JPS63277771A - メッキ処理方法 - Google Patents
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- JPS63277771A JPS63277771A JP11315487A JP11315487A JPS63277771A JP S63277771 A JPS63277771 A JP S63277771A JP 11315487 A JP11315487 A JP 11315487A JP 11315487 A JP11315487 A JP 11315487A JP S63277771 A JPS63277771 A JP S63277771A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1682—Control of atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/003—Electroplating using gases, e.g. pressure influence
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electrochemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金
の基板に、ニッケルーリン（Ｎ ｉ −Ｐ）メッキを施
すメッキ処理方法に関するものである。
の基板に、ニッケルーリン（Ｎ ｉ −Ｐ）メッキを施
すメッキ処理方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、この種のメッキ処理方法は、例えば、磁気ディス
クの下地層を形成するメッキ処理として利用されている
。この磁気ディスクは、コンピュータの外部メモリ等に
用いられる磁気記録媒体であり、非磁性体の基板上に、
非磁性体の下地層と記録用の磁性体層を設けることによ
り形成される。
クの下地層を形成するメッキ処理として利用されている
。この磁気ディスクは、コンピュータの外部メモリ等に
用いられる磁気記録媒体であり、非磁性体の基板上に、
非磁性体の下地層と記録用の磁性体層を設けることによ
り形成される。
上記の下地層は、磁気ディスクの表面硬度を高める目的
で投げられるが、これは磁気ディスクの表面と磁気ヘッ
ドとの瞬間接触によって、磁気ディスク表面が破壊され
、情報の記録再生が不可能になることを防ぐためのもの
である。この下地層は、大気圧のもとで、無電解メッキ
を行うことによって、ニッケル合金を被覆することによ
り形成される。
で投げられるが、これは磁気ディスクの表面と磁気ヘッ
ドとの瞬間接触によって、磁気ディスク表面が破壊され
、情報の記録再生が不可能になることを防ぐためのもの
である。この下地層は、大気圧のもとで、無電解メッキ
を行うことによって、ニッケル合金を被覆することによ
り形成される。
［発明が解決しよう“とする問題点コ
しかし、この従来のメ・ンキ処理方法では、メッキ反応
により生成する水素ガスやメッキ液中の溶存ガスが、メ
ッキ層の表面に付着し、それによってその部分の反応が
停止してピンホールができたり、メッキ金属が異常析出
して突起ができる等の表面欠陥が生ずることがあった。
により生成する水素ガスやメッキ液中の溶存ガスが、メ
ッキ層の表面に付着し、それによってその部分の反応が
停止してピンホールができたり、メッキ金属が異常析出
して突起ができる等の表面欠陥が生ずることがあった。
そしてこの様な表面欠陥のある磁気ディスクを用いると
、記録再生不良やヘッドクラッシュという問題が生ずる
ことがあった。
、記録再生不良やヘッドクラッシュという問題が生ずる
ことがあった。
［問題点を解決するための手段］
上記問題点を解決するために成された本発明は、電気メ
ッキ又は無電解メッキのメッキ処理方法において、メッ
キを行う前又はメッキ中に、メッキ液を大気圧より小な
る圧力の雰囲気におくことを特徴とするメッキ処理方法
を要旨とする。
ッキ又は無電解メッキのメッキ処理方法において、メッ
キを行う前又はメッキ中に、メッキ液を大気圧より小な
る圧力の雰囲気におくことを特徴とするメッキ処理方法
を要旨とする。
［作用コ
メッキを行う前又はメッキ中に、メッキ液を大気圧より
小なる圧力の雰囲気におくことによって、常圧の時に比
べて、メッキ反応により発生する水素ガスやメッキ液中
から生成する溶存ガスの泡の径が大きくなる。その結果
、上記水素ガスや溶存ガスの上昇力や上昇速度が増して
、泡切れがよくなり、水素ガスや溶存ガスはメッキ液中
