JPS6330131Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6330131Y2 JPS6330131Y2 JP4877679U JP4877679U JPS6330131Y2 JP S6330131 Y2 JPS6330131 Y2 JP S6330131Y2 JP 4877679 U JP4877679 U JP 4877679U JP 4877679 U JP4877679 U JP 4877679U JP S6330131 Y2 JPS6330131 Y2 JP S6330131Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead wire
- nail
- stem
- glass
- shaped head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体装置用ステムに関し、特にリー
ド線の頂部に接続細線を超音波でボンデイングす
る半導体装置用ステムに関する。
ド線の頂部に接続細線を超音波でボンデイングす
る半導体装置用ステムに関する。
パワートランジスタ等に用いられる半導体装置
用ステムとして第1図に示す構成のものがある。
図において、1は略菱形状の鉄製のステム基板
で、長手方向の両端にシヤーシ等への取付孔2を
有し、略中央部には放熱板嵌合孔3を有し、その
近傍にリード線封着孔4を有する。5は銅製の放
熱板で、前記嵌合孔3に嵌合しかしめたのちロウ
付けされている。6は鉄・ニツケル合金製のリー
ド線で、前記封着孔4に挿通されガラス7を介し
て気密絶縁的に封着されている。ここで、リード
線6はその頂面部に超音波で接続細線をボンデイ
ングするために釘状頭部6aを有し、かつリード
線6が振動して超音波エネルギを吸収しないよう
に、ガラス7がステム基板1の上面よりも突出し
て前記釘状頭部6aの下部まで封着されている。
用ステムとして第1図に示す構成のものがある。
図において、1は略菱形状の鉄製のステム基板
で、長手方向の両端にシヤーシ等への取付孔2を
有し、略中央部には放熱板嵌合孔3を有し、その
近傍にリード線封着孔4を有する。5は銅製の放
熱板で、前記嵌合孔3に嵌合しかしめたのちロウ
付けされている。6は鉄・ニツケル合金製のリー
ド線で、前記封着孔4に挿通されガラス7を介し
て気密絶縁的に封着されている。ここで、リード
線6はその頂面部に超音波で接続細線をボンデイ
ングするために釘状頭部6aを有し、かつリード
線6が振動して超音波エネルギを吸収しないよう
に、ガラス7がステム基板1の上面よりも突出し
て前記釘状頭部6aの下部まで封着されている。
この種の半導体装置用ステムは、一般に第2図
に示すように、グラフアイト製の下側封着治具1
0上にステム基板1を載置し、そのリード線封着
孔4にリード線6を釘状頭部6aを下向きにして
ガラスタブレツト7′とともに配置し、その上か
らグラフアイト製の上側封着治具11を被せ中性
もしくは弱還元性雰囲気中で約1000℃に加熱して
ガラスタブレツト7′を溶融せしめて、リード線
6をガラス7を介してステム基板1に気密絶縁的
に封着したのち、放熱板嵌合孔3に放熱板5を嵌
合して気密にロウ付けして製造している。
に示すように、グラフアイト製の下側封着治具1
0上にステム基板1を載置し、そのリード線封着
孔4にリード線6を釘状頭部6aを下向きにして
ガラスタブレツト7′とともに配置し、その上か
らグラフアイト製の上側封着治具11を被せ中性
もしくは弱還元性雰囲気中で約1000℃に加熱して
ガラスタブレツト7′を溶融せしめて、リード線
6をガラス7を介してステム基板1に気密絶縁的
に封着したのち、放熱板嵌合孔3に放熱板5を嵌
合して気密にロウ付けして製造している。
しかしながら、このような製造方法では、封着
治具の使用数が多くまた製造工数も多いのみなら
ず、リード線6の釘状頭部6aがグラフアイト製
の下側封着治具10と接触した状態で高温加熱さ
れるので、釘状頭部6aへの浸炭現象が起り、封
着後の仕上げメツキの付着性も悪く、接続細線の
ボンデイング性も悪いという問題点があつた。
治具の使用数が多くまた製造工数も多いのみなら
ず、リード線6の釘状頭部6aがグラフアイト製
の下側封着治具10と接触した状態で高温加熱さ
れるので、釘状頭部6aへの浸炭現象が起り、封
着後の仕上げメツキの付着性も悪く、接続細線の
ボンデイング性も悪いという問題点があつた。
そこで、リード線6を第2図とは逆にその釘状
頭部6aを上側にして封着することも考えられる
が、リード線封着孔4の孔容積とガラスタブレツ
ト7′の体積とのばらつきによつて、相対的にガ
ラスタブレツト7′の体積が不足すると、第3図
