JPS63308716A - 垂直薄膜ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
垂直薄膜ヘッド及びその製造方法Info
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- JPS63308716A JPS63308716A JP14567987A JP14567987A JPS63308716A JP S63308716 A JPS63308716 A JP S63308716A JP 14567987 A JP14567987 A JP 14567987A JP 14567987 A JP14567987 A JP 14567987A JP S63308716 A JPS63308716 A JP S63308716A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は垂直薄膜ヘッド及びその製造方法に関し、基板
の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、磁束復帰路とな
る第２の磁性膜、コイル及びこれらを覆う絶縁膜を積層
して形成し、絶縁膜の表面に磁性体を接着した垂直薄膜
ヘッドにおいて、第２の磁性膜の一部を絶縁膜の表面側
に露出させ、第２の磁性膜と磁性体との間に軟磁性膜を
介在させ、この軟磁性膜の媒体対向面側の端部を、第２
の磁性膜の端部よりも前方に突出させることにより、記
録、再生出力特性を向上させることができるようにした
ものである。
の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、磁束復帰路とな
る第２の磁性膜、コイル及びこれらを覆う絶縁膜を積層
して形成し、絶縁膜の表面に磁性体を接着した垂直薄膜
ヘッドにおいて、第２の磁性膜の一部を絶縁膜の表面側
に露出させ、第２の磁性膜と磁性体との間に軟磁性膜を
介在させ、この軟磁性膜の媒体対向面側の端部を、第２
の磁性膜の端部よりも前方に突出させることにより、記
録、再生出力特性を向上させることができるようにした
ものである。
〈従来の技術〉
この種の垂直薄膜ヘッドの先行技術としては、本出願人
が先に提案した特願昭６１−２１２４０２号がある。第
５図はこの先行技術に係る垂直薄膜ヘッドの要部拡大断
面図で、基板Ｉの面上に、薄膜でなる第１の磁性膜２、
第２の磁性膜３、コイル４及びこれらを覆う絶ａ＠を積
層して形成し、絶縁膜５の上に磁性体９を接着剤７で接
着しである。磁性体９は例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト
、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトもしくはパーマロイ等の軟磁
性材料によって構成する。８は矢印ａ方向に走行する垂
直磁気記録媒体である。
が先に提案した特願昭６１−２１２４０２号がある。第
５図はこの先行技術に係る垂直薄膜ヘッドの要部拡大断
面図で、基板Ｉの面上に、薄膜でなる第１の磁性膜２、
第２の磁性膜３、コイル４及びこれらを覆う絶ａ＠を積
層して形成し、絶縁膜５の上に磁性体９を接着剤７で接
着しである。磁性体９は例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト
、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトもしくはパーマロイ等の軟磁
性材料によって構成する。８は矢印ａ方向に走行する垂
直磁気記録媒体である。
上述のように、絶縁膜５の上に磁性体９を備えさせると
、この磁性体９が磁束復帰路となるので、磁気効率が高
くなり、記録、再生出力特性が向上する。例えば、磁性
体９を持たない場合、再生出力は２０μＶｌ）Ｐ程度で
あるが、磁性体９を付与することにより、その約２倍の
４０μＶｌ）＋＋程度の再生出力を得ることができる。
、この磁性体９が磁束復帰路となるので、磁気効率が高
くなり、記録、再生出力特性が向上する。例えば、磁性
体９を持たない場合、再生出力は２０μＶｌ）Ｐ程度で
