JPS59129948A - 光情報処理装置 - Google Patents
光情報処理装置Info
- Publication number
- JPS59129948A JPS59129948A JP58003373A JP337383A JPS59129948A JP S59129948 A JPS59129948 A JP S59129948A JP 58003373 A JP58003373 A JP 58003373A JP 337383 A JP337383 A JP 337383A JP S59129948 A JPS59129948 A JP S59129948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser
- positive feedback
- information processing
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06223—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes using delayed or positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06817—Noise reduction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体レーザ装置を光源として情報面を照射し
、再生する情報処理装置に関する。
、再生する情報処理装置に関する。
従来、半導体レーザ装置を用いた情報処理装置において
は、レーザ共振器に光学部品、あるいは情報面、たとえ
ばディスク板からの反射光が戻ると、レーザ共振状態を
乱してノイズが発生することが問題となっている。情報
処理装置としては、光デイスク装置、たとえばビデオ・
ディスク装置、オーディオ・ディスク装置、或いはメモ
リ・ファイル装置等が存在する。
は、レーザ共振器に光学部品、あるいは情報面、たとえ
ばディスク板からの反射光が戻ると、レーザ共振状態を
乱してノイズが発生することが問題となっている。情報
処理装置としては、光デイスク装置、たとえばビデオ・
ディスク装置、オーディオ・ディスク装置、或いはメモ
リ・ファイル装置等が存在する。
とくに、シングルモード半導体レーザ装置を光源とした
場合は、共振器端面の反射率が低いため、外部との結合
が強力で、反射光による影響をうけ易い。また、温度の
上昇によって波長が長波長にジャンプする際のノイズも
問題となっている。
場合は、共振器端面の反射率が低いため、外部との結合
が強力で、反射光による影響をうけ易い。また、温度の
上昇によって波長が長波長にジャンプする際のノイズも
問題となっている。
この影響をさけるため、マルチモード発振レーザが候補
としであるが、上記、反射光、温度の影響をうけにくい
が、ノイズの基底レベルが高く、シングルモードレーザ
のノイズの低い時にくうべ装置のＳ／Ｎが悪いという問
題点を抱えている。
としであるが、上記、反射光、温度の影響をうけにくい
が、ノイズの基底レベルが高く、シングルモードレーザ
のノイズの低い時にくうべ装置のＳ／Ｎが悪いという問
題点を抱えている。
また、マルチモード発振のレーザは製造という観点から
も安定なものがつくり難い。
も安定なものがつくり難い。
し発明の目的〕
本発明は情報再生時のノイズレベルが低く且反射光、周
囲温度の変化に対しても安定な光情報装置を提供するも
のである。
囲温度の変化に対しても安定な光情報装置を提供するも
のである。
上記目的を達成するため、次の様な構成を取る。
情報面を半導体レーザ光によって照射し再生する光情報
処理装置において、前記半導体レーザ光の少なくとも一
部を光検知し、その光検知手段の出力を半導体レーザ装
置の制御手段に正帰還をなすものである。
処理装置において、前記半導体レーザ光の少なくとも一
部を光検知し、その光検知手段の出力を半導体レーザ装
置の制御手段に正帰還をなすものである。
前記光検知手段の出力の周波数成分のうち、必要信号帯
域外の成分を正帰還となすのが良い。
域外の成分を正帰還となすのが良い。
又、通常、正帰還に際しては光検知手段の出力を増巾す
るのが良い。
るのが良い。
第１図は本発明の一実施例の上面図である。図中２１は
情報がうずまき状に記録されている円板、２２はその中
心、２３は情報が記録されているトラック、２４は半導
体レーザ、レンズ等が配置されている筐体、２５は筐体
を移動せしめるためのモータ、２６，２７は各々円板３
よび筐体の移動方向を示す矢印である。
情報がうずまき状に記録されている円板、２２はその中
心、２３は情報が記録されているトラック、２４は半導
体レーザ、レンズ等が配置されている筐体、２５は筐体
を移動せしめるためのモータ、２６，２７は各々円板３
よび筐体の移動方向を示す矢印である。
第２図は本光情報処理装置の情報再生部の部分拡大説明
図である。
図である。
１は半導体レーザ、２．３はレンズ、２１はデλ
イスク板である。４は偏光プリズム、５は一板で６は光
検出器である。ディスク板２１からの情報は、半導体レ
ーザーを出たレーザ光をディスク板２１のトラックに照
射し、その反射光を、偏光プリズム４と一板５でもって
構成されるアイソレ−りによって情報読み数多用の光積
出器６に導くという方法で読みとられる。
検出器である。ディスク板２１からの情報は、半導体レ
ーザーを出たレーザ光をディスク板２１のトラックに照
射し、その反射光を、偏光プリズム４と一板５でもって
構成されるアイソレ−りによって情報読み数多用の光積
出器６に導くという方法で読みとられる。
この情報読み取シ時一部のレーザ光が、再び半導体レー
ザーに戻ることによってノイズを生じる。
ザーに戻ることによってノイズを生じる。
この対策のため本発明では次の如き正帰還回路を設ける
ことによって、光情報処理装置のノイズレベルを低レベ
ルに維持することを可能とした。
ことによって、光情報処理装置のノイズレベルを低レベ
ルに維持することを可能とした。
この正帰還回路はモニタ光検出器１２、コンデンサ７．
８、正帰還用アンプ９で構成される。なお、１３はＤＣ
電源（温度制御定出方ＤＣ電源）、１１はモニタ出力の
ｌ）Ｃ部分のみを通すチョーク、及び１０は高周波成分
がＤＣ電源１３に入り込まないためのチョークである。
８、正帰還用アンプ９で構成される。なお、１３はＤＣ
電源（温度制御定出方ＤＣ電源）、１１はモニタ出力の
ｌ）Ｃ部分のみを通すチョーク、及び１０は高周波成分
がＤＣ電源１３に入り込まないためのチョークである。
又、場合によっては、第３図に示す如く、コンデンサ７
と正帰還用アンプ９の間に高域通過フィルタ１４を挿入
しても良い。第３図は正帰還回路の部分のみ等価回路と
して示したものである。
と正帰還用アンプ９の間に高域通過フィルタ１４を挿入
しても良い。第３図は正帰還回路の部分のみ等価回路と
して示したものである。
この様にして半導体レーザを受光器で受光し、この受光
器の出力よシレーザ光の高周波変動分のみを増巾し、レ
ーザ駆動電流に戻すという動作を行なわせることで高周
波発振を行なわせしめる。
器の出力よシレーザ光の高周波変動分のみを増巾し、レ
ーザ駆動電流に戻すという動作を行なわせることで高周
波発振を行なわせしめる。
この結果、半導体レーザは縦多モードの発振が生ずる。
具体的な構成例は次の如きである。高域通過フィルタ１
４の遮断周波数は１５０ Ｍ）（ｚ 、 増幅器９の
帯域は４００ ＭＨｚ 、利得は４０ｄＢである。また
、使用した半導体レーザ１はＡＩ！ＧａＡｓ系のダブル
へテロ構造を持つ可視レーザで、本駆動方法を取らない
場合、基本的に縦モードはシングルモードで発振するも
のである。受光器１２はシリコン光ダイオードを用いた
。１５で示した回路が本発明の主要構成部であり、これ
を取シ除いた構成がほぼ従来の半導体レーザ駆動方式で
ある。
４の遮断周波数は１５０ Ｍ）（ｚ 、 増幅器９の
帯域は４００ ＭＨｚ 、利得は４０ｄＢである。また
、使用した半導体レーザ１はＡＩ！ＧａＡｓ系のダブル
へテロ構造を持つ可視レーザで、本駆動方法を取らない
場合、基本的に縦モードはシングルモードで発振するも
のである。受光器１２はシリコン光ダイオードを用いた
。１５で示した回路が本発明の主要構成部であり、これ
を取シ除いた構成がほぼ従来の半導体レーザ駆動方式で
ある。
第４図は本発明の適用の効果を示すための１イズ・レベ
ルの比較を示す図である。曲線１６は本発明を適用しな
い場合、同１７は従来のマルチ・モードレーザの場合、
同１８は本発明の適用の例である。横軸はレーザ光の帰
還量を示している。
ルの比較を示す図である。曲線１６は本発明を適用しな
い場合、同１７は従来のマルチ・モードレーザの場合、
同１８は本発明の適用の例である。横軸はレーザ光の帰
還量を示している。
このように、正帰還変調を行なわせた場合１８は、しな
い場合１６に比べて１桁以上低下することが判るＯ このレベルは従来のマルチモードレーザで得られるノイ
ズ・レベル１７にくらべても低い。
い場合１６に比べて１桁以上低下することが判るＯ このレベルは従来のマルチモードレーザで得られるノイ
ズ・レベル１７にくらべても低い。
コンデンサ７．８、或いはフィルタ１４は必要信号帯域
の成分が正帰還されないようにするだめのフィルター回
路の役割りを果す。したがって信号帯域よりもはるかに
高い周波数成分が正帰還し、第５図は、モニタ検出器１
２をディスク板３に照射するレーザ光の出射側と同じ方
向に配置する例を示す。この場合も第２図等の場合と−
同じ効果を示す。なお、第５図において第２図と同一符
号は同一部位を示している。また、アイソレータとして
ハーフ・プリズムを用いる方法も有効である。
の成分が正帰還されないようにするだめのフィルター回
路の役割りを果す。したがって信号帯域よりもはるかに
高い周波数成分が正帰還し、第５図は、モニタ検出器１
２をディスク板３に照射するレーザ光の出射側と同じ方
向に配置する例を示す。この場合も第２図等の場合と−
同じ効果を示す。なお、第５図において第２図と同一符
号は同一部位を示している。また、アイソレータとして
ハーフ・プリズムを用いる方法も有効である。
なお、情報再生の方式として情報面にレーザ光をあてて
その透過光を読み取る例、その反射光を読み取る例等の
方式の再生装置であっても本発明の適用が可能なことは
いうまでもない。
その透過光を読み取る例、その反射光を読み取る例等の
方式の再生装置であっても本発明の適用が可能なことは
いうまでもない。
このような駆動回路を同一パッケージ内に組込むことに
よって、従来の半導体レーザと同様に使用することが可
能である。さらにこれを同一チップ上に集積した集積回
路を作れば、安定性やコストの面で有利となる。
よって、従来の半導体レーザと同様に使用することが可
能である。さらにこれを同一チップ上に集積した集積回
路を作れば、安定性やコストの面で有利となる。
本方式では、システムで使用する周波帯域より高い周波
数で光出力が変動すれば良い。したがって、システムで
使用する周波数によっては、前記の実施例に示した増幅
器よりも狭い周波数帯域の増幅器でも使用可能である。
数で光出力が変動すれば良い。したがって、システムで
使用する周波数によっては、前記の実施例に示した増幅
