JPS6328069A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6328069A
JPS6328069A JP61172147A JP17214786A JPS6328069A JP S6328069 A JPS6328069 A JP S6328069A JP 61172147 A JP61172147 A JP 61172147A JP 17214786 A JP17214786 A JP 17214786A JP S6328069 A JPS6328069 A JP S6328069A
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JP
Japan
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semiconductor device
film
semiconductor
silicon nitride
hydrogen
Prior art date
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Pending
Application number
JP61172147A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
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    • H10D30/6758—Thin-film transistors [TFT] characterised by the insulating substrates

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に係り、とりわけ、アモルファス半
導体装置及び多結晶半導体装置等のＳＯ工（ＳｅＬ！ｌ
１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｏｒ工ｎａｕｌａｔｏｒ　）　
　半導体装置の構造に閃する。
〔従来の技術〕
従来、ＳＯ工構造半導体装置は第２図に示す如き、構造
を取っているのが通例である。すなわち石英あるいはサ
ファイヤあるいはポリイミド等から成る絶縁基板１１０
表面には半導体膜１５が形成され、該半導体膜１３に半
導体装置を構成するために、例えばゲート絶縁膜１４．
ゲート１！極１５が形成されたＭＯ８型半導体装置が形
成され、該半導体装置の保護膜兼絶縁膜として、シリコ
ン窒化膜１６が形成される場合があり、該シリコン窒化
膜１６に穴明けして、アルミニウム電極１７による電極
配線が見こされるのが通例である〔発明が解決しようと
する間頂点〕 しかし、上記従来技術によると、半導体基板がアモルフ
ァス・シリコンあるいはアモルファス・シリコン炭化物
あるいは多結晶シリコン等の如く、水素含有を斐する材
料である場合に、必斐とする水素が第２図にモデル的に
示す如く、絶縁基板１１やコンタクト穴を通してアルミ
ニウム電極１７辱から抜は出て行き、半導体装置の特性
を劣化させるという問題点があった。
本発明はかかる従来技術の問題点をなくシ、水素含有を
要する半導体基板からの水素の抜は出しの無い半導体装
置構造を提供する事を目的とする〔問題点を解決するた
めの手段〕 上記問題点を解決するために、本発明は、半導体装置に
螢で少くとも半導体基板を上下及び側面を含む全面をシ
リコン窒化物で被覆すると共に、電極配線のためのフン
タクト穴部は導電性のあるチタン窒化膜で被覆する手段
をとる。
〔作用〕
本発明の如く、半導体装置における半導体基板の全表面
をシリコン窒化物及びチタン窒化物で被覆する事により
、これら窒化物の水素透過率が極めて低いところから、
半導体基、仮からの水素の抜は出しがなくなり、それに
伴う特性劣化がなくなるという作用がある。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の構造を示
す断面図である。すなわち、絶縁基板１０表面にはシリ
コン窒化膜２が形成されるか、あるいは絶縁基板１をシ
リコン窒化物そのものにするかして絶縁基板を咋成し、
その上に、半導体膜３を形成し、該半導体膜３を用いて
例えばＭＯ８型半導体装置を構成する場合に、シリコン
酸化膜あるいはシリコン窒化膜等から成るゲート絶縁膜
４と、ゲー）ＩＥｍｓを形成し、層間絶縁膜兼保護膜と
してシリコン窒化膜６を形成し、該シリコン窒化膜６に
電揄取出しの為のコンタクト穴を形成し、該コンタクト
穴にチタン窒化膜電極７を形成したものである。
〔発明の効果〕
本発明の如く少くとも半導体基板を含む全面をシリコン
窒化物及びチタン窒化物で被覆することにより、半導体
基板からの水素の抜は出しがなくなり、水素の抜は出し
による半導体装置の特性劣化がなくなると云う効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す半導体装置の断面図、第
２図は従来技術による半導体装置の断面図である。 １．１１・・・・・・絶縁基板 ２．６．１２・・・・・・シリコン窒化膜３．１３・・
・・・・半導体膜 ４．１４・・・・・・ゲート絶縁膜 ５　　、　１　５　・・・　・・・　ゲ　−　　ト　１
１　極７・・・・・・チタン輩化膜電極 １６・・・アルミニウム電極 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　水素含有を要する半導体基板には上下及び側面を含む
    全面がシリコン窒化物で被覆されていると共に、電極取
    り出しのためのコンタクト穴部はチタン窒化膜で被覆さ
    れて成る事を特徴とする半導体装置。
JP61172147A 1986-07-22 1986-07-22 半導体装置 Pending JPS6328069A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0395939A (ja) * 1989-09-07 1991-04-22 Canon Inc 半導体装置の製造方法
US5523595A (en) * 1990-08-21 1996-06-04 Ramtron International Corporation Semiconductor device having a transistor, a ferroelectric capacitor and a hydrogen barrier film
US5902131A (en) * 1997-05-09 1999-05-11 Ramtron International Corporation Dual-level metalization method for integrated circuit ferroelectric devices
WO2009136541A1 (ja) * 2008-05-09 2009-11-12 アークレイ株式会社 不溶性担体粒子の製造方法、不溶性担体粒子、測定試薬、検体分析用具および免疫比濁法

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WO2009136541A1 (ja) * 2008-05-09 2009-11-12 アークレイ株式会社 不溶性担体粒子の製造方法、不溶性担体粒子、測定試薬、検体分析用具および免疫比濁法

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