JPS63289985A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS63289985A JPS63289985A JP62126256A JP12625687A JPS63289985A JP S63289985 A JPS63289985 A JP S63289985A JP 62126256 A JP62126256 A JP 62126256A JP 12625687 A JP12625687 A JP 12625687A JP S63289985 A JPS63289985 A JP S63289985A
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- Japan
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- layer
- inp
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- ingaasp
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ、特にＩ ｎＧａＡｓ Ｐ ／
Ｉ ｎＰ系埋め込み型半導体レーザの構造に関するもの
である。
Ｉ ｎＰ系埋め込み型半導体レーザの構造に関するもの
である。
従来の技術
いるＪ Ｂ Ｃ（ＢｕｒｉｅｄＣｒｅａｃｅｎｔ ）構
造といわれる半導体レーザがある。
造といわれる半導体レーザがある。
第２図は、従来のＢＣ構造半導体レーザの作製工程を示
す断面図である。１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰ
バッファ層、３はＩｎＰ電流電流アロ２２層はＩ ｎＧ
ａＡｓ Ｐマスク層、５はストライプ溝、６はＰ（Ｔ１
１１面、７はｎ型ＩｎＰクラッド層、１８はＩｎＧａＡ
ｓＰ活注層、９ば活性ＩｎＰクラッド層、１０はｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓ Ｐ コアタクト層、１１．１２はそれぞ
れｐ側、ｎ側の電極である。
す断面図である。１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰ
バッファ層、３はＩｎＰ電流電流アロ２２層はＩ ｎＧ
ａＡｓ Ｐマスク層、５はストライプ溝、６はＰ（Ｔ１
１１面、７はｎ型ＩｎＰクラッド層、１８はＩｎＧａＡ
ｓＰ活注層、９ば活性ＩｎＰクラッド層、１０はｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓ Ｐ コアタクト層、１１．１２はそれぞ
れｐ側、ｎ側の電極である。
第２図Ｃに示す半導体レーザを作製するには、まず、第
２図ａのようにｎ型ＩｎＰ基板１の（００１）面上に、
ｎ型ＩｎＰバッファ層２ 、 ＩｎＰ電流ブロックｆｉ
３ 、 ＩｎＧａＡｓＰマスク層４を順次エピタキシャ
ル成長する。次に、フォトエツチングによＩｐ 、Ｉ
ｎＧａＡ ｓ Ｐマスク層４に〔１１０〕方向に沿って
約２μｍの幅のストライプを形成した後、前記ストライ
プが形成されたＩｎＧａＡｓＰマスク層４をマスクとし
て、塩酸（ＨＯ２）を用い、ＩｎＰ電流ブロック層３．
ｎ型ＩｎＰバッファ層２のエツチングを行って、第２図
すに示すような［Ｐ（Ｔ１１）およびＰ（１Ｔ１）のＪ
Ｐ（Ｔ１１１面６と（００１）面に垂直な而とが露出し
た断面が矢尻形のストライプ溝６を形成する。
２図ａのようにｎ型ＩｎＰ基板１の（００１）面上に、
ｎ型ＩｎＰバッファ層２ 、 ＩｎＰ電流ブロックｆｉ
３ 、 ＩｎＧａＡｓＰマスク層４を順次エピタキシャ
ル成長する。次に、フォトエツチングによＩｐ 、Ｉ
ｎＧａＡ ｓ Ｐマスク層４に〔１１０〕方向に沿って
約２μｍの幅のストライプを形成した後、前記ストライ
プが形成されたＩｎＧａＡｓＰマスク層４をマスクとし
て、塩酸（ＨＯ２）を用い、ＩｎＰ電流ブロック層３．
ｎ型ＩｎＰバッファ層２のエツチングを行って、第２図
すに示すような［Ｐ（Ｔ１１）およびＰ（１Ｔ１）のＪ
Ｐ（Ｔ１１１面６と（００１）面に垂直な而とが露出し
た断面が矢尻形のストライプ溝６を形成する。
上記のようにストライプ溝６を形成した後、２回目のエ
ピタキシャル成長で、ｎ型ＩｎＰクラッド層７ 、 Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１８．ｐ型ＩｎＰり７７ド層９、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ コンタクトＪ彊１０を順次成長し、
ｐ［則、ｎ、１ｊｌｌｌの−Ｅｆ％１１ 、１２を形成
して、第２図Ｃに示すようにＰＩＴｌｌ １面６の露出
している部分と（００１）面にほぼ垂直な面が露出して
いる部分との境界（第２図す、破線Ｌ）より上部に断面
三日月形のＩｎＧａＡｓＰ活性層１８を有するＢＣ構造
半導体レーザが作製される。
ピタキシャル成長で、ｎ型ＩｎＰクラッド層７ 、 Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１８．ｐ型ＩｎＰり７７ド層９、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰ コンタクトＪ彊１０を順次成長し、
ｐ［則、ｎ、１ｊｌｌｌの−Ｅｆ％１１ 、１２を形成
して、第２図Ｃに示すようにＰＩＴｌｌ １面６の露出
している部分と（００１）面にほぼ垂直な面が露出して
いる部分との境界（第２図す、破線Ｌ）より上部に断面
三日月形のＩｎＧａＡｓＰ活性層１８を有するＢＣ構造
半導体レーザが作製される。
発明が解決しようとする問題点
ＢＣＣ構造半導体レーザは、基本横モード発振およびし
きい電流の低減を図るために、活性層の幅を２μｍ程度
に抑える必要がわり、そのために１よ、フォトエツチン
グの際にレジスト膜に１〜１．６μｍの幅のストライプ