器よりも狭い周波数帯域の増幅器でも使用可能である。
また、半導体レーザの固有振動周波数付近（２〜３ＧＨ
ｚ）を利用して帰還を行えば、より効果的である。
ｚ）を利用して帰還を行えば、より効果的である。
本発明は、実施例に示したＡｔ Ｇａ ＡＢ系半導体レ
ーザに限らず、他の系、例えば■−Ｖ族化合物半導体を
用いたＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系などの半導体レーザに
も適用が勿論可能である。
ーザに限らず、他の系、例えば■−Ｖ族化合物半導体を
用いたＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系などの半導体レーザに
も適用が勿論可能である。
以上説明したように本発明によれば光情報処理装置にお
ける再生時のノイズを低レベルに維持し得る。即ち、半
導体レーザへのレーザ光の戻シ光のある場合や、周囲温
度の変化がある場合においてもノイズは特に増大するこ
とはない。
ける再生時のノイズを低レベルに維持し得る。即ち、半
導体レーザへのレーザ光の戻シ光のある場合や、周囲温
度の変化がある場合においてもノイズは特に増大するこ
とはない。
第１図は本発明になる光情報処理装置の例を示す上面図
、第２図、第３図、第５図は各々本発明の実施を示す情
報の再生部の構成を示す図、第４図はノイズの比較を示
す図である。 ３：ディスク板、１：半導体レーザ、１２：受光器、１
４：フィルタ、９：増巾器、１３：ＤＣ電源。 代理人 弁理士 高 橋 明 ｆ５） 第 １ 図 ｒ２図
、第２図、第３図、第５図は各々本発明の実施を示す情
報の再生部の構成を示す図、第４図はノイズの比較を示
す図である。 ３：ディスク板、１：半導体レーザ、１２：受光器、１
４：フィルタ、９：増巾器、１３：ＤＣ電源。 代理人 弁理士 高 橋 明 ｆ５） 第 １ 図 ｒ２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、情報面を半導体レーザ光によって照射し再生する光
情報処理装置において、前記半導体レーザ光の少なくと
も一部を光検知する手段、その光検知手段の出力を半導
体レーザ装置の制御手段に正帰還をなす手段を少なくと
も有することを特徴とする光情報処理装置。 ２、前記光検知手段の出力の周波数成分のうち、必要信
号帯域外の成分を正帰還となす手段を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光情報処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003373A JPS59129948A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 光情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003373A JPS59129948A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 光情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129948A true JPS59129948A (ja) | 1984-07-26 |
Family
ID=11555544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003373A Pending JPS59129948A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 光情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129948A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326846A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 光ヘツド |
| US4819240A (en) * | 1985-06-28 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light modulator |
| JPH02220239A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Omron Tateisi Electron Co | 光学的記録再生装置 |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP58003373A patent/JPS59129948A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4819240A (en) * | 1985-06-28 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light modulator |
| JPS6326846A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 光ヘツド |
| JPH02220239A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Omron Tateisi Electron Co | 光学的記録再生装置 |
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