JPS6328439A - ガス供給装置 - Google Patents
ガス供給装置Info
- Publication number
- JPS6328439A JPS6328439A JP17015886A JP17015886A JPS6328439A JP S6328439 A JPS6328439 A JP S6328439A JP 17015886 A JP17015886 A JP 17015886A JP 17015886 A JP17015886 A JP 17015886A JP S6328439 A JPS6328439 A JP S6328439A
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- Japan
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- material liquid
- gas
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液体（以下、原料液と称す）を高温ガス化して
供給するためのガス供給装置に関する。
供給するためのガス供給装置に関する。
化学気相蒸着法（以下、ＣＶＤ法と称す）により金属表
頁にＳｔ等の蒸着物を生成させる処理が行われる。この
ような処理では、常温で液体、高温で強い腐食性をもつ
物質を原液の状態からガス化し、これを高温状態にして
キャリアガスとともにＣＶＤ処理炉に導く必要がある。
頁にＳｔ等の蒸着物を生成させる処理が行われる。この
ような処理では、常温で液体、高温で強い腐食性をもつ
物質を原液の状態からガス化し、これを高温状態にして
キャリアガスとともにＣＶＤ処理炉に導く必要がある。
従来このような処理用ガスは、バブリングタンク内に入
れられた原料液（例えば５ｉｃ４液）中にキャリアガス
（例えばＡｒガス）を吹き込み、該キャリアガスを原料
液の蒸気で飽和蒸気圧状態にして取り出すことにより得
られ、この処理ガスは加熱後、ＣＶＤ処理炉に送り込ま
れる。
れられた原料液（例えば５ｉｃ４液）中にキャリアガス
（例えばＡｒガス）を吹き込み、該キャリアガスを原料
液の蒸気で飽和蒸気圧状態にして取り出すことにより得
られ、この処理ガスは加熱後、ＣＶＤ処理炉に送り込ま
れる。
しかし、このような従来の処理用ガス供給方式では、原
料液のガス化をキャリアガスによるバブリングで行うた
め、原料液そのものから生成したガスの流量計測が難し
く、処理用ガスの濃度管理が精度良く行えないという欠
点がある。特に、金属ス） ＩＪツブの連続ＣＶＤ処理
プロセス等のよう１こ、処理用ガスの濃度を常に管理す
る必要がある場合には、上記従来方式では十分な対応が
できない。
料液のガス化をキャリアガスによるバブリングで行うた
め、原料液そのものから生成したガスの流量計測が難し
く、処理用ガスの濃度管理が精度良く行えないという欠
点がある。特に、金属ス） ＩＪツブの連続ＣＶＤ処理
プロセス等のよう１こ、処理用ガスの濃度を常に管理す
る必要がある場合には、上記従来方式では十分な対応が
できない。
また、従来の方式ではバブリング装置とは別１こ処理用
ガスの加熱装置が必要であり、設備全体の規模が大きく
なってしまう。
ガスの加熱装置が必要であり、設備全体の規模が大きく
なってしまう。
本発明はこのような従来の問題に鑑みなされたもので、
コンパクトな構造を有し、しかも処理ガスの精度良い濃
度管理を可能ならしめるガス供給装置を提供せんとする
ものである。
コンパクトな構造を有し、しかも処理ガスの精度良い濃
度管理を可能ならしめるガス供給装置を提供せんとする
ものである。
このため本発明は筒状体内液面レベル調整用の槽部が立
ち上がり状に設けられた密閉式の原料液供給槽と、下端
が原料液供給槽本体の上部を貫いて槽内に挿入され、内
部が原料液供給槽内と連通した筒状体と、該筒状体内に
充填された粗粒状充填材と、前記筒状体の外側：こ配置
される筒状体加熱装置と、原料液供給槽の前記槽部１こ
ガスを供給することによって筒状体内の原料液液面レベ
