JPS63308571A - 電圧検出装置 - Google Patents
電圧検出装置Info
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- JPS63308571A JPS63308571A JP62144983A JP14498387A JPS63308571A JP S63308571 A JPS63308571 A JP S63308571A JP 62144983 A JP62144983 A JP 62144983A JP 14498387 A JP14498387 A JP 14498387A JP S63308571 A JPS63308571 A JP S63308571A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
- G01R15/241—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
- G01R15/242—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被測定物の所定部分の電圧を検出するための
電圧検出装置に関し、特に被測定物の所定部分の電圧に
よって光の偏光状態が変化することを利用して電圧を検
出する型式の電圧検出装置に関する。
電圧検出装置に関し、特に被測定物の所定部分の電圧に
よって光の偏光状態が変化することを利用して電圧を検
出する型式の電圧検出装置に関する。
従来、超高速の光検出器、光半導体スイッチあるいは他
の高速の電子デバイスにおける電気信号すなわち電圧を
サブピコ秒の時間分解能で検出する電圧検出装置が知ら
れている。
の高速の電子デバイスにおける電気信号すなわち電圧を
サブピコ秒の時間分解能で検出する電圧検出装置が知ら
れている。
第６図（ａ）は、１９８３年４月発行の著者ＪＡＮＩＳ
Ａ、Ｖ＾Ｌ［１ＮＡＮＩＳ等による文献ｒ ＩＥＥＥ
ＪＯｌｌｌｌＮＡＬＯＦ ＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮＩＣ８，ＶＯＬ、 ＱＥ−１９，ＮＯ，４，第
６６４頁乃至６６７頁」に開示されている上述のような
電圧検出装置の概略斜視図、第６図（ワ）は第６図（ａ
）に示す電圧検出装置の上面図、第６図（Ｃ）は第６図
（ａ）に示す電圧検出装置の正面図である。
Ａ、Ｖ＾Ｌ［１ＮＡＮＩＳ等による文献ｒ ＩＥＥＥ
ＪＯｌｌｌｌＮＡＬＯＦ ＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮＩＣ８，ＶＯＬ、 ＱＥ−１９，ＮＯ，４，第
６６４頁乃至６６７頁」に開示されている上述のような
電圧検出装置の概略斜視図、第６図（ワ）は第６図（ａ
）に示す電圧検出装置の上面図、第６図（Ｃ）は第６図
（ａ）に示す電圧検出装置の正面図である。
第６図（ａ）乃至（Ｃ）の電圧検出装置では、タンタル
酸リチウム（Ｌ ｉ Ｔ ａ Ｏ３）の電気光学材料５
０はＣ軸と垂直に切出され、Ｃ軸と垂直な表面５１には
アルミニウムのストリップ線路５２が設けられ、ストリ
ップ線路５２には被測定物５３の所定部分が接続される
ようになっている。
酸リチウム（Ｌ ｉ Ｔ ａ Ｏ３）の電気光学材料５
０はＣ軸と垂直に切出され、Ｃ軸と垂直な表面５１には
アルミニウムのストリップ線路５２が設けられ、ストリ
ップ線路５２には被測定物５３の所定部分が接続される
ようになっている。
被測定物５３が例えば超高速の光検出器である場合、光
検出器の所定部分をストリップ線路５２に接続すると、
第６図（Ｃ）に示すような１０ピコ秒程度のパルス幅の
電圧パルス■Ｐがストリップ線ｉ？＋５２上を速度■。
検出器の所定部分をストリップ線路５２に接続すると、
第６図（Ｃ）に示すような１０ピコ秒程度のパルス幅の
電圧パルス■Ｐがストリップ線ｉ？＋５２上を速度■。
で進行する。ストリップ線路５２を進行する電圧パルス
■Ｐにより、電圧パルス■Ｐが通過するストリップ線路
５２の直下の電気光学材料５０の部分には電界Ｅが加わ
り、その部分の屈折率が変化する。これにより、直線偏
光された光ビームＰＢをストリップ線路５２の長さ方向
軸線Ａ−Ａに対し角度θですなわち長さ方向軸線Ａ−Ａ
に沿った光ビームＰＢの速度成分ｖ ＣＯ８θが電圧パ
ルス■Ｐの速度Ｖｏと同じとなるよう、電気光学材料５
０の一方の側部５４から入射させると、光ビームＰＢは
電圧パルス■Ｐによる屈折率変化に追従して電気光学材
料５０内を通過し、このときにその偏光状態がポッケル
ス効果により変化し、電気光学材料５０の他方の側部５
５から透過光として出力される。この透過光の偏光状態
の変化を調べることにより、ストリップ線路５２を進行
する電圧パルスｖＰの電圧値を被測定物に何らの影響を