あるが、磁性体９を付与することにより、その約２倍の
４０μＶｌ）＋＋程度の再生出力を得ることができる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、第５図に示す先行技術では、磁性体９と
絶ｉ［５との間に、両者を接着する接着剤７が必ず介在
するため、この接着剤７による磁気効率の低下を回避す
ることができない。このため、記録、再生出力特性の向
上に限界を生じていた。
絶ｉ［５との間に、両者を接着する接着剤７が必ず介在
するため、この接着剤７による磁気効率の低下を回避す
ることができない。このため、記録、再生出力特性の向
上に限界を生じていた。
く問題点を解決するための手段〉
上述する従来の問題点を解決するため、本発明は、基板
の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、前記第１の磁性
膜に結合され磁束復帰路となる第２の磁性膜、コイル及
びこれらを覆う絶縁膜を積層して形成し、前記絶縁膜の
表面に磁性体を接着した垂直薄膜ヘッドにおいて、前記
第２の磁性膜の一部を前記絶縁膜の表面側に露出させ、
前記第２の磁性膜の露出端面と前記磁性体との間に軟磁
性膜を介在させ、この軟磁性膜の媒体対向面側の端部を
、前記第２の磁性膜の端部よりも前方に突出させたこと
を特徴とする。
の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、前記第１の磁性
膜に結合され磁束復帰路となる第２の磁性膜、コイル及
びこれらを覆う絶縁膜を積層して形成し、前記絶縁膜の
表面に磁性体を接着した垂直薄膜ヘッドにおいて、前記
第２の磁性膜の一部を前記絶縁膜の表面側に露出させ、
前記第２の磁性膜の露出端面と前記磁性体との間に軟磁
性膜を介在させ、この軟磁性膜の媒体対向面側の端部を
、前記第２の磁性膜の端部よりも前方に突出させたこと
を特徴とする。
また、上記した垂直薄膜ヘッドを製造するための本発明
に係る製造方法は、基板の面上に、主磁極となる第１の
第１の磁性膜、前記第１の磁性膜に結合され磁束復帰路
となる第２の磁性膜、コイル及びこれらを覆う絶縁膜を
積層して形成した後、前記絶縁膜の表面を平面研磨して
研磨面に前記第２の磁性膜を露出させ、次に前記第２の
磁性膜の露出面を含む研磨面に軟磁性膜を形成し、次に
研磨面上に磁性体を接着することを特徴とする。
に係る製造方法は、基板の面上に、主磁極となる第１の
第１の磁性膜、前記第１の磁性膜に結合され磁束復帰路
となる第２の磁性膜、コイル及びこれらを覆う絶縁膜を
積層して形成した後、前記絶縁膜の表面を平面研磨して
研磨面に前記第２の磁性膜を露出させ、次に前記第２の
磁性膜の露出面を含む研磨面に軟磁性膜を形成し、次に
研磨面上に磁性体を接着することを特徴とする。
〈作用〉
磁束復帰路を構成する第２の磁性膜の一部を絶縁膜の表
面側に露出させ、その露出端面と磁性体との間に軟磁性
膜を介在させると、磁性体と第２の磁性膜との間に、接
着剤をバイパスするようにして、軟磁性膜による磁気回
路が形成される。このため、磁性体から第１の磁性膜に
至る磁束復帰路の磁気抵抗が著しく低くなり、高い記録
、再生出力特性が得られるようになる。
面側に露出させ、その露出端面と磁性体との間に軟磁性
膜を介在させると、磁性体と第２の磁性膜との間に、接
着剤をバイパスするようにして、軟磁性膜による磁気回
路が形成される。このため、磁性体から第１の磁性膜に
至る磁束復帰路の磁気抵抗が著しく低くなり、高い記録
、再生出力特性が得られるようになる。
また、軟磁性膜の媒体対向面側の端部を、第２の磁性膜
の端部よりも前方に突出させると、記録、再生出力が一
層向上する。これは、磁束復帰路の磁気抵抗が低下する
ことに加えて、軟磁性膜における磁束復帰路の有効面積
が増え、磁気効率が高くなるためと推測される。
の端部よりも前方に突出させると、記録、再生出力が一
層向上する。これは、磁束復帰路の磁気抵抗が低下する
ことに加えて、軟磁性膜における磁束復帰路の有効面積
が増え、磁気効率が高くなるためと推測される。
本発明に係る垂直薄膜ヘッドの製造に当っては、絶縁膜