ルを調整するための液面レベルｖ４整機構とからなるこ
とをその基本的特徴とする。
ち上がり状に設けられた密閉式の原料液供給槽と、下端
が原料液供給槽本体の上部を貫いて槽内に挿入され、内
部が原料液供給槽内と連通した筒状体と、該筒状体内に
充填された粗粒状充填材と、前記筒状体の外側：こ配置
される筒状体加熱装置と、原料液供給槽の前記槽部１こ
ガスを供給することによって筒状体内の原料液液面レベ
ルを調整するための液面レベルｖ４整機構とからなるこ
とをその基本的特徴とする。
原料液供給槽内Ｉこは、液面レベル調整用の槽部内の所
定位置に液面レベルが形成されるよう、ぶ料液が入れら
れており、このため原料液供給槽ｌこ連通した筒状体内
下部の所定の高さに原料液の液面が形成される。液面レ
ベル調整用の槽部内には液面レベル調整機構裔こより不
活性ガスが供給されて槽内の内圧調整がなされ、筒状体
内の原料液の液面レベルの調整がなされる。
定位置に液面レベルが形成されるよう、ぶ料液が入れら
れており、このため原料液供給槽ｌこ連通した筒状体内
下部の所定の高さに原料液の液面が形成される。液面レ
ベル調整用の槽部内には液面レベル調整機構裔こより不
活性ガスが供給されて槽内の内圧調整がなされ、筒状体
内の原料液の液面レベルの調整がなされる。
筒状体下部の原料液は加熱装置により加熱されることに
より蒸発する。筒状体内の原料液は、粗粒状充填材があ
るため、表面張力作用により前記液面レベルをこえて充
填材の隙間を通じて筒状体内を上昇し、これ１こより蒸
発がさら（こ促進される。このようにして原料液から生
成したガスは、さら１こ上昇する過程で高温状態に加熱
され、筒状体上部から排出される。
より蒸発する。筒状体内の原料液は、粗粒状充填材があ
るため、表面張力作用により前記液面レベルをこえて充
填材の隙間を通じて筒状体内を上昇し、これ１こより蒸
発がさら（こ促進される。このようにして原料液から生
成したガスは、さら１こ上昇する過程で高温状態に加熱
され、筒状体上部から排出される。
筒状体内に充填された粗粒状充填材は、原料液を浸透ｌ
こより上昇させる作用と、ガス化した原料液１こ対する
大きな伝熱面積を確保しガスの加熱を効率的に行わしめ
る作用をする。
こより上昇させる作用と、ガス化した原料液１こ対する
大きな伝熱面積を確保しガスの加熱を効率的に行わしめ
る作用をする。
第１図は本発明の一実施例を示すものである。
本発明の装置は、筒状体内液面レベル調整用の槽部（２
）を有する密閉式の原料液供給槽（１）、該ぶ料液供給
槽に連通した筒状体（３）、該筒状体内に充填された粗
粒状充填材（４）、筒状体の外側（こ配、１される筒状
体加熱装置（５）、及び筒状体内の液ルベルを調整する
ための液面レベルジ４整１構（６）から構成されている
。
）を有する密閉式の原料液供給槽（１）、該ぶ料液供給
槽に連通した筒状体（３）、該筒状体内に充填された粗
粒状充填材（４）、筒状体の外側（こ配、１される筒状
体加熱装置（５）、及び筒状体内の液ルベルを調整する
ための液面レベルジ４整１構（６）から構成されている
。
前記原料液供給槽（１）は上部が閉塞された密閉式の構
造であり、側部には筒状体内の液面レベルを調整するた
めの前記槽部（２）が立ち上がり状に形成されている。
造であり、側部には筒状体内の液面レベルを調整するた
めの前記槽部（２）が立ち上がり状に形成されている。
前記筒状体（３ンは、上部及び下部が開放し、その下部
が原料液供給槽ｆ１）に連通したもので、本実施例では
長尺大径の外筒体（７）とその下部の内側に配設され、
下部が外筒体下端から突出した円筒体（８）とから構成
されている。外筒体（７）はその下端が原料液供給槽（
１）本体の上部にシール装置（９）を介して固定され、
また外筒体（７）から突出した円筒体（８）の下部は、
原料液供給槽＋１）の上部を貫いて槽内に挿入され、槽
底部近傍まで達している。
が原料液供給槽ｆ１）に連通したもので、本実施例では
長尺大径の外筒体（７）とその下部の内側に配設され、
下部が外筒体下端から突出した円筒体（８）とから構成
されている。外筒体（７）はその下端が原料液供給槽（
１）本体の上部にシール装置（９）を介して固定され、
