JPS6329507A - 電子線描画装置 - Google Patents

電子線描画装置

Info

Publication number
JPS6329507A
JPS6329507A JP61171552A JP17155286A JPS6329507A JP S6329507 A JPS6329507 A JP S6329507A JP 61171552 A JP61171552 A JP 61171552A JP 17155286 A JP17155286 A JP 17155286A JP S6329507 A JPS6329507 A JP S6329507A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
electron beam
beam lithography
position detection
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61171552A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Kato
誠 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61171552A priority Critical patent/JPS6329507A/ja
Publication of JPS6329507A publication Critical patent/JPS6329507A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子線描画技術、特に半導体装置の製造にお
ける半導体ウェハ処理工程で使用される電子線描画技術
に適用して有効な技術に関する。
[従来の技術] 半導体装置の製造における電子線描画技術については、
株式会社工業調査会、昭和60年11月20日発行、「
電子材料J 1985年別冊、P103〜P108に言
己載されている。
ところで、本発明者は、電子線描画による半導体ウェハ
の露光おける位置合わせについて検討した。以下体、公
知とされた技術ではないが本発明者によって検討された
技術であり、その概要は次の通りである。
すなわち、電子線描画装置の前段に個別に設けられたプ
リアライメントステージの上で、半導体ウェハと、この
半導体ウェハを保持して電子線描画装置内に搬入される
搬送治具との位置関係を所定の光学系などによって予め
把握し、この情報ζこ基づいて電子線描画装置内の試料
移動台における半導体ウェハの大まかな位置合わせを行
った後、さらに位置合わせマークの二次電子像などに基
づく精密な位置合わせを行うことにより、描画時の位置
合わせにおける精度の向上や所要時間の短縮を図るよう
にしたものである。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記のように、電子線描画装置と別個に
設けられたプリアライメントステージ上で予め半導体ウ
ェハの位置を把握する構造のものでは、プリアライメン
トステージから電子線描画装置内の試料移動台に搬送治
具に保持された半導体ウェハを移し換える作業が介在す
るため、半導体ウェハを保持した搬送治具と、プリアラ
イメントステージおよび試料台との固定精度の差などに
起因して、描画時の位置合わせ精度が低下されるという
問題があることを本発明者は見いだした。
本発明の目的は、電子線描画部における試料の位置合わ
せ精度を向上させることが可能な電子線描画装置を提供
することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、試料移動台に載置される試料に電子線を照射
して所定の図形の描画換作を行う電子線描画部と、描画
操作に先立って電子線描画部と同一の試料移動台に!!
2置された試料の位置を光学的に検出する位置検出部と
を設け、この位置検出部により得られた試料の位置情報
に基づいて、試料の電子線描画部における位置合わせが
行われるようにしたものである。
[作用] 上記した手段によれば、電子線描画部における試料の描
画操作と、このは再操作に先立って行われる位置検出部
による試料の光学的な位置検出とが同一の試料移動台の
上で行われるので、試料の1多し変え作業などに起因す
る誤差が発生することがな(、位置検出部において得ら
れた試料の位置情報に基づいて行われる電子線描画部に
おける試料の位1合わせ精度が向上される。
[実施例1] 第1図は本発明の一実施例である電子線描画装置の要部
を示す説明図である。
内部を所定の真空度に排気することが可能な真空室lの
内部には、所定の平面内において移動自在な試料移動台
2が設けられ、この試料移動台2の上には、所定の搬送
治具3に保持された状態で半導体ウェハなどの試料4が
着脱自在に固定されている。
試料移動台2の上方には、該試料移動台2に載置される
試¥44に対して電子線5を照射する電子線a6、およ
び電子線5の試料4に対する照射位置などを適宜制御し
て所定の輪郭の図形などを描画させる電子光学系7など
からなる電子線描画部8が設けられている。
また、真空室lの側面部には、図示しない予備真空室と
の間に開閉自在なゲート9が設けられており、真空室1
の内部の真空度を損なうことなく、搬送治具3に保持さ
れた試料4の搬入および搬出が行われる構造とされてい
る。
この場合、前記ゲート9と前記電子線描画部8との間に
おける試料移動台2に面する真空室lの壁面には、遇明
な窓10が設けられており、さらに、この窓10の上方
には、光軸を試料移動台2にほぼ垂直にされた所定の光
学系12および撮像素子13、さらには撮像素子13に
接続された画像処理部14などからなる位置検出部15
が設けられている。
そして、ゲート9を通じて外部から真空室1の内部に搬
入され、搬送治具3に保持された状態で試料移動台2に
裁でされた試料4の所定の部位に形成された図示しない
位置合わせマークなどを位置横出部15によって検出す
ることにより、電子’bTti画部8における所定の図
形の描画操作に先立って、試料移動台2と搬送治具3に
保持された試#44との相対的な位置関係などが把握さ
れるものである。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、図示しない予備真空室から、搬送治具3に保持さ
れ、表面にフォトレジストが塗布された半導体ウェハな
どの試料4がゲート9を通じて真空室lの内部に搬入さ
れ、窓10の直下の試料移動台2に固定される。
次に、位置検出部15によって試料移動台2に載置され
た試料4の像が窓10を介して観察され、試料4の所定
の部位に形成された図示しない位置合わせマークなどを
検出することにより、試料4の試料移動台2に対する相
対的な位置が把握される。