より速やかに除去される。従って、電気メッキ又は無電
解メッキを行った場合に、水素ガスやメッキ液中の溶存
ガスが、メッキ表面に付着しにくくなり、それによって
付着した部分の反応が停止してピンホールができたり、
メッキ金属が異常析出して突起ができたりすることが減
少する。
小なる圧力の雰囲気におくことによって、常圧の時に比
べて、メッキ反応により発生する水素ガスやメッキ液中
から生成する溶存ガスの泡の径が大きくなる。その結果
、上記水素ガスや溶存ガスの上昇力や上昇速度が増して
、泡切れがよくなり、水素ガスや溶存ガスはメッキ液中
より速やかに除去される。従って、電気メッキ又は無電
解メッキを行った場合に、水素ガスやメッキ液中の溶存
ガスが、メッキ表面に付着しにくくなり、それによって
付着した部分の反応が停止してピンホールができたり、
メッキ金属が異常析出して突起ができたりすることが減
少する。
［実施例］
以下本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。第
１図は磁気ディスクの製造工程を示しており、第２図は
、減圧下においてメッキを行なうメッキ装置１を示して
いる。
１図は磁気ディスクの製造工程を示しており、第２図は
、減圧下においてメッキを行なうメッキ装置１を示して
いる。
まず、ｋＱ−Ｍｇ系のアルミニウム合金（例えば、ＪＩ
Ｓ規格： Ａ−５０８６）を素材とし、板厚１ 、２ｍ
ｍ、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍのドーナツ状の被メツ
キ部材２（第２図参照）を製造する（工程■）。
Ｓ規格： Ａ−５０８６）を素材とし、板厚１ 、２ｍ
ｍ、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍのドーナツ状の被メツ
キ部材２（第２図参照）を製造する（工程■）。
次に、被メツキ部材２を非シリカ系のアルカリ性の脱脂
溶液（奥野製薬玉業：製品番号：アルブレップ２０４）
を温度６５℃にして、該博）夜に２分３０秒間浸漬し、
非エツチング型アルカリ脱脂処理を行う（工程■）。続
いて、イオン交換水を用いて水洗処理を行った後に、非
シリカ系の溶液（奥野製薬工業：製品番号：アルプレッ
プ２３０）を用いて、温度６５℃にて、該溶液に４分間
浸漬し、非エツチング型酸性脱脂処理することでアルミ
ニウム酸化物を除去する（工程■）。
溶液（奥野製薬玉業：製品番号：アルブレップ２０４）
を温度６５℃にして、該博）夜に２分３０秒間浸漬し、
非エツチング型アルカリ脱脂処理を行う（工程■）。続
いて、イオン交換水を用いて水洗処理を行った後に、非
シリカ系の溶液（奥野製薬工業：製品番号：アルプレッ
プ２３０）を用いて、温度６５℃にて、該溶液に４分間
浸漬し、非エツチング型酸性脱脂処理することでアルミ
ニウム酸化物を除去する（工程■）。
次に、水洗した後に亜鉛置換処理を行う。亜鉛置換処理
は、３０．Ｏｇ／ＱのＮａ２Ｚｎ○２の溶液を、ＮａＯ
ＨでｐＨ１４，０に調製したものを２５℃にして用いて
、この溶液中に被メツキ部材２を３０秒間浸す（工程■
）。
は、３０．Ｏｇ／ＱのＮａ２Ｚｎ○２の溶液を、ＮａＯ
ＨでｐＨ１４，０に調製したものを２５℃にして用いて
、この溶液中に被メツキ部材２を３０秒間浸す（工程■
）。
このときの置換反応は、次式で示される。
３Ｎａ２ＺｎＯ２＋２ＡＱ＋２８２０
→２ＮａＡＱ０２＋３Ｚｎ＋４ＮａＯＨこの処理では、
ＡＱより電気的に責なＺｎで、被メツキ部材表面のＡＱ
２０３皮膜を置換除去すると同時に、溶液中のＺｎを被
メツキ部材２の表面に析出させる。
ＡＱより電気的に責なＺｎで、被メツキ部材表面のＡＱ
２０３皮膜を置換除去すると同時に、溶液中のＺｎを被
メツキ部材２の表面に析出させる。
次に、水洗した後に、２５℃の６２％の硝酸溶液で、３
０秒浸酸処理して亜鉛置換膜を溶解除去する（工程Ｖ）
。
０秒浸酸処理して亜鉛置換膜を溶解除去する（工程Ｖ）
。
続いて、再度、水洗した後に、亜鉛置換処理を上述の亜
鉛置換処理（工程■）と同一の溶液で１０秒行う・（工
程■）。これは、亜鉛置換処理を再度施して、置換膜を
より緻密な状態にして、後に形成するＮ１−Ｐ皮膜を緻
密にするためである。
鉛置換処理（工程■）と同一の溶液で１０秒行う・（工
程■）。これは、亜鉛置換処理を再度施して、置換膜を
より緻密な状態にして、後に形成するＮ１−Ｐ皮膜を緻
密にするためである。
次に、水洗した後に、重炭酸ナトリウム３０ｇ／Ｑの弱
アルカリの溶液に、３０秒浸して表面調整処理を行う（
工程■）。これは、亜鉛置換処理に用いる溶液がｐＨ１
４と高いので、そのｐＨを下げてメッキ液のｐＨとの調