を形成しなければならなかった。しかるに、このストラ
イプ１福は、従来の紫外線を用いた露光装置に形成でき
るストライプ幅の限界に近いため、レジストパターンに
凹凸の乱れが生じやすく、このストライプパターンに生
じた凹凸は、矢尻形のストライプ溝形成後、（ｏｏｌ）
面にほぼ垂直な面に〔１１０〕方向に沿っての凹凸とな
って現れる。この凹凸のあるストライプ溝へ２回目の結
晶成長を行うと、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１８の両端は、
〔１１０〕方向で凹凸の分布をもつようになシ、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層１８の幅に分布が生じて、そのため良好
な発振横モード特性が得られにくい欠点があった。
きい電流の低減を図るために、活性層の幅を２μｍ程度
に抑える必要がわり、そのために１よ、フォトエツチン
グの際にレジスト膜に１〜１．６μｍの幅のストライプ
を形成しなければならなかった。しかるに、このストラ
イプ１福は、従来の紫外線を用いた露光装置に形成でき
るストライプ幅の限界に近いため、レジストパターンに
凹凸の乱れが生じやすく、このストライプパターンに生
じた凹凸は、矢尻形のストライプ溝形成後、（ｏｏｌ）
面にほぼ垂直な面に〔１１０〕方向に沿っての凹凸とな
って現れる。この凹凸のあるストライプ溝へ２回目の結
晶成長を行うと、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１８の両端は、
〔１１０〕方向で凹凸の分布をもつようになシ、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層１８の幅に分布が生じて、そのため良好
な発振横モード特性が得られにくい欠点があった。
そこで、本発明は上記問題点を解消し、横モード特性の
優れたＦ高解像のフォトエツチングを行わない工程で発
振Ｊ ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ系埋め込み型半導体
レーザを提供することを目的とする。
優れたＦ高解像のフォトエツチングを行わない工程で発
振Ｊ ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰ系埋め込み型半導体
レーザを提供することを目的とする。
問題点？解決するための手段
上記の目的を達成させるために、本発明は、ＩｎＰ（ｏ
ｏｌ）面上に数層のエピタキシャル層ヲ有スる基板に、
ＰＩＴｌｌ １面と（ｏｏｌ）面にほぼ垂直な面の露出
した〔１１０〕方向のストライプ溝を形成し、このスト
ライプ溝内に活ｉｉ層をその両端がＰ（Ｔ１１１面上に
あるように形成して半導１本レーザの構造を得る。
ｏｌ）面上に数層のエピタキシャル層ヲ有スる基板に、
ＰＩＴｌｌ １面と（ｏｏｌ）面にほぼ垂直な面の露出
した〔１１０〕方向のストライプ溝を形成し、このスト
ライプ溝内に活ｉｉ層をその両端がＰ（Ｔ１１１面上に
あるように形成して半導１本レーザの構造を得る。
作 用
本発明は上記した構成により、フォトエツチング工程で
のストライプパターンの乱れの影響を受けない平坦なＰ
（Ｔ１１１面上に活性層の両端がちり、さらに活性ノー
の幅を小さく抑えることができるので、高解像のフォト
エツチングを行わなくても半導体レーザの発振横モード
特ｔｉを良好にすることができる。
のストライプパターンの乱れの影響を受けない平坦なＰ
（Ｔ１１１面上に活性層の両端がちり、さらに活性ノー
の幅を小さく抑えることができるので、高解像のフォト
エツチングを行わなくても半導体レーザの発振横モード
特ｔｉを良好にすることができる。
実施例
第１図は本発明の実施例における半導体レーザの構造断
面図である。図中の１〜１２は、従来例（第２図）と同
一または相自部分を示している。
面図である。図中の１〜１２は、従来例（第２図）と同
一または相自部分を示している。
第１図に示した半導体レーザは、次のように作製される
。まず、従来例で示したように開口部約２７ｘｍ幅の断
面矢尻形ストライプ溝６を形成する。
。まず、従来例で示したように開口部約２７ｘｍ幅の断
面矢尻形ストライプ溝６を形成する。
次く、このストライプ溝のＰ（Ｔ１１１面θ上にＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層８の両端が存在するような条件で、ｎ型
ＩｎＰクラッド層了、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層８．ｐ型
ＩｎＰクラッド層９．ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト
層１゜を順次エピタキシャル成長し、ｐ側、ｎ側の電極
１１．１２を形成して、第１図に示す構造の半導体レー
ザを得る。
ａＡｓＰ活性層８の両端が存在するような条件で、ｎ型
ＩｎＰクラッド層了、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層８．ｐ型
ＩｎＰクラッド層９．ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト
層１゜を順次エピタキシャル成長し、ｐ側、ｎ側の電極
１１．１２を形成して、第１図に示す構造の半導体レー
ザを得る。
この第１図に示す構造により、平坦なＰ １Ｔ１１１面
６にＩｎＧａＡｓＰ活性層８の両端は形成されるので、
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層８の幅を〔１１０〕方向に沿
って一定にでき、乱れのない良好な発振横モードを得る
ことができる。また、ＰＩＴ１１１面６の平坦性は、フ
ォトエツチング工程で生じたパターンの乱れの影響を受
けにくい。そのため、高解像のフォトエツチングを行わ