また外筒体（７）から突出した円筒体（８）の下部は、
原料液供給槽＋１）の上部を貫いて槽内に挿入され、槽
底部近傍まで達している。
本実施例において、筒状体（３）を外筒体（７）と円筒
体（８）とから構成したのは次のような理由による。す
なわち、筒状体（３）の上部側は加熱装置により加熱さ
れるため耐熱性が要求され、このためセラミック等の耐
熱材料で構成する必要がある。一方、筒状体（３）の下
部は強い腐食性を有する原料液に接するが、仮に筒状体
（３）をセラミック材で構成した場合、セラミックには
気孔が存在するため原料液を含浸し。
体（８）とから構成したのは次のような理由による。す
なわち、筒状体（３）の上部側は加熱装置により加熱さ
れるため耐熱性が要求され、このためセラミック等の耐
熱材料で構成する必要がある。一方、筒状体（３）の下
部は強い腐食性を有する原料液に接するが、仮に筒状体
（３）をセラミック材で構成した場合、セラミックには
気孔が存在するため原料液を含浸し。
この結果原料液が筒状体外に浸出してしまうおそれがあ
る。そこで、本実施例では、原料液と接する筒状体部分
を内筒体（８）で構成し、外筒体（７）をセラミック等
のＷｋ熱材で、また内筒体（８）を含浸性のない金属材
等で構成するものである。
る。そこで、本実施例では、原料液と接する筒状体部分
を内筒体（８）で構成し、外筒体（７）をセラミック等
のＷｋ熱材で、また内筒体（８）を含浸性のない金属材
等で構成するものである。
前記粗粒状充填材（４）は、筒状体下部領域においては
、その隙間を通じて原料液を筒状体内で上昇させる役目
をし、また筒状体上部領域においてはガス化した原料液
をより高温化するためガスに対する伝熱面積を確保し高
い加熱効率を得る役目をするものであり、このため通常
、直径が数＝〜数士瓢程度の粗粒体が用いられる。との
粗粒体としては、例えばセラミック（ＳｉＣ、ＳｉＮ
、 Ａｔ２０３等）製のボール体（直径１０＋ｍ前後）
等が用いられる。なお、筒状体（３）の内部はその下部
が原料液の蒸発領域、上部が蒸発したガスの加熱領域と
なるものであり、それぞれの領域の目的に応じて充填材
の粒度を変えるようにしてもよい。
、その隙間を通じて原料液を筒状体内で上昇させる役目
をし、また筒状体上部領域においてはガス化した原料液
をより高温化するためガスに対する伝熱面積を確保し高
い加熱効率を得る役目をするものであり、このため通常
、直径が数＝〜数士瓢程度の粗粒体が用いられる。との
粗粒体としては、例えばセラミック（ＳｉＣ、ＳｉＮ
、 Ａｔ２０３等）製のボール体（直径１０＋ｍ前後）
等が用いられる。なお、筒状体（３）の内部はその下部
が原料液の蒸発領域、上部が蒸発したガスの加熱領域と
なるものであり、それぞれの領域の目的に応じて充填材
の粒度を変えるようにしてもよい。
才だ１本実施例では充填材（４）は筒状体（３）の全長
に亘って充填されているが、筒状体下部領域においては
、充填材（４）はその充填頭載の下端が少なくとも筒状
体（内筒体（８））内の液面レベル（定められた穀圧液
面レベル）より下に位置するよう充填すれば足り、これ
により液面レベルにかかわらず、原料液を表面張力によ
り充填材の隙間を通じ浸透させることができる。
に亘って充填されているが、筒状体下部領域においては
、充填材（４）はその充填頭載の下端が少なくとも筒状
体（内筒体（８））内の液面レベル（定められた穀圧液
面レベル）より下に位置するよう充填すれば足り、これ
により液面レベルにかかわらず、原料液を表面張力によ
り充填材の隙間を通じ浸透させることができる。
前記筒状体加熱装置（５）は外海体（力の外周に設けら
れる発熱体−こより構成され、筒状体の加熱を通じその
内部の原料液及びガスを加熱するよう（こしている。
れる発熱体−こより構成され、筒状体の加熱を通じその
内部の原料液及びガスを加熱するよう（こしている。
前記液面レベル調整機構（６）は、原料液供給槽（１）
の前記檀那（２）に不活性ガス等のガスを供給し、槽内
圧の調整により筒状体（３）内の液面レベルを調整する
ためのもので、前記檀那（２）の上部に接続されたガス