整を行うものである。
アルカリの溶液に、３０秒浸して表面調整処理を行う（
工程■）。これは、亜鉛置換処理に用いる溶液がｐＨ１
４と高いので、そのｐＨを下げてメッキ液のｐＨとの調
整を行うものである。
上記工程（工程■）に続いて再び水洗し、その後に、減
圧下で、即ち６００〜７００ｍｍＨｇの圧力の雰囲気に
メッキ液をおいて、無電解Ｎ１−Ｐメッキを行う（工程
■）。この処理は、Ｎ１−Ｐメッキ溶液４中に被メツキ
部材２を、数時間浸し、１５ｕｍ程度の°Ｎ１−Ｐ皮膜
を形成する。Ｎ１−Ｐメッキ溶液４の濃度成分は、以下
に示され、ｐＨ４，６にしたものを液温８５℃にして使
用する。
圧下で、即ち６００〜７００ｍｍＨｇの圧力の雰囲気に
メッキ液をおいて、無電解Ｎ１−Ｐメッキを行う（工程
■）。この処理は、Ｎ１−Ｐメッキ溶液４中に被メツキ
部材２を、数時間浸し、１５ｕｍ程度の°Ｎ１−Ｐ皮膜
を形成する。Ｎ１−Ｐメッキ溶液４の濃度成分は、以下
に示され、ｐＨ４，６にしたものを液温８５℃にして使
用する。
ＮｉＳＯ４◆６Ｈ２０・・−１３，ＯＯｇ／ＱＫＮａＣ
ａＨ４０ｅ・４Ｈ２０・・・２８．２８ｇ／ＱＮａＨ２
ＰＯ２◆Ｈ２０＝−１３，２５ｇ／ＱＮ８４０Ｈ（３０
％水溶液） −・−７０ｍ Ｑ ／ Ｑ本無電解メ
ッキ反応は、次式により表される。
ａＨ４０ｅ・４Ｈ２０・・・２８．２８ｇ／ＱＮａＨ２
ＰＯ２◆Ｈ２０＝−１３，２５ｇ／ＱＮ８４０Ｈ（３０
％水溶液） −・−７０ｍ Ｑ ／ Ｑ本無電解メ
ッキ反応は、次式により表される。
Ｎ ｉ ２＋＋ ８２Ｐ ０２−＋ Ｈ２０→Ｎ ｉ＋
８２ＰＯ３−＋２８＋ この反応は、還元剤として次亜リン酸を用いたＮ１の自
己触媒反応であり、Ｎｉの存在下にて活発に起こる。尚
、この副反応としてＰが析出し、Ｎ１−Ｐ皮膜には、Ｐ
−ｈ″ＳＮｉ中に１２％程度含有される。
８２ＰＯ３−＋２８＋ この反応は、還元剤として次亜リン酸を用いたＮ１の自
己触媒反応であり、Ｎｉの存在下にて活発に起こる。尚
、この副反応としてＰが析出し、Ｎ１−Ｐ皮膜には、Ｐ
−ｈ″ＳＮｉ中に１２％程度含有される。
上記の減圧下におけるメッキ処理は、第２図に示すよう
なメッキ装置１で行われる。図において、５はメッキ槽
であり、このメッキ槽５は、仕切板６．７により第一、
第二および第三の液室８，９゜１０に分けられ、第一の
液室８と第二の液室９とは仕切板６の上部で連通し、第
二の液室９と第３の液室１０とは仕切板７の下部で連通
している。
なメッキ装置１で行われる。図において、５はメッキ槽
であり、このメッキ槽５は、仕切板６．７により第一、
第二および第三の液室８，９゜１０に分けられ、第一の
液室８と第二の液室９とは仕切板６の上部で連通し、第
二の液室９と第３の液室１０とは仕切板７の下部で連通
している。
第一の液室内８には、ヒータ１１が設置され、一方、第
二の液室９内には、ディスク保持装置１２が収納されて
いる。また、第三の液室１０内には、ろ過ポンプ１３が
設置されている。
二の液室９内には、ディスク保持装置１２が収納されて
いる。また、第三の液室１０内には、ろ過ポンプ１３が
設置されている。
上記ディスク保持装置１２は、メッキ槽５に固定された
支持部材１４と、この支持部材１４の下端に回転自在に
支持された回動部材１５と、この回動部材１５を回転駆
動する駆動部（図示省略）等から構成され、回動部材１
５の画先端部に磁気ディスクとなる被メツキ部材２が取
り付けられる。
支持部材１４と、この支持部材１４の下端に回転自在に
支持された回動部材１５と、この回動部材１５を回転駆
動する駆動部（図示省略）等から構成され、回動部材１
５の画先端部に磁気ディスクとなる被メツキ部材２が取
り付けられる。
メッキ槽５の図示左側には、ポンプ１６が設置され、こ
のポンプ１６からのメッキ液がろ過装置１７、管路１８
を通じて第一の液室８に供給され、そして第３の液室１
０でろ過ポンプ１３によって吸い込まれたメッキ液がポ
ンプ１６に戻される。
のポンプ１６からのメッキ液がろ過装置１７、管路１８
を通じて第一の液室８に供給され、そして第３の液室１
０でろ過ポンプ１３によって吸い込まれたメッキ液がポ
ンプ１６に戻される。
そして上記の各装置を備えたメッキ槽５を壁面２０で覆
って密閉し、真空ポンプ２２で圧力を下げて無電解メッ
キを行°なうものである。
って密閉し、真空ポンプ２２で圧力を下げて無電解メッ
キを行°なうものである。
この装置を用いて、圧力を下げて無電解メッキを行うこ
とにより、常圧の時に比べて、生成する溶存ガスや反応
によって発生する水素ガスの泡の径が大きくなり、その
結果それらの上昇力や上昇速度が増して、泡切れがよく
なる。従って、無電解メ・ンキの反応の過程で生成した
