JPS63220406A - 垂直薄膜ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、基板の面上に、生Ｊａ極となる第１の磁性膜
、磁束復帰路となる第２の磁性膜、コイル及びこれらを
覆う絶縁膜を形成し、絶縁膜の表面に磁性体を接着した
垂直薄膜ヘッドに関し、第２の磁性膜の一部を絶縁膜の
表面側に露出させ、第２の磁性膜の露出端面と磁性体と
の間に軟磁性膜を介在させることにより、磁性体から第
２の磁性膜に至る磁束復帰路の磁気抵抗を低下させ、記
録再生出力特性を向上させることができるようにしたも
のである。

従来の技術 この種の垂直薄膜ヘッドとしては、本出願人が先に提案
した特願昭６１−２１２４０２号がある。第３図はこの
先行技術に係る垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図で、基
板１の面上に、薄膜でなる第１の磁性膜２、第２の磁性
膜３′ｇＬびコイル４を形成し、第１の磁性膜２、第２
の磁性膜３及びコイル４を絶縁膜５で覆い、絶縁膜５の
上に磁性体９を接着剤７で接着しである。磁性体９は例
えばＭｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
もしくはパーマロイ等の軟磁性材料によって構成する。

、８は矢、印ａ方向に走行する垂直磁気記録媒体である
。

上述のように、絶縁膜５の上に磁性体９を備えさせると
、この磁性体９が磁束復帰路となるので、磁気効率が高
くなり、記録、再生出力特性が向上する。例えば、磁性
体９を持たない場合、再生出力は２０μｖｐｐ程度であ
るが、磁性体９を付与することにより、その約２倍の４
０μＶ［ｌＩ）程度の再生出力を得ることができる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第３図に示す先行技術では、磁性体９と
絶縁膜５との間に、両者を接着する接着剤７が必ず介在
するため、この接着剤７による磁気効率の低下を回避す
ることができない。このため、記録、再生出力特性の向
上に限界を生じていた。

問題点を解決するための手段 上述する従来の問題点を解決するため、本発明は、基板
の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、前記第１の磁性
膜に結合され磁束復帰路となる第２の磁性膜、コイル及
びこれらを覆う絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の表面に磁
性体を接着した垂直薄膜ヘッドにおいて、前記第２の磁
性膜の一部を前記絶縁膜の表面側に露出させ、前記第２
の磁性膜の露出端面と前記磁性体との間に軟磁性膜を介
在させたことを特徴とする。

作用 磁束復帰路を構成する第２の磁性膜の一部を絶縁膜の表
面側に露出させ、その露出端面と磁性体との間に軟磁性
膜を介在させたことにより、磁性体と第２の磁性膜との
間に、磁性体と絶縁膜との間の接着剤をバイパスするよ
うにして、軟磁性膜による磁気回路が形成される。この
ため、磁性体から第１の磁性膜に至る磁束復帰路の磁気
抵抗が著しく低くなり、高い記録、再生出力特性が得ら
れるようになる。

実施例 第１図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図
である。図示するように、基板１の面上に、薄膜でなる
第１の磁性膜２、第２の磁性膜３及びコイル４を形成し
、第１の″磁性膜２、第２の磁性膜３及びコイル４を絶
縁膜５で覆い、絶縁膜５の上に磁性体９を接着剤７で接
着する点では従来と同様である。

従来と著しく異なる点は、第２の磁性膜３を構成する分
岐路３１の表面３１１を絶縁膜５の表面に露出させ、露
出端面３１１と磁性体９との間に軟磁性膜１０を介在さ
せたことである。軟磁性膜１０はＮｉ−ＦｅまたはＣｏ
−Ｚｒ−Ｎｂ等のスパッタリング薄膜として形成する。

軟磁性膜１０の形成に当っては、第２図（ａ）に示すよ
うに、基板１の面上に、薄膜でなる第１の磁性膜２、第
２の磁性膜３及びコイル４を形成し、第１の磁性膜２、
第２の磁性膜３及びコイル４を絶縁膜５で覆った後、絶
縁膜５を第２の磁性膜３の分岐路３１の表面３１１が露
出する位置まで研磨し、その後、第２図（ｂ）に示すよ
うに、分岐路３１の表面３１１に軟磁性膜１０をスパッ
タリングによって形成する。軟磁性膜１０は分岐路３２
の表面に形成してもよい。

この後、第２図（Ｃ）に示すように、磁性膜１０のない
絶縁膜５の表面に接着剤７を塗布し、磁性体９を接着固
定する。

上記の構成により、磁性体９と第２の磁性膜３を構成す
る分岐路３１との間に、磁性体９と絶縁＠５との間の接
着剤７をバイパスするようにして、軟磁性膜１０による
磁気回路が形成される。

