JPS63309583A - Ｘ線を可視光に変換する方法 - Google Patents
Ｘ線を可視光に変換する方法Info
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- JPS63309583A JPS63309583A JP63115959A JP11595988A JPS63309583A JP S63309583 A JPS63309583 A JP S63309583A JP 63115959 A JP63115959 A JP 63115959A JP 11595988 A JP11595988 A JP 11595988A JP S63309583 A JPS63309583 A JP S63309583A
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- Japan
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- phosphor
- range
- formula
- ray
- emission intensity
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線を可視光に変換する方法に関する。
Ｘ線が適切な物質をルミネセンス（発光）させることが
できることは良く知られている。Ｘ線の影響の下でルミ
ネセンスの現象を示す物質は普通リン光体と称される。
できることは良く知られている。Ｘ線の影響の下でルミ
ネセンスの現象を示す物質は普通リン光体と称される。
写真ハロゲン化銀乳剤材料との関係におけるラジオグラ
フの製造のため、これらのリン光体はＸ線変換、スクリ
ーンを形成する自己支持または支持された結合剤層中で
使用される。
フの製造のため、これらのリン光体はＸ線変換、スクリ
ーンを形成する自己支持または支持された結合剤層中で
使用される。
前記スクリーンに使用されるリン光体は発光性であるべ
きであるが、Ｘ線源が切られた後緑めうる長い有効な（
１ｉｖｅｄ ）発光を示してはならない。もしも著しく
長い有効発光を有するリン光体を使用すると、それはＸ
線ビームが止った後もその像を保有し、それと接触され
る新しいフィルムがいわゆるゴーストを得、これは作る
べき次の像を妨害する。この現像は「残光」さして知ら
れている。
きであるが、Ｘ線源が切られた後緑めうる長い有効な（
１ｉｖｅｄ ）発光を示してはならない。もしも著しく
長い有効発光を有するリン光体を使用すると、それはＸ
線ビームが止った後もその像を保有し、それと接触され
る新しいフィルムがいわゆるゴーストを得、これは作る
べき次の像を妨害する。この現像は「残光」さして知ら
れている。
医学Ｘ線診断に有用であるため、増感スクリーンとも称
されるＸ線変換スクリーンに使用されるリン光体は、患
者に対して害のない低いＸ線量で操作者に作業させるこ
とができる明るくかつ強力な発光ができるべきである。
されるＸ線変換スクリーンに使用されるリン光体は、患
者に対して害のない低いＸ線量で操作者に作業させるこ
とができる明るくかつ強力な発光ができるべきである。
そのためにはリン光体はＸ線を効率的に吸収しなければ
ならず、そして吸収されたＸ線を効率的に可視光または
近可視光に変換しなければならない。従って実際的に有
用なリン光体は高いＸ線吸収容量と高いＸ線変換効率の
両方を有すべきである。
