JPS6326846A - 光ヘツド - Google Patents
光ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6326846A JPS6326846A JP61169735A JP16973586A JPS6326846A JP S6326846 A JPS6326846 A JP S6326846A JP 61169735 A JP61169735 A JP 61169735A JP 16973586 A JP16973586 A JP 16973586A JP S6326846 A JPS6326846 A JP S6326846A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical head
- high frequency
- laser
- frequency module
- Prior art date
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- Granted
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光デイスク装置の光ヘッドに係り、特に光ヘ
ッドの小型化に好適な光ヘットに関する。
ッドの小型化に好適な光ヘットに関する。
光ヘッドにおいて、光源に半導体レーザを用いた場合、
記録媒体からの反射光が再び半導体レーザへ戻るとレー
ザ雑音が発生し、信号対雑音比が低下するという問題が
ある。この現象は単一縦モードレーザにおいて顕著であ
り、このレーザ雑音を低減する方法として特公昭５９−
９０８６号に記載の如く、半導体レーザを高周波駆動し
て多縦モードとすることにより低減する方法が知られて
いる。また、高周波駆動するための高周波モジュールの
小型化、量産化を図るためにＧａＡｓ１Ｃで実現する方
法が、電子通信学会技術報告。
記録媒体からの反射光が再び半導体レーザへ戻るとレー
ザ雑音が発生し、信号対雑音比が低下するという問題が
ある。この現象は単一縦モードレーザにおいて顕著であ
り、このレーザ雑音を低減する方法として特公昭５９−
９０８６号に記載の如く、半導体レーザを高周波駆動し
て多縦モードとすることにより低減する方法が知られて
いる。また、高周波駆動するための高周波モジュールの
小型化、量産化を図るためにＧａＡｓ１Ｃで実現する方
法が、電子通信学会技術報告。
ＥＤ８６−１２．（１９８６年２月）Ｐ、４１〜Ｐ、４
６に記載されている。
６に記載されている。
しかし、高周波モジュールとしてのＧ、＋、Ａｓ１Ｃは
単品で形成されているために半導体レーザの外部に設置
することになり、大幅な小型化が図九ないという問題を
有している。
単品で形成されているために半導体レーザの外部に設置
することになり、大幅な小型化が図九ないという問題を
有している。
上記従来技術は、大幅な小型化と電磁シールドの点につ
いて配慮されていない。本発明の目的は光ヘッドの小型
化と電磁シールド・効果を持たせることにある。
いて配慮されていない。本発明の目的は光ヘッドの小型
化と電磁シールド・効果を持たせることにある。
上記目的は、高周波モジュールをＧａＡｓＩＣ化し、半
導体レーザのパッケージ内に設置することにより達成さ
れる。
導体レーザのパッケージ内に設置することにより達成さ
れる。
高周波モジュールをＧａＡｓＩＣ化して半導体レーザ内
に設置することにより、超小型化が図れ、さらにパッケ
ージ内を電磁シールドすることにより外部への電磁的な
影響を低減することができる。
に設置することにより、超小型化が図れ、さらにパッケ
ージ内を電磁シールドすることにより外部への電磁的な
影響を低減することができる。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。光ヘ
ッド１に設置された半導体レーザ２から出た光はカップ
リングレンズ３により集光されて平行光となり、プリズ
ム４．ミラー５を通り、絞り込みレンズ６により記録膜
を有する光デイスク７上に１μｍ程度に絞り込まれる。
ッド１に設置された半導体レーザ２から出た光はカップ
リングレンズ３により集光されて平行光となり、プリズ
ム４．ミラー５を通り、絞り込みレンズ６により記録膜
を有する光デイスク７上に１μｍ程度に絞り込まれる。
記録膜が垂直磁化膜である光磁気ディスクについて説明
を続ける。記録時は、外部磁場用電磁コイル８の磁場方
向を記録膜の磁化方向と逆方向に設定しておき、半導体
レーザ２をレーザドライバ９により高出力パルスｑｔｍ
させると熱によって記録膜の磁化がなくなり、その場所
が外部磁場の方向に向くことによりデータが記録される
。消去時は記録時と逆に外部磁場の方向を記録膜の磁化
方向と同じ方向に設定してＤＣ的な高出力レーザ光を照
射するとデータが消去される。再生は磁化の方向を光学
的に検出するカー効果を利用する。カー効果は磁化１漠
に直線偏光を入射させると、その反射光の偏光面が磁化
方向に対応してわずかに回転する（カー回転）現象を言
い、このカー回転を検光子（図示せず）で検出して光検
出器１０で電気信号に変換し。
を続ける。記録時は、外部磁場用電磁コイル８の磁場方
向を記録膜の磁化方向と逆方向に設定しておき、半導体
レーザ２をレーザドライバ９により高出力パルスｑｔｍ
させると熱によって記録膜の磁化がなくなり、その場所
