JPS63304648A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPS63304648A JPS63304648A JP62140251A JP14025187A JPS63304648A JP S63304648 A JPS63304648 A JP S63304648A JP 62140251 A JP62140251 A JP 62140251A JP 14025187 A JP14025187 A JP 14025187A JP S63304648 A JPS63304648 A JP S63304648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal segment
- chip
- pad
- holder
- bump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＩＣチップを実装する際のバンプ形成に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
従来、ＩＣチップ実装におけるバンプ形成は電気メツキ
法により行われていた。以下、第２図を用いて従来のバ
ンプ形成方法の一例について説明する。１はＩＣウェハ
、２はＡ７パツド、３はパッシベーション膜で、まず、
ＩＣウェハ１上に、２ ”−７′ チタンの薄膜４、パラジウムの薄膜５、金の薄膜６をス
パッタにより形成する。次にフォトレジストを塗布し、
露光した後ＡＩ パッド２上に所定の開口部を設はバン
プ７を電気メッキにより形成した後、フォトレジストお
よび不用なチタンの薄膜４、パラジウムの薄膜５、金の
薄＠６を除去してバンプつきのＩＣを得ていた。
法により行われていた。以下、第２図を用いて従来のバ
ンプ形成方法の一例について説明する。１はＩＣウェハ
、２はＡ７パツド、３はパッシベーション膜で、まず、
ＩＣウェハ１上に、２ ”−７′ チタンの薄膜４、パラジウムの薄膜５、金の薄膜６をス
パッタにより形成する。次にフォトレジストを塗布し、
露光した後ＡＩ パッド２上に所定の開口部を設はバン
プ７を電気メッキにより形成した後、フォトレジストお
よび不用なチタンの薄膜４、パラジウムの薄膜５、金の
薄＠６を除去してバンプつきのＩＣを得ていた。
発明が解決しようとする問題点
このようが構成では、ＩＣチップのパッドのパターンが
変わったものにバンプを形成する場合、マスクを交換す
る必要があった。また、金バンブをメッキで形成させる
ときのメッキ液の管理が難しいなどの問題があった。壕
だ、バンプ形成の工程が非常に複雑であり、コストが高
くついていた。
変わったものにバンプを形成する場合、マスクを交換す
る必要があった。また、金バンブをメッキで形成させる
ときのメッキ液の管理が難しいなどの問題があった。壕
だ、バンプ形成の工程が非常に複雑であり、コストが高
くついていた。
本発明は、メッキ液を使用せずに多様化、複雑化する回
路形成において汎用性のあるＩＣチップを実装するため
に、新たなバンプ形成方法を提供するものである。
路形成において汎用性のあるＩＣチップを実装するため
に、新たなバンプ形成方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明では金属３ヘ−ジ
片を一定の形状に成形したのち、加熱したホルダーで前
記金属片を吸着し、それをＩＣチップのパッド上に熱的
作用および超音波作用の下で加圧して接合するものであ
る。
記金属片を吸着し、それをＩＣチップのパッド上に熱的
作用および超音波作用の下で加圧して接合するものであ
る。
作 用
金属片を一定の形状に成形し、超音波、熱、圧力の作用
により、ＩＣチップ上のパッドに直接、順次、前記形状
の金属片を接合してバンプを形成することができるため
、バンプ形成の工程を削減でき、また品種が変わるごと
にマスクを作成する必要がなくなる。その結果、低コス
ト、高品質のバンプを形成するととができる。
により、ＩＣチップ上のパッドに直接、順次、前記形状
の金属片を接合してバンプを形成することができるため
、バンプ形成の工程を削減でき、また品種が変わるごと
にマスクを作成する必要がなくなる。その結果、低コス
ト、高品質のバンプを形成するととができる。
実施例
以下本発明の一実施例のバンプ形成について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図（ａ） ９ （ｂ）において、加熱されたステー
ジ１５上にＩＣチップ１４が固定され、このＩＣチップ
１４にはＡｌハツト１３が形成されている。又１２はワ
イヤカット等により円柱状に成形された金などの金属片
で、１１はそれを保持するためのホルダーである。
ジ１５上にＩＣチップ１４が固定され、このＩＣチップ
１４にはＡｌハツト１３が形成されている。又１２はワ
イヤカット等により円柱状に成形された金などの金属片
で、１１はそれを保持するためのホルダーである。
次に、バンプ形成動作について説明すると、まず円柱状
に成形された金属片１２をホルダー１１により吸着させ
、ＩＣチップ１４上のＡｌパッド１３上に位置決めを行
う。その後若しくは予じめ金属片１２を吸着したホルダ
ー１１に熱を与え、金属片１２を加熱する。このとき、
同時にステージ１５にも熱を与え、ＩＣチップ１４のＡ
ｌハツト１３を加熱する。
に成形された金属片１２をホルダー１１により吸着させ
、ＩＣチップ１４上のＡｌパッド１３上に位置決めを行
う。その後若しくは予じめ金属片１２を吸着したホルダ
