JPS63307729A - 半導体ウエハの露光方法 - Google Patents
半導体ウエハの露光方法Info
- Publication number
- JPS63307729A JPS63307729A JP62143827A JP14382787A JPS63307729A JP S63307729 A JPS63307729 A JP S63307729A JP 62143827 A JP62143827 A JP 62143827A JP 14382787 A JP14382787 A JP 14382787A JP S63307729 A JPS63307729 A JP S63307729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- stage
- exposure
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハの露光方法に関する。
(従来の技術)
従来から、半導体ウェハの露光方式として、近接露光方
式、反射プロジェクション方式、レンズプロジェクショ
ン方式等の各種の方式が知られている。
式、反射プロジェクション方式、レンズプロジェクショ
ン方式等の各種の方式が知られている。
これらの方式では、いずれも紫外線ランプのような光源
を用いた露光部の光の通路にマスクを固定しておき、こ
のマスクを通過した光の通路に露光対象のレジスト展を
形成したウェハを搬入して位置合せし露光させる方法が
採用されている。
を用いた露光部の光の通路にマスクを固定しておき、こ
のマスクを通過した光の通路に露光対象のレジスト展を
形成したウェハを搬入して位置合せし露光させる方法が
採用されている。
(発明が解決しようとする問題点)
このように、従来の露光方法では、露光部の光の通路に
マスクを固定しておき、予め位置決めされたウェハを、
被照射位置に導入して露光部でマスクとウェハとを所定
の相対位置関係となるようにしている上に、マスクの方
がウェハよりも高温雰囲気中に長時間置かれる結果とな
るなめ、両者の相対位置関係に誤差を生じ充分な合せ精
度が得られず、また解像力も不十分になってしまうとい
う問題があった。
マスクを固定しておき、予め位置決めされたウェハを、
被照射位置に導入して露光部でマスクとウェハとを所定
の相対位置関係となるようにしている上に、マスクの方
がウェハよりも高温雰囲気中に長時間置かれる結果とな
るなめ、両者の相対位置関係に誤差を生じ充分な合せ精
度が得られず、また解像力も不十分になってしまうとい
う問題があった。
本発明は、かかる従来の問題を解決すべくなされたもの
で、マスクとウェハの相対位置関係が−定し、これによ
って良好な合せ精度および解像力が得られる半導体ウェ
ハの露光方法を提供することを目的としている。
で、マスクとウェハの相対位置関係が−定し、これによ
って良好な合せ精度および解像力が得られる半導体ウェ
ハの露光方法を提供することを目的としている。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の露光装置は、マスクとウェハとを微小間隔をお
いて重ね合せマスク側から高エネルギー線を照射して前
記マスクのマスクパターンを前記ウェハ上に投影させる
露光方法において、位置決めされたマスクと位置決めさ
れたウェハとを、高エネルギー線被照射位置外で照射時
における相対位置関係となるように位置合せし、しかる
後、これらのマスクとウェハとをこの相対位置関係を維
持したまま高エネルギー線被照射位置に搬入して露光を
行うことを特徴としている。
いて重ね合せマスク側から高エネルギー線を照射して前
記マスクのマスクパターンを前記ウェハ上に投影させる
露光方法において、位置決めされたマスクと位置決めさ
れたウェハとを、高エネルギー線被照射位置外で照射時
における相対位置関係となるように位置合せし、しかる
後、これらのマスクとウェハとをこの相対位置関係を維
持したまま高エネルギー線被照射位置に搬入して露光を
行うことを特徴としている。
(作用)
本発明においては、まず、マスクは、例えばX、Y方向
に位置調整可能な水平に保持されたマスクホルダー上に
位置決めされる。一方、半導体ウェハは、Zおよびθ方
向に移動可能なウェハステージ上に位置決めされて載置
される。マスクとウェハとの重ね合せは、例えば、次の
ように行われる。
に位置調整可能な水平に保持されたマスクホルダー上に
位置決めされる。一方、半導体ウェハは、Zおよびθ方
向に移動可能なウェハステージ上に位置決めされて載置
される。マスクとウェハとの重ね合せは、例えば、次の
ように行われる。
すなわち、このウェハステージを囲んで複数のボールか
らなるマスクステージを頂面が水平となるように配置し
、ウェハステージ上に置かれたウェハの面とマスクステ
ージの頂面間に微小間隔が形成されるようにウェハステ
ージをZおよびθ方向に微調整する0次にマスクステー
ジをウェハステージとともにマスクホルダーの下方に相
対的に移動させてマスクをマスクステージ上に移載して
