同一平面上に形成する第２図に示した如
き薄膜磁気ヘッドにおいては必然的に生じる現象である
。
この様に磁束が容易軸方向に通過する場合においては磁
化の反転は主として磁壁移動により行なわれることが知
られており、透磁率の低下や磁壁の不規則な動きによる
ノイズの発生を生じ、磁束誘導路としてのリターン・パ
ス部の作用能率が半減し磁気ヘッドの電磁変換効率が太
き（低下するという問題点があった。このことは、特に
高周波領域で著しく、ヘッドの高記録密度特性を大きく
阻害しているのが実情であった。
化の反転は主として磁壁移動により行なわれることが知
られており、透磁率の低下や磁壁の不規則な動きによる
ノイズの発生を生じ、磁束誘導路としてのリターン・パ
ス部の作用能率が半減し磁気ヘッドの電磁変換効率が太
き（低下するという問題点があった。このことは、特に
高周波領域で著しく、ヘッドの高記録密度特性を大きく
阻害しているのが実情であった。
本発明は以上の様な従来の欠点を除去せしめて高い電磁
変換効率と高記録密度特性を有する薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とするものである。
変換効率と高記録密度特性を有する薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とするものである。
（問題点を解決する為の手段）
本発明によれば、軟磁性薄膜を用いた誘導型あるいは磁
気抵抗型などのエレメント部と、このエレメント部と磁
気的連続性を損なうことなく形成されたヨーク部及びリ
ターン・パス部とより成るトランスデユーサを有し、且
つトラック幅が前記ヨーク部の膜厚で規定される薄膜磁
気ヘッドにおいて、少な（とも前記リターンパス部が非
磁性有機物層上に形成され、しかもリターン・パス部を
成す軟磁性薄膜が負の磁歪定数を有することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドが得られる。
気抵抗型などのエレメント部と、このエレメント部と磁
気的連続性を損なうことなく形成されたヨーク部及びリ
ターン・パス部とより成るトランスデユーサを有し、且
つトラック幅が前記ヨーク部の膜厚で規定される薄膜磁
気ヘッドにおいて、少な（とも前記リターンパス部が非
磁性有機物層上に形成され、しかもリターン・パス部を
成す軟磁性薄膜が負の磁歪定数を有することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドが得られる。
（作用）
本発明は上述の構成をとることにより従来の問題点を改
善した薄膜磁気ヘッドの提供を可能とした。すなわち、
リターン・パス部の下部に焼成した有機物層を配置する
構成をとり、且つ磁歪定数λｓ ＜ ０なる軟磁性薄膜
を用いて前記リターン・パス部を形成することにより、
前記有機物層より生ずる応力によって、λｓｈｏなる軟
磁性薄膜の磁化容易軸方向を前記応力の方向と略平行な
方向とすることによって、リターン・パス部のほぼ全領
域にわたってリターン・パス部を成す軟磁性薄膜の磁化
容易軸方向と略直交方向に磁束を通過させて磁化の反転
を主として磁化回転により行なわせ透磁率の低下を抑制
し、磁束誘導路としてのリターン・パス部の機能を向上
させて高い電磁変換効率を有する薄膜磁気ヘッドを実現
するものである。
善した薄膜磁気ヘッドの提供を可能とした。すなわち、
リターン・パス部の下部に焼成した有機物層を配置する
構成をとり、且つ磁歪定数λｓ ＜ ０なる軟磁性薄膜
を用いて前記リターン・パス部を形成することにより、
前記有機物層より生ずる応力によって、λｓｈｏなる軟
磁性薄膜の磁化容易軸方向を前記応力の方向と略平行な
方向とすることによって、リターン・パス部のほぼ全領
域にわたってリターン・パス部を成す軟磁性薄膜の磁化
容易軸方向と略直交方向に磁束を通過させて磁化の反転
を主として磁化回転により行なわせ透磁率の低下を抑制
し、磁束誘導路としてのリターン・パス部の機能を向上
させて高い電磁変換効率を有する薄膜磁気ヘッドを実現
するものである。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
概略平面図である。第１図において、Ａｌ２Ｏ３−Ｔｉ
Ｃ基板（図示せず）上にＡｌ２Ｏ３より成る絶縁層（図
示せず）を成膜後、ノボラック系樹脂より成るフォトレ
ジスト（膜厚３ｐｍ）を用いて、リターン・パス部３と
ほぼ相似で、ひとまわり小さいなパターン形成し２００
°Ｃ〜２７０°Ｃで１時間焼成して有機物層７を形成し
た。
概略平面図である。第１図において、Ａｌ２Ｏ３−Ｔｉ