その後、試料移動台2は、試料4を載置した状態で電子
線描画部8の直下に移動され、前記の位置検出部15に
よって把握された試料移動台2と試料4との相対的な位
置関係の情報に基づいて試宰44の電子線描画部8に対
する比較的大まかな位置決めが正確に行われ、さらに、
試料4の所定の部位に対する電子線5の照射によって得
られる位置合わせマークなどの二次電子像などを検出す
ることにより、電子線描画部8に対する試料4の比較的
精密な位置合わせ操作が迅速かつ正確に行われた後、電
子線5の照射によって試料4の所定の領域に所定の図形
が描画され、試料4の表面に塗布されているフォトレジ
ストなどが所定の図形に正確に露光される。
このように、本実施例においては以下の効果を得ること
ができる。
(1)、電子線描画部8における試料4の描画操作に先
立って位置検出部15によって行われる試料4の位置検
出が、前記描画操作と同一の試料移動台2において行わ
れるため、たとえば試料4の移し換えなどに起因する位
置検出誤差の発生などがな(、位置検出部15によって
把握された試料4の位置情報に基づいて行われる電子線
描画部8における試料4の位置合わせ精度を向上させる
ことができる。
(2)、前記t1)の結果、試料4の移し換えなどに要
する時間の無駄がなく、試料4の描画工程における所要
時間を短縮することができる。
[実施例2] 第2図は本発明の他の実施例である電子線描画装置の要
部を示す説明図である。
本実施例2においては、位置検出部15の光学系12お
よび撮像素子13などが真空室1の内部に設けられてい
るところが前記実施例1の場合と異なるものである。
本実施例2においても以下の効果を得ることができる。
(1)、電子線描画部8における試料4の描画操作に先
立って位置検出部15によって行われる試料4の位置検
出が、前記描画操作と同一の試料移動台2において行わ
れるため、たとえば試γ44の移し換えなどに起因する
位置検出誤差の発生などがなく、位置検出部15によっ
て把握された試料4の位1情報に基づいて行われる電子
線描画部8における試料4の位置合わせ精度を向上させ
ることができる。
(2)、前記fllの結果、試料4の移し換えなどに要
する時間の無駄がなり、試料4の描画工程における所要
時間を短縮することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、位置検出部に
おける試料の位置検出に搬送治具を介在させず、試#1
としての半導体ウェハの所定の方位を示すオリエンテー
ションフラットと該半導体ウェハ内の所定の1個所の位
置とで位置検出を行うことも可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハに対す
る電子線描画技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるもので:よなく、試料の所定の部位に
電子線を精密に照射することが必要とされる技術に広く
適用できる。
[発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
すなわち、試料移動台に載置される試料に電子線を照射
して所定の図形の描画操作を行う電子線描画部と、前記
描画操作に先立って前記電子線描画部と同一の前記試料
移動台にvi置された試料の位置を光学的に検出する位
置検出部とを有し、該位置検出部により得られた前記試
料の位置情報に基づいて、前記試料の前記電子線描画部
における位置合わせが行われるように構成されているた
め、電子線描画部における試料の描画操作と、この描画
操作に先立って行われる位置検出部による試料の光学的
な位置検出とが同一の試料移動台の上で行われるので、
試料の移し換え作業などに起因する誤差が発生すること
がなく、位置検出部において得られた試料の位置情報に
基づいて行われる電子線描画部における試料の位置合わ
せ精度が向上される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である電子線描画装置の要部
を示す説明図、 第2図は本発明の他の実施例である電子線描画装置の要
部を示す説明図である。 l・・・真空室、2・・・試料移動台、3・・・搬送治
具、4・・・試料、5・・・電子線、6・・・電子線源
、7・・・電子光学系、8・・・電子線描画部、9・・
・ゲート、10・・・窓、12・・・光学系、13・・
・逼像部、14・・・画像処理部、15・・・位置検出
部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、試料移動台に載置される試料に電子線を照射して所
    定の図形の描画操作を行う電子線描画部と、前記描画操
    作に先立って前記電子線描画部と同一の前記試料移動台
    に載置された試料の位置を光学的に検出する位置検出部
    とを有し、該位置検出部により得られた前記試料の位置
    情報に基づいて、前記試料の前記電子線描画部における
    位置合わせが行われることを特徴とする電子線描画装置
    。 2、前記試料が所定の搬送治具に保持された状態で前記
    試料移動台に載置されることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の電子線描画装置。 3、前記位置検出部が、前記電子線描画部の真空室の外
    部に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の電子線描画装置。 4、前記位置検出部が、前記電子線描画部の真空室の内
    部に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の電子線描画装置。 5、前記試料が半導体ウェハであることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の電子線描画装置。
JP61171552A 1986-07-23 1986-07-23 電子線描画装置 Pending JPS6329507A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61171552A JPS6329507A (ja) 1986-07-23 1986-07-23 電子線描画装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61171552A JPS6329507A (ja) 1986-07-23 1986-07-23 電子線描画装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6329507A true JPS6329507A (ja) 1988-02-08