保持する。しかる後、ウェハとマスクとを、この状態を
保持したまま露光用の光源を備えた照射部に導入して、
マスク側から高エネルギー線を照射してウェハ表面のレ
ジストにマスクパターンを露光させる。
らなるマスクステージを頂面が水平となるように配置し
、ウェハステージ上に置かれたウェハの面とマスクステ
ージの頂面間に微小間隔が形成されるようにウェハステ
ージをZおよびθ方向に微調整する0次にマスクステー
ジをウェハステージとともにマスクホルダーの下方に相
対的に移動させてマスクをマスクステージ上に移載して
保持する。しかる後、ウェハとマスクとを、この状態を
保持したまま露光用の光源を備えた照射部に導入して、
マスク側から高エネルギー線を照射してウェハ表面のレ
ジストにマスクパターンを露光させる。
(実施例)
次に本発明の実施例について説明する。
第1図は、本発明の一実施例に使用される露光装置の外
観を示す斜視図であり、ウェハ供給部1と、ウェハおよ
びマスクの位置合せおよび搬送を行う位置合せ搬送部2
と、紫外線の照射を行う露光部3と、電源供給部4とか
ら主に構成されている。
観を示す斜視図であり、ウェハ供給部1と、ウェハおよ
びマスクの位置合せおよび搬送を行う位置合せ搬送部2
と、紫外線の照射を行う露光部3と、電源供給部4とか
ら主に構成されている。
ウェハ供給部1は、着脱自在のウェハカセット5と、こ
のウェハカセット5をウェハ1枚分ずつ昇降させるエレ
ベータ−機構と、ウェハカセット5からウェハ6を 1
枚ずつ引出しセンター出しとオリエンテーションフラッ
トの検出を行うアライメントポジションAまで搬送する
、図示を省略した真空ピンセットと、第2図に示すよう
に、アライメントポジションAでセンター出しとオリエ
ンテーションフラットの検出を終えたウェハ6をウェハ
ステージへ搬送する上面に真空吸着部を有するスイング
アーム7とを備えている。
のウェハカセット5をウェハ1枚分ずつ昇降させるエレ
ベータ−機構と、ウェハカセット5からウェハ6を 1
枚ずつ引出しセンター出しとオリエンテーションフラッ
トの検出を行うアライメントポジションAまで搬送する
、図示を省略した真空ピンセットと、第2図に示すよう
に、アライメントポジションAでセンター出しとオリエ
ンテーションフラットの検出を終えたウェハ6をウェハ
ステージへ搬送する上面に真空吸着部を有するスイング
アーム7とを備えている。
位置合せ搬送部2は、第2図ないし第5図に示すような
、X、Y方向に移動可能なウェハ・マスクステージ8と
、マスク位置合せ装置9と、静電容量を測定することに
より非接触でウェハ・マスクステージ8の各部の高さを
測定する高さ検出装置10とを備えている。
、X、Y方向に移動可能なウェハ・マスクステージ8と
、マスク位置合せ装置9と、静電容量を測定することに
より非接触でウェハ・マスクステージ8の各部の高さを
測定する高さ検出装置10とを備えている。
ウェハ・マスクステージ8は、ウェハの搬入、搬出時に
、第3図に示すように、降下して中央寄りに3本のビン
Pを突出させるZおよびθ方向に移動可能なウェハステ
ージ11と、このウェハステージ11を囲むようにその
外周近傍に配置された先端が完全な同一平面内にある3
本のポールを有するマスクステージ12と、これらのウ
ェハステージ11およびマスクステージ12を、一体的
にX−Y方向に搬送するX−Yステージ13とから構成
されている。
、第3図に示すように、降下して中央寄りに3本のビン
Pを突出させるZおよびθ方向に移動可能なウェハステ
ージ11と、このウェハステージ11を囲むようにその
外周近傍に配置された先端が完全な同一平面内にある3
本のポールを有するマスクステージ12と、これらのウ
ェハステージ11およびマスクステージ12を、一体的
にX−Y方向に搬送するX−Yステージ13とから構成
されている。
このウェハ・マスクステージ8は、X−Yステージ13
のプログラム制御により、ウェハ受渡しポジションB、
高さ検出ポジションC、マスク受渡しポジションD、露
光ポジションE間を所定のタイミングで移動する。また
ウェハステージ11は、高き検出装置10の測定結果に
基いてZ方向およびθ方向にフィードバック制御される
。
のプログラム制御により、ウェハ受渡しポジションB、
高さ検出ポジションC、マスク受渡しポジションD、露
光ポジションE間を所定のタイミングで移動する。また
ウェハステージ11は、高き検出装置10の測定結果に
基いてZ方向およびθ方向にフィードバック制御される
。
マスク位置合せ装置9は、上下に移動可能なマスクホル
ダー14とマスク15の基準マークを視認する顕微鏡1
6とから構成されている。マスクホルダー14は、第6
図に示すように、水平部を内側に向けたL字形状のマス
ク保持部を有しており、そのマスク保持部の上面にはフ
ッ素樹脂のコーティングが施され、かつマスクの縁部を
吸引保持する吸引溝14aが形成されている。t、た、
水平面内で位置決めのための微小な移動が可能とされて
おり、かつそのマスク保持部の基準レベルはウェハステ
ージ11の先端より10μII〜50μm高い位置とさ
