JPH1012970A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH1012970A JPH1012970A JP16009096A JP16009096A JPH1012970A JP H1012970 A JPH1012970 A JP H1012970A JP 16009096 A JP16009096 A JP 16009096A JP 16009096 A JP16009096 A JP 16009096A JP H1012970 A JPH1012970 A JP H1012970A
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- mesa
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留りよく半導体レーザを生産するために、
メサ形状のばらつきを小さく抑え、かつメサ裾のえぐれ
を抑制する。 【解決手段】 静止エッチング液に超音波を印加しなが
ら、ウェットエッチングを行い、エッチャントの対流を
起こさずに、大きな濃度分布ができないような、緩やか
な拡散を起こす。
メサ形状のばらつきを小さく抑え、かつメサ裾のえぐれ
を抑制する。 【解決手段】 静止エッチング液に超音波を印加しなが
ら、ウェットエッチングを行い、エッチャントの対流を
起こさずに、大きな濃度分布ができないような、緩やか
な拡散を起こす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特にメサ構造を有する半導体装置及
びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特にメサ構造を有する半導体装置及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のメサ構造を介する半導体装置につ
いて説明する。従来、メサストライプ構造を半導体基板
上に形成する場合には、フォトリソグラフィなどの方法
で、前記基板表面上にＳｉＯ2膜などをストライプ状に
形成し、前記ＳｉＯ2膜をマスクとして、適当なエッチ
ング液で半導体層をエッチングする。この際、エッチン
グの面方位選択性により、例えば、半導体の（１１１）
面などがメサ側面としてあらわれ、順メサ型のメサ構造
が形成される。このような半導体装置の製造方法は、例
えば特開平６−２９９３７２号，特開平２−９７５００
号，特開昭６２−２７４７３０号，特開昭６１−１４７
５３４号等の公報に記されている。
いて説明する。従来、メサストライプ構造を半導体基板
上に形成する場合には、フォトリソグラフィなどの方法
で、前記基板表面上にＳｉＯ2膜などをストライプ状に
形成し、前記ＳｉＯ2膜をマスクとして、適当なエッチ
ング液で半導体層をエッチングする。この際、エッチン
グの面方位選択性により、例えば、半導体の（１１１）
面などがメサ側面としてあらわれ、順メサ型のメサ構造
が形成される。このような半導体装置の製造方法は、例
えば特開平６−２９９３７２号，特開平２−９７５００
号，特開昭６２−２７４７３０号，特開昭６１−１４７
５３４号等の公報に記されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、作製されてきた
半導体装置、特に半導体レーザは、ウェットエッチング
により形成されたメサ型ストライプを有するものが多い
が、本発明者の実験結果から、従来のウェットエッチン
グ法により形成される、ストライプと垂直方向の断面の
メサ１の形状は図３（ａ）に示すように、メサ裾がだれ
た形状Ａか、あるいは図３（ｂ）に示すようにメサ側面
がえぐれた形状Ｂをしていることがわかった。
半導体装置、特に半導体レーザは、ウェットエッチング
により形成されたメサ型ストライプを有するものが多い
が、本発明者の実験結果から、従来のウェットエッチン
グ法により形成される、ストライプと垂直方向の断面の
メサ１の形状は図３（ａ）に示すように、メサ裾がだれ
た形状Ａか、あるいは図３（ｂ）に示すようにメサ側面
がえぐれた形状Ｂをしていることがわかった。
【０００４】特に、メサ形状のだれは、（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦０．８）からなる
半導体層をエッチングしたときに、顕著に現れた。ただ
し、一般に論文等に用いられる図面は模式図であるた
め、このようなメサ形状のくずれが正確に再現されてい
ない。
ａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦０．８）からなる
半導体層をエッチングしたときに、顕著に現れた。ただ
し、一般に論文等に用いられる図面は模式図であるた
め、このようなメサ形状のくずれが正確に再現されてい
ない。
【０００５】メサ形状がくずれる原因について、以下に
説明する。従来の静止ウェットエッチングによるメサ形
状では図３（ａ）に示すように、エッチングが進むにつ
れ、基板表面近傍のエッチャント濃度が薄まるため、メ
サ裾がだれ、特にエッチング速度が遅い場合に、その傾
向は顕著になる。
説明する。従来の静止ウェットエッチングによるメサ形
状では図３（ａ）に示すように、エッチングが進むにつ
れ、基板表面近傍のエッチャント濃度が薄まるため、メ
サ裾がだれ、特にエッチング速度が遅い場合に、その傾
向は顕著になる。
【０００６】逆にメサ裾のだれを抑制するために撹拌し
ながらエッチングを行うと、図３（ｂ）に示すように、
マスクのひさしの影響で対流が生じ、メサ１の側面、特
にマスクに近い部分がえぐれた形状Ｂとなる。一方、メ
サ裾のだれやメサ脇のえぐれは、半導体装置に好ましく
ない特性の悪化をもたらす。
ながらエッチングを行うと、図３（ｂ）に示すように、