このため、磁性体９から第１の磁性膜２に至る磁束復帰
路の磁気抵抗が低くなり、高い記録、再生出力特性が得
られる。

具体的データを上げると、第１図に示した構造の垂直薄
膜ヘッドにおいて、８０〜９０μＶｌ）ｐの再生出力が
得られた。これに対して、第１図の構造において、軟磁
性膜１０を設けることなく、絶縁膜５の上に接着剤７を
用いて磁性体９を接着した垂直薄膜ヘッドでは、再生出
力が４０μＶｐｐに留まった。つまり、本発明によれば
、車に磁性体９を接着した場合に比べて、再生出力を２
倍強も増大させることができるのである。

基板１、第１の磁性膜２、第２の磁性膜３、コイル４及
び絶縁膜５の材質及び集積化技術は公知である。例えば
基板１はＡｌ２Ｏ，−Ｔｉｃ等のセラミック基板で構成
され、第１の磁性膜２及び第２の磁性膜３はＮｉ−Ｆｅ
またはＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ等の軟磁性材料によって形成さ
れる。また、集積化に当っては、ＩＣ製造テクノロジー
と同様のプロセスがとられる。例えば、基板１の表面に
スパッタリングによってＡｌ２Ｏ３でなる絶縁膜５１を
形成する。この絶縁膜５１の上に、スパッタリングによ
って磁性＠２１を形成した後、磁性膜２１の上にその先
端から少し後退させてメッキによって磁性膜２２を形成
する。これにより、磁性膜２１．２２でなる第１の磁性
膜２が形成される。

第１の磁性膜２の表面には、スパッタリング等によって
Ａｌ２Ｏ３でなる絶縁膜５２を形成し、絶縁膜５２の上
に５フオトレジスト絶縁膜５３、コイル４１、フォトレ
ジスト絶縁膜５４、コイル４２及びフォトレジスト絶縁
膜５５を順次形成する。

そして、絶縁膜５５の上にメッキ等の手段によって第２
の磁性膜３を形成し、第２の磁性膜３の上に＾１２０．
でなる絶縁膜５６をスパッタリングによって形成する。

コイル４は直列に接続されるコイル４１及びコイル４２
の２層巻構造となっており、絶縁膜５はＡ１□０３でな
る絶縁膜５１．５２．５６及びフォトレジスト絶縁膜５
３〜５５によって構成される。

この後、第２の磁性膜３の分岐路３１の表面が露出する
ように、絶縁膜５６の表面を研磨して、分岐路３１の表
面３１１に軟磁性膜１０をスパッタリングによって形成
することは前述した通りである。

発明の効果 以上述べたように、本発明に係る垂直薄膜ヘッドは、基
板の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、前記第１の磁
性膜に結合され磁束復帰路となる第２の磁性膜、コイル
及びこれらを覆う絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の表面に
磁性体を接着した垂直薄膜ヘッドにおいて、前記第２の
磁性膜の一部を前記絶縁膜の表面側に露出させ、前記第
２の磁性膜の露出端面と前記磁性体との間に軟磁性膜を
介在させたことを特徴とするから、磁性体と第２の磁性
膜との間に、磁性体と絶縁膜との間の接着剤をバイパス
するようにして、軟磁性膜による磁気回路を形成し、磁
性体から第１の磁性膜に至る磁束復帰路の磁気抵抗が著
しく低下させ、高い再生出力特性が得られるようにした
垂直薄膜ヘッドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図
、第２図（ａ）〜＜Ｃ）は同じくその製造工程を示す図
、第３図は従来の垂直薄膜ヘッドの要部拡大断面図であ
る。 １・・・基板　　　　　２・・・第１の磁性膜３・・・
第２の磁性膜　４・・・コイル５・・・絶縁膜　　　　
７・・・接着剤９・・・磁性体　　　１０・・・軟磁性
膜第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板の面上に、主磁極となる第１の磁性膜、前記
   第１の磁性膜に結合され磁束復帰路となる第２の磁性膜
   、コイル及びこれらを覆う絶縁膜を形成し、前記絶縁膜
   の表面に磁性体を接着した垂直薄膜ヘッドにおいて、前
   記第２の磁性膜の一部を前記絶縁膜の表面側に露出させ
   、前記第２の磁性膜の露出端面と前記磁性体との間に軟
   磁性膜を介在させたことを特徴とする垂直薄膜ヘッド。
2. （２）前記軟磁性膜は、Ｎｉ−ＦｅまたはＣｏ−Ｚｒ−
   Ｎｂ等でなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載の垂直薄膜ヘッド。