、れている、マスク15をマスクステージ12へ搭載す
る際には、X−Yステージ13がマスクホルダー14に
保持されたマスク15の下方の所定の位置にきたとき、
基準レベルから211降下し、逆にマスクをマスクステ
ージから離脱させる際には基準レベルから3寵上昇する
ようになっている。なお、マスクホルダー14へのマス
ク15の搭載は手操作あるいは自動操作のいずれでも可
能とされている。
ダー14とマスク15の基準マークを視認する顕微鏡1
6とから構成されている。マスクホルダー14は、第6
図に示すように、水平部を内側に向けたL字形状のマス
ク保持部を有しており、そのマスク保持部の上面にはフ
ッ素樹脂のコーティングが施され、かつマスクの縁部を
吸引保持する吸引溝14aが形成されている。t、た、
水平面内で位置決めのための微小な移動が可能とされて
おり、かつそのマスク保持部の基準レベルはウェハステ
ージ11の先端より10μII〜50μm高い位置とさ
、れている、マスク15をマスクステージ12へ搭載す
る際には、X−Yステージ13がマスクホルダー14に
保持されたマスク15の下方の所定の位置にきたとき、
基準レベルから211降下し、逆にマスクをマスクステ
ージから離脱させる際には基準レベルから3寵上昇する
ようになっている。なお、マスクホルダー14へのマス
ク15の搭載は手操作あるいは自動操作のいずれでも可
能とされている。
また、高さ検出装置10は、高さ検出ポジションCにマ
スク・ウェハステージ8がきたとき、プログラム制御に
よりウェハ6の上面の数箇所とマスクステージ11の各
ボールの先端の高さを測定し、この測定データに基いて
、ウェハの上面とマスクステージの先端間の間隔が20
μm程度の所定の微小間隔となるようにウェハステージ
12がフィードバック制御されてZ方向に移動する。
スク・ウェハステージ8がきたとき、プログラム制御に
よりウェハ6の上面の数箇所とマスクステージ11の各
ボールの先端の高さを測定し、この測定データに基いて
、ウェハの上面とマスクステージの先端間の間隔が20
μm程度の所定の微小間隔となるようにウェハステージ
12がフィードバック制御されてZ方向に移動する。
本発明は、このような露光装置を用いて次のように行わ
れる。
れる。
まず真空ピンセットがウェハカセット5からレジスト膜
の形成されたウェハ6を1枚取出しアライメントポジシ
ョンAにこのウェハ6を載置すると、アライメントポジ
ションAにおいてウェハ6のセンター出しとオリエンテ
ーションフラットの検出が行われる。このときウェハ・
マスクステージ8はウェハ受渡しポジションBにあり、
ウェハステージ11が下降し、ビンPが突出した状態と
なっている。
の形成されたウェハ6を1枚取出しアライメントポジシ
ョンAにこのウェハ6を載置すると、アライメントポジ
ションAにおいてウェハ6のセンター出しとオリエンテ
ーションフラットの検出が行われる。このときウェハ・
マスクステージ8はウェハ受渡しポジションBにあり、
ウェハステージ11が下降し、ビンPが突出した状態と
なっている。
次にスイングアーム7が、ウェハ6をウェハ・マスクス
テージ8のウェハステージ11上に載置すると、ウェハ
ステージ11が上昇してステージ面でウェハ6を支持し
、図示を省略した吸引孔から吸引してウェハ6をウェハ
ステージ11上に固定する。
テージ8のウェハステージ11上に載置すると、ウェハ
ステージ11が上昇してステージ面でウェハ6を支持し
、図示を省略した吸引孔から吸引してウェハ6をウェハ
ステージ11上に固定する。
この後、ウェハ・マスクステージ8は高さ検出ポジショ
ンCに移動する。
ンCに移動する。
高さ検出装置10は、ウェハ6の表面の数箇所と各マス
クステージ12の先端の高さを測定し、ウェハステージ
11は、マスクステージ12の各先端とウェハ6の表面
間に20μmの間隔が生じるようにZ方向に移動する。
クステージ12の先端の高さを測定し、ウェハステージ
11は、マスクステージ12の各先端とウェハ6の表面
間に20μmの間隔が生じるようにZ方向に移動する。
一方、マスク位置合せ装置9のマスクホルダー14には
、マスク15が手操作あるいは自9JJn作により供給
され、図示を省略した位置出し爪により押え、マスク1
5の位置出しを行い、吸引孔14aによって吸引保持し
た後、位置出し爪を退避させる。
、マスク15が手操作あるいは自9JJn作により供給
され、図示を省略した位置出し爪により押え、マスク1
5の位置出しを行い、吸引孔14aによって吸引保持し
た後、位置出し爪を退避させる。
そしてウェハ6の表面とマスクステージ12の先端間の
間隔調整の終了したウェハ・マスクステージ8は、マス
クホルダー14の下方の所定位置に導入される。このと
き、マスクホルダー14の基準レベルは顕微鏡16の焦
点深度以内となるように、ウェハステージ11の先端よ
り10μm〜50μm高い位置とされる。
間隔調整の終了したウェハ・マスクステージ8は、マス
クホルダー14の下方の所定位置に導入される。このと
き、マスクホルダー14の基準レベルは顕微鏡16の焦
点深度以内となるように、ウェハステージ11の先端よ