も与えることなく検出することができる。
■Ｐにより、電圧パルス■Ｐが通過するストリップ線路
５２の直下の電気光学材料５０の部分には電界Ｅが加わ
り、その部分の屈折率が変化する。これにより、直線偏
光された光ビームＰＢをストリップ線路５２の長さ方向
軸線Ａ−Ａに対し角度θですなわち長さ方向軸線Ａ−Ａ
に沿った光ビームＰＢの速度成分ｖ ＣＯ８θが電圧パ
ルス■Ｐの速度Ｖｏと同じとなるよう、電気光学材料５
０の一方の側部５４から入射させると、光ビームＰＢは
電圧パルス■Ｐによる屈折率変化に追従して電気光学材
料５０内を通過し、このときにその偏光状態がポッケル
ス効果により変化し、電気光学材料５０の他方の側部５
５から透過光として出力される。この透過光の偏光状態
の変化を調べることにより、ストリップ線路５２を進行
する電圧パルスｖＰの電圧値を被測定物に何らの影響を
も与えることなく検出することができる。
このように、第６図（ａ）乃至（Ｃ）の電圧検出装置で
は、電圧パルス■Ｐの速度ＶＯと同じ速度となるよう光
ビームＰＢを入射させて光ビームＰＢを電圧パルスｖＰ
と相互作用させることにより、光ビームＰＢの偏光状態
の変化から電圧を検出ずることができる。ところで、こ
の種の従来の電圧検出装置では、光ビームＰＢを電気光
学材料５０の一方の側部５４から入射させ他方の側部５
５に透過させていたので、光ビームＰＢと電圧パルス■
Ｐとが相互作用し光ビームＰＢの偏光状態が変化する期
間は、光ビームＰＢがストリップ線路５２を横切る期間
Ｔ、すなわち Ｔ＝Ｗ／ （ＶＳｉｎθ） −−−−−
−（１）に限られる。なお（１）式においてＷはストリ
ップ線路５２の幅、■は電気光学材料５０内での光ビー
ムＰＢの速度である。
は、電圧パルス■Ｐの速度ＶＯと同じ速度となるよう光
ビームＰＢを入射させて光ビームＰＢを電圧パルスｖＰ
と相互作用させることにより、光ビームＰＢの偏光状態
の変化から電圧を検出ずることができる。ところで、こ
の種の従来の電圧検出装置では、光ビームＰＢを電気光
学材料５０の一方の側部５４から入射させ他方の側部５
５に透過させていたので、光ビームＰＢと電圧パルス■
Ｐとが相互作用し光ビームＰＢの偏光状態が変化する期
間は、光ビームＰＢがストリップ線路５２を横切る期間
Ｔ、すなわち Ｔ＝Ｗ／ （ＶＳｉｎθ） −−−−−
−（１）に限られる。なお（１）式においてＷはストリ
ップ線路５２の幅、■は電気光学材料５０内での光ビー
ムＰＢの速度である。
電圧パルスｖＰの電圧値か数キロボルトのオーダである
場合には、期間Ｔが差程大きくなくとも、光ビームＰＢ
の偏光状態は検出しうる程度に変化するが、被測定物５
３からの電圧パルス■Ｐが数キロボルトよりも小さい場
合には、期間Ｔを相当大きくする必要がある。
場合には、期間Ｔが差程大きくなくとも、光ビームＰＢ
の偏光状態は検出しうる程度に変化するが、被測定物５
３からの電圧パルス■Ｐが数キロボルトよりも小さい場
合には、期間Ｔを相当大きくする必要がある。
しかしながら、（１）式かられかるように期間Ｔは、ス
トリップ線路５２の幅Ｗにより定められるので第６図（
ａ）乃至（Ｃ）の電圧検出装置では期間Ｔを相当大きく
して光ビームＰＢの偏光状態を所要量だけ変化させるに
は限度があるという問題があった。
トリップ線路５２の幅Ｗにより定められるので第６図（
ａ）乃至（Ｃ）の電圧検出装置では期間Ｔを相当大きく
して光ビームＰＢの偏光状態を所要量だけ変化させるに
は限度があるという問題があった。
本発明は、電気光学材料内において光ビームの偏光状態
を検出に十分な程度変化させ、電圧パルスの電圧値を精
度良く検出することの可能な電圧検出装置を提供するこ
とを目的としている。
を検出に十分な程度変化させ、電圧パルスの電圧値を精
度良く検出することの可能な電圧検出装置を提供するこ
とを目的としている。
本発明は、被測定物の所定部分の電圧を進行波として進
行させるために電気光学材料の上面に形成されなストリ
ップ線路と、電気光学材料の下面に設けられた電極とを
備えた電圧検出装置を改良するものである。
行させるために電気光学材料の上面に形成されなストリ
ップ線路と、電気光学材料の下面に設けられた電極とを
備えた電圧検出装置を改良するものである。
第１の発明では、ストリップ線路および／または電極に
は直線偏光された光ビームを電気光学材料内に入射させ
電気光学材料からの反射光または透過光を出力させるた
めに透明導電材料か用いられている。
は直線偏光された光ビームを電気光学材料内に入射させ
電気光学材料からの反射光または透過光を出力させるた
めに透明導電材料か用いられている。
第２の発明ではさらに、電気光学材料は、被測定物の所
定部分の電圧によって光ビームの偏光状態の変化が最大
になるような方位に切出されている。
定部分の電圧によって光ビームの偏光状態の変化が最大
