JPS6330372A - 窒化アルミニウム焼結体の製法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体の製法Info
- Publication number
- JPS6330372A JPS6330372A JP61172842A JP17284286A JPS6330372A JP S6330372 A JPS6330372 A JP S6330372A JP 61172842 A JP61172842 A JP 61172842A JP 17284286 A JP17284286 A JP 17284286A JP S6330372 A JPS6330372 A JP S6330372A
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- JP
- Japan
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- sintered body
- ain
- aluminum nitride
- weight
- thermal conductivity
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は窒化アルミニウム焼結体の製法に関するもので
おる。
おる。
[従来の技術]
窒化アルミニウム(AIN>は理論的に300W/m−
に以上と酸化ベリリウム(Bed)に匹敵する高い熱伝
導率を有し、絶縁性、誘電性などの電気的性質にすぐれ
、また熱膨張率がシリコン単結晶の値に近く、機械的強
度も高いことから、近年集積化、高出力化が進んでいる
大規模集積回路等の絶縁放熱基板として応用されようと
している。
に以上と酸化ベリリウム(Bed)に匹敵する高い熱伝
導率を有し、絶縁性、誘電性などの電気的性質にすぐれ
、また熱膨張率がシリコン単結晶の値に近く、機械的強
度も高いことから、近年集積化、高出力化が進んでいる
大規模集積回路等の絶縁放熱基板として応用されようと
している。
一方、AIN焼結体はAIN粉末を成形し、焼成して得
るが、AINは難焼結性物質であり、緻密な焼結体を得
ることが困難である。そのため、焼結の際に焼結助剤を
添加することや、焼結を熱間加圧法で行なうことによっ
て、緻密な焼結体を得ようとしている。特開昭54−1
00410号によれば、AIN粉末に酸化カルシウム(
Cab) 、酸化バリウム(Bad) 、1化ストロン
チウム(SrO)等を焼結助剤として添加するAIN焼
結体の製造方法が示されている。
るが、AINは難焼結性物質であり、緻密な焼結体を得
ることが困難である。そのため、焼結の際に焼結助剤を
添加することや、焼結を熱間加圧法で行なうことによっ
て、緻密な焼結体を得ようとしている。特開昭54−1
00410号によれば、AIN粉末に酸化カルシウム(
Cab) 、酸化バリウム(Bad) 、1化ストロン
チウム(SrO)等を焼結助剤として添加するAIN焼
結体の製造方法が示されている。
この方法によって得られる焼結体の熱伝導率は60W/
m−に程度である。また、特開昭60−151280号
によれば、焼結助剤としてCa、、5r、Ba、Na、
に、Rb1Cs、Cu、Ag、MCI、Cd、Hg、Z
n、AI、(:、eのアセチリド化合物を少くとも1種
以上添加して、焼結体の熱伝導率が6o−4160W/
m・にのものを得ている。特開昭54−100410号
によって得られる焼結体の熱伝導率はAINの理論値に
比べるとかなり低い値である。一方特開昭60−151
280号に示されている製造方法ではかなり高い熱伝導
率のものが得られているが、添加剤に用いるアセチリド
化合物は酸素、水分等と非常に反応しやすく、中には爆
発性のものもあり、添加剤の混合の際の溶媒の選択ある
いは乾燥方法に注意が必要であり、安定した生産には適
さない。
m−に程度である。また、特開昭60−151280号
によれば、焼結助剤としてCa、、5r、Ba、Na、
に、Rb1Cs、Cu、Ag、MCI、Cd、Hg、Z
n、AI、(:、eのアセチリド化合物を少くとも1種
以上添加して、焼結体の熱伝導率が6o−4160W/
m・にのものを得ている。特開昭54−100410号
によって得られる焼結体の熱伝導率はAINの理論値に
比べるとかなり低い値である。一方特開昭60−151
280号に示されている製造方法ではかなり高い熱伝導
率のものが得られているが、添加剤に用いるアセチリド
化合物は酸素、水分等と非常に反応しやすく、中には爆
発性のものもあり、添加剤の混合の際の溶媒の選択ある
いは乾燥方法に注意が必要であり、安定した生産には適
さない。
[本発明が解決しようとする問題点]
本発明が解決しようとする点は化学的に安定で、かつ安
価な焼結助剤を用いて、熱伝導率が従来のものよりも高
いAIN焼結体を得ることである。
価な焼結助剤を用いて、熱伝導率が従来のものよりも高
いAIN焼結体を得ることである。
[問題点を解決するための手段]
本発明はAIN粉末にシアナミド塩を0.1〜15重量
%添加して、非酸化性雰囲気下で1600〜2000’
Cで焼成してなることを特徴とする窒化アルミニウム焼
結体の製法である。以下、本発明について具体的に説明
する。
