JPH0366130A - バンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体チップまたはリードフレームへのバン
プ形成方法に関する。

〈従来の技術〉 フリソプチソプボンディングやＴＡＢ　（テープキャリ
ア方式のボンディング）等においては、バンプの形成が
不可欠である。

バンプの構造は、パッド金属、密着金属、拡散防止金属
、バンプ金属からなる複雑なものである。

例えば、メツキ法によるバンプの形成方法は、次のよう
な工程で行う。

■　予めパッド金属（／ｌ）が形成されている半導体チ
ップの表面を保護用のガラス膜（または３　ｉ、　０２
膜）で被覆する。

■　前記の保護用ガラス膜の表面にホトレジストを塗布
する。

■　エソチップにより、パッド金属に対応する箇所にお
いて保護用ガラス膜を除去し、電極用窓をあける。この
電極用窓においてパッド金属が露出する。

■　露出しているパッド金属（Ａβ）上に密着金属（Ｃ
ｒ）を蒸着する。

■　密着金属（Ｃｒ）上に拡散防止金属（Ｃｕ）を蒸着
する。

■　拡散防止金属（Ｃｕ）上にハンプ金属（ＡＵ）を蒸
着する。

■　全面にホトレジストを塗布し、エッチングによって
、前記の三層（Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ）からなる電極下地に
対応する箇所においてホトレジストを除去する。これに
よって、電極下地が露出する。

■　電極下地の最上層（バンプ金属（Ａｕ））に、Ａｕ
メツキしたＣｕボールをおき、ハンダ（Ｐｂ−３ｎ）を
ブレーティング（メツキ）する。

このハンダがバンプとなる。

■　残っているホトレジストを剥離する。

〈発明が解決しようとする課題〉 以上のような従来のバンプ形成方法には、次のような問
題がある。

（ａ）　　非常に繁雑な工程を要するので迅速なバンプ
形成が行えない。

（ｂ）　　バンブ形成のための設備が大掛かりなものに
なり、バンブ形成を容易には行えない。

（Ｃ）　　前記（ａ）、　（ｂ）の相乗により、高コス
ト化は免れない。

（ｄｌ　　蒸着、ホト−ジス１−塗布、メツキ等による
悪影響があり、バンプ接合の信頼性に劣る。

（１４）　　バンプ付きチソプを人手するにしても、入
手先が限られていて簡単には入手できない。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、信頼性の高いバンプを迅速、容易かつ低コストに形
成することができるバンプ形成方法を提供することを０
的とする。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。

すなわち、本発明のバンブ形成方法は、ワイヤの先端部
を溶融してボール部を形成する第１工程と、 前記ボール部を電極バンドに対して接合一体化する第２
工程と、 前記ボール部をワイヤから切り放すことにより、前記電
極パソドと一体化したボール部をバンプとする第３工程 とを含むものである。

く作用〉 本発明の上記ｌＩＢ戒による作用は、次のとおりである
。

すなわち、ポールボンディングの要領でバンプを形成す
るものであり、ワイヤ先端部の溶融（ボール部形成）、
ボール部の接合、切断という簡単な工程ですむとともに
、設備としては、フリップチップボンディングやＴＡＢ
の場合のバンブ形成のための設備に比べて簡単なもので
よい。したがって、迅速、容易かつ低コストにバンプを
形成できる。

そして、蒸着、レジスト塗布、メツキを使用しないので
、それらによる悪影響がなく、また、電極パッドに対す
るボール部の直接接合であるので、接合の面で信頼性の
高いバンプが形成できる。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

第１図ないし第３図は本発明の実施例に係るバンプ形成
方法の各工程を順に示したものである。

（ｉ）第１図に示すように、Ａｊ＋の複数の電極パッド
１が形成された半導体チップ２をマウントし４− ている基板３をボンディングステージ４上に位置決め状
態で載置する１、。

（ｉｉ　）同じく第１図に示すように、キャピラリ５に
通線保持されたＡｊ！、Ａｕ等のワイヤ６の先端部に放
電用電極７を近づけ、両者間で放電させることにより、
ワイヤ６の先端部を溶融してボール部６ａを形成する。

（ｉｉｉ　）第２図に示すように、放電用電極７を退避
させた後、キャピラリ５の下降によってボール部６ａを
半導体チップ２における１つの電極パッド１に強く押圧
し、熱または超音波振動を与えることによりボール部６
ａを電極パッド１に接合一体化する。

にＶ）次いで、キャピラリ５を横方向に動かすか、ある
いは、ボンディングステージ４を横方向に動かすことに
よって、第３図に示すように、ボール部６ａをワイヤ６
の付は根から切り離す。これによって、ボール部６ａが
電極パッド１と一体化したバンプ８となる。

（ｖ）同じく第３図に示すように、キャピラリ５を原点
位置まで上昇させる。

（ｖｉ　）以上の工程（１１）〜（ｖ）を繰り返すこと
により、すべての電極パッド１に対して、ボール部６ａ
を利用したバンプ８を順次接合していく。

バンプ形成が完成した半導体チップ２を第４図に示す。

なお、図示は省略するが、ハンプ形成が完了した半導体
チップ２は、従来から一般的に行われているように、フ
ェイスアンプの状態でテープキャリアのフィンガリード
に対してハンプ８を介してワイヤレスボンディングした
り　（ＴＡＢ方式）、あるいは、フェイスダウンの状態
でプリント基板の電極パッドに対してハンプ８を介して
ワイヤレスボンディングする（フリソプチソプ方式）。

上記実施例におけるバンプ形成方法は、半導体チップに
適用したものであるが、これに限る必要はなく、テープ
キャリアのフィンガリードや、リードフレームのインナ
ーリードの方にバンプを形成する場合にも本発明を適用
することができる。

〈発明の効果〉 本発明によれば、次の効果が発揮される。

すなわち、溶融によってワイヤ先端部に作ったボール部
をポールボンディングの要領で電極パッドに接合した後
、ポール部をワイヤから切り離すことによってバンプを
形成するから、 ■　全体の工程数が少なく、かつ、各工程が比較的簡単
であるので、迅速、容易にハンプ形成を行うことができ
る。

＠　設備としてはポールボンディングと同様のものでよ
く、フリソブチソプボンディングやＴＡＢの場合のよう
な大掛かりな設備に比べてはるかに簡単なものでよい。

したがって、低コスト化を図ることができる。

■　従来例のように華着、レジスト塗布、メツキを行う
ことに起因した接合部への悪影響がなく、電極パッドに
対するボール部の直接接合であるので、バンプ接合の信
頼性を向上することができる。

■　半導体チップの入手先が限定されない。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例に係るバンプ形
成方法の各工程を順に示す説明図、第４図はバンプ形成
が完成した半導体チップを示す斜視図である。 １・・・電極パッド ２・・・半導体チップ ３・・・基板 ４・・・ボンデインダステージ ５・・・キャピラリ ６・・・ワイヤ ６ａ・・・ボール部 ７・・・放電用電極 ８・・・バンプ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ワイヤの先端部を溶融してボール部を形成する第
   １工程と、 前記ボール部を電極パッドに対して接合一体化する第２
   工程と、 前記ボール部をワイヤから切り放すことにより、前記電
   極パッドと一体化したボール部をバンプとする第３工程 とを含むバンプ形成方法。