になるような方位に切出されている。
本発明では、電気光学材料の上面に形成されたストリッ
プ線路に被測定物の所定部分の電圧を進行波として進行
させる。電圧の進行に伴って電気光学材料内ではストリ
ップ線路直下の部分の屈折率が変化し、このときに直線
偏光された光ビームを例えば透明導電材料からなる電極
から電気光学材料の下面に入射させ、電圧の進行速度す
なわち屈折率変化の進行速度に同調させて光ビームを電
気光学材料内で進行させる。このときに光ビームの偏光
状態は屈折率変化により変化する。光ビームは例えば金
属のストリップ線路で反射されて反射光として透明導電
材料の電極から出力される。
プ線路に被測定物の所定部分の電圧を進行波として進行
させる。電圧の進行に伴って電気光学材料内ではストリ
ップ線路直下の部分の屈折率が変化し、このときに直線
偏光された光ビームを例えば透明導電材料からなる電極
から電気光学材料の下面に入射させ、電圧の進行速度す
なわち屈折率変化の進行速度に同調させて光ビームを電
気光学材料内で進行させる。このときに光ビームの偏光
状態は屈折率変化により変化する。光ビームは例えば金
属のストリップ線路で反射されて反射光として透明導電
材料の電極から出力される。
これにより光ビームの偏光状態は、光ビームが電気光学
材料の下面からストリップ線路に達する問およびストリ
ップ線路で反射されて電気光学材料の下面から出力され
る間、変化する。なお偏光状態の変化をさらに大きくす
るために、電極の一部に反射導電材料を用いて、光ビー
ムを電気光学材料内で複数回反射させるようにしても良
い。
材料の下面からストリップ線路に達する問およびストリ
ップ線路で反射されて電気光学材料の下面から出力され
る間、変化する。なお偏光状態の変化をさらに大きくす
るために、電極の一部に反射導電材料を用いて、光ビー
ムを電気光学材料内で複数回反射させるようにしても良
い。
さらに本発明では、電気光学材料を、被測定物の所定部
分の電圧によって光ビームの偏光状態の変化を最大にさ
せるような方位に、例えば上面および下面が結晶Ｃ軸か
ら５５°傾いた軸線と垂直となるような方位に電気光学
材料を切出す。
分の電圧によって光ビームの偏光状態の変化を最大にさ
せるような方位に、例えば上面および下面が結晶Ｃ軸か
ら５５°傾いた軸線と垂直となるような方位に電気光学
材料を切出す。
これにより、偏光状態の変化を一眉大きくさせることが
できる。
できる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の部分概略断面図で
ある。
ある。
第１図の電圧検出装置では、タンタル酸リチウム（Ｌ
ｉ Ｔ ａ Ｏ３）あるいはニオブ酸リチウム（Ｌ Ｉ
Ｎ ｂ Ｏ３）の電気光学材料１の上面２に、アルミ
ニウムあるいは金のストリップ線路３が設けられ、電気
光学材料１の底面４には透明電極５が形成されている。
ｉ Ｔ ａ Ｏ３）あるいはニオブ酸リチウム（Ｌ Ｉ
Ｎ ｂ Ｏ３）の電気光学材料１の上面２に、アルミ
ニウムあるいは金のストリップ線路３が設けられ、電気
光学材料１の底面４には透明電極５が形成されている。
透明電極５は例えば接地電位Ｑ−
に保持される。
このような構成の電圧検出装置では、第６図（ａ＞乃至
（Ｃ）に示す従来の電圧検出装置と同様にして、ストリ
ップ線＃１３に被測定物、例えば光検出器、の所定部分
を接続して、ストリップ線路３に電圧パルスｖＰを進行
波として速度■。で進行させる。
（Ｃ）に示す従来の電圧検出装置と同様にして、ストリ
ップ線＃１３に被測定物、例えば光検出器、の所定部分
を接続して、ストリップ線路３に電圧パルスｖＰを進行
波として速度■。で進行させる。
これにより、電圧パルス■Ｐが通過するストリップ線路
５２の直下の電気光学材料５０の部分には電界Ｅが加わ
り、その部分の屈折率が変化する。
５２の直下の電気光学材料５０の部分には電界Ｅが加わ
り、その部分の屈折率が変化する。
すなわちこの屈折率変化は、電圧パルス■Ｐの進行に追
従して速度Ｖ。で進行する。
従して速度Ｖ。で進行する。
ところで、第１図の電圧検出装置では、従来の電圧検出
装置と異なり、光ビームＦＢＩを電気光学材料１の側部
からではなく、透明電極５を介して電気光学材料１の底
面４からストリップ線路３の直下の部分にストリップ線
路３へ向けて入射させる。このときの入射角度ψは、ス
トリップ線路３の長さ方向軸線に沿った光ビームの電気
光学材料１内における速度成分ｖ ＣＯ３ψが、電圧パ
ルスｖＰの速度Ｖ。と同じになるように選ばれる。これ
により、電気光学材料１の底面４に入射した光ビームＰ
ＢＩは、電気光学材料１内の屈折率変化の影響を常に受
けて上面２に達し、ストリップ線路３で反射されて、底
面４．透明電極５がら反射光として取出される。電気光
学材料１の底面４がら上面２に達する間およびストリッ
