JPH0141028B2 - - Google Patents

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JPH0141028B2
JPH0141028B2 JP57169392A JP16939282A JPH0141028B2 JP H0141028 B2 JPH0141028 B2 JP H0141028B2 JP 57169392 A JP57169392 A JP 57169392A JP 16939282 A JP16939282 A JP 16939282A JP H0141028 B2 JPH0141028 B2 JP H0141028B2
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JP
Japan
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copper
lead frame
iron
wire
alloy
Prior art date
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JP57169392A
Other languages
English (en)
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JPS5958833A (ja
Inventor
Tomio Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
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Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
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Publication of JPS5958833A publication Critical patent/JPS5958833A/ja
Publication of JPH0141028B2 publication Critical patent/JPH0141028B2/ja
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関する。
半導体装置は、図に示すように、リードフレー
ム１に半導体ペレツト２が取付けられ、リードフ
レーム１のリードと半導体ペレツト２の電極とを
ワイヤ３で接続してなる。
前記リードフレーム１は、一般には銅、コバー
ル材の表面に金又は銀メツキ処理を施し、ワイヤ
３との接続を良好にしている。しかしながら、リ
ードフレーム１に金又は銀メツキを施すことは、
金又は銀が高価であるので、半導体装置がコスト
高になる。
そこで最近、特開昭56−93338号公報に示すよ
うに、銅又は銅合金よりなるリードフレームに直
接、即ち表面処理を行わない状態で半導体ペレツ
ト及びワイヤのボンデイングを行うことが行われ
ている。しかしながら、銅又は銅合金材だけでは
表面が硬く、また表面が黒ずんで酸化膜ができる
ので、ワイヤの接続が弱く、ボンデイングされた
ワイヤがはがれることが時々発生する。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたも
ので、品質の優れた半導体装置を提供することを
目的とする。
本発明は銅又は銅系合金もしくは鉄又は鉄系合
金のリードフレームの表面に銅メツキ処理を施し
たことを特徴とする。
銅又は銅系合金（例えば銅−錫合金、銅−錫−
燐合金）もしくは鉄又は鉄系合金（例えば鉄−ニ
ツケル合金、鉄−ニツケル−コバルト合金）の基
材そのものの表面は硬いが、この表面に銅メツキ
処理を施すことにより、リードフレームの表面は
軟質材になる。そこで、ワイヤはこの軟質材より
なる銅メツキ部分に接続されるので、接続の強度
が増加し、ワイヤのはがれがなくなる。またリー
ドフレームは銅メツキされているので、表面の酸
化が防止され、この点からもワイヤの接続が強固
になる。
なお、前記銅メツキ処理はリードフレームの全
面に行つてもよいが、少なくともワイヤが接続さ
れるリードのみに施せば十分である。またワイヤ
の接続は、従来と同様に窒素ガス等の不活性ガス
雰囲気中で行うことにより、更に良好なボンデイ
ングが行えることは勿論である。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれ
ば、銅又は銅系合金もしくは鉄又は鉄系合金より
なるリードフレームの表面に銅メツキ処理が施し
てなるので、ワイヤ接続の強度が増大し、ワイヤ
はがれがなくなり、品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
図は半導体装置の概略断面図である。 １……リードフレーム、２……半導体ペレツ
ト、３……ワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リードフレームに半導体ペレツトが取付けら
    れ、リードフレームのリードと半導体ペレツトの
    電極とをワイヤで接続してなる半導体装置におい
    て、前記リードフレームは銅又は銅系合金もしく
    は鉄又は鉄系合金よりなり、少なくともワイヤが
    接続されるリードの表面に銅メツキ処理を施して
    なることを特徴とする半導体装置。
JP57169392A 1982-09-28 1982-09-28 半導体装置 Granted JPS5958833A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57169392A JPS5958833A (ja) 1982-09-28 1982-09-28 半導体装置

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JP57169392A JPS5958833A (ja) 1982-09-28 1982-09-28 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS5958833A JPS5958833A (ja) 1984-04-04
JPH0141028B2 true JPH0141028B2 (ja) 1989-09-01

Family

ID=15885744

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JP57169392A Granted JPS5958833A (ja) 1982-09-28 1982-09-28 半導体装置

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60225450A (ja) * 1984-04-24 1985-11-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置の製造法
JPS60240149A (ja) * 1984-05-15 1985-11-29 Sharp Corp 半導体装置
JPH0612796B2 (ja) * 1984-06-04 1994-02-16 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS6180844A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体リ−ドフレ−ム用条材
JPH07116573B2 (ja) * 1985-03-05 1995-12-13 古河電気工業株式会社 リードフレーム用Ｃｕ系条材の製造方法
JPS62213269A (ja) * 1986-03-14 1987-09-19 Hitachi Cable Ltd 半導体用リ−ドフレ−ム
US4800178A (en) * 1987-09-16 1989-01-24 National Semiconductor Corporation Method of electroplating a copper lead frame with copper
JP2528765B2 (ja) * 1992-03-14 1996-08-28 九州日立マクセル株式会社 半導体装置のリ―ドフレ―ム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55138246A (en) * 1979-04-13 1980-10-28 Toshiba Corp Manufacture of semicondoctor device
JPS5678357U (ja) * 1979-11-09 1981-06-25
JPS6057219B2 (ja) * 1980-12-26 1985-12-13 株式会社東芝 半導体装置

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JPS5958833A (ja) 1984-04-04

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