JPS6327034A - 半導体装置計測用プロ−ブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置計測用プローブに関し、特にウニ；
・−状態での電気的特性を測定するときに用いる半導体
装置計測用のプローブに関する。

〔従来の技術〕

従来のこの腫の半導体装置計測用プローブは、半導体装
置の製造工程中に、シリコンウェハー上の所望の素子間
の接続を完成した個々のダイか、必要な電気的特性を有
するか否かをテストする工程に使用されている。

その、従来の技術の一例は、第３図を見るに、プローブ
カード１からグローブ素子支持板９を通じて、プローブ
素子２・３が保持され、プローブカード１を降下させる
ことによシ、プローブ素子２・３の先端のｔ極１０・１
１がダイＡＶＣ’ｄして導通を得てプローブカード１の
上または外で電気的特性を計測する構造となっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体装置計測用プローブでは、計測の
結果、所期の特性を有していないダイには、不良マーク
を打点している。その際に飛び散るインク、シリコンク
ズ、金属クズなどの異物がプローブに付着することが防
止できず、プローブの接触抵抗を増加させて良品ダイを
正しく特性測定することができなくなり、歩留を低下さ
せるという欠点を持っていた。

従来のプローブにおいては、ダイＡを測定する際、不良
マークの打点で発生した異物６が電極１０°１１とダイ
Ａの間にはさまり、過大な接触抵抗を持ち正しい測定が
できなくなるという欠点を有していた。（第３図） 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体装置計測用プローブは、電気的特性全測
定するためのグローブ素子の電極に遊嵌され前記電極と
は異る支持棒で保持された筒状絶縁体を備えて構成され
る。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の構造を示す断面図、第２図
は本発明の一実施例の計測時の構造を示す断面図である
。

第１図を見るに、プローブカード１に対し、プローブ素
子支持板９によシ、プローブ素子２・３が固定され、こ
のプローブ素子２・３の先端部分の電極１０・１１を筒
状に周囲を囲みゴミ除去を目的とした筒４・５を、支持
棒７・８で基板１に固定する。次にプローブカード１を
ダイＡに近付けると、第１図および第２図に示すように
プローブ素子３の先端側面部に付着したゴミ６は、ダイ
Ａにプローブ３の先端部分の電極１１が接触する際グロ
ーブ素子３がたわんで基板ＩＫ対し相対的に近付くに従
って絶縁体５の中を動き絶縁体５の先端で異物６をダイ
Ａの上へ落として、ダイＡの測定後、次の測定のダイへ
は影＊、’ｔ−与えないで測定することができるように
なっている。

〔発明の効果〕

本発明の半導体装置計測用グローブは上述のように、ダ
イＡとプローブ素子２・３が接触する際に、プローブ素
子２・３の電極１０・１１が筒状の絶縁体４・５の中を
上下に動くため、プローブ素子３の電極１１にけ着して
いた異物６が除去されて正しい測定を行うことが可能と
なり、従来あり得た半導体装置のウェーハー状態での歩
留低下全防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構造全示す断面図、第２図
は本発明の一実施例の計測時の構造を示す断面図、第３
図は従来の技術による構造の一例を示す断面図。 １−・・・・・プローブカード、２・３・・・・・・グ
ローブ素子、４・５・・・・・・筒状絶縁体、６・・・
・・・異物、７・８・・・・・・支持棒、９・・・・・
・プローブ素子支持板、１０・１１・・・・・・電極、
Ａ・・・・・・半導体装置ダイ。 代理人　弁理士　　内　原　　　ｋ　“′へ日 牛１図 牛　λ　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置の電気的特性を測定するためのプローブにお
   いて、前記電気的特性を測定するためのプローブ素子の
   電極に遊嵌され前記電極とは異る支持棒で保持された筒
   状絶縁体を備えてなることを特徴とする半導体装置計測
   用プローブ。