JPS6326837A - 光学系ピツクアツプ装置 - Google Patents
光学系ピツクアツプ装置Info
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- JPS6326837A JPS6326837A JP16956986A JP16956986A JPS6326837A JP S6326837 A JPS6326837 A JP S6326837A JP 16956986 A JP16956986 A JP 16956986A JP 16956986 A JP16956986 A JP 16956986A JP S6326837 A JPS6326837 A JP S6326837A
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- semiconductor laser
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は光ディスクの信号読取り、または占込み方式に
使用される光学系ピンクアップ装置、特に同ビックアン
プ装置で使用される半導体レーザの改良に関する。
使用される光学系ピンクアップ装置、特に同ビックアン
プ装置で使用される半導体レーザの改良に関する。
「発明のJ!要」
本発明の半導体レーザには、並列した複数の1[電極を
設けて活性層への注入電流の分布を制御することにより
、活性層の光出射位置を連続的に口r変することができ
るようにし、この半導体レーザを使用して、光デイスク
上の光ビームスポットをウオブリングすることによって
、構造が筒中で。
設けて活性層への注入電流の分布を制御することにより
、活性層の光出射位置を連続的に口r変することができ
るようにし、この半導体レーザを使用して、光デイスク
上の光ビームスポットをウオブリングすることによって
、構造が筒中で。
良好なトラッキングエラー検出信号を得ることのできる
ようにした光学系ピンクアップ装置である。
ようにした光学系ピンクアップ装置である。
「従来の技術構成」
従来、この種の光学系ピックアップ装置として、第3図
及び第4図に示すものがあった。
及び第4図に示すものがあった。
図面において、Aは゛ト導体レーザで、Bはコリメータ
レンズ、Cはビームスプリッタ、DはK 4体受光素子
、Eは1/4波長板、Fは対物レンズ、Gはウオブリン
グ法により対物レンズFを徴小振動させるためのウオブ
リング機構、Hは光ディスクである。
レンズ、Cはビームスプリッタ、DはK 4体受光素子
、Eは1/4波長板、Fは対物レンズ、Gはウオブリン
グ法により対物レンズFを徴小振動させるためのウオブ
リング機構、Hは光ディスクである。
ここで、上記の半導体レーザAは正電極Iと、P側りラ
−2ド層Jと、活性層にと、n側クラッド層にと、基板
Mと、負電極Nとで構成され、0は活性層にの光出射位
置である。
−2ド層Jと、活性層にと、n側クラッド層にと、基板
Mと、負電極Nとで構成され、0は活性層にの光出射位
置である。
なお、ウオブリング法とは、光ディスクHのトラックに
対してレーザビームスポットを左右に微小振動させ、得
られた信号の振動周波数を駆動信号の基準周波数と位相
検波して、その位相の正逆によりトラックエラー信号を
得るものである。
対してレーザビームスポットを左右に微小振動させ、得
られた信号の振動周波数を駆動信号の基準周波数と位相
検波して、その位相の正逆によりトラックエラー信号を
得るものである。
「従来技術の作用説明」
半導体レーザAの正電極Iから注入されたホールは活性
層Kにおいて、電子と再結合1−て光放出され、その光
が光共振器によって共振し、光出射位置0から出射され
る。
層Kにおいて、電子と再結合1−て光放出され、その光
が光共振器によって共振し、光出射位置0から出射され
る。
そして、上記の光出射位置Oから出射されたレーザは、
コリメータレンズBによって平行ビームとなり、ビーム
スプリッタC及び1/4波長板Eを通過し、対物レンズ
Fにより光ディスクH上に集光される。光ディスクHで
反射された光は1/4波長板Eを通過し、ビームスプリ
ッタCにより分光され、半導体受光素子りに入射して電
気信号となる。ここで、対物レンズFはウオブリング機
構Gによって微小振動されているため、光ディスクH上
のビームスポットはトラックに対して左右に微小振動し
、これに伴なって半導体受光素子りの出力電気信号は、
振幅変調を受0、その包路線波形からトラフキングエラ
ー検出信号を検出する。
コリメータレンズBによって平行ビームとなり、ビーム
スプリッタC及び1/4波長板Eを通過し、対物レンズ
Fにより光ディスクH上に集光される。光ディスクHで
反射された光は1/4波長板Eを通過し、ビームスプリ
ッタCにより分光され、半導体受光素子りに入射して電
気信号となる。ここで、対物レンズFはウオブリング機
構Gによって微小振動されているため、光ディスクH上
のビームスポットはトラックに対して左右に微小振動し
、これに伴なって半導体受光素子りの出力電気信号は、
振幅変調を受0、その包路線波形からトラフキングエラ
ー検出信号を検出する。
「発明が解決しようとする問題点」
従来の光学系ピックアップ装置における半導体レーザA
は、光出射位置Oが固定されており、変化させることは
出来なかった。そこで、対物レンズFを高価なピエゾ効
果素子やムービングコイル等のウオブリング機構Oによ