Aのように、ガラス7がリード線6の釘状頭部6
aの下側まで埋まらず、超音波ボンデイング時に
リード線6が振動するのを確実に防止できない。
またガラスタブレツト7′の体積が多過ぎると、
第3図Bに示すように、ガラス7の余剰分がリー
ド線6の釘状頭部6aの上面よりもはみ出して、
接続細線のボンデイング作業が困難になつたり、
ガラス7が剥れたりクラツクが入るという問題点
があつた。
頭部6aを上側にして封着することも考えられる
が、リード線封着孔4の孔容積とガラスタブレツ
ト7′の体積とのばらつきによつて、相対的にガ
ラスタブレツト7′の体積が不足すると、第3図
Aのように、ガラス7がリード線6の釘状頭部6
aの下側まで埋まらず、超音波ボンデイング時に
リード線6が振動するのを確実に防止できない。
またガラスタブレツト7′の体積が多過ぎると、
第3図Bに示すように、ガラス7の余剰分がリー
ド線6の釘状頭部6aの上面よりもはみ出して、
接続細線のボンデイング作業が困難になつたり、
ガラス7が剥れたりクラツクが入るという問題点
があつた。
本考案はこのような問題点を解決するために提
案されたもので、リード線封着孔の釘状頭部側の
端部に面取部を形成し、ガラスをその量に応じて
この面取部の内周端ないし外周端の間から釘状頭
部の下面全面まで封着したことを特徴とする。
案されたもので、リード線封着孔の釘状頭部側の
端部に面取部を形成し、ガラスをその量に応じて
この面取部の内周端ないし外周端の間から釘状頭
部の下面全面まで封着したことを特徴とする。
以下、本考案の実施例を図面により説明する。
第4図において、第1図と同一部分または対応部
分には同一参照符号を付したのでその説明を省略
する。第1図との相違点は、ステム基板1のリー
ド線封着孔4の上端に面取部4aが形成されてい
ることである。
第4図において、第1図と同一部分または対応部
分には同一参照符号を付したのでその説明を省略
する。第1図との相違点は、ステム基板1のリー
ド線封着孔4の上端に面取部4aが形成されてい
ることである。
第5図はその製造方法を説明するための封着前
の組立状態を示す縦断面図である。図において、
12はグラフアイト製の封着治具で、その上に、
ステム基板1の嵌合孔3に周面に無電解ニツケル
メツキ層よりなるロウ材層を形成した放熱板5を
嵌合しかしめて仮固着したステム組立体が、半導
体素子取付面を上方に向けて載置されている。そ
してステム基板1のリード線封着孔4内にリード
線6を釘状頭部6aを上側にしてガラスタブレツ
ト7′とともに配置されている。この状態におい
て、全体を中性もしくは弱還元性雰囲気中で約
1000℃に加熱すると、放熱板5の周面の無電解ニ
ツケルメツキ層が溶融して、放熱板5がステム基
板1に気密にロウ付けされるとともに、ガラスタ
ブレツト7′が溶融してリード線6とステム基板
1とが気密絶縁的に封着される。
の組立状態を示す縦断面図である。図において、
12はグラフアイト製の封着治具で、その上に、
ステム基板1の嵌合孔3に周面に無電解ニツケル
メツキ層よりなるロウ材層を形成した放熱板5を
嵌合しかしめて仮固着したステム組立体が、半導
体素子取付面を上方に向けて載置されている。そ
してステム基板1のリード線封着孔4内にリード
線6を釘状頭部6aを上側にしてガラスタブレツ
ト7′とともに配置されている。この状態におい
て、全体を中性もしくは弱還元性雰囲気中で約
1000℃に加熱すると、放熱板5の周面の無電解ニ
ツケルメツキ層が溶融して、放熱板5がステム基
板1に気密にロウ付けされるとともに、ガラスタ
ブレツト7′が溶融してリード線6とステム基板
1とが気密絶縁的に封着される。
上記の製造方法を用いれば、封着治具12が1
個のみでよく、製造工数も減少するし、リード線
6の釘状頭部6aが封着治具12と接触していな
いので、浸炭現象も起らず、釘状頭部6aへの仕
上げメツキも良好に行なえるため、接続細線のボ
ンデイングも容易かつ確実に行なえる。また、リ
ード線封着孔4の容積とガラスタブレツト7′の
体積とのばらつきによつて、相体的にガラスタブ
レツト7′の体積が少ないときは、第6図Aのよ
うに、リード線封着孔4に面取部4aを残して、
すなわち面取部4aの内周端から釘状頭部6aの
下面全面にわたつてガラス7により封着される
し、ガラスタブレツト7′の体積が多いときは、
第6図Bのように、面取部4aが埋まるように、
すなわち面取部4aの外周端から釘状頭部6aの
下面全面にわたつてガラス7により封着される。
すなわち、第6図Aと第6図Bとの間でガラスタ
ブレツト7′の体積のばらつきが許容されること
になり、従来構造のものに比較して格段に良品率
の向上が図れる。
個のみでよく、製造工数も減少するし、リード線
6の釘状頭部6aが封着治具12と接触していな