Ｃ基板（図示せず）上にＡｌ２Ｏ３より成る絶縁層（図
示せず）を成膜後、ノボラック系樹脂より成るフォトレ
ジスト（膜厚３ｐｍ）を用いて、リターン・パス部３と
ほぼ相似で、ひとまわり小さいなパターン形成し２００
°Ｃ〜２７０°Ｃで１時間焼成して有機物層７を形成し
た。
ついで、Ｃ０８５Ｎｂ１５（原子比、磁歪定数λ５−−
−１゜４Ｘ１０−６）薄膜より成るヨーク２、およびリ
ターン・パス３を集積化薄膜技術を用いて作製した。尚
、ＣｏＮｂ膜の厚みは３ｐｍとした。従って本実施例の
ヘッドのトラック幅は３１１ｍである。又、一対のヨー
ク２はギャップ長ｇに対応する間隔をあけてパターン化
した。本実施例では０．３ｐｍとした。更に、ヨーク２
、リターン・パス３のパターン幅は５０ｐｍとした。
−１゜４Ｘ１０−６）薄膜より成るヨーク２、およびリ
ターン・パス３を集積化薄膜技術を用いて作製した。尚
、ＣｏＮｂ膜の厚みは３ｐｍとした。従って本実施例の
ヘッドのトラック幅は３１１ｍである。又、一対のヨー
ク２はギャップ長ｇに対応する間隔をあけてパターン化
した。本実施例では０．３ｐｍとした。更に、ヨーク２
、リターン・パス３のパターン幅は５０ｐｍとした。
その後ＮｉＦｅ合金（Ｎｉの重量比８０〜８２％）より
成る膜厚４００人の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）６及
びＣｕメッキ膜により形成された端子５を形成し、磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドを作成した。
成る膜厚４００人の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）６及
びＣｕメッキ膜により形成された端子５を形成し、磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドを作成した。
ところで、本発明者の検討によれば、有機物層７により
生ずる応力の方向は、リターン・パス３の長手と略垂直
方向である為、本実施例で、リターン・パス３の材料と
して用いたＣｏＮ′ｂの如き磁歪が負の材料では、磁化
容易軸が前記応力の方向と略平行なとなることが明らか
となり、リターン、パス３を通過する磁束の方向は磁化
容易軸と略直交することが確認された。
生ずる応力の方向は、リターン・パス３の長手と略垂直
方向である為、本実施例で、リターン・パス３の材料と
して用いたＣｏＮ′ｂの如き磁歪が負の材料では、磁化
容易軸が前記応力の方向と略平行なとなることが明らか
となり、リターン、パス３を通過する磁束の方向は磁化
容易軸と略直交することが確認された。
実際、本実施例におけるリターン・パス３の磁化構造で
ビッタ−法で観察した所、第４図に模式的に示した様に
、リターン・パス３の全領域にわたって良好な磁化構造
（１８０°磁壁１０）が観察され、本発明による薄膜磁
気ヘッドにおいては、リターン・パス３を成す軟磁性薄
膜の磁化容易軸と略直交する方向に磁束８を通過させる
ことが可能となり、磁化の反転が主として磁化回転によ
り行なわれ、透磁率の低下が抑制されて磁束誘導路とし
てのリターン・パス部の材料が維持され高い電磁変換効
率が実現された。
ビッタ−法で観察した所、第４図に模式的に示した様に
、リターン・パス３の全領域にわたって良好な磁化構造
（１８０°磁壁１０）が観察され、本発明による薄膜磁
気ヘッドにおいては、リターン・パス３を成す軟磁性薄
膜の磁化容易軸と略直交する方向に磁束８を通過させる
ことが可能となり、磁化の反転が主として磁化回転によ
り行なわれ、透磁率の低下が抑制されて磁束誘導路とし
てのリターン・パス部の材料が維持され高い電磁変換効
率が実現された。
他の実施例として、リターン・パス３を成す軟磁性材料
を零磁歪のＣｏＢ７Ｚｒ５ＮｂＢ（原子比、磁歪定数λ
５２０）及び正磁歪のＣｏＢ５Ｚｒ１５（原子比、磁歪
定数λｓ−＋２．４ｘｌＯ−６）とした同一構成の薄膜
磁気ヘッドを作成したが、リターン・パス３の磁区構造
は第５図に模式的に示した通り、磁束８と１８０°磁壁
１０が略平行なとなる箇所が見られ良好な磁区構造は観
察されなかった。実際、零あるいは正磁歪の軟磁性材料
を用いて作成した薄膜磁気ヘッドでは、本発明による薄
膜磁気ヘッドに比較して、３０〜５０％の出力の低下が
認められ、又、不規則な磁歪移動に依ると考えられる波
形の歪みも観察された。
を零磁歪のＣｏＢ７Ｚｒ５ＮｂＢ（原子比、磁歪定数λ
５２０）及び正磁歪のＣｏＢ５Ｚｒ１５（原子比、磁歪
定数λｓ−＋２．４ｘｌＯ−６）とした同一構成の薄膜
磁気ヘッドを作成したが、リターン・パス３の磁区構造
