JPH03105258A - 半導体検査装置のプローブカード - Google Patents
半導体検査装置のプローブカードInfo
- Publication number
- JPH03105258A JPH03105258A JP24423789A JP24423789A JPH03105258A JP H03105258 A JPH03105258 A JP H03105258A JP 24423789 A JP24423789 A JP 24423789A JP 24423789 A JP24423789 A JP 24423789A JP H03105258 A JPH03105258 A JP H03105258A
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- JP
- Japan
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- probe
- card
- semiconductor device
- semiconductor
- electrode
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- Pending
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンウエハー上に形或された半導体装置の
検査装置に関し、特にプローブカードの探針の構造に関
する。
検査装置に関し、特にプローブカードの探針の構造に関
する。
従来、この種のプローブカードの探針構造を第３図に示
す。力一．ド１の下面に探針２が斜めに取り付けられて
おり、これをシリコンウェハー上に形成された半導体装
置の電極に押しつけることにより半導体装置の電気的機
能、特性を検査することを可能としている． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のプローブカードの探針は、力一ド下面か
ら斜めに取り付けられている為、これをシリコンウエハ
ー上の半導体装置の電極に押しつける際に探針の先端が
アルミニウム薄膜で形或された電極上を横に移動するこ
とになる。このため電極に重大な損傷が生ずることがあ
る。また探針によりアルミニウム電極が削られる為、こ
れによるゴミが半導体装置に付着し特に固体撮像素子等
の半導体装置では歩留に重大な影響を与える場合がある
。
す。力一．ド１の下面に探針２が斜めに取り付けられて
おり、これをシリコンウェハー上に形成された半導体装
置の電極に押しつけることにより半導体装置の電気的機
能、特性を検査することを可能としている． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のプローブカードの探針は、力一ド下面か
ら斜めに取り付けられている為、これをシリコンウエハ
ー上の半導体装置の電極に押しつける際に探針の先端が
アルミニウム薄膜で形或された電極上を横に移動するこ
とになる。このため電極に重大な損傷が生ずることがあ
る。また探針によりアルミニウム電極が削られる為、こ
れによるゴミが半導体装置に付着し特に固体撮像素子等
の半導体装置では歩留に重大な影響を与える場合がある
。
以上説明したように従来のプローブカードの探針楕造で
は半導体装置の品質及び歩留を低下させるという欠点が
ある。
は半導体装置の品質及び歩留を低下させるという欠点が
ある。
本発明の半導体検査装置のプローブカードは、カードに
複数の探針を配列して固着した半導体検査装置のプロー
ブカードにおいて、前記探針は前記カード面と平行に取
り付けられその先端部が前記カード面に対して実質的に
直角に折り曲げられているというものである。
複数の探針を配列して固着した半導体検査装置のプロー
ブカードにおいて、前記探針は前記カード面と平行に取
り付けられその先端部が前記カード面に対して実質的に
直角に折り曲げられているというものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面模式図である。
探針２ａはカード１ａの下面にこれ（及びシリコンウェ
ハーの表面３）と平行に取り付けられ、その先端部がカ
ード面に対して直角に折り曲げられている。探針の構造
をこのようにすることで探針を、シリコンウェハー上に
形成された半導体装置のアルミニウム電極に押し付けた
場合、探針が上部に向って曲がる為、探針の先端は横ズ
レを起すことはない。したがって従来のプローブカード
を使用した半導体装置検査工程で問題となるアルミニウ
ム電極からのゴミ発生を極力防止できる。
ハーの表面３）と平行に取り付けられ、その先端部がカ
ード面に対して直角に折り曲げられている。探針の構造
をこのようにすることで探針を、シリコンウェハー上に
形成された半導体装置のアルミニウム電極に押し付けた
場合、探針が上部に向って曲がる為、探針の先端は横ズ
レを起すことはない。したがって従来のプローブカード
を使用した半導体装置検査工程で問題となるアルミニウ
ム電極からのゴミ発生を極力防止できる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面模式図である。
本実施例は、探針が複数回曲り折げられているため、各
垂直部分の長さが短くなり、使用時に破損し難くなる利
点がある． 〔発明の効果〕 以上説明したように半導体装置の検査工程において本発
明のプローブカードを使うことにより、半導体装置電極
からのゴミの発生を抑制することができる事及び電極の
破壊を防止できることから、半導体装置の製造歩留及び
、品質を向上できる効果がある。
垂直部分の長さが短くなり、使用時に破損し難くなる利
点がある． 〔発明の効果〕 以上説明したように半導体装置の検査工程において本発
明のプローブカードを使うことにより、半導体装置電極
からのゴミの発生を抑制することができる事及び電極の
破壊を防止できることから、半導体装置の製造歩留及び
、品質を向上できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面模式図、第２図は
本発明の第２の実施例の断面模式図、第３図は従来のプ
ローブカードの断面模式図である． １．１ａ．１ｂ−・・カード、２．２ａ，２ｂ−探針、
３・・・シリコンウェハーの表面。
本発明の第２の実施例の断面模式図、第３図は従来のプ
ローブカードの断面模式図である． １．１ａ．１ｂ−・・カード、２．２ａ，２ｂ−探針、
３・・・シリコンウェハーの表面。
Claims (1)
- カードに複数の探針を配列して固着した半導体検査装置
のプローブカードにおいて、前記探針は前記カード面と
平行に取り付けられその先端部が前記カード面に対して
実質的に直角に折り曲げられていることを特徴とする半
導体検査装置のプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24423789A JPH03105258A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体検査装置のプローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24423789A JPH03105258A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体検査装置のプローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105258A true JPH03105258A (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=17115781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24423789A Pending JPH03105258A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体検査装置のプローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03105258A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470746U (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-23 | ||
| US6475822B2 (en) | 1993-11-16 | 2002-11-05 | Formfactor, Inc. | Method of making microelectronic contact structures |
| US7073254B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP24423789A patent/JPH03105258A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470746U (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-23 | ||
| US6475822B2 (en) | 1993-11-16 | 2002-11-05 | Formfactor, Inc. | Method of making microelectronic contact structures |
| US6482013B2 (en) | 1993-11-16 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements |
| US7073254B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
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