なくても良好な発振横モードが得られる。さらに、矢尻
形のストライブ溝５先端の７字形のテーパによって、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層８の幅をストライプ溝５の開口部よ
り小さくでき、ＩｎＧａＡｓＰ活性層８の幅を小さく抑
えることができるので、しきい電流を小さくすることが
でき、視訝１スを楕円形から円形に近づけることができ
る。
６にＩｎＧａＡｓＰ活性層８の両端は形成されるので、
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層８の幅を〔１１０〕方向に沿
って一定にでき、乱れのない良好な発振横モードを得る
ことができる。また、ＰＩＴ１１１面６の平坦性は、フ
ォトエツチング工程で生じたパターンの乱れの影響を受
けにくい。そのため、高解像のフォトエツチングを行わ
なくても良好な発振横モードが得られる。さらに、矢尻
形のストライブ溝５先端の７字形のテーパによって、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層８の幅をストライプ溝５の開口部よ
り小さくでき、ＩｎＧａＡｓＰ活性層８の幅を小さく抑
えることができるので、しきい電流を小さくすることが
でき、視訝１スを楕円形から円形に近づけることができ
る。
視野像が円形に近づくことにより、半導体レーザと光フ
ァイバの結合が前便になり、その結合効率を同上するこ
とができる。
ァイバの結合が前便になり、その結合効率を同上するこ
とができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高解像のフォトエツチン
グ工程を行わなくても、発振横モード特性の優れた半導
体レーザを得ることができる。
グ工程を行わなくても、発振横モード特性の優れた半導
体レーザを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例における半導体し〜ザの断面
図、第２図は従来例における半導体レーザの作製工程を
示す断面図である。 １・・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ型Ｉ
ｎＰバッファ層、３・・・・・・ＩｎＰ電流ブロック層
、４・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰマスク層、５・・・・
・・ストライプ溝、６・・・・・・ＰＩＴ１１１面、７
・・・・・・ｎ型ＩｎＰクラッド層、８，１８・・・・
・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、９・・・・・・ｐ型ＩｎＰ
クラッド層、１０・・・・・・ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層、１１．１２・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
図、第２図は従来例における半導体レーザの作製工程を
示す断面図である。 １・・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ型Ｉ
ｎＰバッファ層、３・・・・・・ＩｎＰ電流ブロック層
、４・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰマスク層、５・・・・
・・ストライプ溝、６・・・・・・ＰＩＴ１１１面、７
・・・・・・ｎ型ＩｎＰクラッド層、８，１８・・・・
・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、９・・・・・・ｐ型ＩｎＰ
クラッド層、１０・・・・・・ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層、１１．１２・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩｎＰ（００１）面上に数量のエピタキシャル層を有す
る基板に形成されたＰ｛Ｔ１１｝面と（００１）面にほ
ぼ垂直な面とが露出した〔１１０〕方向のストライプ溝
内に、両端がＰ｛Ｔ１１｝面上にある活性層を備えた半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62126256A JPS63289985A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62126256A JPS63289985A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289985A true JPS63289985A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14930675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62126256A Pending JPS63289985A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289985A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175886A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62126256A patent/JPS63289985A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175886A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
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