り10μm〜50μm高い位置とされる。
次に、マスク15とウェハ6に形成された基準マークを
顕微鏡16で視認しながら、これらが一致するように、
ウェハ6が固定されているウェハ・マスクステージ8を
X、Y方向に移動させ、かつマスクステージ12をθ回
転させて水平面内の位置合せが行われる。
顕微鏡16で視認しながら、これらが一致するように、
ウェハ6が固定されているウェハ・マスクステージ8を
X、Y方向に移動させ、かつマスクステージ12をθ回
転させて水平面内の位置合せが行われる。
その後、マスクホルダー14が下降してマスク15をマ
スクステージ12の先端に載せ、ウェハステージ11は
マスク15をその先端に設けた吸引孔により吸引保持す
る。
スクステージ12の先端に載せ、ウェハステージ11は
マスク15をその先端に設けた吸引孔により吸引保持す
る。
これによって、マスクとウェハとは所定の間隔を置いて
重ね合されたことになる。
重ね合されたことになる。
しかる後、ウェハ・マスクステージ8は、ウェハ6とマ
スク15とをこのままの状態で保持して露光部3内の露
光ポジションEに移動して露光が行われる。露光後、ウ
ェハ・マスクステージ8は、露光部3から出て再びマス
クホルダー14の下方のマスク受渡しポジションDに移
動してマスク15がとり外され、ウェハ受渡しポジショ
ンBに戻ってウェハ6がスイングアーム7によってとり
外され、この露光されたウェハ6はウェハカセット5に
収納される。そして別の未露光のウェハについて再び同
様の操作が繰り返される。
スク15とをこのままの状態で保持して露光部3内の露
光ポジションEに移動して露光が行われる。露光後、ウ
ェハ・マスクステージ8は、露光部3から出て再びマス
クホルダー14の下方のマスク受渡しポジションDに移
動してマスク15がとり外され、ウェハ受渡しポジショ
ンBに戻ってウェハ6がスイングアーム7によってとり
外され、この露光されたウェハ6はウェハカセット5に
収納される。そして別の未露光のウェハについて再び同
様の操作が繰り返される。
なお、以上の実施例では、仮位置合せされたウェハを、
位置合せされたマスクの下方に移動させてマスクとウェ
ハの位置合せを行うようにした例について説明したが、
本発明はこのような実施例に限定されるべきものではな
く、位置合せされたマスクを位置合せされたウェハ側に
移動させたり、あるいは両者を移動させてこれらの位置
合せを行うようにしてもよいことは勿論である。
位置合せされたマスクの下方に移動させてマスクとウェ
ハの位置合せを行うようにした例について説明したが、
本発明はこのような実施例に限定されるべきものではな
く、位置合せされたマスクを位置合せされたウェハ側に
移動させたり、あるいは両者を移動させてこれらの位置
合せを行うようにしてもよいことは勿論である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明においては、マスクとウェ
ハとを微小間隔をおいて重ね合せマスク側から高エネル
ギー線を照射して前記マスクのマスクパターンを前記ウ
ェハ上に投影させる露光方法において、位置決めされた
マスクと位置決めされたウェハとを、高エネルギー線被
照射位置外で照射時における相対位置関係となるように
位置合せし、しかる後、これらのマスクとウェハとをこ
の相対位置関係を維持したまま高エネルギー線被照射位
置に搬入して露光を行うようにしたので、露光時におけ
るマスクとウェハの相対位置関係が一定し、これによっ
て良好な合せ精度および解像力を得ることができる。
ハとを微小間隔をおいて重ね合せマスク側から高エネル
ギー線を照射して前記マスクのマスクパターンを前記ウ
ェハ上に投影させる露光方法において、位置決めされた
マスクと位置決めされたウェハとを、高エネルギー線被
照射位置外で照射時における相対位置関係となるように
位置合せし、しかる後、これらのマスクとウェハとをこ
の相対位置関係を維持したまま高エネルギー線被照射位
置に搬入して露光を行うようにしたので、露光時におけ
るマスクとウェハの相対位置関係が一定し、これによっ
て良好な合せ精度および解像力を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例に使用する装置の外観を示す
斜視図、第2図はこの実施例におけるウェハの移動経路
を示す平面図、第3図はこの実施例に使用されるウェハ
・マスクステージの平面図、第4図はそのウェハ搬入搬
出時の状態を示す側面図、第5図はその各部の高さ測定
状況を示す側面図、第6図はマスクホルダーからマスク
ステージにマスクを移載する状況を示す側断面図である
。 1・・・ウェハ供給部、2・・・位置合せ搬送部、3・
・・露光部、4・・・電源供給部、5・・・ウェハカセ
ット、6・・・ウェハ、7・・・スイングアーム、8・
・・ウェハ・マスクステージ、9・・・マスク位置合せ
装置、10・・・高さ検出装置、11・・・ウェハステ
ージ、12・・・マスクステージ、13・・・X−Yス
テージ、14・・・マスクホルダー、15・・・マスク