供給管（１１及び排出管上υと、排出管上りに設けられ
た圧力調整弁０りとから構成されている。
の前記檀那（２）に不活性ガス等のガスを供給し、槽内
圧の調整により筒状体（３）内の液面レベルを調整する
ためのもので、前記檀那（２）の上部に接続されたガス
供給管（１１及び排出管上υと、排出管上りに設けられ
た圧力調整弁０りとから構成されている。
その他図面において、α３は原料液供給配置。
Ｉは流量計、叫は開閉弁、αｅはレベル計、α力は圧力
計である。
計である。
また、本実施例のガス供給装置（イ）は、ＣＶＤ処理炉
（１）の下部に直接設けているが、本発明装置は処理炉
等とは別途に設けることもできる。
（１）の下部に直接設けているが、本発明装置は処理炉
等とは別途に設けることもできる。
以上のような装置において、原料液供給槽（１）内には
、檀那（２）内で所定の液面レベルとなるよう原料液（
Ａ）が入れられ、さらに檀那（２）内に液面レベル調整
機構（６）を構成するガス供給管α１から不活性ガス等
の液面調整用ガスが供給され、槽内圧調整がなされ、こ
の結果内筒体（８）内の所定のレベルに原料液の液面が
形成される。
、檀那（２）内で所定の液面レベルとなるよう原料液（
Ａ）が入れられ、さらに檀那（２）内に液面レベル調整
機構（６）を構成するガス供給管α１から不活性ガス等
の液面調整用ガスが供給され、槽内圧調整がなされ、こ
の結果内筒体（８）内の所定のレベルに原料液の液面が
形成される。
内′節体（８）内の原料液は表面張力により充填材（Ｌ
＞の隙間を通じ筒状体（３）内を上昇する。
＞の隙間を通じ筒状体（３）内を上昇する。
筒状体（３）（外向体（７））は筒状体加熱装置（５）
により加熱されており、原料液は加熱されることにより
蒸発し、次いでそのガスが高温に加熱され、筒状体（３
）の上部から炉内に供給される。ここで、筒状体内の原
液やガスの加熱は、充填材（４）により伝熱面積が非常
（こ犬きいことから効率的に行われる。
により加熱されており、原料液は加熱されることにより
蒸発し、次いでそのガスが高温に加熱され、筒状体（３
）の上部から炉内に供給される。ここで、筒状体内の原
液やガスの加熱は、充填材（４）により伝熱面積が非常
（こ犬きいことから効率的に行われる。
また、原料液の蒸発量の制飢は、内筒体（８）内の液面
レベルの調整により行われる。すなわち、内筒体（８）
内の液面レベルを上げると加熱装置（５）により加熱さ
れる筒状体内の原料液の範囲が大きくなり、この結果蒸
発量も増大することになる。この蒸発量制御は液面レベ
ル調整機構（６）により行われる。
レベルの調整により行われる。すなわち、内筒体（８）
内の液面レベルを上げると加熱装置（５）により加熱さ
れる筒状体内の原料液の範囲が大きくなり、この結果蒸
発量も増大することになる。この蒸発量制御は液面レベ
ル調整機構（６）により行われる。
また、このような本発明装置では、槽内圧を常に一定に
保ちつつ檀那（２）内のレベルを測定することにより、
原料液のガス化量が簡単に判り、このため処理用ガスの
ｅ５度管理を容易に行うことができる。
保ちつつ檀那（２）内のレベルを測定することにより、
原料液のガス化量が簡単に判り、このため処理用ガスの
ｅ５度管理を容易に行うことができる。
以上述べた本発明によれば、原料液を効率的に加熱して
高温ガス化することができ、加えて、構造上生成された
ガス流量を容易１こ知ることかできるため、処理用ガス
の濃度管理を従来方式に較べ極めて容易（こ行うことが
できる。加えて、原料液の蒸発と生成したガスの加熱と
を１つの装置で行うことができるため、別個の加熱装置
や加熱装置までの配管設備等が不要であり、設備のコン
パクト化を図ることができる。
高温ガス化することができ、加えて、構造上生成された
ガス流量を容易１こ知ることかできるため、処理用ガス
の濃度管理を従来方式に較べ極めて容易（こ行うことが
できる。加えて、原料液の蒸発と生成したガスの加熱と
を１つの装置で行うことができるため、別個の加熱装置
や加熱装置までの配管設備等が不要であり、設備のコン
