JPS63300522A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63300522A
JPS63300522A JP62133505A JP13350587A JPS63300522A JP S63300522 A JPS63300522 A JP S63300522A JP 62133505 A JP62133505 A JP 62133505A JP 13350587 A JP13350587 A JP 13350587A JP S63300522 A JPS63300522 A JP S63300522A
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JP
Japan
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wire
pad
bonding
external electrode
plated
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JP62133505A
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English (en)
Inventor
Nobuhito Yamazaki
山崎　信人
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Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体基板に取付けられたペレットのパッドと
外部電極との間をワイヤで接続してなる半導体装置に関
する。
［従来の技術］ 一般に、ペレットのパッド（第１ポンド点）と外部電極
（第２ポンド点）との間を接続するワイヤはＡｕよりな
るが、Ａｕは高価でコスト高になる。そこで最近、安価
なＣｕまたはＡｎワイヤが用いられている。
かかる半導体装置のワイヤ接続は、ワイヤポンディング
装置を用いて行われるが、ＣｕまたはＡ文ワイヤは、試
料（ポンド点）への着きが悪いの一〇 で、第１ポンド点へのポンディングは、ワイヤの先端に
ボールを形成して熱圧着ワイヤポンディング方法によっ
て行われる。しかしながら、ＣｕまたはＡｎワイヤは、
ボール形成時の加熱によってワイヤが酸化するので、例
えば特開昭５４−４０５７０号公報、特開昭５７−８９
２３２号公報に示すように、不活性ガス雰囲気でボール
を形成する必要がある。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来技術は、ワイヤがＣｕまたはＡｉよりなるので
、かかる半導体装置を製作するには、酸化防止用の不活
性ガスを必要とし、またこの不活性ガスを供給する機構
を必要とする。またボールを形成する必要があり、更に
第２ポンド点は着きが悪いＣｕまたはＡｉ自体をポンデ
ィングすることになり、ポンディング品質が悪い等の問
題があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消した半導
体装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 一 上記従来技術の問題点は、半導体基板に取付けられたペ
レットのパッドと外部電極との間をＣｕ等の細線の表面
にＡｕメッキしたワイヤで接続することにより解決され
る。
［作用コ ワイヤは、Ｃｕ等よりなる細線の表面にＡｕメッキされ
ているので、ポールを形成しなくても超音波ワイヤポン
ディング方法でポンディングできる。また不活性ガスを
必要としなく、更に不活性ガス供給機構を有しなくとも
製作できる。またワイヤ表面がＡｕのため、ポンド点へ
の着きが良く、ポンディング品質が向上する。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図により説明する。
半導体装置ｌは、半導体基板２に取付けられたペレット
３のパッド４と外部電極５との間に、ワイヤ６が接続さ
れている。ワイヤ６はＣｕまたはＡ文よりなる細線７の
表面にＡｕメッキ８が施されている。なお、９はポンデ
ィング用ツールを示す。
このように、ワイヤ６は酸化し易いＣｕまたはＡｎの細
線７にＡｕメッキ８が施されているので、ポールを形成
しないで超音波ワイヤポンディング方法でパッド４及び
外部電極５に接続できる。またＡｕメッキ８されている
ので、酸化しなく、不活性ガスの供給も必要としない、
更にワイヤ６の表面はＡｕであるので、パッド４及び外
部電極５への着きが良く、ポンディング品質が向上する
。
［発明の効果］ 本発明によれば、ポールを形成しないので、ポール形成
用の放電装置、不活性ガスの供給及び不活性ガス供給機
構を必要としなくてポンディングができる。またワイヤ
表面がＡｕであるので、ポンド点への着きが良い。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す説明図である。 １：半導体装置、　　２：半導体基板、　　３：ペレッ
ト、　４：パッド、　５：外部電極、　　６：ワイヤ、
　　７：細線、　８：Ａｕメッキ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板に取付けられたペレットのパッドと外部電極
    との間をＣｕ等の細線の表面にＡｕメッキしたワイヤで
    接続してなる半導体装置。
JP62133505A 1987-05-30 1987-05-30 半導体装置 Pending JPS63300522A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7709938B2 (en) 2005-06-22 2010-05-04 Infineon Technologies Ag Arrangement for electrically connecting semiconductor circuit arrangements to an external contact device and method for producing the same
JP2018067680A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体装置

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