り移動させることが必要であった。そのため、光ピツク
アップの構造が複雑となり、小型化、軽績化が困難であ
った。
は、光出射位置Oが固定されており、変化させることは
出来なかった。そこで、対物レンズFを高価なピエゾ効
果素子やムービングコイル等のウオブリング機構Oによ
り移動させることが必要であった。そのため、光ピツク
アップの構造が複雑となり、小型化、軽績化が困難であ
った。
それに伴なって、ランダムアクセスの高速化が困難であ
り、高コスト、低信頼性等の欠点があった。
り、高コスト、低信頼性等の欠点があった。
本発明は、上記のような従来のものの欠点を除去するた
めに成されたもので、光出射位置可変半導体レーザの光
出射位置を電気的に連続に変調することにより、光ディ
スク七〇光ビームスポットをウオブリングし、良好なト
ラッキングエラー検出信号を得ることの出来る光学系ピ
ックアップ装置を提供せんとすることを目的としている
。
めに成されたもので、光出射位置可変半導体レーザの光
出射位置を電気的に連続に変調することにより、光ディ
スク七〇光ビームスポットをウオブリングし、良好なト
ラッキングエラー検出信号を得ることの出来る光学系ピ
ックアップ装置を提供せんとすることを目的としている
。
「問題点を解決するための手段」
本発明は半導体レーザの光出射位置を変調することによ
り、トラ−2クヒの集光スポットをウオブリングして、
トラッキングエラー検出信号を得ることを特徴とする光
学系ピックアップ装置である。なお、この際、上記の半
導体レーザに並列した複数の正電極を設けて光出射位置
を囲続的に可変することができるようにしても良いこと
勿論である。
り、トラ−2クヒの集光スポットをウオブリングして、
トラッキングエラー検出信号を得ることを特徴とする光
学系ピックアップ装置である。なお、この際、上記の半
導体レーザに並列した複数の正電極を設けて光出射位置
を囲続的に可変することができるようにしても良いこと
勿論である。
「作 用」
半導体レーザの光出射位置を変調することにより、トラ
ックヒの集光スポットをウオブリングさせる。このウオ
ブリングされた光は、平行ビームとなり、ビームスプリ
ー2夕及び1/4波長板を通過し、対物レンズにより光
ディスク[―に集光される。この光デイスク上のビーム
スポットは、トラックに対して左右に微小振動し、反射
した光は1/4波長板を通過し、ビームスプリフタによ
って分光され、半導体受光素子に入射し電気信号となる
。これに伴なって半導体受光素子の出力電気信号は、振
幅変調を受け、その包路線波形からトラッキングエラー
検出信号を検出する。
ックヒの集光スポットをウオブリングさせる。このウオ
ブリングされた光は、平行ビームとなり、ビームスプリ
ー2夕及び1/4波長板を通過し、対物レンズにより光
ディスク[―に集光される。この光デイスク上のビーム
スポットは、トラックに対して左右に微小振動し、反射
した光は1/4波長板を通過し、ビームスプリフタによ
って分光され、半導体受光素子に入射し電気信号となる
。これに伴なって半導体受光素子の出力電気信号は、振
幅変調を受け、その包路線波形からトラッキングエラー
検出信号を検出する。
「実施例」
〈実施例の構成〉
以下、未発itを図面の実施例にJ^づいて説明する。
第1図は本発明に係る光学系ビックアンプ装置の頭部構
成図で、第2図は同光学系ピックアッブ装置で使用され
る半導体レーザの斜視図を示す。
成図で、第2図は同光学系ピックアッブ装置で使用され
る半導体レーザの斜視図を示す。
上記の図面において、1は光出射位置を可変することの
できる半導体レーザで、2はコリメータレンズ、3はビ
ームスプリッタ、4は半導体受光素子、5は1/4波長
板、6は対物レンズ、7は光ディスクである。
できる半導体レーザで、2はコリメータレンズ、3はビ
ームスプリッタ、4は半導体受光素子、5は1/4波長
板、6は対物レンズ、7は光ディスクである。
上記の半導体レーザlは並列された複数の正′屯極8と
、P側りラッド層9と、活性層10と、n側クラッド層
11と、基板12と、負電極13とで構成され、14は
活性層10の光出射位置である。
、P側りラッド層9と、活性層10と、n側クラッド層
11と、基板12と、負電極13とで構成され、14は
活性層10の光出射位置である。
〈実施例の作用〉
次に、上記の実施例の作用について説明する。
まず、半導体レーザlの複数の正電極8には、それぞれ
異なった電源に制御された電流が流れる。従って、活性
層lOに流れる電流の分布は、複数の正゛市極8に波れ
る電流を制御することにより、変化させることができ、
これにより光出射位置14を自由にかっ四続的に変化さ
せることができる。
異なった電源に制御された電流が流れる。従って、活性
層lOに流れる電流の分布は、複数の正゛市極8に波れ
る電流を制御することにより、変化させることができ、
これにより光出射位置14を自由にかっ四続的に変化さ
せることができる。
L記のようにして、ウオブリングされた光は。
コリメータレンズ2により平行ビームとなり、ビームス
プリッタ3及び1/4波反板5を通過し、対物レンズ6
により光デイスク7上に集光される。この光デイスク7
上のビームスポットは、トラックに対して左右に微小振
動し、反射し、た光は1/4波長板5を通過し、ビーム
スプリッタ3によって分光され、半導体受光素子4に入
射し電気信号となる。これに伴なって半導体受光素子4
の出力電気信号は、振幅変調を受け、その包絡線波形か