マスクのひさしの影響で対流が生じ、メサ１の側面、特
にマスクに近い部分がえぐれた形状Ｂとなる。一方、メ
サ裾のだれやメサ脇のえぐれは、半導体装置に好ましく
ない特性の悪化をもたらす。
【０００７】図４に示すように、メサ裾が広がっている
半導体装置に適当な電極を設け、電流を流すと、メサ裾
部分にも電流が流れてしまう。半導体レーザの場合、こ
のメサ裾部分を流れる電流は、レーザ発振に寄与しない
漏れ電流となり、不必要な発振しきい値電流の増加をも
たらす。
半導体装置に適当な電極を設け、電流を流すと、メサ裾
部分にも電流が流れてしまう。半導体レーザの場合、こ
のメサ裾部分を流れる電流は、レーザ発振に寄与しない
漏れ電流となり、不必要な発振しきい値電流の増加をも
たらす。
【０００８】さらにＭＯ，ＤＶＤ等の光ディスク装置に
用いられる半導体レーザでは、高いスロープ効率と高い
キンクレベルが要求されるが、メサ型ストライプを有す
る半導体レーザでは、メサ形状のくずれがレーザ発振時
のスロープ効率、及び横モードの安定性、ひいてはキン
クレベルを低下させてしまう。
用いられる半導体レーザでは、高いスロープ効率と高い
キンクレベルが要求されるが、メサ型ストライプを有す
る半導体レーザでは、メサ形状のくずれがレーザ発振時
のスロープ効率、及び横モードの安定性、ひいてはキン
クレベルを低下させてしまう。
【０００９】すなわち、スロープ効率は、メサトップ幅
が小さいときに低下し、キンクレベルは、メサボトム幅
が大きいときに低下する。以上のことから、発振しきい
値電流，スロープ効率，キンクレベルに関してレーザの
特性を向上させるには、メサ裾のだれと、メサ側面のえ
ぐれが少ない半導体レーザを作製する必要がある。
が小さいときに低下し、キンクレベルは、メサボトム幅
が大きいときに低下する。以上のことから、発振しきい
値電流，スロープ効率，キンクレベルに関してレーザの
特性を向上させるには、メサ裾のだれと、メサ側面のえ
ぐれが少ない半導体レーザを作製する必要がある。
【００１０】本発明の目的は、メサ形状のばらつきを小
さく抑え、かつメサ裾のだれとメサ側面のえぐれを少な
くした半導体装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
さく抑え、かつメサ裾のだれとメサ側面のえぐれを少な
くした半導体装置及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、順メサ型のストライプ
を有する半導体装置であって、順メサ型のストライプ
は、半導体基板上にウェットエッチングにより形成され
たものであり、前記ストライプの垂直方向の断面形状
は、メサの裾がだれておらず、または側面がえぐれても
いない台形状をなすものである。
め、本発明に係る半導体装置は、順メサ型のストライプ
を有する半導体装置であって、順メサ型のストライプ
は、半導体基板上にウェットエッチングにより形成され
たものであり、前記ストライプの垂直方向の断面形状
は、メサの裾がだれておらず、または側面がえぐれても
いない台形状をなすものである。
【００１２】また前記メサ形状は、前記メサの高さの基
板側から２分の１に当たる部分の側面が基板面となす角
度と、前記メサの高さの基板側から１０分の１に当たる
部分の側面が基板面となす角度との差が５°以下である
形状をなすものである。
板側から２分の１に当たる部分の側面が基板面となす角
度と、前記メサの高さの基板側から１０分の１に当たる
部分の側面が基板面となす角度との差が５°以下である
形状をなすものである。
【００１３】またダブルヘテロ構造を有する半導体装置
であって、ダブルヘテロ構造は、活性層がｐ型クラッド
層とｎ型クラッド層に挾まれた構造のものであり、かつ
前記ｐ型クラッド層又は前記ｎ型クラッド層のうち少な
くともどちらか一方のクラッド層は、ウェットエッチン
グにより光導波の横モード制御のための順メサ型ストラ
イプ状に形成されたものであり、該ストライプの垂直方
向の断面形状は、前記メサの裾がだれていない、あるい
は前記メサの側面がえぐれていない台形状である。
であって、ダブルヘテロ構造は、活性層がｐ型クラッド
層とｎ型クラッド層に挾まれた構造のものであり、かつ
前記ｐ型クラッド層又は前記ｎ型クラッド層のうち少な
くともどちらか一方のクラッド層は、ウェットエッチン
グにより光導波の横モード制御のための順メサ型ストラ
イプ状に形成されたものであり、該ストライプの垂直方
向の断面形状は、前記メサの裾がだれていない、あるい
は前記メサの側面がえぐれていない台形状である。
【００１４】また前記メサ形状は、前記メサの高さの基
板側から２分の１に当たる部分の側面が基板面となす角
度と、前記メサの高さの基板側から１０分の１に当たる
部分の側面が基板面となす角度との差が５°以下である
形状をなすものである。
板側から２分の１に当たる部分の側面が基板面となす角
度と、前記メサの高さの基板側から１０分の１に当たる
部分の側面が基板面となす角度との差が５°以下である
形状をなすものである。
【００１５】また前記メサ形状をなしているクラッド層
は、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦０．
８）からなる半導体層を含むものである。
は、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦０．
８）からなる半導体層を含むものである。
【００１６】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、エッチング液に超音波振動を加えながら、ウェット
エッチングを行うことにより、順メサ型のストライプを
形成するものである。
は、エッチング液に超音波振動を加えながら、ウェット