%添加して、非酸化性雰囲気下で1600〜2000’
Cで焼成してなることを特徴とする窒化アルミニウム焼
結体の製法である。以下、本発明について具体的に説明
する。
本発明に用いるAIN粉末は純度として高純度のもの、
特に酸素含有量の少ないものが好ましく、酸素含有量が
3.0重口%以下、さらに好ましくは1.5重量%以下
のものがよく、他の不純物としてはA1を除く金属不純
物が1重量%以下、好ましくは0.1重子%以下、ざら
に好ましくは0.05重量%以下、また、ざらに好まし
くは0.03重量%のものがよい。またAIN粉末の平
均粒子径は5μm以下のものがよく、ざらに好ましくは
3μm以下のものがよい。
特に酸素含有量の少ないものが好ましく、酸素含有量が
3.0重口%以下、さらに好ましくは1.5重量%以下
のものがよく、他の不純物としてはA1を除く金属不純
物が1重量%以下、好ましくは0.1重子%以下、ざら
に好ましくは0.05重量%以下、また、ざらに好まし
くは0.03重量%のものがよい。またAIN粉末の平
均粒子径は5μm以下のものがよく、ざらに好ましくは
3μm以下のものがよい。
本発明におけるシアナミド塩の添加量はAIN粉末に対
して0.1〜15重量%でなければならない。この中で
も特に1〜10重旦%が好ましい。
して0.1〜15重量%でなければならない。この中で
も特に1〜10重旦%が好ましい。
上記の範囲をはずれる範囲では充分に高い熱伝導率を有
するAIN焼結体が得られない。添加するシアナミド塩
の粉末は焼結体に均一に作用させるため微粒なものが望
ましく、平均粒子径が10μm以下のものがよく、ざら
には3μm以下が好ましい。
するAIN焼結体が得られない。添加するシアナミド塩
の粉末は焼結体に均一に作用させるため微粒なものが望
ましく、平均粒子径が10μm以下のものがよく、ざら
には3μm以下が好ましい。
本発明においてシアナミド塩とAIN粉末の混合は乾式
混合、湿式混合のどちらでもよい。
混合、湿式混合のどちらでもよい。
湿式混合の際に用いる溶媒は水やメチルアルコール、エ
チルアルコール等のアルコール類、おるいはアセトン、
ベンゼン、ヘキサン等の有機溶媒を用いることができる
。
チルアルコール等のアルコール類、おるいはアセトン、
ベンゼン、ヘキサン等の有機溶媒を用いることができる
。
添加剤を混合したAIN成形体は常圧焼結法で充分に緻
密に焼結し、得られたAIN焼結体はすぐれた特性を発
揮するが、もちろん熱間加圧焼結法あるいは熱間等方加
圧焼結力によって行なってもよい。
密に焼結し、得られたAIN焼結体はすぐれた特性を発
揮するが、もちろん熱間加圧焼結法あるいは熱間等方加
圧焼結力によって行なってもよい。
この焼成は窒素(N2)、アルゴンガス(Ar>、水素
(H2)、あるいはN2と一酸化炭素(Co)等の非酸
化性雰囲気で行なわなければならない。また焼成温度は
1600〜2000℃で行なうが、さらに好ましくは1
700〜1900℃で行なう。1800’Cを下回る温
度では焼結が充分に進まず、緻密な焼結体が得られない
、 2000℃を越える温度ではAIN結晶粒子中への
酸素の拡散が大きくなり、得られた焼結体の熱伝導率は
低いものとなり好ましくない。 。
(H2)、あるいはN2と一酸化炭素(Co)等の非酸
化性雰囲気で行なわなければならない。また焼成温度は
1600〜2000℃で行なうが、さらに好ましくは1
700〜1900℃で行なう。1800’Cを下回る温
度では焼結が充分に進まず、緻密な焼結体が得られない
、 2000℃を越える温度ではAIN結晶粒子中への
酸素の拡散が大きくなり、得られた焼結体の熱伝導率は
低いものとなり好ましくない。 。
[実施例]
次に実施例によって本発明を具体的に説明する。本発明
におけるAIN粉末の酸素含有量は堀場製作所製金属中
酸素分析装置EHGA−2200で分析し、AIN粉末
中の金属不純物含有量は、日本ジャーレルアッシュ■製
のシーケンシャルマルチ高周波プラズマ発光分光分析装
置ICAP−575)1ark IIで分析した。
におけるAIN粉末の酸素含有量は堀場製作所製金属中
酸素分析装置EHGA−2200で分析し、AIN粉末
中の金属不純物含有量は、日本ジャーレルアッシュ■製
のシーケンシャルマルチ高周波プラズマ発光分光分析装
置ICAP−575)1ark IIで分析した。
AIN粉末の平均粒子径およびシアナミド塩の平均粒子
径は、セイシン企業社製粒度分布ミクロンフォトサイザ
ー5KA−5000を用い、溶媒にイソブチルアルコー
ルを用いて遍心沈降法により測定し、50重量%径を平
均粒子径とした。
径は、セイシン企業社製粒度分布ミクロンフォトサイザ
ー5KA−5000を用い、溶媒にイソブチルアルコー
ルを用いて遍心沈降法により測定し、50重量%径を平
均粒子径とした。
AIN焼結体の嵩密度は溶媒にケロシンを用いてアルキ
メデス法によって求めた。
メデス法によって求めた。
AIN焼結体の熱伝導率は、真空理工社製レーザフラッ
シュ法熱定数測定装置TC−3000型により測定し、
AIN焼結体の機械的強度(曲げ強度)は、島津製作所
製島津オートグラフを用いた3点曲げ法によって測定し
た。また、AIN焼結体の比抵抗は直流2端子法により
測定しまた。
シュ法熱定数測定装置TC−3000型により測定し、
AIN焼結体の機械的強度(曲げ強度)は、島津製作所