ならず、そして吸収されたＸ線を効率的に可視光または
近可視光に変換しなければならない。従って実際的に有
用なリン光体は高いＸ線吸収容量と高いＸ線変換効率の
両方を有すべきである。
医学用Ｘ線変換スクリーンに使用するためのリン光体の
調査はｔｂｓ ｂｕｌｌｓｔｉｎ Ｍｅｄｉｃａ Ｍｕ
ｎｄｉ第２０巻（１９７５年）第１号第１頁〜第２２頁
ニ工−・エル・エヌ・ステベルスニヨって与えられてい
る。
調査はｔｂｓ ｂｕｌｌｓｔｉｎ Ｍｅｄｉｃａ Ｍｕ
ｎｄｉ第２０巻（１９７５年）第１号第１頁〜第２２頁
ニ工−・エル・エヌ・ステベルスニヨって与えられてい
る。
陰極線（電子ビーム）または紫外線を吸収したとき発光
する数千のリン光体材料があるが、このようなリン光体
の光へのＸ線の変換効率については示されていない。
する数千のリン光体材料があるが、このようなリン光体
の光へのＸ線の変換効率については示されていない。
陰極線管（ＣＲＴ ）に用いるため（Ｙｌ−ＸＴｂり３
’５０１２（Ｍ ＝ ｋｌ 、Ｇａ〕ＩＪン光体の利用
は、ソリッド・ステート・コンミニケイションズ第３６
８（１９８０年）第６９１頁〜第６９３頁にディ・ジエ
イ・ロビング、ビー・コツケイン、ビー・レントおよび
ジエイ・エル・グラ−バーによって；ソサイエテイ・フ
ォア・インフォーメーション・ディスプレイ１９８３年
ダイジェスト・オブ・テクニカル・ベーバーズの第１２
２頁〜第１２３頁にビー・アール・クリッチレーおよび
ジエイ−／ｌ／ントにより； Ｉｚｖ、 Ａｋａｄ、５
ＳＳＲＮｅｏｒｇ。
’５０１２（Ｍ ＝ ｋｌ 、Ｇａ〕ＩＪン光体の利用
は、ソリッド・ステート・コンミニケイションズ第３６
８（１９８０年）第６９１頁〜第６９３頁にディ・ジエ
イ・ロビング、ビー・コツケイン、ビー・レントおよび
ジエイ・エル・グラ−バーによって；ソサイエテイ・フ
ォア・インフォーメーション・ディスプレイ１９８３年
ダイジェスト・オブ・テクニカル・ベーバーズの第１２
２頁〜第１２３頁にビー・アール・クリッチレーおよび
ジエイ−／ｌ／ントにより； Ｉｚｖ、 Ａｋａｄ、５
ＳＳＲＮｅｏｒｇ。
ＩＪａｔｅｒ第１２巻（１９７６年）第１４２７頁〜第
１４２９頁にＶ、Ａ、 Ｋｒａｓｎｏｐｅｒｏｖ、ｇ、
Ｔ、 Ｂｅｚｒｕｋ等によって報告されている。更に
米国特許第４１８０４７７号には ＲＥ３−ｘＴｂ、人ｅ５−ｓ”５Ｏ１２（”’２０３）
ｗの組成を有するＣＲ′ｒ！Ｊン光体が記載されている
、この式においてＲ１はＹ、Ｇｄ％ＬｕおよびＢ１の１
種以上であり； ＊ ＝Ｑ 〜５ ； ｗ＝ｏ、０２〜
０．０５およびＸ ＝ ０． Ｏｌ 〜０．５である。
１４２９頁にＶ、Ａ、 Ｋｒａｓｎｏｐｅｒｏｖ、ｇ、
Ｔ、 Ｂｅｚｒｕｋ等によって報告されている。更に
米国特許第４１８０４７７号には ＲＥ３−ｘＴｂ、人ｅ５−ｓ”５Ｏ１２（”’２０３）
ｗの組成を有するＣＲ′ｒ！Ｊン光体が記載されている
、この式においてＲ１はＹ、Ｇｄ％ＬｕおよびＢ１の１
種以上であり； ＊ ＝Ｑ 〜５ ； ｗ＝ｏ、０２〜
０．０５およびＸ ＝ ０． Ｏｌ 〜０．５である。
フランス特許第２５５７１２８号には
Ｙ３Ａ／３ｃＧａ、ｘ０１２ ： Ｔｂの組成を有する
ＣＲＴ リン光体が記載されている。
ＣＲＴ リン光体が記載されている。
英国特許第１６００４９２号には
ＲＥ３−ｘＡｘＡｅ（５−（ｙ＋ｇ）） Ｓｏ、 Ｇａ
ｘ０１２の組成を有するＣＲＴ ＩＪン光体が記載され
ている、式中ＲＢ ｌ；！ Ｙ％ ＧｄおよびＬｕの１