いので、浸炭現象も起らず、釘状頭部6aへの仕
上げメツキも良好に行なえるため、接続細線のボ
ンデイングも容易かつ確実に行なえる。また、リ
ード線封着孔4の容積とガラスタブレツト7′の
体積とのばらつきによつて、相体的にガラスタブ
レツト7′の体積が少ないときは、第6図Aのよ
うに、リード線封着孔4に面取部4aを残して、
すなわち面取部4aの内周端から釘状頭部6aの
下面全面にわたつてガラス7により封着される
し、ガラスタブレツト7′の体積が多いときは、
第6図Bのように、面取部4aが埋まるように、
すなわち面取部4aの外周端から釘状頭部6aの
下面全面にわたつてガラス7により封着される。
すなわち、第6図Aと第6図Bとの間でガラスタ
ブレツト7′の体積のばらつきが許容されること
になり、従来構造のものに比較して格段に良品率
の向上が図れる。
なお、上記実施例は特定の構成について説明し
たが、本考案の精神を逸脱しない範囲で各種の変
形が可能である。
たが、本考案の精神を逸脱しない範囲で各種の変
形が可能である。
以上のように本考案によれば、ガラスタブレツ
トの体積が少々ばらついてもリード線の釘状頭部
の下面全面までガラスを付着させることができ、
釘状頭部の上面に接続細線を超音波ボンデイング
する際に、リード線が振動したり、釘状頭部の上
面よりも盛り上つたガラスによつてボンデイング
治具が邪魔されるといつたことがなくなり、容易
かつ確実にボンデイングできるという効果を奏す
る。
トの体積が少々ばらついてもリード線の釘状頭部
の下面全面までガラスを付着させることができ、
釘状頭部の上面に接続細線を超音波ボンデイング
する際に、リード線が振動したり、釘状頭部の上
面よりも盛り上つたガラスによつてボンデイング
治具が邪魔されるといつたことがなくなり、容易
かつ確実にボンデイングできるという効果を奏す
る。
第1図は従来の半導体装置用ステムの縦断面
図、第2図は第1図のステムの製造方法を説明す
るための封着前の組立状態を示す縦断面図、第3
図AおよびBは従来のステムで起りやすい不良状
態を示す要部拡大縦断面図、第4図は本考案の一
実施例の半導体装置用ステムの縦断面図、第5図
は第4図のステムの製造方法を説明するための封
着前の組立状態を示す縦断面図、第6図Aおよび
Bは本考案のステムの異なる状態を示す縦断面図
である。 1……ステム基板、4……リード線封着孔、4
a……面取部、5……放熱板、6……リード線、
6a……釘状頭部、7……ガラス、7′……ガラ
スタブレツト、12……封着治具。
図、第2図は第1図のステムの製造方法を説明す
るための封着前の組立状態を示す縦断面図、第3
図AおよびBは従来のステムで起りやすい不良状
態を示す要部拡大縦断面図、第4図は本考案の一
実施例の半導体装置用ステムの縦断面図、第5図
は第4図のステムの製造方法を説明するための封
着前の組立状態を示す縦断面図、第6図Aおよび
Bは本考案のステムの異なる状態を示す縦断面図
である。 1……ステム基板、4……リード線封着孔、4
a……面取部、5……放熱板、6……リード線、
6a……釘状頭部、7……ガラス、7′……ガラ
スタブレツト、12……封着治具。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ステム基板のリード線封着孔内にガラスを介し
て釘状頭部を有するリード線を気密絶縁的に封着
してなる半導体装置用ステムにおいて、 前記リード線封着孔の釘状頭部側の端部に面取
部を形成し、ガラスをその量に応じてこの面取部
の内周端ないし外周端の間から釘状頭部の下面全
面まで封着したことを特徴とする半導体装置用ス
テム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4877679U JPS6330131Y2 (ja) | 1979-04-11 | 1979-04-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4877679U JPS6330131Y2 (ja) | 1979-04-11 | 1979-04-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55148176U JPS55148176U (ja) | 1980-10-24 |
| JPS6330131Y2 true JPS6330131Y2 (ja) | 1988-08-12 |
Family