の表面を平面研磨して研磨面に前記第２の磁性膜を露出
させ、次に前記第２の磁性膜の露出面を含む研磨面に軟
磁性膜を形成する。絶縁膜の平面研磨により、絶縁膜の
表面が第１の磁性膜に対して略平行する平面となる。従
って、絶縁膜の表面に軟磁性膜を形成した場合、軟磁性
膜が第１の磁性膜に対して略平行となる。このため、軟
磁性膜の媒体対向面側の端部を、第２の磁性膜の端部よ
りも前方に突出させた場合でも、軟磁性膜の媒体対向面
側の端部が第１の磁性膜の媒体対向面側の端部に向かっ
てダレることがなくなり、高い記録再生出力が得られ、
しかも、副パルスを発生することのない垂直薄膜ヘッド
が得られる。
の表面を平面研磨して研磨面に前記第２の磁性膜を露出
させ、次に前記第２の磁性膜の露出面を含む研磨面に軟
磁性膜を形成する。絶縁膜の平面研磨により、絶縁膜の
表面が第１の磁性膜に対して略平行する平面となる。従
って、絶縁膜の表面に軟磁性膜を形成した場合、軟磁性
膜が第１の磁性膜に対して略平行となる。このため、軟
磁性膜の媒体対向面側の端部を、第２の磁性膜の端部よ
りも前方に突出させた場合でも、軟磁性膜の媒体対向面
側の端部が第１の磁性膜の媒体対向面側の端部に向かっ
てダレることがなくなり、高い記録再生出力が得られ、
しかも、副パルスを発生することのない垂直薄膜ヘッド
が得られる。
〈実施例〉
第１図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図
で、第５図に示した先行技術と同様に、基板１の面上に
、薄膜でなる第１の磁性膜２、第２の磁性膜３、コイル
４及びこれらを覆う絶縁膜５を積層して形成し、絶縁膜
５の上に磁性体９を接着剤７で接着しである。
で、第５図に示した先行技術と同様に、基板１の面上に
、薄膜でなる第１の磁性膜２、第２の磁性膜３、コイル
４及びこれらを覆う絶縁膜５を積層して形成し、絶縁膜
５の上に磁性体９を接着剤７で接着しである。
基板１、第１の磁性膜２、第２の磁性膜３、コイル４及
び絶縁膜５の材質及び集積化構造等は先にあげた先行技
術の場合とほぼ同様である。例えば、基板１はＡ１２０
３−Ｔｉｃ等のセラミック基板で構成され、第１の磁性
膜２及び第２の磁性膜３はＮｉ−ＦｅまたはＧｏ−Ｚｒ
−Ｎｂ等の軟磁性材料によって形成される。第１の磁性
膜２はスパッタリングによる磁性ｌ１１２１及びメッキ
によって磁性膜２２の２ＦＩ構造となっている。コイル
４は直列に接続されるコイル４１及びコイル４２の２層
巻構造となっており、絶縁膜５はＡｌ２Ｏ５でなる絶縁
膜５１゜５２．５６及びフォトレジスト絶縁膜５３〜５
５によって構成されている。
び絶縁膜５の材質及び集積化構造等は先にあげた先行技
術の場合とほぼ同様である。例えば、基板１はＡ１２０
３−Ｔｉｃ等のセラミック基板で構成され、第１の磁性
膜２及び第２の磁性膜３はＮｉ−ＦｅまたはＧｏ−Ｚｒ
−Ｎｂ等の軟磁性材料によって形成される。第１の磁性
膜２はスパッタリングによる磁性ｌ１１２１及びメッキ
によって磁性膜２２の２ＦＩ構造となっている。コイル
４は直列に接続されるコイル４１及びコイル４２の２層
巻構造となっており、絶縁膜５はＡｌ２Ｏ５でなる絶縁
膜５１゜５２．５６及びフォトレジスト絶縁膜５３〜５
５によって構成されている。
従来と著しく異なる点は、第２の磁性膜３を構成する分
岐路３１の表面３１１を絶縁膜５の表面に露出させ、露
出端面３１１と磁性体９との間に軟磁性［１０を介在さ
せたことである。軟磁性膜１゜はＮｉ−ＦｅまたはＣｏ
−Ｚｒ−Ｎｂ等による薄膜として形成する。
岐路３１の表面３１１を絶縁膜５の表面に露出させ、露
出端面３１１と磁性体９との間に軟磁性［１０を介在さ
せたことである。軟磁性膜１゜はＮｉ−ＦｅまたはＣｏ
−Ｚｒ−Ｎｂ等による薄膜として形成する。
第２図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドにおける第１の磁
性＠２、第２の磁性膜３、コイル４、絶縁膜５、軟磁性
膜１０及び磁性体９の配置を示す平面透視図で、軟磁性
膜１０は一点鎖線で示すように、絶縁膜５の平面積より
小さい点線の面積で、第２の磁性膜３の上に形成する。