種以上であり、ＡはＴｂまたは（Ｔｂ−）−Ｃｅ）であ
り、Ｑ、 Ｑ ｌ ≦ｘ≦０．５；Ｏ≦ｙ≦２；０≦Ｚ
＜Ｓおよびｌ≦（ｙ＋ｚ）≦５である。
ｘ０１２の組成を有するＣＲＴ ＩＪン光体が記載され
ている、式中ＲＢ ｌ；！ Ｙ％ ＧｄおよびＬｕの１
種以上であり、ＡはＴｂまたは（Ｔｂ−）−Ｃｅ）であ
り、Ｑ、 Ｑ ｌ ≦ｘ≦０．５；Ｏ≦ｙ≦２；０≦Ｚ
＜Ｓおよびｌ≦（ｙ＋ｚ）≦５である。
（Ｙ３−ｘ−ｙ Ｔｂｘ ＲＢｙ ） （Ａｌ１−ｗ
Ｇａｗ ） ”＋２の組成をするＣＲＴ ＩＪン光体が
国際特許第８６１０４３４７号に記載されており、式中
ＲＥはＴｂ以外の４ｆ型稀土類の一つまたはそれ以上で
あり、０．０９ ＜ Ｘ ＜ ０．７および１．５ ＜
Ｗ ＜ ２．５である。
Ｇａｗ ） ”＋２の組成をするＣＲＴ ＩＪン光体が
国際特許第８６１０４３４７号に記載されており、式中
ＲＥはＴｂ以外の４ｆ型稀土類の一つまたはそれ以上で
あり、０．０９ ＜ Ｘ ＜ ０．７および１．５ ＜
Ｗ ＜ ２．５である。
ヨーロッパ特許出願第０２５７１３８号ｉｔ、Ｘ線を可
視光に変換するためテルビウムでドープしたがトリニウ
ムガリウムガーネットリン光体の使用に関するものであ
る。Ｘ線の可視光への変換のため、ガドリニウムを部分
的にまたは完全にＹおよび／またはＬｎで置換し、ガリ
ウムを部分的にｋｇで置換したリン光体組成物の使用に
関しては全く教示がない。
視光に変換するためテルビウムでドープしたがトリニウ
ムガリウムガーネットリン光体の使用に関するものであ
る。Ｘ線の可視光への変換のため、ガドリニウムを部分
的にまたは完全にＹおよび／またはＬｎで置換し、ガリ
ウムを部分的にｋｇで置換したリン光体組成物の使用に
関しては全く教示がない。
本発明の目的は、後述する如きガドリニウムガリウムガ
ーネット化合物である特別のリン光体を用い、禁止的残
光なしにＸ線を非常に効率的に青色および／または緑色
光に変換する方法を提供することにある。
ーネット化合物である特別のリン光体を用い、禁止的残
光なしにＸ線を非常に効率的に青色および／または緑色
光に変換する方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、適切にスペクトル増感したハロゲ
ン化銀乳剤材料と共にラジオグラフィに使用するのに好
適なＸ線変換スクリーンのバインダー中で前記リン光体
を使用することにある。
ン化銀乳剤材料と共にラジオグラフィに使用するのに好
適なＸ線変換スクリーンのバインダー中で前記リン光体
を使用することにある。
本発明の他の目的および利点は以下の説明から明らかに
なるであろう。
なるであろう。
本発明によれば、Ｘ線に露光したとき光を発し、そのス
ペクトルが４７８ガｍ未満の主強度線および／または５
３０〜５７０ ｎｍの主強度線を含有するリン光体を用
いてＸ線を青色光および／または緑色光に変換するため
の方法を提供し、前記リン光体が下記実験式を有するこ
とを特徴とする： （Ｃｄ１−ｗ−ｘ”ｗ”）８−ｙ（”１−ｚＡｅｚ）ｙ
Ｏ１２式中ＬｎはＹおよび／またはＬｕであり；Ａはガ
ドリニウム、プラセオジムおよびルテチウム以外の１種
以上の稀土類元素であり；１．０＞Ｗ２Ｏ；０．１２＞
ｘ＞Ｏ；５．２０＞ｙ＞４．８８であり、２はｏ、 ｓ
＞ ｗ ＞ ｏであるとき０．８６ ＞ Ｚ ＞ Ｏ
の範囲化あり、２は１．０ ＞ Ｗ ＞ ０．５ テあ
るとき０．８〉ｚ〉０の範囲である。
