JPS63300428A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ＣｏとＣｒの合金薄膜を記録層とした垂直磁
気記録媒体の製造方法に関するものである。

従来の技術 従来、Ｃｏ　Ｃｒ合金薄膜を記録層として用いた垂直磁
気記録媒体の製造法としては、主にスパッタリング法、
真空蒸着法に代表される真空薄膜形成法が用いられてい
る。

この真空薄膜形成法の原理について説明すると、第４図
に示すように基板５１を矢印入方向へ走行させ、蒸発源
５２から所望の金属を真空中で気化し、それを走行して
いる基板５１上に堆積させる。

基板５１から見れば蒸発源５２から気化した金属が矢印
Ｂで示すように直線的に飛来して堆積する。

これ（二より薄膜（斜線で示す）５３を形成することが
できる。

量産用の製造装置においては、基板５１を移動させるこ
とにより連続的に薄膜を堆積させる方式が用いられてい
る。このため、移動する基板５１の任意の１点から見れ
ば、飛来方向Ｂが時々刻々変化することζ二なる。した
がって、通常、薄膜５３を構成する微細構造が原子、分
子の飛来方向Ｂに生長するという効果により、移動する
基板５１上では微細構造の生長方向が弓なりじなる原因
となる。

ＣｏＣｒ合金薄膜を記録層とした垂直磁気記録媒体では
、その磁気異方性が基板５１の面（；垂直に向いている
ことにより、高い記録密度が得られるため、優れた特性
の磁気記録媒体として構成するには、強い垂直異方性を
発現するように微細構造を制御する必要がある。すなわ
ち、ＣｏＣｒ膜ではｈｃｐの結晶を基板５１の面に対し
、００２配向とするようにする必要がある。

上記のように垂直異方性を強くするには、原子、分子の
飛来方向Ｂがなるべく垂直になるようにし、斜め方向か
ら飛来する成分を除去すればよい。そのため、従来のＣ
ｏ　Ｃｒ膜の形成方法として、第５図に示すようにマス
ク５４により斜め方向から飛来する成分を規制し、垂直
方向に近い成分のみ基板５１上ζ−堆積させている。こ
のよう４二してＣｏＣｒ薄膜５３を形成することにより
００２配向を大きくすることができる。そしてマスク５
４の開放部５５における基板５１　の移動方向の幅を可
能な限り狭くすることにより、大きい垂直異方性を有す
るＣｏ　Ｃｒ膜（斜線で示す）５３を形成している。

発明が解決しようとする問題点 しかし、上記従来例のようにマスク５４　により斜め方
向から飛来する成分を規制して垂直異方性を大きくする
方法では、マスク５４に付着する成分は成膜には寄与せ
ず、成膜効率が悪くなる。一方、成膜効率を良くするた
めにマスク５４の開放部５５を広くすると垂直異方性が
小さくなってしまう。このように成膜効率と垂直異方性
とが相矛盾する問題であるため、従来の製造方法では、
成膜効率を犠牲にしてマスク５４の開放部５５を狭くし
、垂直異方性を大きくしているので、生産性が悪く、垂
直磁気記録媒体が高価なものになってしまう。

そこで、本発明者等は、種々試験研究した結果、基板上
にあらかじめ下地層として高Ｃｒ濃度のＣｏ　Ｃｒ膜を
形成し、この下地層上に記録層として通常のＣｒ濃度の
Ｃｏ　Ｃｒ膜を形成することにより記録層における蒸発
源からの飛来方向の斜め成分が多くても微細構造を垂直
方向（二成長させる効果があることを見出し、これに基
づき成膜効率を向上させて生産性を向上させることがで
き、したがってコストの低下を図ることができるように
した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供しようとするも
のである。

問題点を解決するための手段 そして上記問題点を解決するための本発明の技術的な手
段は、基板上に下地層として２３〜３０ｗｔチの高Ｃｒ
濃度のＣｏ　Ｃｒ膜を形成し、この下地層を有する基板
を移動させながらマスクを用いて蒸発源から上記下地層
上に記録層としてＣｏ　Ｃｒ膜を形成するようにしたも
のである。

作　　　　用 上記技術的手段による作用は次のようになる。

すなわち、下地層としてＣｒ濃度が２３〜３０ｗｔチの
Ｃｏ　Ｃｒ膜を形成することによりこの下地層が記録層
を形成するＣｏ　Ｃｒ合金の飛来方向の斜め成分が多く
しても、その微細構造を垂直方向に成長させることがで
き、したがってマスクの開放部における基板の移動方向
の幅を広くし、成膜効率をがら説明する。第１図は本発
明の一実施例における垂直磁気記録媒体の製造方法を示
す概略図である。

第１図において、１は垂直磁気記録媒体の基板で、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等により形成されて
いる。２は基板１上に形成された下地層で、２３〜３０
ｗｔ％の高Ｃｒ濃度（７）　Ｃｏ　Ｃｒ膜により形成さ
れている。３は下地層２上に形成される記録層（斜線で
示す）で、通常のＣｒ濃度が１５〜２０ＷｔｌのＣｏＣ
ｒ膜により形成される。４は記録層３を形成する蒸発源
、５１はマスク、６はマスク５の開放部である。