性＠２、第２の磁性膜３、コイル４、絶縁膜５、軟磁性
膜１０及び磁性体９の配置を示す平面透視図で、軟磁性
膜１０は一点鎖線で示すように、絶縁膜５の平面積より
小さい点線の面積で、第２の磁性膜３の上に形成する。
そして、軟磁性膜１０の形成領域外にある一点鎖線の領
域に接着剤７を塗布して、磁性体９を接着する。
域に接着剤７を塗布して、磁性体９を接着する。
上記の構成により、磁性体９と第２の磁性膜３を構成す
る分岐路３１との間に、軟磁性膜１０による磁気回路が
形成される。このため、磁性体９から第１の磁性膜２に
至る磁束復帰路の磁気抵抗が低くなり、高い記録、再生
出力特性が得られる。具体的データを上げると、第１図
に示した構造の垂直薄膜ヘッドにおいて、８０〜９０μ
Ｖ１１りの再生出力が得られた。これに対して、第１図
の構造において、磁性膜１０を設けることなく、絶縁膜
５の上に接着剤７を用いて磁性体９を接着した従来の垂
直薄膜ヘッドでは、再生出力が４０μｖｐｐに留まった
。つまり、本発明によれば、単に磁性体９を接着した場
合に比べて、再生出力を２倍強も増大させることができ
るのである。
る分岐路３１との間に、軟磁性膜１０による磁気回路が
形成される。このため、磁性体９から第１の磁性膜２に
至る磁束復帰路の磁気抵抗が低くなり、高い記録、再生
出力特性が得られる。具体的データを上げると、第１図
に示した構造の垂直薄膜ヘッドにおいて、８０〜９０μ
Ｖ１１りの再生出力が得られた。これに対して、第１図
の構造において、磁性膜１０を設けることなく、絶縁膜
５の上に接着剤７を用いて磁性体９を接着した従来の垂
直薄膜ヘッドでは、再生出力が４０μｖｐｐに留まった
。つまり、本発明によれば、単に磁性体９を接着した場
合に比べて、再生出力を２倍強も増大させることができ
るのである。
軟磁性膜１０の媒体対向面側の端部１０ａは、第２の磁
性膜３の分岐路３１の端部３１ａよりも、ギャップｄ１
だけ前方に突出させる。
性膜３の分岐路３１の端部３１ａよりも、ギャップｄ１
だけ前方に突出させる。
上述のように、軟磁性膜１０の媒体対向面側の端部１０
ａを、第２の磁性膜３の端部３１ａよりも前方に突出さ
せると、記録、再生出力が一層向上する。第４図（ａ）
〜（６）は軟磁性膜１ｏの端部１０ａと第１の磁性膜２
の端部２ａとの間のギＶ ”／ブｄ２を、ｄ ２−１
μｍ ｓ ５ μｍ ｓ７μｍ、９μｍ、１９μｍと
したときの各再生出力データである。これらの図から明
らかなように、軟磁性膜１０の端部１０ａを、主磁極と
なる第１の磁性膜２の端部２ａに近づける程、再生出力
が高くなる。従って、軟磁性膜１ｏは端部１゜ａが主磁
極となる第１の磁性膜２の端部２ａにできるだけ近づく
ように、つまり、ギャップｄ２が限りなく零に近くなる
ように形成することが望ましい。
ａを、第２の磁性膜３の端部３１ａよりも前方に突出さ
せると、記録、再生出力が一層向上する。第４図（ａ）
〜（６）は軟磁性膜１ｏの端部１０ａと第１の磁性膜２
の端部２ａとの間のギＶ ”／ブｄ２を、ｄ ２−１
μｍ ｓ ５ μｍ ｓ７μｍ、９μｍ、１９μｍと
したときの各再生出力データである。これらの図から明
らかなように、軟磁性膜１０の端部１０ａを、主磁極と
なる第１の磁性膜２の端部２ａに近づける程、再生出力
が高くなる。従って、軟磁性膜１ｏは端部１゜ａが主磁
極となる第１の磁性膜２の端部２ａにできるだけ近づく
ように、つまり、ギャップｄ２が限りなく零に近くなる
ように形成することが望ましい。
第３図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドの製造方法を示す
図である。
図である。
まず、第３図（ａ）に示すように基板１の面上に、薄膜
でなる第１の磁性膜２、第２の磁性膜３、コイル４及び
これらを覆う絶縁膜５を積層して形成したヘッドピース
を製造する。このようなヘッドピースは良く知られたＩ
Ｃ製造テクノロジーと同様のプロセスによって製造され
る。即ち、基板１の表面にスパッタリングに′よってＡ
ｌ２Ｏ３でなる絶縁膜５１を形成し、絶縁膜５１の上に
スパッタリングによって磁性膜２１を形成した後、磁性
