JPH0434955A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0434955A JPH0434955A JP14083590A JP14083590A JPH0434955A JP H0434955 A JPH0434955 A JP H0434955A JP 14083590 A JP14083590 A JP 14083590A JP 14083590 A JP14083590 A JP 14083590A JP H0434955 A JPH0434955 A JP H0434955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- interlayer insulating
- wiring
- opening part
- lower wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路装置に間する。
従来の集積回路装置は、第２図に示すように、シリコン
基板１の上に設けた酸化シリコン膜２の上に選択的に下
層配線３を設け、下層配線３を含む表面に層間絶縁膜４
を設ける。次に、下層配線３の上の層間絶縁膜４を選択
的にエツチングして開口部７を設け、開口部７の下層配
線３と接続する上層配線６を設ける。
基板１の上に設けた酸化シリコン膜２の上に選択的に下
層配線３を設け、下層配線３を含む表面に層間絶縁膜４
を設ける。次に、下層配線３の上の層間絶縁膜４を選択
的にエツチングして開口部７を設け、開口部７の下層配
線３と接続する上層配線６を設ける。
ここで、開口部７の上端部近傍の上層配線６の膜厚が薄
くなっている。
くなっている。
上述した従来の集積回路装置は、開口部上端に接する上
層配線が薄くなっているため、薄い部分でエレクトロマ
イグレーションをひきおこし、集積回路の信頼性を低下
させるという問題点がある。
層配線が薄くなっているため、薄い部分でエレクトロマ
イグレーションをひきおこし、集積回路の信頼性を低下
させるという問題点がある。
本発明の集積回路装置は、半導体基板上に設けた絶縁膜
の上に形成した下層配線と、前記下層配線を含む表面に
設けた層間絶縁膜と、前記下層配線上の前記層間絶縁膜
に設けた環状の開口部と、前記開口部の前記下層配線に
接続して前記層間絶縁膜上に設けた上層配線とを有する
。
の上に形成した下層配線と、前記下層配線を含む表面に
設けた層間絶縁膜と、前記下層配線上の前記層間絶縁膜
に設けた環状の開口部と、前記開口部の前記下層配線に
接続して前記層間絶縁膜上に設けた上層配線とを有する
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示すように、シリコン基板１の上に設けた酸化
シリコン膜２の上に選択的にアルミニウム層からなる下
層配線３を設け、下層配線３を含む表面に層間絶縁膜４
を設ける。次に、下層配線３の上の層間絶縁膜４を選択
的にエツチングして中央に層間絶縁膜４の一部を残した
環状の開口部５を設ける。次に、開口部５を含む表面に
アルミニウム層を堆積して選択的にエツチングし、開口
部の下層配線３と電気的に接続する上層配線６を設ける
。
シリコン膜２の上に選択的にアルミニウム層からなる下
層配線３を設け、下層配線３を含む表面に層間絶縁膜４
を設ける。次に、下層配線３の上の層間絶縁膜４を選択
的にエツチングして中央に層間絶縁膜４の一部を残した
環状の開口部５を設ける。次に、開口部５を含む表面に
アルミニウム層を堆積して選択的にエツチングし、開口
部の下層配線３と電気的に接続する上層配線６を設ける
。
ここで、開孔部５の中央に層間絶縁膜４の一部が残され
ているため、上層配線６の上面に凹部が形成されず、従
って開口部５の上端で上層配線６が薄くなることを防止
できる。
ているため、上層配線６の上面に凹部が形成されず、従
って開口部５の上端で上層配線６が薄くなることを防止
できる。
以上説明したように本発明は、上層配線と下層配線が接
続する開口部の上端で厚さを厚く保つことができ、エレ
クトロマイグレーションを回避して、集積回路装置の信
頼性を向上させるという効果を有する。
続する開口部の上端で厚さを厚く保つことができ、エレ
クトロマイグレーションを回避して、集積回路装置の信
頼性を向上させるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の集
積回路装置の断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化シリコン膜、３・
・・下層配線、４・・・層間絶縁膜、５・・・開口部、
６・・・上層配線、７・・・開口部。
積回路装置の断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化シリコン膜、３・
・・下層配線、４・・・層間絶縁膜、５・・・開口部、
６・・・上層配線、７・・・開口部。
Claims (1)
- 半導体基板上に設けた絶縁膜の上に形成した下層配線
と、前記下層配線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前
記下層配線上の前記層間絶縁膜に設けた環状の開口部と
、前記開口部の前記下層配線に接続して前記層間絶縁膜
上に設けた上層配線とを有することを特徴とする集積回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14083590A JPH0434955A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14083590A JPH0434955A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434955A true JPH0434955A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15277823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14083590A Pending JPH0434955A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0434955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10350137B4 (de) * | 2002-10-30 | 2017-02-09 | Denso Corporation | Halbleitereinrichtung |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP14083590A patent/JPH0434955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10350137B4 (de) * | 2002-10-30 | 2017-02-09 | Denso Corporation | Halbleitereinrichtung |
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