ペクトルが４７８ガｍ未満の主強度線および／または５
３０〜５７０ ｎｍの主強度線を含有するリン光体を用
いてＸ線を青色光および／または緑色光に変換するため
の方法を提供し、前記リン光体が下記実験式を有するこ
とを特徴とする： （Ｃｄ１−ｗ−ｘ”ｗ”）８−ｙ（”１−ｚＡｅｚ）ｙ
Ｏ１２式中ＬｎはＹおよび／またはＬｕであり；Ａはガ
ドリニウム、プラセオジムおよびルテチウム以外の１種
以上の稀土類元素であり；１．０＞Ｗ２Ｏ；０．１２＞
ｘ＞Ｏ；５．２０＞ｙ＞４．８８であり、２はｏ、 ｓ
＞ ｗ ＞ ｏであるとき０．８６ ＞ Ｚ ＞ Ｏ
の範囲化あり、２は１．０ ＞ Ｗ ＞ ０．５ テあ
るとき０．８〉ｚ〉０の範囲である。
本発明により使用するリン光体は、前記実験式を有する
組成初歩なくとも９５％からなるのが好ましく、主たる
不純物または副生成物は未反応ガドリニウム、ガリウム
、アルミニウムおよびＬｎ酸化物およびガーネット結晶
構造を有しないＬｎ −ＡＩ！酸性および／またはＬｎ
−Ｇａ酸化性化合物である。ガーネット構造は磁気気
泡記憶袋ｆｉｌ （ｍａｇｎｅｔｉｏ ｂｕｂｂｌｅ
ｍｅｍｏｒｙ ｄｅｗｉｏｅ ）に使用するのに好適な
Ｇｄ５Ｆ’ｓｓ ０１２（ガドリニウム鉄ガーネット）
化合物としてＰｈ１ｌｉｐｓ Ｔｅｏｈｎ。
組成初歩なくとも９５％からなるのが好ましく、主たる
不純物または副生成物は未反応ガドリニウム、ガリウム
、アルミニウムおよびＬｎ酸化物およびガーネット結晶
構造を有しないＬｎ −ＡＩ！酸性および／またはＬｎ
−Ｇａ酸化性化合物である。ガーネット構造は磁気気
泡記憶袋ｆｉｌ （ｍａｇｎｅｔｉｏ ｂｕｂｂｌｅ
ｍｅｍｏｒｙ ｄｅｗｉｏｅ ）に使用するのに好適な
Ｇｄ５Ｆ’ｓｓ ０１２（ガドリニウム鉄ガーネット）
化合物としてＰｈ１ｌｉｐｓ Ｔｅｏｈｎ。
Ｔｉ ｊｄｓｃｈｒｉｆｔ第４１巻、第２号（１９８３
年）第３５頁に例示されている。
年）第３５頁に例示されている。
好ましい実施態様によれば、ｙは４．９２≧ｙ≧５．１
０の範囲であり、ＬｎはＹであり、Ａは主として（即ち
ドープ剤の少なくとも５０％）３価テルビウムである。
０の範囲であり、ＬｎはＹであり、Ａは主として（即ち
ドープ剤の少なくとも５０％）３価テルビウムである。
Ａが主としてＴｂ３＋である場合において、緑色光への
高ｘ、１変換はＸが０、１２ ＞ Ｘ ＞ ０．０２５
の範囲で得られ、青色光への高Ｘ線変換は０．０６ ＞
１ ＞ ０．００２５の範囲でのＸに対して得られる
。
高ｘ、１変換はＸが０、１２ ＞ Ｘ ＞ ０．０２５
の範囲で得られ、青色光への高Ｘ線変換は０．０６ ＞
１ ＞ ０．００２５の範囲でのＸに対して得られる
。
特に高い緑色光へのＸ線変換はＡがＴｂ３＋であり、ｗ
、ｘ％ ｙおよび２値がそれぞれＯ，Ｓ ＞ −≧０；
０．１０５＞に＞０．０３５ ； ５．１ ６＞ｙ
＞４．９４；０．６≧２≧０．１の範囲を有するとき得
られる。
、ｘ％ ｙおよび２値がそれぞれＯ，Ｓ ＞ −≧０；
０．１０５＞に＞０．０３５ ； ５．１ ６＞ｙ
＞４．９４；０．６≧２≧０．１の範囲を有するとき得
られる。
緑色光への最適のＸ線変換は稀土類元素の全含有量に対
して５〜９原子％のＴｂ”１度で得られ、青色光への最
適Ｘ線変換は０．６〜２原子％のＴｂ３＋濃度で得られ
る。
して５〜９原子％のＴｂ”１度で得られ、青色光への最
適Ｘ線変換は０．６〜２原子％のＴｂ３＋濃度で得られ
る。
テルビウムでドープされ、ガドリニウムが部分的にイツ