が外部磁場の方向に向くことによりデータが記録される
。消去時は記録時と逆に外部磁場の方向を記録膜の磁化
方向と同じ方向に設定してＤＣ的な高出力レーザ光を照
射するとデータが消去される。再生は磁化の方向を光学
的に検出するカー効果を利用する。カー効果は磁化１漠
に直線偏光を入射させると、その反射光の偏光面が磁化
方向に対応してわずかに回転する（カー回転）現象を言
い、このカー回転を検光子（図示せず）で検出して光検
出器１０で電気信号に変換し。
データを再生する。
こうして得られる光磁気信号は微弱であるため。
信号対雑音比（ＳＮ比）を確保するためにはアンプ、レ
ーザ、ディスクなどの雑音を充分小さくする必要がある
。通常使用する高出力半導体レーザは単一縦モードであ
るために戻り光によるレーザ雑音が大きくＳＮ比が劣化
するので、レーザノイズ低減のために４００〜８００
Ｍ Ｈｚで発振する高周波重畳用の高周波モジュール１
１を設置して。
ーザ、ディスクなどの雑音を充分小さくする必要がある
。通常使用する高出力半導体レーザは単一縦モードであ
るために戻り光によるレーザ雑音が大きくＳＮ比が劣化
するので、レーザノイズ低減のために４００〜８００
Ｍ Ｈｚで発振する高周波重畳用の高周波モジュール１
１を設置して。
半導体レーザを多縦モードとすることにより実現してい
る。従来の高周波モジュール８はセラミック基板上にト
ランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタを配置した
ハイブリッドＩＣで形成する場合や、ＧａＡｓＩＣとす
る場合が知られているが、これらは半導体レーザとのイ
ンピーダンス整合回路や電磁シールドのためのケースが
必要となり、半導体レーザまわりの規模が大きくなって
いた。そこで本発明では高周波モジュール１１をＧａＡ
ｓＩＣとし、半導体レーザ２のパッケージに直接内蔵す
ることにより、インピーダンス整合回路が不用で電磁シ
ールド効果を持たせるようにした。
る。従来の高周波モジュール８はセラミック基板上にト
ランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタを配置した
ハイブリッドＩＣで形成する場合や、ＧａＡｓＩＣとす
る場合が知られているが、これらは半導体レーザとのイ
ンピーダンス整合回路や電磁シールドのためのケースが
必要となり、半導体レーザまわりの規模が大きくなって
いた。そこで本発明では高周波モジュール１１をＧａＡ
ｓＩＣとし、半導体レーザ２のパッケージに直接内蔵す
ることにより、インピーダンス整合回路が不用で電磁シ
ールド効果を持たせるようにした。
第２図に高周波モジュールを内蔵した半導体レーザを示
す。（ａ）は正面図で、半導体レーザのパッケージ２１
の中心にはレーザチップ２２がレーザマウント２３上に
設置されてその上部にはレーザの出力をモニタする後方
モニタ用光検出器２４がレーザの出射方向に対して斜め
方向に向けて配置されている。また高周波モジュール用
のＧａＡｓ Ｉ Ｃ２５がレーザチップ２２の左、右
あるいは下方に設置される。それぞれはワイヤボンディ
ング（図示せず）で接続されており、パンケージから外
部への信号のやりとりは貫通コンデンサ（同図（ｂ）で
２６）を使用する。また別の形態として半導体レーザは
Ｇ ａ Ａ ｓ基板に形成されるから、半導体レーザと
高周波モジュールを同−Ｇ ａ Ａ ｓ ｊ＆抜板上形
成することも可能となる。こうすることにより、信号線
による外部への高周波電流の漏れを防いでいる。同図（
ｂ）は側面図である。電磁シールド効果を持せるために
半導体レーザの出射窓のガラス２７に光学的に透明で、
電気的に等電性をもつ５ｎ０２などのネサ膜２８を形成
しておく。
す。（ａ）は正面図で、半導体レーザのパッケージ２１
の中心にはレーザチップ２２がレーザマウント２３上に
設置されてその上部にはレーザの出力をモニタする後方
モニタ用光検出器２４がレーザの出射方向に対して斜め
方向に向けて配置されている。また高周波モジュール用
のＧａＡｓ Ｉ Ｃ２５がレーザチップ２２の左、右
あるいは下方に設置される。それぞれはワイヤボンディ
ング（図示せず）で接続されており、パンケージから外
部への信号のやりとりは貫通コンデンサ（同図（ｂ）で
２６）を使用する。また別の形態として半導体レーザは
Ｇ ａ Ａ ｓ基板に形成されるから、半導体レーザと
高周波モジュールを同−Ｇ ａ Ａ ｓ ｊ＆抜板上形
成することも可能となる。こうすることにより、信号線
による外部への高周波電流の漏れを防いでいる。同図（
ｂ）は側面図である。電磁シールド効果を持せるために
半導体レーザの出射窓のガラス２７に光学的に透明で、
電気的に等電性をもつ５ｎ０２などのネサ膜２８を形成
しておく。
以上説明した様に本発明によれば半這体レーザまわりの
小型化と電磁シールド効果をもたせることができる。
小型化と電磁シールド効果をもたせることができる。
本発明によれば、高周波モジュールと半溝体レーザを同
一パッケージ内に形成することができるので光ヘッドの
小型化と電磁シールドの効果をあわせもたせることがで
きる。
一パッケージ内に形成することができるので光ヘッドの
小型化と電磁シールドの効果をあわせもたせることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は本発明の
具体的な実施例を説明するための図。 ２・・・半導体レーザ、９・・・レーザドライバ、１１