そしてあらかじめ下地層２を真空薄膜形成法等により形
成しである基板１を矢印Ａ方向（二移動させ、蒸発源４
よりＣｏＣｒ合金を気化させて矢印Ｂ方向に飛来させ、
マスク５の開放部６より下地層２上にＣｏ　Ｃｒを堆積
させて記録層３を形成する。

上記下地層２の膜厚は５０Ａ〜３００Ａの範囲が望まし
い。勿論、上記範囲以外の膜厚でも下地層２の効果を有
しているが、あまり厚くしても生産性の点で不利になる
ため、約２０ＯＡが最適である。

また記録層３の膜厚は０．１５μｍ〜０．３μｍが一般
に垂直記録媒体として用いられており、望ましい。

そしてこの記録層３を形成する条件としてマスク５の開
放部６における基板１の移動方向Ａの幅を第２図の説明
図で示すように設定する。すなわち基板１に対する飛来
方向Ｂによる初期入射角θでマスク５の開放部６におけ
る基板１の移動方向Ａの幅を設定する。従来においては
、マスク５の開放部６の幅はθが７５°〜９０°となる
ように設定されているが、本発明においては、θが３０
°でも充分に大きい異方性を得ることができる。

次に本発明の試作例について説明する。

５０μｍ厚さのＰＥＴフィルムからなる基板５１上にあ
らかじめ下地層２として２５ｗｔ％のＣｒ濃度のＣｏＣ
ｒ膜を厚さ２００Ａでスパッタリング法で形成した。記
録層３は第３図に示す連続式ＤＣスパッタリング装置で
形成した。すなわち、下地層２を形成した基板１を巻き
出しロール７に巻き取っておき、この巻き出しロール７
より繰り出した下地層２付きの基板１をキャンロール８
に沿って矢印Ａ方向に移動させ、巻き取りロール９に巻
き取る。

この間、蒸発源３からＣ０Ｃｒ金属をマスク５の開放部
６より矢印Ｂ方向に飛来させ、記録層３を形成する。そ
してマスク５の開放部における基板１の移動方向の幅は
入射角θが３５°になるように設定した。記録層３の膜
厚は０．２μｍであった。ＣｏＣｒ膜の垂直異方性を示
すパラメータとして、面内のＭ−Ｈループより求めた抗
磁力Ｈｋを採用した。

上記製造条件とその結果を下記の第１表に示す。

第１表 比較例として、下地層２のない基板１上に上記と同じ条
件で記録層３を形成した場合、Ｈｋは２１ＫＯｅとなっ
た。また下地層２がない場合、Ｈｋを４．３　ＫＯｅに
なるようにマスク５の開放部６の幅を調整し、しかも膜
厚が０．２μｍとなるようなフィルム送り速度を求める
と、１．３１／ｗＪｔとなり、きわめて成膜速度が遅く
なった。

発明の効果 以上述べたように本発明によれば、基板上に下地層とし
て２３〜３０ｗｔ％の高Ｃｒ濃度のＣｏＣｒ膜を形成し
、この下地層を有する基板を移動させながらマスクを用
いて蒸発源から上記下地層上に記録層としてＣｏＣｒ膜
を形成するようにしている。

このように高Ｃｒ濃度の下地層上に通常のＣｏ　Ｃｒ膜
からなる記録層を形成することにより記録層を形成する
ための蒸発源からのＣｏＣｒ合金の飛来方向の斜め成分
が多くても磁気特性を変化させずに記録層を形成するこ
とができるので、マスクの開放部における基板の移動方
向の幅を広くすることができる。したがって高い成膜効
率で記録層を形成することができ、コストの低下を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における垂直磁気記録媒体の
製造方法を示す概略図、第２図は本発明の実施例におけ
る蒸発源からの飛来方向の初期入射角説明図、第３図は
本発明の試作例の製造に用いた連続式ＤＣスパッタリン
グ装置を示す概略図、第４図は真空薄膜形成法を示す原
理図、第５図は従来の垂直磁気記録媒体の製造方法を示
す概略図である。 １・・・基板、２・・・下地層、３・・・記録層、４・
・・蒸発源、５・・・マスク、６・・・開放部、７・・
・巻き出しロール、８・・・キャンロール、９・・・巻
き取’Ｊロール。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　はか１名１１
１図 第２図 １１３図 ４Ｒすｂ源 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に下地層として２３〜３０ｗｔ％の高Ｃｒ濃度の
   ＣｏＣｒ膜を形成し、この下地層を有する基板を移動さ
   せながらマスクを用いて蒸発源から上記下地層上に記録
   層としてＣｏＣｒ膜を形成することを特徴とする垂直磁
   気記録媒体の製造方法。