トリウムおよび／またはルテチウムで置換され、ガリウ
ムが部分的にアルミニウムで置換された前記ガーネット
リン光体の発光強度は、テルビウムでドープしたがトリ
ニウム、ガリウム、ガーネットリン光体のそれよりすぐ
れており、同様に市販の緑色光発光性テルビウムドープ
したＧｄ２Ｏ２Ｓリン光体のそれよりもすぐれている。
トリウムおよび／またはルテチウムで置換され、ガリウ
ムが部分的にアルミニウムで置換された前記ガーネット
リン光体の発光強度は、テルビウムでドープしたがトリ
ニウム、ガリウム、ガーネットリン光体のそれよりすぐ
れており、同様に市販の緑色光発光性テルビウムドープ
したＧｄ２Ｏ２Ｓリン光体のそれよりもすぐれている。
本発明によるＸ線スクリーンに使用するリン光体は特に
良好な化学的安定性を有し、その発光力は空気中に含有
される酸素および湿分によって実際上低下しない。
良好な化学的安定性を有し、その発光力は空気中に含有
される酸素および湿分によって実際上低下しない。
本発明を添付図面によって説明する：
第１図は、Ｘ線励起を用いたとき実施例２により製造し
たリン光体によって発光した光の相対エネルギー（Ｒ，
！、）対波長（ｎｍ）曲線を表わす。
たリン光体によって発光した光の相対エネルギー（Ｒ，
！、）対波長（ｎｍ）曲線を表わす。
第２図は実施例２〜７によって得た式
％式％
中のＸに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（Ｒ，Ｅ、！、 ）を表わす。
（Ｒ，Ｅ、！、 ）を表わす。
第３図は実施例８〜１３によって得た式％式％
光体中のｙに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光
強度（Ｒ，Ｅ、Ｌ ）を表わす。
強度（Ｒ，Ｅ、Ｌ ）を表わす。
第４図は実施例２，１１および１４〜１７、および比較
例１により得た式（ＧｄＯ，９４ＴｂＯ，０６）ｓ（Ｇ
ａ１−、 Ａｌｚ ）ｓ Ｏ１□を有するリン光体中の
２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ
ｏＥ、 Ｉ、 ）を表わす。
例１により得た式（ＧｄＯ，９４ＴｂＯ，０６）ｓ（Ｇ
ａ１−、 Ａｌｚ ）ｓ Ｏ１□を有するリン光体中の
２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ
ｏＥ、 Ｉ、 ）を表わす。
第５図は実施例２０〜２４および比較例１により得た式
（ＧｄＯ，９４−ｗＹｗ ＴｂＯ，０６）３ Ｇａ５０
１２を有するリン光体中のｗＪこ対する５ ４２ ｎｍ
発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、 １． ）を表わす
。
（ＧｄＯ，９４−ｗＹｗ ＴｂＯ，０６）３ Ｇａ５０
１２を有するリン光体中のｗＪこ対する５ ４２ ｎｍ
発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、 １． ）を表わす
。
第６図は実施例２３および２５〜２９により得た式（Ｙ
Ｏ，８４６ＧｄＯ，０９４Ｔｂｏ、ｏ６）３ （”１−
、 Ａ／２）５０１．２を有するリン光体中の２に対す
る５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、
！、 ）を表わす。
Ｏ，８４６ＧｄＯ，０９４Ｔｂｏ、ｏ６）３ （”１−