らトラッキングエラー検出信号を検出する。
プリッタ3及び1/4波反板5を通過し、対物レンズ6
により光デイスク7上に集光される。この光デイスク7
上のビームスポットは、トラックに対して左右に微小振
動し、反射し、た光は1/4波長板5を通過し、ビーム
スプリッタ3によって分光され、半導体受光素子4に入
射し電気信号となる。これに伴なって半導体受光素子4
の出力電気信号は、振幅変調を受け、その包絡線波形か
らトラッキングエラー検出信号を検出する。
「発明の効果」
本発明は以上のように、半導体レーザ1の光出射位置を
変調することにより、ディスク7のトラックトの集光ス
ボー7トをウオブリングして、トラ−2キング工ラー検
出信号を得るようにしたので、構造が簡略化されると共
に、安価となり、良好なトラッキングエラー検出信号を
得ることができる。
変調することにより、ディスク7のトラックトの集光ス
ボー7トをウオブリングして、トラ−2キング工ラー検
出信号を得るようにしたので、構造が簡略化されると共
に、安価となり、良好なトラッキングエラー検出信号を
得ることができる。
第1図は本発明に係る光学系ピックアップ装置の概略構
成図で、第2図は同光学系ピックアップ装置で使用され
る半導体レーザの斜視図、第3図は従来の光学系ピック
アップ装置の概略構成図で、第4図は同光学系ピックア
ップ装置で使用される半導体レーザの斜視図を示す。 l・・・半導体レーザ装置、 2・・・コリメータレンズ、 3・・・ビームスプリッタ、 4・・・半導体受光素子、 5・・・1/4波反板、 6・・・対物レンズ、 7・・・光ディスク。 8・・・正′屯極。 9・・・p側りラノド層、 lO・・・活性層。 11・・・n側クラッド層。 12・・・基板、 13・・・負電極、 14・・・光出射位置。 特許出願人 パイオニア株式会社 代理人 弁理士 大 律 洋 夫 第1図 第2図 第3図 第4図
成図で、第2図は同光学系ピックアップ装置で使用され
る半導体レーザの斜視図、第3図は従来の光学系ピック
アップ装置の概略構成図で、第4図は同光学系ピックア
ップ装置で使用される半導体レーザの斜視図を示す。 l・・・半導体レーザ装置、 2・・・コリメータレンズ、 3・・・ビームスプリッタ、 4・・・半導体受光素子、 5・・・1/4波反板、 6・・・対物レンズ、 7・・・光ディスク。 8・・・正′屯極。 9・・・p側りラノド層、 lO・・・活性層。 11・・・n側クラッド層。 12・・・基板、 13・・・負電極、 14・・・光出射位置。 特許出願人 パイオニア株式会社 代理人 弁理士 大 律 洋 夫 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1)半導体レーザの光出射位置を変調することにより
、トラック上の集光スポットをウォブリングして、トラ
ッキングエラー検出信号を得ることを特徴とする光学系
ピックアップ装置。 - (2)上記の半導体レーザに並列した複数の正電極を設
けて光出射位置を連続的に可変することができるように
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学
系ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16956986A JPS6326837A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 光学系ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16956986A JPS6326837A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 光学系ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326837A true JPS6326837A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15888901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16956986A Pending JPS6326837A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 光学系ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0765015A1 (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk drive |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP16956986A patent/JPS6326837A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0765015A1 (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk drive |
| KR100223353B1 (ko) * | 1995-09-19 | 1999-10-15 | 가나이 쓰도무 | 반도체레이저소자 및 광디스크장치 |
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