プ線路３で反射されて底面４から出力される間、光ビー
ムＰＢ１の偏光状態は、屈折率の変化に伴ない変化する
。
装置と異なり、光ビームＦＢＩを電気光学材料１の側部
からではなく、透明電極５を介して電気光学材料１の底
面４からストリップ線路３の直下の部分にストリップ線
路３へ向けて入射させる。このときの入射角度ψは、ス
トリップ線路３の長さ方向軸線に沿った光ビームの電気
光学材料１内における速度成分ｖ ＣＯ３ψが、電圧パ
ルスｖＰの速度Ｖ。と同じになるように選ばれる。これ
により、電気光学材料１の底面４に入射した光ビームＰ
ＢＩは、電気光学材料１内の屈折率変化の影響を常に受
けて上面２に達し、ストリップ線路３で反射されて、底
面４．透明電極５がら反射光として取出される。電気光
学材料１の底面４がら上面２に達する間およびストリッ
プ線路３で反射されて底面４から出力される間、光ビー
ムＰＢ１の偏光状態は、屈折率の変化に伴ない変化する
。
すなわち光ビームＰＢＩの偏光状態の変化する期間Ｔ１
は、 Ｔ１＝２Ｈ／ （ｖｓｉｎψ） −旧−（２
）となる。ここでＨは電気光学材料１の厚さである。
は、 Ｔ１＝２Ｈ／ （ｖｓｉｎψ） −旧−（２
）となる。ここでＨは電気光学材料１の厚さである。
（２）式を前述の（１）式と比較する場合、例えば（１
）式のストリップ線路の幅Ｗと（２）式の電気光学材料
の厚さＨが等しく、（１）式の角度θと（２）式の角度
ψか等しい場合、第１図の電圧検出装置では、第６図（
ａ）乃至（Ｃ）の電圧検出装置に比べて２倍だけ偏光状
態が変化することになり、電圧パルス■Ｐの電圧値が差
程大きくなくとも光ビームＦＢＩの偏光状態は検出しう
る程度に変化するので、電圧パルスの電圧値を精度良く
検出することができる。
）式のストリップ線路の幅Ｗと（２）式の電気光学材料
の厚さＨが等しく、（１）式の角度θと（２）式の角度
ψか等しい場合、第１図の電圧検出装置では、第６図（
ａ）乃至（Ｃ）の電圧検出装置に比べて２倍だけ偏光状
態が変化することになり、電圧パルス■Ｐの電圧値が差
程大きくなくとも光ビームＦＢＩの偏光状態は検出しう
る程度に変化するので、電圧パルスの電圧値を精度良く
検出することができる。
第２図乃至第４図は、第１図に示す電圧検出装置の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
なお第２図乃至第４図において第１図と同様の箇所には
同じ符号を付している。第２図では、電気光学材料１の
底面４には、直線偏光された光ビームＰＢ２を入射させ
る部分および偏光状態が所定量だけ変化した反射光を出
力させる部分に透明電極６が形成され、入射した光ビー
ムＰＢ２を電気光学材料１−内で多数回反射させる部分
に金属などの反射鏡７が形成されている。
同じ符号を付している。第２図では、電気光学材料１の
底面４には、直線偏光された光ビームＰＢ２を入射させ
る部分および偏光状態が所定量だけ変化した反射光を出
力させる部分に透明電極６が形成され、入射した光ビー
ムＰＢ２を電気光学材料１−内で多数回反射させる部分
に金属などの反射鏡７が形成されている。
このような構成では、透明電極６から電気光学材料１内
に入射した光ビームＰＢ２は、ストリップ線路３と反射
鏡７とにより、例えばｎ回反射されて透明電極６から反
射光として出力される。これにより、光ビームＰＲ２の
偏光状態の変化する期間′■゛２は、 Ｔ２＝ （ｎ＋１）Ｈ／ （ｖｓｉ’ｎψ） −−−
−−−（３）となり、反射光の偏光状態の変化Ｉを十分
に大きくすることができて、電圧パルス■Ｐの電圧値が
小さなものであっても、電圧値を精度良く検出すること
ができる。
に入射した光ビームＰＢ２は、ストリップ線路３と反射
鏡７とにより、例えばｎ回反射されて透明電極６から反
射光として出力される。これにより、光ビームＰＲ２の
偏光状態の変化する期間′■゛２は、 Ｔ２＝ （ｎ＋１）Ｈ／ （ｖｓｉ’ｎψ） −−−
−−−（３）となり、反射光の偏光状態の変化Ｉを十分
に大きくすることができて、電圧パルス■Ｐの電圧値が
小さなものであっても、電圧値を精度良く検出すること
ができる。
また第３図では、電気光学材料１の上面２には透明のス
トリップ線路８が形成され、電気光学材料１の底面４に
は金属などからなる反射鏡９が設けられている。このよ
うな構成では、第１図の電圧検出装置と反対に、直線偏
光された光ビームＰＢ３を透明のストリップ線路８から
電気光学材料１の上面２に入射させ、反射鏡９で反射さ
せ反射光としてストリップ線路８から取出すようにして
いる。なお第２図のように電気光学材料１内で光ビーム
ＰＢ３を多数回反射させたいときには、ストリップ線路
８の一部を透明導体にし、他の部分をアルミニウムなど
の金属導体にすれば良い。
トリップ線路８が形成され、電気光学材料１の底面４に