、16・・・顕微鏡、A・・・アライメントポジション
、B・・・ウェハ受渡しポジション、C・・・高さ検出
ポジション、D・・・マスク受渡しポジション、E・・
・露光ポジション、P・・・ピン。 出願人 東京エレクトトロン株式会社代理人弁理士
須 山 佐 − 第3図 業4図
斜視図、第2図はこの実施例におけるウェハの移動経路
を示す平面図、第3図はこの実施例に使用されるウェハ
・マスクステージの平面図、第4図はそのウェハ搬入搬
出時の状態を示す側面図、第5図はその各部の高さ測定
状況を示す側面図、第6図はマスクホルダーからマスク
ステージにマスクを移載する状況を示す側断面図である
。 1・・・ウェハ供給部、2・・・位置合せ搬送部、3・
・・露光部、4・・・電源供給部、5・・・ウェハカセ
ット、6・・・ウェハ、7・・・スイングアーム、8・
・・ウェハ・マスクステージ、9・・・マスク位置合せ
装置、10・・・高さ検出装置、11・・・ウェハステ
ージ、12・・・マスクステージ、13・・・X−Yス
テージ、14・・・マスクホルダー、15・・・マスク
、16・・・顕微鏡、A・・・アライメントポジション
、B・・・ウェハ受渡しポジション、C・・・高さ検出
ポジション、D・・・マスク受渡しポジション、E・・
・露光ポジション、P・・・ピン。 出願人 東京エレクトトロン株式会社代理人弁理士
須 山 佐 − 第3図 業4図
Claims (1)
- マスクとウェハとを微小間隔をおいて重ね合せマスク
側から高エネルギー線を照射して前記マスクのマスクパ
ターンを前記ウェハ上に投影させる露光方法において、
位置決めされたマスクと位置決めされたウェハとを、高
エネルギー線被照射位置外で照射時における相対位置関
係となるように位置合せし、しかる後、これらのマスク
とウェハとをこの相対位置関係を維持したまま高エネル
ギー線被照射位置に搬入して露光を行うことを特徴とす
る半導体ウェハの露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143827A JPS63307729A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体ウエハの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143827A JPS63307729A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体ウエハの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307729A true JPS63307729A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15347870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62143827A Pending JPS63307729A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体ウエハの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693439A (en) * | 1992-12-25 | 1997-12-02 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| JP2002251018A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | プロキシミティギャップ制御方法、プロキシミティギャップ制御装置及びプロキシミティ露光装置 |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62143827A patent/JPS63307729A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693439A (en) * | 1992-12-25 | 1997-12-02 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US6433872B1 (en) | 1992-12-25 | 2002-08-13 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US6608681B2 (en) | 1992-12-25 | 2003-08-19 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| JP2002251018A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | プロキシミティギャップ制御方法、プロキシミティギャップ制御装置及びプロキシミティ露光装置 |
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