ー１１に熱を与え、金属片１２を加熱する。このとき、
同時にステージ１５にも熱を与え、ＩＣチップ１４のＡ
ｌハツト１３を加熱する。
このように、金属片１２とＡｌハツト１３を加熱するこ
とによって、金属片１２とＡｌ パッド１３との接合性
を良くするものとする。また、実際の接続では金属片１
２を保持したホルダー１１を超音波で撮動させることに
より、金原子およびＡＩ！Ｉｔを共晶反応させる。この
結果、一定の形状に成形された金属片１２をＩＣチップ
１４のＭパッド１３に接合することができる。
とによって、金属片１２とＡｌ パッド１３との接合性
を良くするものとする。また、実際の接続では金属片１
２を保持したホルダー１１を超音波で撮動させることに
より、金原子およびＡＩ！Ｉｔを共晶反応させる。この
結果、一定の形状に成形された金属片１２をＩＣチップ
１４のＭパッド１３に接合することができる。
なお、本実施例では金属片１２の形状を円柱状にしたも
のを用いたが、角柱状のものなども使用できる。また金
属片は本実施例では金としたが、５ベーン゛ ”Ｉｔ ｔＡｑ等でもよいことは言うまでも危い。
のを用いたが、角柱状のものなども使用できる。また金
属片は本実施例では金としたが、５ベーン゛ ”Ｉｔ ｔＡｑ等でもよいことは言うまでも危い。
発明の効果
以上のように、本発明は一定の形状に形成された金属片
をＩＣチップのパッドに接合させることによりバンプを
形成でき、このため管理の困難なメッキ液を使用せずに
済む。また、バンプ形成の工程を大幅に削減でき、低コ
ストで高品質のバンプを形成することができる。
をＩＣチップのパッドに接合させることによりバンプを
形成でき、このため管理の困難なメッキ液を使用せずに
済む。また、バンプ形成の工程を大幅に削減でき、低コ
ストで高品質のバンプを形成することができる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例におけるバ
ンプ形成工程を示す断面図、第２図は従来のバンプ形成
の断面図である。 １１・・・・・ホルダー、１２・・・・・・金１％１ｌ
−１１３・・・・・・Ａｌハンド、１４・・・・・ＩＣ
チップ。
ンプ形成工程を示す断面図、第２図は従来のバンプ形成
の断面図である。 １１・・・・・ホルダー、１２・・・・・・金１％１ｌ
−１１３・・・・・・Ａｌハンド、１４・・・・・ＩＣ
チップ。
Claims (1)
- ＩＣチップにバンプを形成する方法において、まず、金
属片を一定の形状に成形したのち、加熱したホルダーで
前記金属片を吸着し、加熱したＩＣチップのパッドと前
記金属片とを前記ホルダーに超音波および圧力を付加し
て接合するバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62140251A JPS63304648A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62140251A JPS63304648A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63304648A true JPS63304648A (ja) | 1988-12-12 |
Family
ID=15264430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62140251A Pending JPS63304648A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63304648A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093852A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US6524892B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-02-25 | Sony Chemicals Corp. | Method of fabricating multilayer flexible wiring boards |
| JP2012216576A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-04 JP JP62140251A patent/JPS63304648A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524892B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-02-25 | Sony Chemicals Corp. | Method of fabricating multilayer flexible wiring boards |
| US6653736B2 (en) | 1999-11-10 | 2003-11-25 | Sony Chemicals Corporation | Multilayer flexible wiring boards |
| JP2002093852A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2012216576A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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