は金属などからなる反射鏡９が設けられている。このよ
うな構成では、第１図の電圧検出装置と反対に、直線偏
光された光ビームＰＢ３を透明のストリップ線路８から
電気光学材料１の上面２に入射させ、反射鏡９で反射さ
せ反射光としてストリップ線路８から取出すようにして
いる。なお第２図のように電気光学材料１内で光ビーム
ＰＢ３を多数回反射させたいときには、ストリップ線路
８の一部を透明導体にし、他の部分をアルミニウムなど
の金属導体にすれば良い。
さらに第４図では、電気光学材料１の−１−面２に透明
のストリップ線路８が形成され、下面４に透明電極５が
設けられている。このような構成では、直線偏光された
光ビームＰＢ４を例えば透明のストリップ線路８から電
気光学材料１内に入射させ、透明電極５から透過光とし
て取出すことができる。
のストリップ線路８が形成され、下面４に透明電極５が
設けられている。このような構成では、直線偏光された
光ビームＰＢ４を例えば透明のストリップ線路８から電
気光学材料１内に入射させ、透明電極５から透過光とし
て取出すことができる。
このように透明な導電材料を用いることにより、光ビー
ムを所望の入射パターンで入射させることができて、光
ビームの入射に対する自由度を著しく増加させることか
できる。
ムを所望の入射パターンで入射させることができて、光
ビームの入射に対する自由度を著しく増加させることか
できる。
ところで、第６図（ａ）乃至（Ｃ）に示す従来の電圧検
出装置では第５図（ａ）に示ずように電気光学材料５０
の上面５１および底面がＣ軸と垂直となるよう電気光学
材料５０の切出しを行なっている。
出装置では第５図（ａ）に示ずように電気光学材料５０
の上面５１および底面がＣ軸と垂直となるよう電気光学
材料５０の切出しを行なっている。
」二面５１および底面がＣ軸と垂直となるよう電気光学
材料５０の切出しを行なう場合には、電気光学材料５０
の電気光学定数は確かに大きいが、光ビームを側部５４
から入射させてその偏光状態の変化により電圧を検出し
ようとするときには最良ではなく、半波長電圧が高くな
ることが確認された。
材料５０の切出しを行なう場合には、電気光学材料５０
の電気光学定数は確かに大きいが、光ビームを側部５４
から入射させてその偏光状態の変化により電圧を検出し
ようとするときには最良ではなく、半波長電圧が高くな
ることが確認された。
第５図（ｂ）は、偏光状態の変化を最大にさせるような
電気光学材料の切出しを説明するための図である。第５
図（ｂ）においてタンタル酸リチウム（Ｌ ｉ ＴａＯ
３）あるいはニオブ酸リチウム（Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３
）などの電気光学材料１の」二面２゜底面４が結晶の対
角線Ｂ−Ｂの軸線方向と垂直になるよう切出しを行なう
。この対角１１Ｂ−Ｂの軸線方向は、Ｃ軸に対して５５
°の角度をなしている。このように切出しされた電気光
学材ｆ４１を第２図乃至第４図に示すように用いると、
従来の第６図に示す電気光学材料５０のように上面５１
゜底面がＣ軸と垂直となるよう切出された場合に比べて
、偏光状態の変化を大きくすることができて半波長電圧
を約１７３にすることかできる。これにより被測定物の
所定部分の電圧を一層精度良くかつ感度良く検出するこ
とが可能となる。
電気光学材料の切出しを説明するための図である。第５
図（ｂ）においてタンタル酸リチウム（Ｌ ｉ ＴａＯ
３）あるいはニオブ酸リチウム（Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３
）などの電気光学材料１の」二面２゜底面４が結晶の対
角線Ｂ−Ｂの軸線方向と垂直になるよう切出しを行なう
。この対角１１Ｂ−Ｂの軸線方向は、Ｃ軸に対して５５
°の角度をなしている。このように切出しされた電気光
学材ｆ４１を第２図乃至第４図に示すように用いると、
従来の第６図に示す電気光学材料５０のように上面５１
゜底面がＣ軸と垂直となるよう切出された場合に比べて
、偏光状態の変化を大きくすることができて半波長電圧
を約１７３にすることかできる。これにより被測定物の
所定部分の電圧を一層精度良くかつ感度良く検出するこ
とが可能となる。
なお第１図乃至第５図において、光ビームの入射、反射
、透過に関与しない部分は散乱光を防止するため黒色塗
料で塗布されているのが良い。
、透過に関与しない部分は散乱光を防止するため黒色塗
料で塗布されているのが良い。
以」二に説明したように、第１の発明によれば、ストリ
ップ線路および／または電極に透明導電材料を用いてい
るので、光ビームを電気光学材料の上面または下面から
電気光学材料内に入射させて電気光学材料内における偏
光状態の変化を大きくさせることができて、被測定物の
所定部分の電圧を感度良く検出することかできる。また