水素ガスや、メッキ液中の空気や炭酸ガス等の溶存ガス
が、被メツキ部材２に付着することを防止できるので、
ピンホールの生成やメッキ金属の異常析出等を防止でき
るものである。
とにより、常圧の時に比べて、生成する溶存ガスや反応
によって発生する水素ガスの泡の径が大きくなり、その
結果それらの上昇力や上昇速度が増して、泡切れがよく
なる。従って、無電解メ・ンキの反応の過程で生成した
水素ガスや、メッキ液中の空気や炭酸ガス等の溶存ガス
が、被メツキ部材２に付着することを防止できるので、
ピンホールの生成やメッキ金属の異常析出等を防止でき
るものである。
尚、メッキ処理を上記６００〜７００ｍｍＨｇの範囲の
圧力で行なうことが好適な理由は、メ・ンキ液は、加温
されて用いられるので、６００ｍｍＨｇ以下では、メッ
キ液の蒸発量が多くなって、メッキ液の成分の濃度が変
化し易くなるからであり、更に７００ｍｍＨｇ以上では
、減圧の効果が少ないからである。
圧力で行なうことが好適な理由は、メ・ンキ液は、加温
されて用いられるので、６００ｍｍＨｇ以下では、メッ
キ液の蒸発量が多くなって、メッキ液の成分の濃度が変
化し易くなるからであり、更に７００ｍｍＨｇ以上では
、減圧の効果が少ないからである。
次に、水洗して乾燥した後に、表面研石処理を行い（工
程■）、更に非エツチング型アルカリ脱脂処理を行う（
工程Ｘ）。
程■）、更に非エツチング型アルカリ脱脂処理を行う（
工程Ｘ）。
次に水洗した後に、磁気ディスクの表面の活性化処理を
行なう（工程ＸＩ）。この処理は、表面の酸化膜を除去
するためのもので、２ＮのＨＣＱに１分間浸した後に水
洗し、更にＩＮのＨ２Ｓ０Ｊに１分間浸すものである。
行なう（工程ＸＩ）。この処理は、表面の酸化膜を除去
するためのもので、２ＮのＨＣＱに１分間浸した後に水
洗し、更にＩＮのＨ２Ｓ０Ｊに１分間浸すものである。
次に再度水洗した後に、無電解Ｃｏ−Ｐメッキを行って
、磁性体層であるＣｏ−Ｐ皮膜を形成する（工程ＸＩＩ
）。このＣｏ−Ｐメッキ溶液の潤度成分は、以下に示さ
れ、ＮａＯＨでｐＨ１０に調整したものを液温８０℃に
して使用する。
、磁性体層であるＣｏ−Ｐ皮膜を形成する（工程ＸＩＩ
）。このＣｏ−Ｐメッキ溶液の潤度成分は、以下に示さ
れ、ＮａＯＨでｐＨ１０に調整したものを液温８０℃に
して使用する。
Ｃ０３ＯＡ−７８２０−−−０，０５ｍｏｌ／１２ＫＮ
ａｃｚＨａｏｓ −４Ｈ２０−・−０，７１ｍｏ ｌ
／ＱＮａＨ２Ｐ０２・Ｎ２０ ・・・０．１９
ｍ０１／Ｑ（ＮＨ４）２Ｓ０４ −〜０．６
１ｍｏ Ｌ／Ｑ次に再度水洗した後に、カーボンを用い
て保護層を形成しく工程ＸＩ［）、更に潤滑層を形成す
る（工程ＸｒＶ）ことにより磁気ディスクを完成する。
ａｃｚＨａｏｓ −４Ｈ２０−・−０，７１ｍｏ ｌ
／ＱＮａＨ２Ｐ０２・Ｎ２０ ・・・０．１９
ｍ０１／Ｑ（ＮＨ４）２Ｓ０４ −〜０．６
１ｍｏ Ｌ／Ｑ次に再度水洗した後に、カーボンを用い
て保護層を形成しく工程ＸＩ［）、更に潤滑層を形成す
る（工程ＸｒＶ）ことにより磁気ディスクを完成する。
尚、本実施例では、メッキ処理中にメッキ液を減圧下に
おいたが、メッキ処理前に減圧下においても良い。その
場合゛は、メッキ液の温度は加温によって高くなってい
ないので、蒸発が起きにくく、６００ｍｍＨｇ以下の圧
力にしても良い。
おいたが、メッキ処理前に減圧下においても良い。その
場合゛は、メッキ液の温度は加温によって高くなってい
ないので、蒸発が起きにくく、６００ｍｍＨｇ以下の圧
力にしても良い。
更に、無電解メッキに限らず、メッキ液を用いる電気メ
ッキにも利用できる。
ッキにも利用できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、電気メッキ又は
無電解メッキのメッキ処理方法において、メッキを行う
前又はメッキ中に、メッキ液を大気圧より小なる圧力の
雰囲気におくので、常圧の時に比べて、発生する溶存ガ
スや水素ガスの泡切れがよくなる。従って、それらのガ
スが、被メッキ部材の表面に付着することを防止でき、
よってピンホールの生成やメッキ金属の異密析出等のメ
ッキ膜の表面欠陥の生成を防止できるものである。
無電解メッキのメッキ処理方法において、メッキを行う
前又はメッキ中に、メッキ液を大気圧より小なる圧力の
雰囲気におくので、常圧の時に比べて、発生する溶存ガ
スや水素ガスの泡切れがよくなる。従って、それらのガ
スが、被メッキ部材の表面に付着することを防止でき、
よってピンホールの生成やメッキ金属の異密析出等のメ
ッキ膜の表面欠陥の生成を防止できるものである。
第１図は本発明の一実施例による磁気ディスクのメッキ