は第５図に模式的に示した通り、磁束８と１８０°磁壁
１０が略平行なとなる箇所が見られ良好な磁区構造は観
察されなかった。実際、零あるいは正磁歪の軟磁性材料
を用いて作成した薄膜磁気ヘッドでは、本発明による薄
膜磁気ヘッドに比較して、３０〜５０％の出力の低下が
認められ、又、不規則な磁歪移動に依ると考えられる波
形の歪みも観察された。
（発明の効果）
以上述べて来た様に、本発明による薄膜磁気ヘッドにお
いては、焼成された有機物層上に、磁歪定数λｓｈｏな
る軟磁性材料より成るリターン・パスを形成することに
より、リターン・パス部の軟磁性材料の磁化容易軸方向
とリターン・パスを通過する磁束の方向を略直交させる
ことが可能となった。
いては、焼成された有機物層上に、磁歪定数λｓｈｏな
る軟磁性材料より成るリターン・パスを形成することに
より、リターン・パス部の軟磁性材料の磁化容易軸方向
とリターン・パスを通過する磁束の方向を略直交させる
ことが可能となった。
これによって、磁化の反転が主として、磁化回転により
行なわれ、透磁率の低下が抑制され、磁束誘導路として
のリターン・パス部の機能が維持され、高い電磁変換効
率を有する薄膜磁気ヘッドが実現された。
行なわれ、透磁率の低下が抑制され、磁束誘導路として
のリターン・パス部の機能が維持され、高い電磁変換効
率を有する薄膜磁気ヘッドが実現された。
尚、以上の説明においては、時宜抵抗型について説明し
たが、誘導型あるいは両者を複合した薄膜磁気ヘッドに
おいても本発明の意図する所は何ら損なわれないことは
勿論である。
たが、誘導型あるいは両者を複合した薄膜磁気ヘッドに
おいても本発明の意図する所は何ら損なわれないことは
勿論である。
第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図、第３図は
従来例を説明する為の図、第４図、第５図は薄膜磁気ヘ
ッドにおけるリターン・パス部の磁区構造を示す模式図
である。 図において、２００．ヨーク、３・・・リターンパス、
４・・・コイル、５・・・端子、６・・・ＭＲ素子、７
・・・有機物層、８・・・磁第１図 第２図 第３図 り＝〉容易軸 第４図 第５図
従来例を説明する為の図、第４図、第５図は薄膜磁気ヘ
ッドにおけるリターン・パス部の磁区構造を示す模式図
である。 図において、２００．ヨーク、３・・・リターンパス、
４・・・コイル、５・・・端子、６・・・ＭＲ素子、７
・・・有機物層、８・・・磁第１図 第２図 第３図 り＝〉容易軸 第４図 第５図
Claims (1)
- 誘導型、磁気抵抗型あるいは、この両者を複合化したエ
レメント部と、このエレメント部と磁気的連続性を損な
うことなく形成されたヨーク部及びリターン・パス部と
より成るトランスデューサを有する薄膜磁気ヘッドにお
いて、少なくとも前記リターン・パス部が非磁性有機物
層上に形成され、しかも前記リターン・パス部を成す軟
磁性薄膜が負の磁歪定数を有することを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17025186A JPS6326809A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17025186A JPS6326809A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326809A true JPS6326809A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0582647B2 JPH0582647B2 (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=15901475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17025186A Granted JPS6326809A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326809A (ja) |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17025186A patent/JPS6326809A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582647B2 (ja) | 1993-11-19 |
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