パクト化を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
図において、（１）は原料液供給槽、（２）は種部、（
３）は筒状体、（４）は充填材、（５）は筒状体加熱装
置、（６）は筒状体内液面レベル調整機構を各示す。 特許出願人 日本鋼管株式会社 発 明 者 堤 道 開園
柳 橋 泰 雄代理人弁理
士 吉 原 省 三筒 １ 図 日 １％ Ａ
３）は筒状体、（４）は充填材、（５）は筒状体加熱装
置、（６）は筒状体内液面レベル調整機構を各示す。 特許出願人 日本鋼管株式会社 発 明 者 堤 道 開園
柳 橋 泰 雄代理人弁理
士 吉 原 省 三筒 １ 図 日 １％ Ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 原料液を高温ガス化して供給するガス供給装置におい
て、 筒状体内液面レベル調整用の槽部が立ち上がり状に設け
られた密閉式の原料液供給槽と、下端が原料液供給槽本
体の上部を貫いて槽内に挿入され、内部が原料液供給槽
内部と連通した筒状体と、該筒状体内に充填された粗粒
状充填材と、前記筒状体の外側に配置される筒状体加熱
装置と、原料液供給槽の前記槽部にガスを供給すること
によつて筒状体内の原料液液面レベルを調整するための
液面レベル調整機構とからなるガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17015886A JPS6328439A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17015886A JPS6328439A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ガス供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328439A true JPS6328439A (ja) | 1988-02-06 |
Family
ID=15899756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17015886A Pending JPS6328439A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328439A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610900A (ja) * | 1992-04-27 | 1994-01-21 | Canon Inc | 液体移動方法及び移動装置ならびにこれを利用した測定装置 |
| KR100438945B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 금속의 표면처리장치 |
| KR100438946B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마 증착장비의 가열된 냉각수를 이용한 가스주입관응축방지장치 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17015886A patent/JPS6328439A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610900A (ja) * | 1992-04-27 | 1994-01-21 | Canon Inc | 液体移動方法及び移動装置ならびにこれを利用した測定装置 |
| KR100438945B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 금속의 표면처리장치 |
| KR100438946B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마 증착장비의 가열된 냉각수를 이용한 가스주입관응축방지장치 |
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