処理を示す工程図、第２図は減圧下においてメッキを行
なう装置を示す説明図である。 ２・・・被メツキ部材 ５・・・メッキ槽 ２２・・・真空ポンプ ■・・・無電解メッキ処理
処理を示す工程図、第２図は減圧下においてメッキを行
なう装置を示す説明図である。 ２・・・被メツキ部材 ５・・・メッキ槽 ２２・・・真空ポンプ ■・・・無電解メッキ処理
Claims (1)
- 電気メッキ又は無電解メッキのメッキ処理方法において
、メッキを行う前又はメッキ中に、メッキ液を大気圧よ
り小なる圧力の雰囲気におくことを特徴とするメッキ処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315487A JPS63277771A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | メッキ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315487A JPS63277771A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | メッキ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63277771A true JPS63277771A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14604933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11315487A Pending JPS63277771A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | メッキ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63277771A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0901153A2 (en) | 1997-09-02 | 1999-03-10 | Ebara Corporation | Method and apparatus for plating a substrate |
| FR3077825A1 (fr) * | 2018-02-14 | 2019-08-16 | 3D Plus | Procede de metallisation de trous d'un module electronique par depot en phase liquide |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP11315487A patent/JPS63277771A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0901153A2 (en) | 1997-09-02 | 1999-03-10 | Ebara Corporation | Method and apparatus for plating a substrate |
| US6544585B1 (en) | 1997-09-02 | 2003-04-08 | Ebara Corporation | Method and apparatus for plating a substrate |
| EP0901153B1 (en) * | 1997-09-02 | 2009-07-15 | Ebara Corporation | Method and apparatus for plating a substrate |
| FR3077825A1 (fr) * | 2018-02-14 | 2019-08-16 | 3D Plus | Procede de metallisation de trous d'un module electronique par depot en phase liquide |
| WO2019158585A1 (fr) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 3D Plus | Procede de metallisation de trous d'un module electronique par depot en phase liquide |
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