エッチングを行うことにより、順メサ型のストライプを
形成するものである。
【００１７】またエッチング液に超音波振動を加えなが
ら、ウェットエッチングを行うことにより、光導波の横
モード制御のための順メサ型ストライプを形成するもの
である。
ら、ウェットエッチングを行うことにより、光導波の横
モード制御のための順メサ型ストライプを形成するもの
である。
【００１８】またエッチングにより形成される順メサ型
ストライプは、（ＡｌxＧａ1-x）0. 5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４
≦ｘ≦０．８）からなる半導体層を含んでいるものであ
る。
ストライプは、（ＡｌxＧａ1-x）0. 5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４
≦ｘ≦０．８）からなる半導体層を含んでいるものであ
る。
【００１９】
【作用】静止エッチング液を超音波にかけながら、メサ
形成を行うと、エッチャントの対流を起こさずに、大き
な濃度分布ができないような、緩やかな拡散を起こすこ
とができる。この手法は、特にエッチングレートが０．
５μｍ／ｍｉｎ．以下であるような遅いエッチングの場
合に有効である。これにより、図１に示すようにメサ裾
がだれず、かつメサ側面のえぐれもないメサ形状を実現
できる。
形成を行うと、エッチャントの対流を起こさずに、大き
な濃度分布ができないような、緩やかな拡散を起こすこ
とができる。この手法は、特にエッチングレートが０．
５μｍ／ｍｉｎ．以下であるような遅いエッチングの場
合に有効である。これにより、図１に示すようにメサ裾
がだれず、かつメサ側面のえぐれもないメサ形状を実現
できる。
【００２０】半導体材料，超音波の強さによっても異な
るが、具体的には、メサの高さの基板側から２分の１に
位置する部分と、１０分の１に位置する部分で、側面と
基板面のなす角度の差が２〜１０°以内、すなわち、前
者が５４．７°である場合、メサ下部では４４．７°〜
５２．７°以上であるようなメサ形状を実現できる。
るが、具体的には、メサの高さの基板側から２分の１に
位置する部分と、１０分の１に位置する部分で、側面と
基板面のなす角度の差が２〜１０°以内、すなわち、前
者が５４．７°である場合、メサ下部では４４．７°〜
５２．７°以上であるようなメサ形状を実現できる。
【００２１】このようなメサ形状のくずれが少ない構造
を半導体レーザに適用することによって、発振しきい値
電流が低く、かつスロープ効率が高く、かつキンクレベ
ルが高い半導体レーザを作製できる。
を半導体レーザに適用することによって、発振しきい値
電流が低く、かつスロープ効率が高く、かつキンクレベ
ルが高い半導体レーザを作製できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図によ
り説明する。図２は、本発明の実施形態に係る半導体装
置の製造方法を製造工程順に示す断面図である。
り説明する。図２は、本発明の実施形態に係る半導体装
置の製造方法を製造工程順に示す断面図である。
【００２３】図２（ａ）に示すようにｎ型ＧａＡｓ基板
（面方位：（００１））４０１上に、ｎ型（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４０２（厚さ：１．５
μｍ），多重量子井戸活性層４０３，ｐ型（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐインナークラッド層４０４（厚
さ：０．３μｍ），ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ
層４０５（厚さ：０．０１μｍ），ｐ型（Ａｌ0.6Ｇａ
0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６（厚さ：
１．２μｍ），ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層４０７
（厚さ：０．０２μｍ），ｐ型ＧａＡｓキャップ層４０
８（厚さ：０．３μｍ）をＭＯＶＰＥ法によりエピタキ
シャル成長し、熱ＣＶＤ，フォトリソグラフィなどの工
程により、ＳｉＯ2マスク４０９を＜１（バー，反位）
１０＞方向にストライプ状に形成する。
（面方位：（００１））４０１上に、ｎ型（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４０２（厚さ：１．５
μｍ），多重量子井戸活性層４０３，ｐ型（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐインナークラッド層４０４（厚
さ：０．３μｍ），ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ
層４０５（厚さ：０．０１μｍ），ｐ型（Ａｌ0.6Ｇａ
0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６（厚さ：
１．２μｍ），ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層４０７
（厚さ：０．０２μｍ），ｐ型ＧａＡｓキャップ層４０
８（厚さ：０．３μｍ）をＭＯＶＰＥ法によりエピタキ
シャル成長し、熱ＣＶＤ，フォトリソグラフィなどの工
程により、ＳｉＯ2マスク４０９を＜１（バー，反位）
１０＞方向にストライプ状に形成する。
【００２４】次に図２（ｂ）に示すようにｐ型ＧａＡｓ
キャップ層４０８，ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層４
０７，ｐ型（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウターク
ラッド層４０６を、順次Ｈ3ＰＯ4＋Ｈ2Ｏ2＋１０Ｈ
2Ｏ，１００ＨＢｒ＋Ｈ2Ｏ2＋２００Ｈ2Ｏ，ＨＢｒ＋Ｈ
2Ｏを用いて、エッチングストッパ層４０５のところま
でエッチングし、メサを形成する。この際、特に、ｐ型
（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４
０６をＨＢｒ＋Ｈ2Ｏでエッチングするときに、２００
００〜１００００００Ｈｚの超音波振動を加える。
キャップ層４０８，ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層４
０７，ｐ型（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウターク
ラッド層４０６を、順次Ｈ3ＰＯ4＋Ｈ2Ｏ2＋１０Ｈ
2Ｏ，１００ＨＢｒ＋Ｈ2Ｏ2＋２００Ｈ2Ｏ，ＨＢｒ＋Ｈ
2Ｏを用いて、エッチングストッパ層４０５のところま
でエッチングし、メサを形成する。この際、特に、ｐ型
（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４
０６をＨＢｒ＋Ｈ2Ｏでエッチングするときに、２００
００〜１００００００Ｈｚの超音波振動を加える。
【００２５】その後、図２（ｃ）に示すようにメサ脇を
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４１０で埋め込み、ＳｉＯ
2マスク４０９を除去した後、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層４１１を積層する。
ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４１０で埋め込み、ＳｉＯ
2マスク４０９を除去した後、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層４１１を積層する。
【００２６】このようにしてできたウェハにｐ，ｎ両電
極を付け、７００μｍ程度のキャビティ長になるように
へき開し、個々のチップに分割することにより、半導体
レーザを製作できる。
極を付け、７００μｍ程度のキャビティ長になるように
へき開し、個々のチップに分割することにより、半導体
レーザを製作できる。
【００２７】このようにしてできた半導体レーザのメサ
形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ｐ型（Ａｌ
0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６の
層厚をｄcとしたときに、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングス
トッパ層４０５（厚さ：０．０１μｍ），ｐ型（Ａｌ
0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６の
界面から測ってｄcの２分の１にあたる部分の側面が基
板面となす角度が５４°で、同様にｄcの１０分の１に
あたる部分の側面が基板面となす角度が５０°であり、
図１のようにメサ上部と下部で側面の傾斜角がほぼ同じ
ようになっている。
形状を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ｐ型（Ａｌ
0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６の
層厚をｄcとしたときに、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングス
トッパ層４０５（厚さ：０．０１μｍ），ｐ型（Ａｌ
0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６の
界面から測ってｄcの２分の１にあたる部分の側面が基
板面となす角度が５４°で、同様にｄcの１０分の１に
あたる部分の側面が基板面となす角度が５０°であり、
図１のようにメサ上部と下部で側面の傾斜角がほぼ同じ
ようになっている。
【００２８】また、このようにして作製した半導体レー
ザと、超音波振動を加えずにメサ形成を行って作製した
半導体レーザとでレーザ特性を比較したところ、発振し
きい値電流は、前者が４０ｍＡ，後者が４５ｍＡ，スロ
ープ効率は前者が０．４Ｗ／Ａ，後者が０．３５Ｗ／
Ａ，キンクレベルは、前者が３５ｍＷ，後者が３０ｍＷ
であった。
ザと、超音波振動を加えずにメサ形成を行って作製した
半導体レーザとでレーザ特性を比較したところ、発振し
きい値電流は、前者が４０ｍＡ，後者が４５ｍＡ，スロ
ープ効率は前者が０．４Ｗ／Ａ，後者が０．３５Ｗ／
Ａ，キンクレベルは、前者が３５ｍＷ，後者が３０ｍＷ
であった。
【００２９】上記実施形態では、ｐ型（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６が順メ
サ型となっている半導体レーザを対象としたが、本発明
による構造および製造方法は、ウェットエッチングを用
いて製作される半導体装置全般に適用可能である。
ａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐアウタークラッド層４０６が順メ
サ型となっている半導体レーザを対象としたが、本発明
による構造および製造方法は、ウェットエッチングを用
いて製作される半導体装置全般に適用可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、超音波を
施しながら、ウェットエッチングで半導体のメサ形成を
行うことにより、メサ脇のえぐれやメサ裾のだれが小さ
い半導体メサを製造することができる。
施しながら、ウェットエッチングで半導体のメサ形成を
行うことにより、メサ脇のえぐれやメサ裾のだれが小さ
い半導体メサを製造することができる。
【００３１】さらに本発明を半導体レーザに適用すれ
ば、ウェットエッチングで形成されるメサ形状を改善す
ることができ、キンクレベルが高く，効率の高い半導体
レーザを提供できる。
ば、ウェットエッチングで形成されるメサ形状を改善す
ることができ、キンクレベルが高く，効率の高い半導体
レーザを提供できる。
【図１】本発明の半導体装置を示す構成図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法を製造工程
順に示す断面図である。
順に示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
４０１ 基板 ４０２ クラッド層 ４０３ 多重量子井戸活性層 ４０４ インナークラッド層 ４０５ エッチングストッパ層 ４０６ アウタークラッド層 ４０７ ヘテロバッファ層 ４０８ キャップ層
Claims (8)
- 【請求項１】 順メサ型のストライプを有する半導体装
置であって、 順メサ型のストライプは、半導体基板上にウェットエッ
チングにより形成されたものであり、 前記ストライプの垂直方向の断面形状は、メサの裾がだ
れておらず、または側面がえぐれてもいない台形状をな
すものであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記メサ形状は、前記メサの高さの基板
側から２分の１に当たる部分の側面が基板面となす角度
と、前記メサの高さの基板側から１０分の１に当たる部
分の側面が基板面となす角度との差が５°以下である形
状をなすことを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 ダブルヘテロ構造を有する半導体装置で
あって、 ダブルヘテロ構造は、活性層がｐ型クラッド層とｎ型ク
ラッド層に挾まれた構造のものであり、 かつ前記ｐ型クラッド層又は前記ｎ型クラッド層のうち
少なくともどちらか一方のクラッド層は、ウェットエッ
チングにより光導波の横モード制御のための順メサ型ス
トライプ状に形成されたものであり、 該ストライプの垂直方向の断面形状は、前記メサの裾が
だれていない、あるいは前記メサの側面がえぐれていな
い台形状であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記メサ形状は、前記メサの高さの基板
側から２分の１に当たる部分の側面が基板面となす角度
と、前記メサの高さの基板側から１０分の１に当たる部
分の側面が基板面となす角度との差が５°以下である形
状をなすものであることを特徴とする請求項２に記載の
半導体装置。 - 【請求項５】 前記メサ形状をなしているクラッド層
は、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦ｘ≦０．
８）からなる半導体層を含むことを特徴とする請求項４
に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 エッチング液に超音波振動を加えなが
ら、ウェットエッチングを行うことにより、順メサ型の
ストライプを形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項７】 エッチング液に超音波振動を加えなが
ら、ウェットエッチングを行うことにより、光導波の横
モード制御のための順メサ型ストライプを形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 エッチングにより形成される順メサ型ス
トライプは、（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０．４≦
ｘ≦０．８）からなる半導体層を含んでいることを特徴
とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16009096A JPH1012970A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16009096A JPH1012970A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012970A true JPH1012970A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15707648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16009096A Pending JPH1012970A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012970A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118099300A (zh) * | 2024-04-26 | 2024-05-28 | 南京镭芯光电有限公司 | 一种化合物半导体多层结构刻蚀型貌调节方法 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP16009096A patent/JPH1012970A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118099300A (zh) * | 2024-04-26 | 2024-05-28 | 南京镭芯光电有限公司 | 一种化合物半导体多层结构刻蚀型貌调节方法 |
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