膜２１の上にその先端から少し後退させてメッキによっ
て磁性膜２２を形成し、次に、第１の磁性膜２の表面に
、スパッタリング等によりＡｌ２Ｏ３でなる絶縁膜５２
を形成した後、絶縁膜５２の上に、フォトレジスト絶縁
膜５３、コイル４１、フォトレジスト絶縁膜５４、コイ
ル４２及びフォトレジスト絶縁膜５５を順次形成し、次
に、絶縁膜５５の上にメッキ等の手段によって第２の磁
性膜３を形成した後、第２の磁性膜３の上にＡｌ２Ｏ３
でなる絶縁膜５６をスパッタリングによって形成する。
でなる第１の磁性膜２、第２の磁性膜３、コイル４及び
これらを覆う絶縁膜５を積層して形成したヘッドピース
を製造する。このようなヘッドピースは良く知られたＩ
Ｃ製造テクノロジーと同様のプロセスによって製造され
る。即ち、基板１の表面にスパッタリングに′よってＡ
ｌ２Ｏ３でなる絶縁膜５１を形成し、絶縁膜５１の上に
スパッタリングによって磁性膜２１を形成した後、磁性
膜２１の上にその先端から少し後退させてメッキによっ
て磁性膜２２を形成し、次に、第１の磁性膜２の表面に
、スパッタリング等によりＡｌ２Ｏ３でなる絶縁膜５２
を形成した後、絶縁膜５２の上に、フォトレジスト絶縁
膜５３、コイル４１、フォトレジスト絶縁膜５４、コイ
ル４２及びフォトレジスト絶縁膜５５を順次形成し、次
に、絶縁膜５５の上にメッキ等の手段によって第２の磁
性膜３を形成した後、第２の磁性膜３の上にＡｌ２Ｏ３
でなる絶縁膜５６をスパッタリングによって形成する。
上述のへッドビースに対し、第３図（ａ）に示すように
、絶縁膜５の最外層となっている絶縁膜５８ （Ａ１２
０３膜）を、第２の磁性膜３の分岐路３１の表面３１１
が露出する位置まで研賠する。この平面研磨により絶縁
膜５６の表面及び分岐路３１の表面３１１が第１の磁性
膜２に対して略平行な平面となる。
、絶縁膜５の最外層となっている絶縁膜５８ （Ａ１２
０３膜）を、第２の磁性膜３の分岐路３１の表面３１１
が露出する位置まで研賠する。この平面研磨により絶縁
膜５６の表面及び分岐路３１の表面３１１が第１の磁性
膜２に対して略平行な平面となる。
次に、第３図（ｂ）に示すように、分岐路３１の表面３
１１を含む研磨面に磁性膜１０をスパッタリングによっ
て形成する。分岐路３１１の表面及び絶縁［５６の表面
は平面研磨により第１の磁性膜２に対して略平行する平
面となっているので、軟磁性膜１０は第１の磁性膜２に
対して略平行となる。このため、軟磁性膜１０の媒体対
向面側の端部１０ａを、第２の磁性膜を構成する分岐路
３１の端部３１ａよりも前方に突出させて、第１の磁性
＠２の端部２ａに限りなく近づけた場合でも、軟磁性膜
１０の端部１０ａが、第１の磁性膜の媒体対向面側の端
部に向か）でダレることがなくなる。この結果、記録、
再生出力が高く、しかも副パルスを発生しない垂直薄膜
ヘッドが得られる。
１１を含む研磨面に磁性膜１０をスパッタリングによっ
て形成する。分岐路３１１の表面及び絶縁［５６の表面
は平面研磨により第１の磁性膜２に対して略平行する平
面となっているので、軟磁性膜１０は第１の磁性膜２に
対して略平行となる。このため、軟磁性膜１０の媒体対
向面側の端部１０ａを、第２の磁性膜を構成する分岐路
３１の端部３１ａよりも前方に突出させて、第１の磁性
＠２の端部２ａに限りなく近づけた場合でも、軟磁性膜
１０の端部１０ａが、第１の磁性膜の媒体対向面側の端
部に向か）でダレることがなくなる。この結果、記録、
再生出力が高く、しかも副パルスを発生しない垂直薄膜
ヘッドが得られる。
軟磁性膜１０は第２の磁性膜３と一体化されているから
、軟磁性膜１０を設けずに、第２の磁性膜３の分岐路３
１を第１の磁性膜２の端部２ａの方向に延長して形成し
、第２の磁性膜３自体に軟磁性膜１０と同様の働きを持
たせることも考えられる。しかし、この種の垂直薄膜ヘ
ッドの積層化工程を考慮するとき、第２の磁性膜３は絶
縁膜５６を形成する前に、メッキ等によって形成される
ものであるため、第２の磁性膜３は絶縁膜５５の表面に
沿い、第１の磁性膜２の端部２ａに向′かってダレるよ
うに形成され、副パルスの発生を余儀なくされる。本発
明に係る製造方法によれば、このようなダレの問題を解