第２の発明によれば、電気光学材料は、被測定物の所定
部分の電圧によって光ビームの偏光状態の変化を最大に
させるような方位に切出されているので、電圧を一層感
度良く検出することかできる。
ップ線路および／または電極に透明導電材料を用いてい
るので、光ビームを電気光学材料の上面または下面から
電気光学材料内に入射させて電気光学材料内における偏
光状態の変化を大きくさせることができて、被測定物の
所定部分の電圧を感度良く検出することかできる。また
第２の発明によれば、電気光学材料は、被測定物の所定
部分の電圧によって光ビームの偏光状態の変化を最大に
させるような方位に切出されているので、電圧を一層感
度良く検出することかできる。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の部分概略断面図、
第２図乃至第４図はそれぞれ第１図に示す電圧検出装置
の変形例を示す図、第５図（ａ）は上面および下面がＣ
軸と垂直となるような電気光学材料の従来の切出しを説
明するための図、第５図（ｂ）は光ビームの偏光状態の
変化を最大にするための電気光学材料の切出しを説明す
るための図、第６図（ａ）乃至（Ｃ）はそれぞれ従来の
電圧検出装置の部分概略斜視図、部分概略平面図、部分
概略正面図である。 １・・・電気光学材料、２・・・上面、３．８・・・ス
トリップ線路、４・・・下面、５．６・・・透明電極、
７・・・反射鏡、９・・・電極特許出願人 浜松ポ
トニクス株式会社代理人 弁理士 植 本 雅 治 ＝ １７− 笛 Ｃ，Ｍ 第 ３ 図 第 ４ 図 ンう つ 凶 （ａ） （ｂ）
第２図乃至第４図はそれぞれ第１図に示す電圧検出装置
の変形例を示す図、第５図（ａ）は上面および下面がＣ
軸と垂直となるような電気光学材料の従来の切出しを説
明するための図、第５図（ｂ）は光ビームの偏光状態の
変化を最大にするための電気光学材料の切出しを説明す
るための図、第６図（ａ）乃至（Ｃ）はそれぞれ従来の
電圧検出装置の部分概略斜視図、部分概略平面図、部分
概略正面図である。 １・・・電気光学材料、２・・・上面、３．８・・・ス
トリップ線路、４・・・下面、５．６・・・透明電極、
７・・・反射鏡、９・・・電極特許出願人 浜松ポ
トニクス株式会社代理人 弁理士 植 本 雅 治 ＝ １７− 笛 Ｃ，Ｍ 第 ３ 図 第 ４ 図 ンう つ 凶 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）被測定物の所定部分の電圧によって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
被測定物の所定部分の電圧を進行波として進行させるた
めに前記電気光学材料の上面に形成されたストリップ線
路と、前記電気光学材料の下面に設けられた電極とを備
え、前記ストリップ線路および／または電極には、直線
偏光された光ビームをストリップ線路または電極から電
気光学材料内に入射させ電気光学材料からの反射光また
は透過光をストリップ線路または電極から出力させるた
めに透明導電材料が用いられていることを特徴とする電
圧検出装置。 ２）前記ストリップ線路は金属からなり、前記電気光学
材料の下面に設けられた電極は、一部が透明導電材料で
形成され、他の部分は電気光学材料内に入射する直線偏
光された光ビームを複数回反射させるための反射導電材
料で形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の電圧検出装置。 ３）前記電極は金属からなり、前記ストリップ線路は、
一部が透明導電材料で形成され、他の部分は電気光学材
料内に入射する直線偏光された光ビームを複数回反射さ
せるための反射導電材料で形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の電圧検出装置。 ４）被測定物の所定部分の電圧によつて屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
被測定物の所定部分の電圧を進行波として進行させるた
めに前記電気光学材料の上面に形成されたストリップ線
路と、前記電気光学材料の下面に設けられた電極とを備
え、前記ストリップ線路および／または電極には、直線
偏光された光ビームを電気光学材料内に入射させ電気光
学材料からの反射光または透過光を出力させるために透
明導電材料が用いられ、前記電気光学材料は、被測定物
の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態の変化が
最大になるような方位に切出されていることを特徴とす