・・・高周波モジュール、２１・・・半導体レーザのパ
ッケージ、２２・・・レーザチップ、２３・・・レーザ
マウント、２４・・・後方モニタ用光検出器、２５・・
・高周波モジュール用ＧａＡｓ ＩＣ。 ２６・・・貫通コンデンサ、２７・・・出射窓のガラス
、２８・・・ネサ膜。 第２図
具体的な実施例を説明するための図。 ２・・・半導体レーザ、９・・・レーザドライバ、１１
・・・高周波モジュール、２１・・・半導体レーザのパ
ッケージ、２２・・・レーザチップ、２３・・・レーザ
マウント、２４・・・後方モニタ用光検出器、２５・・
・高周波モジュール用ＧａＡｓ ＩＣ。 ２６・・・貫通コンデンサ、２７・・・出射窓のガラス
、２８・・・ネサ膜。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光源と該光源から出た光を記録媒体上へ導く光学系
を有する光ヘッドにおいて、前記光源として半導体レー
ザを用い、該半導体レーザを高周波的に駆動する高周波
モジュールを有し、該高周波モジュールを前記半導体レ
ーザのパッケージ内に設置したことを特徴とする光ヘッ
ド。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光ヘッドにおいて、前
記半導体レーザの出射窓に導電性を有するネサ膜を設け
て電磁シールド効果を持たせたことを特徴とする光ヘッ
ド。 ３、特許請求の範囲第１項記載の光ヘッドにおいて、前
記半導体レーザと前記高周波モジュールをＧａＡｓ基板
上に形成したことを特徴とする光ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169735A JPH0746437B2 (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 光ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169735A JPH0746437B2 (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 光ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326846A true JPS6326846A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0746437B2 JPH0746437B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=15891877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169735A Expired - Lifetime JPH0746437B2 (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 光ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746437B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH042326U (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-09 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129948A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-26 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| JPS6035344A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 発光装置およびこれを用いた光学的信号処理装置 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61169735A patent/JPH0746437B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129948A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-26 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| JPS6035344A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Hitachi Tobu Semiconductor Ltd | 発光装置およびこれを用いた光学的信号処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH042326U (ja) * | 1990-04-24 | 1992-01-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746437B2 (ja) | 1995-05-17 |
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