決できるのである。
、軟磁性膜１０を設けずに、第２の磁性膜３の分岐路３
１を第１の磁性膜２の端部２ａの方向に延長して形成し
、第２の磁性膜３自体に軟磁性膜１０と同様の働きを持
たせることも考えられる。しかし、この種の垂直薄膜ヘ
ッドの積層化工程を考慮するとき、第２の磁性膜３は絶
縁膜５６を形成する前に、メッキ等によって形成される
ものであるため、第２の磁性膜３は絶縁膜５５の表面に
沿い、第１の磁性膜２の端部２ａに向′かってダレるよ
うに形成され、副パルスの発生を余儀なくされる。本発
明に係る製造方法によれば、このようなダレの問題を解
決できるのである。
最後に、第３図（ｃ）に示すように、軟磁性膜１０のな
い絶縁膜５の表面に接着剤７を塗布し、磁性体９を接着
固定する。これにより、本発明に係る垂直薄膜ヘッドが
完成する。
い絶縁膜５の表面に接着剤７を塗布し、磁性体９を接着
固定する。これにより、本発明に係る垂直薄膜ヘッドが
完成する。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明によれば次のような効果が得
られる。
られる。
（ａ）磁束復帰路を構成する第２の磁性膜の一部を絶縁
膜の表面側に露出させ、その露出端面と磁束復帰路とな
る磁性体との間に軟磁性膜を介在させたことにより、磁
性体から第１の磁性膜に至る磁束復帰路の磁気抵抗が低
く、高い記録、再生出力特性が得られる垂直薄膜ヘッド
を提供できる。
膜の表面側に露出させ、その露出端面と磁束復帰路とな
る磁性体との間に軟磁性膜を介在させたことにより、磁
性体から第１の磁性膜に至る磁束復帰路の磁気抵抗が低
く、高い記録、再生出力特性が得られる垂直薄膜ヘッド
を提供できる。
（ｂ）軟磁性膜の媒体対向面側の端部を、第２の磁性膜
の端部よりも前方に突出させたことにより、記録、再生
出力を一層向上させた垂直薄膜ヘッドを提供することが
できる。
の端部よりも前方に突出させたことにより、記録、再生
出力を一層向上させた垂直薄膜ヘッドを提供することが
できる。
（ｃ）上述の垂直薄膜ヘッドの製造に当って、絶縁膜の
表面を平面研磨して研磨面に前記第２の磁性膜を露出さ
せ、次に前記第２の磁性膜の露出面を含む研磨面に軟磁
性膜を形成するようにしたから、軟磁性膜の媒体対向面
側の端部を、第２の磁性膜の端部よりも前方に突出させ
た場合でも、軟磁性膜の媒体対向面側の端部が第１の磁
性膜の媒体対向面側の端部に向かってダレることがなく
なり、高い記録再生出力が得られ、しかも副パルスを発
生しない垂直薄膜ヘッドを製造できる。
表面を平面研磨して研磨面に前記第２の磁性膜を露出さ
せ、次に前記第２の磁性膜の露出面を含む研磨面に軟磁
性膜を形成するようにしたから、軟磁性膜の媒体対向面
側の端部を、第２の磁性膜の端部よりも前方に突出させ
た場合でも、軟磁性膜の媒体対向面側の端部が第１の磁
性膜の媒体対向面側の端部に向かってダレることがなく
なり、高い記録再生出力が得られ、しかも副パルスを発
生しない垂直薄膜ヘッドを製造できる。
第１図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図
、第２図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドにおける第１の
磁性膜、第２の磁性膜、コイル、絶縁膜、軟磁性膜及び
磁性体の配置を示す平面透視図、第３図（ａ）〜（ｃ）
は同じくその製造工程を示す図、第４図（ａ）〜（ｅ）
は軟磁性膜の端部と第１の磁性膜の端部との間のギャッ
プ間隔を変えたときの各再生出力オシロ波形を示す写真
、第５図は従来の垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図であ
る。 １・・・基板 ２・・・第１の磁性膜３・・・
第２の磁性膜 ４・・・コイル５・・・絶縁膜
７・・・接着剤９・・・磁性体 １０・・・軟磁性
膜第２図 第４図 １１４図 第５２ ■
、第２図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドにおける第１の
磁性膜、第２の磁性膜、コイル、絶縁膜、軟磁性膜及び