る電圧検出装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62144983A JPH0695113B2 (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 電圧検出装置 |
| US07/201,173 US4933628A (en) | 1987-06-10 | 1988-06-02 | Voltage detecting device |
| DE88109231T DE3885006T2 (de) | 1987-06-10 | 1988-06-09 | Spannungsdetektor. |
| EP88109231A EP0294817B1 (en) | 1987-06-10 | 1988-06-09 | Voltage detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62144983A JPH0695113B2 (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308571A true JPS63308571A (ja) | 1988-12-15 |
| JPH0695113B2 JPH0695113B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=15374754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62144983A Expired - Lifetime JPH0695113B2 (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 電圧検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4933628A (ja) |
| EP (1) | EP0294817B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0695113B2 (ja) |
| DE (1) | DE3885006T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08146051A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nec Corp | Ｅｏプローブ |
| JP2014106169A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Osaki Electric Co Ltd | 電位差測定のための電位差計および電位差測定方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4205509A1 (de) * | 1992-02-24 | 1993-08-26 | Mwb Pruefsysteme Gmbh | Verfahren und sensor zum messen von elektrischen spannungen und/oder elektrischen feldstaerken |
| KR100345345B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2002-07-24 | 엘지전자주식회사 | 비접촉식 전기광학 변환장치 및 배열전극검사방법 |
| JP6989852B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2022-02-03 | 横河電機株式会社 | 電界センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161661A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yutaka Ono | Measuring device by use of optical fiber |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH482200A (de) * | 1968-04-23 | 1969-11-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren und Einrichtung zur Messung der zeitlichen Änderung der Feldstärke eines Magnetfeldes |
| US3633996A (en) * | 1970-03-04 | 1972-01-11 | Ibm | Two-dimensional acousto-optic deflection system |