製島津オートグラフを用いた3点曲げ法によって測定し
た。また、AIN焼結体の比抵抗は直流2端子法により
測定しまた。
実施例1〜5
平均粒子径が3゜0μm1酸素含有量が1.0重量%、
かつA1を除く金属不純物の含有量が0.03重i%で
あるA I N粉末に表1に示す様にカルシウムシアナ
ミドの添加量を変化させて添加し、エタノール中で混合
し乾燥した。この混合粉末を2t/Cm2で50m1l
lX 30mmX 5mmの成形体に成形した。この成
形体を焼結炉においてN2気流中、1800°C13時
間焼成してAIN焼結体を得た。得られたAIN焼結体
の熱伝導率を第1表に示す。
かつA1を除く金属不純物の含有量が0.03重i%で
あるA I N粉末に表1に示す様にカルシウムシアナ
ミドの添加量を変化させて添加し、エタノール中で混合
し乾燥した。この混合粉末を2t/Cm2で50m1l
lX 30mmX 5mmの成形体に成形した。この成
形体を焼結炉においてN2気流中、1800°C13時
間焼成してAIN焼結体を得た。得られたAIN焼結体
の熱伝導率を第1表に示す。
実施例6〜8
上記実施例1〜5と同じAIN粉末に第1表に示す様に
カルシウムシアナミドを0.5.1.5.5.0重量%
添加し、エタノール中で混合し乾燥した。この混合粉末
を径50mmのカー゛ボン製金型に充填し、1800℃
、250kg/cm2.2時間、N2気流中でホットプ
レス焼結した。得られたA1凶焼結体の熱伝導率は第1
表に示すとおりである。
カルシウムシアナミドを0.5.1.5.5.0重量%
添加し、エタノール中で混合し乾燥した。この混合粉末
を径50mmのカー゛ボン製金型に充填し、1800℃
、250kg/cm2.2時間、N2気流中でホットプ
レス焼結した。得られたA1凶焼結体の熱伝導率は第1
表に示すとおりである。
比較例1〜3
カルシウムシアナミドの添加量がo、 o、oi、20
重量%である以外はすべて実施例1と同様に行なった。
重量%である以外はすべて実施例1と同様に行なった。
得られたAIN焼結体の熱伝導率は第1表に示すとおり
である。
である。
第1表
以上、実施例において非常に緻密な焼結体が得られ、そ
の焼結体の熱伝導率の高い値を示した。また実施例で得
られた焼結体の比抵抗はすべて2X1013Ωcm以上
であり、曲げ強度においても40kg/ mm ’以上
の高い値を示した。
の焼結体の熱伝導率の高い値を示した。また実施例で得
られた焼結体の比抵抗はすべて2X1013Ωcm以上
であり、曲げ強度においても40kg/ mm ’以上
の高い値を示した。
[発明の効果]
以上説明したように本発明におけるAIN焼結体は、熱
的、電気的および機械的性質においてすぐれた特性を示
し、今後、放熱性を要求される絶縁放熱基板等の電子材
料として、半導体工業における非常に有望な材料を提供
できる。
的、電気的および機械的性質においてすぐれた特性を示
し、今後、放熱性を要求される絶縁放熱基板等の電子材
料として、半導体工業における非常に有望な材料を提供
できる。
また、本発明によれば安価で安定した製法を提供できる
ものである。
ものである。
特許出願人 祈日本化学工業株式会社
旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 窒化アルミニウム粉末にシアナミド塩を0.1〜15
重量%添加して、非酸化性雰囲気下で1600〜200
0℃で焼成することを特徴とする窒化アルミニウム焼結
体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172842A JPS6330372A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 窒化アルミニウム焼結体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172842A JPS6330372A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 窒化アルミニウム焼結体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6330372A true JPS6330372A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15949339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172842A Pending JPS6330372A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 窒化アルミニウム焼結体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6330372A (ja) |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP61172842A patent/JPS6330372A/ja active Pending
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