磁性体の配置を示す平面透視図、第３図（ａ）〜（ｃ）
は同じくその製造工程を示す図、第４図（ａ）〜（ｅ）
は軟磁性膜の端部と第１の磁性膜の端部との間のギャッ
プ間隔を変えたときの各再生出力オシロ波形を示す写真
、第５図は従来の垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図であ
る。 １・・・基板 ２・・・第１の磁性膜３・・・
第２の磁性膜 ４・・・コイル５・・・絶縁膜
７・・・接着剤９・・・磁性体 １０・・・軟磁性
膜第２図 第４図 １１４図 第５２ ■
Claims (5)
- （１）基板の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、前記
第１の磁性膜に結合され磁束復帰路となる第２の磁性膜
、コイル及びこれらを覆う絶縁膜を積層して形成し、前
記絶縁膜の表面に磁性体を接着した垂直薄膜ヘッドにお
いて、前記第２の磁性膜の一部を前記絶縁膜の表面側に
露出させ、前記第２の磁性膜の露出端面と前記磁性体と
の間に軟磁性膜を介在させ、この軟磁性膜の媒体対向面
側の端部を前記第２の磁性膜の端部よりも前方に突出さ
せたことを特徴とする垂直薄膜ヘッド。 - （２）前記軟磁性膜はＮｉ−ＦｅまたはＣｏ−Ｚｒ−Ｎ
ｂでなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の垂直薄膜ヘッド。 - （３）前記軟磁性膜の媒体対向面側の端部は、前記第２
の磁性膜の媒体対向面側の端部と、前記第１の磁性膜の
媒体対向面側の端部との間に位置させたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項に記載の垂直薄膜
ヘッド。 - （４）基板の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、前記
第１の磁性膜に結合され磁束復帰路となる第２の磁性膜
、コイル及びこれらを覆う絶縁膜を積層して形成した後
、前記絶縁膜の表面を平面研磨して研磨面に前記第２の
磁性膜を露出させ、次に前記第２の磁性膜の露出面を含
む研磨面に軟磁性膜を形成し、次に研磨面上に磁性体を
接着することを特徴とする垂直薄膜ヘッドの製造方法。 - （５）前記軟磁性膜は、スパッタリングによって形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の垂直
薄膜ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14567987A JPS63308716A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 垂直薄膜ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14567987A JPS63308716A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 垂直薄膜ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308716A true JPS63308716A (ja) | 1988-12-16 |
Family
ID=15390581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14567987A Pending JPS63308716A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 垂直薄膜ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308716A (ja) |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP14567987A patent/JPS63308716A/ja active Pending
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