Family

ID=15925245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61171552A Pending JPS6329507A (ja) 1986-07-23 1986-07-23 電子線描画装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6329507A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04314349A (ja) * 1991-04-11 1992-11-05 Mitsutoyo Corp 真空リソグラフィ装置
US20140098380A1 (en) * 2002-08-02 2014-04-10 Paul E. Fischione Method for Preparing Specimens for Microscopy

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04314349A (ja) * 1991-04-11 1992-11-05 Mitsutoyo Corp 真空リソグラフィ装置
US20140098380A1 (en) * 2002-08-02 2014-04-10 Paul E. Fischione Method for Preparing Specimens for Microscopy
US20140157914A1 (en) * 2002-08-02 2014-06-12 Paul E Fischione Apparatus for Preparing Specimens for Microscopy

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03136264A (ja) 半導体物品の予備位置決め方法及び装置
JP2000330294A (ja) リソグラフィ投影装置およびそれを用いたデバイス製造方法
TW201019055A (en) Exposure device
US20100204820A1 (en) Apparatus and method for substrate handling
JPH06252027A (ja) 位置合わせ方法および装置
US9703214B2 (en) Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method
JP4289961B2 (ja) 位置決め装置
US20040150823A1 (en) Exposure apparatus and aligning method
EP1939930B1 (en) Article loading/unloading method and article loading/unloading device, exposure method and exposure apparatus, and method of manufacturing device
CN113793827B (zh) 一种晶圆承载结构及半导体检测设备
CN108008608B (zh) 一种背面对准的方法
US4648708A (en) Pattern transfer apparatus
JPS61263123A (ja) ステップアンドリピート露光方法
JPH09139337A (ja) 荷電ビーム描画装置
JP2000114141A (ja) 半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置
JPH0478126A (ja) 自動焦点検出装置
JPH01295421A (ja) 周辺露光装置
JP3531899B2 (ja) 投影露光装置、およびデバイス製造方法
JPH09129701A (ja) マルチチャンバ装置およびそのウェハ検査方法
JP2004095908A (ja) アライメント調整装置
JPH1152545A (ja) レチクルおよびそれによって転写されたパターンならびにレチクルと半導体ウエハとの位置合わせ方法
JPH11251232A (ja) 基板および露光装置および素子製造方法
JPH04298057A (ja) プロービング装置及び方法
TW200522248A (en) Treating method for semiconductor wafer
JPS6294932A (ja) 位置合わせ方法及び装置