ID=28933132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4877679U Expired JPS6330131Y2 (ja) | 1979-04-11 | 1979-04-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6330131Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7332225B2 (en) | 1995-04-11 | 2008-02-19 | Donnelly Corporation | Bonded vehicular glass assemblies utilizing two-component urethanes adhesive |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58123575U (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-23 | 株式会社フジ電科 | 気密端子 |
-
1979
- 1979-04-11 JP JP4877679U patent/JPS6330131Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7332225B2 (en) | 1995-04-11 | 2008-02-19 | Donnelly Corporation | Bonded vehicular glass assemblies utilizing two-component urethanes adhesive |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55148176U (ja) | 1980-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4699353B2 (ja) | 代替のflmpパッケージ設計およびそのパッケージ製造方法 | |
| US5703398A (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of producing the semiconductor integrated circuit device | |
| JP2006516361A (ja) | 非セラミック系窓枠を有する半導体パッケージ | |
| JPH08191114A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0621317A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JPS62202548A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60241244A (ja) | ピングリッドアレイ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS5910229A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2536564B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6032773Y2 (ja) | 気密端子 | |
| JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JPS607494Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0810737B2 (ja) | チップキャリア及びその製造方法 | |
| JPS588586B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JPS5842764A (ja) | メツキ方法 | |
| KR830002575B1 (ko) | 기밀단자(氣密端子)의 제조방법 | |
| JP2543661Y2 (ja) | マイクロ波トランジスタ | |
| JPS6011645Y2 (ja) | 冷間圧接用気密封入容器 | |
| JPH0310670Y2 (ja) | ||
| JPS5981878A (ja) | 気密端子およびその製造方法 | |
| JP2006049572A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61104644A (ja) | 半導体装置封止用治具 | |
| JPH0136705B2 (ja) | ||
| JPS60149137U (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS606090B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |