JPS63293480A

JPS63293480A - バ−ンインテスト装置

Info

Publication number: JPS63293480A
Application number: JP62128234A
Authority: JP
Inventors: Noriyasu Kawanabe; 川鍋　紀康
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-05-27
Filing date: 1987-05-27
Publication date: 1988-11-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、バーンインテスト装置に関し、特に、液材を
用いて半導体装置の温度制御をするバーンインテスト装
置に適用して有効な技術に関するものである。

〔従来技術〕

半導体装置は、それが完成した後に高温状態下で試験電
圧を印加して動作させることにより、初期不良を起すよ
うなものを短期間に劣化させて出荷以前に取り除くよう
にしている。これは、バーンインテストと云われる。こ
のバーンインテスト時に半導体チップから発熱するが、
発熱量の大きなものでは素子の不良に係わらずその熱に
よって半導体チップが破壊される。そこで、前記試験は
。

バーンインテスト槽の中に例えばフロロカーボン等の液
材を満し、この中で温度制御しながら行う。

なお、バーンインテストに関しては、例えばオーム社、
昭和５６年６月３０日発行「半導体ハンドブックＪ　ｐ
Ｈ０８〜ｐ　１１０．９に記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明者は、前記液材を用いたバーンインテスト装置を
検討した結果１次の問題点を見出した。

液材の中には、半導体装置やそれがセットされる試験基
板等に付着していたイオンが溶は込む。

このイオンのために、半導体装置のリード間がショート
し又は大電流が流れて半導体装置を破壊する。

本発明の目的は、バーンインテスト装置の液材の清浄度
を高めることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔問題点を解決するための手段〕

本顆において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、バーンインテスト槽の液材の中に電極を設け
、この電極に所定電圧を印加するものである。

〔作用〕

上述した手段によれば、液材の中のイオンが前記電極に
よって吸着されるので、液材の清浄度を高めることがで
きる。

〔発明の実施例Ｉ〕

以下・本発明の実施例！を図面を用いて説明する。

第１図は、本発明の実施例Ｉにおけるバーンインテスト
装置を説明するための図である。

第１図において、１は例えばステンレス鋼からなるバー
ンインテスト槽であり、バーンインテスト時の半導体装
置１２を例えばフロロカーボン等からなる液材７によっ
て温度制御するためのものである。バーンインテスト槽
１には、その底部に接続されたパイプ２を通して、主タ
ンク４の中の液材７をポンプ３で送り込むようにしてい
る。パイプ２及び主タンク４は１例えばステンレス鋼が
らなっている。６はバーンインテスト槽１がら溢れ出た
液材７を受けるためのパン（ｐ　ａ　ｎ）であり、この
中に溢れた液材７をパイプ５を通して主タンク４に戻す
ようにしている。

半導体装置１２は、例えばバイポーラトランジスタ等に
よって種々の回路が構成された半導体チップを例えばセ
ラミックパッケージで封止したものである。この半導体
装置１２は、そのリードピン（図示していない）を例え
ばガラスエポキシ樹脂。

セラミック等からなる試験基板１１に設けられている接
続端子に接続しである。試験基板１１には例えば銅膜等
からなる配線が施してあり、この配線にケーブル１３Ａ
、１３Ｂを通して電源１７を接続し、半導体装置１２に
試験電圧を給電するようにしている。

試験電圧としては、バイポーラトランジスタの場合であ
れば、Ｈレベル（高電位）が例えば＋５ｖ、Ｌレベル（
低電位）が例えば−３ｖの定電源を使用する。半導体装
置１２のチップ内の回路がＭＯＳＦＥＴで構成されたも
のであれば、Ｈレベル（高電位）が例えば＋５Ｖ、Ｌレ
ベル（低電位）が例えばＯｖの定電源を使用する。なお
１Ｍ０５ＦＥＴ及びメモリの場合には、電源だけでなく
信号も入力するようにしてスタティック状態とならない
ようにする。半導体装置１２がセットされた試験基板１
１は、バーンインテスト槽１の液材７の中に浸けられる
。このバーンインテスト時においては、液材７が常時バ
ーンインテスト槽１からオーバフロー７ＡＩ、ているよ
うにされる。

この実施例Ｉでは、バーンインテスト槽１の中に電極８
を設け、このｆＲ電極に例えば−７ｖ、バーンインテス
ト槽１に例えば＋７ｖを印加することにより、液材７の
中のＣｌイオンやＮａイオン等を吸着するようにしてい
る。つまり、ｆ！！極８には半導体装置１２に印加され
るＬレベルの電位よりも低い負（−）電位を印加し、バ
ーンインテスト槽１には半導体装置１２に印加されるＨ
レベルの電位より高い正（＋）電位を印加するようにし
ている。

電極８の材料は限定されたものではなく、金属であれば
よい、電極８は、板状のものでもよく、また１枚の板に
複数の小さな穴を開けて液材７が流れ易くしたものであ
ってもよい、Ｗ１極８は、例えばシリコーン系樹脂から
なる絶縁層９によってバーンインテスト槽１から絶縁し
ている。電極８はケーブルＩＯＡによって、バーンイン
テスト槽１はケーブル１０Ｂによってそれぞれ電源１６
に接続している。

また、バーンインテスト槽１に液材７が注ぎ込れる入口
の近くにイオンフィルタ１４の保持器２Ａを設け、この
中にイオンフィルタ１４を内蔵している。保持器２Ａは
、例えばステンレス鋼からなっている。イオンフィルタ
１４にはケーブルＩＯＡを接続して、負（−）電位例え
ば−７ｖを印加し、主にＮａイオンを吸着するようにし
ている。

ここで、イオンフィルタ１４の全体図を第２図に示す。

第２図において、１４Ａは例えばエポキシ樹脂等の絶縁
材からなる外枠であり、１４Ｂが金属メツシュである。

第２図では、金属メツシュ１４Ｂの一部を示している。

イオンフィルタ１４の形状は、円形に限られたものでは
なく、パイプ２の断面形状と同様であればよい、なお、
保持器２Ａは、バーンインテスト槽１の内部に設けるよ
うにしてもよく、このようにすることによりパイプ２と
バーンインテスト槽１の間に絶縁材を介在させることに
より絶縁するようにしてもよい、金属メツシュ１４Ｂは
、外枠１４Ａによって保持器２Ａから絶縁されている。

以上、説明したように、本実施例によれば次の効果を得
ることができる。

バーンインテスト槽１内に電極８を設け、この電極８と
バーンインテスト槽１の間に電圧を印加していることに
より、ＮａイオンやＣ１イオン等のイオンを取り除くこ
とができるので、液材７の中のイオン濃度を低くするこ
とができる。これにより、半導体装置１２がバーンイン
テスト時に、リード間のショートや大電流によって破壊
されることがなくなる。

また、電極８に負電位、バーンインテスト槽１すなわち
面積の大きい方に正電位を印加するようにしていること
により、半導体装１ｆｔ１２に与える影響が大きいＣ１
イオンが取り除き易くなっている。

また、イオンフィルタ１４を設けたことにより、全ての
液材７がこのイオンフィルタ１４を通過するので、液材
７の中のイオンを良好に取り除くことができる。

なお、イオンフィルタ１４は、設けないようにしてもよ
い。

〔発明の実施例■〕

第３図は１本発明の実施例■のバーンインテスト装置を
説明するための図である。

実施例■のバーンインテスト装置は、半導体装１１１２
の上部に格子電極１５を設け、これにより液材７の中の
イオンを取り除くようにしたものである。

格子電極１５の平面構造を第４図に、断面構造を第５図
に示す。

格子電極１５は第４図に示すように、Ｙ方向に長い導体
１５Ａと、Ｘ方向に長い導体１５Ｂとを互い違いに組み
合せて構成したものである。導体１５Ａと導体１５Ｂの
重り部分には１例えばシリコーン樹脂等からなる絶縁材
１５Ｇを介在させることにより絶縁している。また、そ
れぞれの導体１５ＡはケーブルＩＯＡを通して、それぞ
れの導体１５Ｂはケーブル１０Ｂを通して電源１６に接
続している。また、導体１５Ａ、１５Ｂのそれぞれは、
バーンインテスト槽１からは絶縁される。格子電極１５
は、バーンインテスト槽１の開口径とほぼ同程度の大き
さにする。

このように、導体１５Ａと１５Ｂを密に組み合せた格子
電極１５を液材７の中の半導体装！１１２の上部に置く
ことにより、試験基板１１．半導体装置１２等から液材
７の中に溶は込んだＮａイオンやＣ１イオンをただちに
取り除くことができる。すなわち、前記イオンがバーン
インテスト槽１からパン６゜パイプ５、主タンク４、パ
イプ２．ポンプ３、パイプ２と循環しないうちに取り除
くことができる。

また、導体１５Ａと導体１５Ｂがイオンを取り除く上で
の陽と陰の２つの電極となっているので、バーンインテ
スト槽１に電圧を印加しないようにできる。

なお、第３図には図示していないが、第１図に示したイ
オンフィルタ１４を設けるようにしてもよい。

以上１本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。

例えば、液材７は、オーバフロー７Ａ状態にしなくても
よく、液材７を半導体装直重２から発生する熱で蒸発さ
せることにより、温度制御する装置であってもよい。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

バーンインテスト槽の液材の中に電極を設け、この電極
に所定の電圧を印加するようにしたことにより、前記液
材の中のイオンが前記電極によって取り除かれるので、
液材の清浄度を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例■のバーンインテスト装置を
説明するための図。第２図は、イオンフィルタの平面図、第３図は１本発明の実施例■を説明するための図、第４図は、格子電極の平面図、第５図は、格子電極の断面図である。図中、！・・・バーンインテスト槽（ステンレス）、２
．５・・・パイプ、３・・・ポンプ、４・・・主タンク
、６・・・パン、７・・・液材（フロロカーボン）、８
・・・電極。９．１５Ｇ・・・絶縁材、１０Ａ、ＩＯＢ、１３Ａ、１
３Ｂ・・・配線、１１・・・試験基板、１２・・・半導
体装置、１４・・・イオンフィルタ、１４Ａ・・・外枠
、１４Ｂ・・・金属メツシュ、２Ａ・・・保持器、１５
・・・格子電極、１５Ａ、１５Ｂ・・・導体、１６．１
７・・・電源。第　　１　　図

Claims

【特許請求の範囲】１、試験電圧が印加された試験時の半導体装置を、バー
ンインテスト槽の中に入れた液材で温度制御するバーン
インテスト装置であって、前記バーンインテスト槽の液
材の中に電極を設け、該電極に所定電圧を印加したこと
を特徴とするバーンインテスト装置。２、前記液材は前記バーンインテスト槽に対してオーバ
フローにされることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のバーンインテスト装置。３、前記電極で液材の中のイオンを吸着することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のバーンインテスト装
置。４、前記電極は、前記バーンインテスト槽の液材が送り
込まれる入口部に設けたものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のバーンインテスト装置。５、前記電極は、前記バーンインテスト槽の中の半導体
装置の上部に設けてあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のバーンインテスト装置。６、前記電極は、第１方向に延びる複数の第１導体と、
該第１導体と交差しかつ絶縁されて第２方向に延びる第
２導体とで格子状に構成され、前記第１導体に正電位、
第２導体に負電位が印加されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のバーンインテスト装置。７、前記電極に印加する所定電圧は、前記半導体装置に
印加する試験電圧より大きいことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のバーンインテスト装置。