| US4242635A (en) * | 1979-01-26 | 1980-12-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Apparatus and method for integrated circuit test analysis |
| US4355278A (en) * | 1980-08-06 | 1982-10-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for testing and analyzing surface acoustic wave interdigital transducers |
| US4446425A (en) * | 1982-02-12 | 1984-05-01 | The University Of Rochester | Measurement of electrical signals with picosecond resolution |
| US4603293A (en) * | 1984-03-27 | 1986-07-29 | University Of Rochester | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution |
| US4640626A (en) * | 1984-09-13 | 1987-02-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for localizing weak points within an electrical circuit |
| JPS6210410A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-19 | 財団法人 工業技術研究院 | ４サイクルエンジン |
| JPS6221123A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Nec Home Electronics Ltd | 表示装置 |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP62144983A patent/JPH0695113B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-06-02 US US07/201,173 patent/US4933628A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-09 EP EP88109231A patent/EP0294817B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-09 DE DE88109231T patent/DE3885006T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161661A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yutaka Ono | Measuring device by use of optical fiber |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08146051A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Nec Corp | Ｅｏプローブ |
| JP2014106169A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Osaki Electric Co Ltd | 電位差測定のための電位差計および電位差測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3885006T2 (de) | 1994-02-10 |
| JPH0695113B2 (ja) | 1994-11-24 |
| EP0294817B1 (en) | 1993-10-20 |
| EP0294817A3 (en) | 1990-07-25 |
| EP0294817A2 (en) | 1988-12-14 |
| DE3885006D1 (de) | 1993-11-25 |
| US4933628A (en) | 1990-06-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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