、 Ａ／２）５０１．２を有するリン光体中の２に対す
る５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、
！、 ）を表わす。
第７図は実施例１６および３０〜３２により得た式（Ｇ
ｄＯ，９４−ｗＹｗＴｂＯ，０６）３ （ＧａＯ，３Ａ
ｅｏ、ｙ）Ｓ ０１２を有するリン光体中の胃に対する
５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．
）を表わす。
ｄＯ，９４−ｗＹｗＴｂＯ，０６）３ （ＧａＯ，３Ａ
ｅｏ、ｙ）Ｓ ０１２を有するリン光体中の胃に対する
５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．
）を表わす。
第８図は実施例２０．３０および３３〜３５により得た
式（ＧｄＯ，６２６７ＹＱ、３１３３ ”ｂｏ、ｏ６）
：ｌ （Ｇ町−ＺＡｅＺ）Ｓ°１２を有するリン光体中
の２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（
Ｒ，Ｅ、 １． ）を表わす。
式（ＧｄＯ，６２６７ＹＱ、３１３３ ”ｂｏ、ｏ６）
：ｌ （Ｇ町−ＺＡｅＺ）Ｓ°１２を有するリン光体中
の２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（
Ｒ，Ｅ、 １． ）を表わす。
第９図は実施例３６〜４１で得た（ Ｇｄ１−ｘ Ｔｂ
ｘ ）２．８９（”ｏ、ａ Ａ１０．４ ）ａｎ ０＋
２を有するリン光体中のＸに対する５ ４２ ｎｍ発光
帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、Ｉ、）を表わす。
ｘ ）２．８９（”ｏ、ａ Ａ１０．４ ）ａｎ ０＋
２を有するリン光体中のＸに対する５ ４２ ｎｍ発光
帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、Ｉ、）を表わす。
第１０図は実施例４０．４２〜４５および比較例３によ
り得た式（ｃｄＯ，９８Ｔｂｏ、０２ ）２．８９ （
Ｇａ１−Ｚ ＡｅＺ ）ａｎ ”１２を有するリン光体
中の２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（Ｒ，Ｅ、 １． ）を表わす。
り得た式（ｃｄＯ，９８Ｔｂｏ、０２ ）２．８９ （
Ｇａ１−Ｚ ＡｅＺ ）ａｎ ”１２を有するリン光体
中の２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（Ｒ，Ｅ、 １． ）を表わす。
第１１図は、Ｘ線励起を用いたとき実施例４７）により
製造したリン光体によって発光した光の相対エネルギー
（Ｒ，！、 ）対波長（ｎｍ）曲線を表わす。
製造したリン光体によって発光した光の相対エネルギー
（Ｒ，！、 ）対波長（ｎｍ）曲線を表わす。
第１２図は実施例４７〜５３により得た式％式％
光体中のＸに対する３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光
強度（Ｒ，Ｅ、 Ｉ、 ）を表わす。
強度（Ｒ，Ｅ、 Ｉ、 ）を表わす。
第１３図は、実施例３６〜４１により得た式％式％
体の（曲線ｌ）および実施例４７〜５３により得た式（
Ｇｄ１−ｘ ’ｂｘ ）２．９１２ （Ｇａｏ、ａ Ａ
ｅｏ、４ ）＊ｏｓ８０、ｚ を有するリン光体の（曲
線２）半対数プロットでのＸに対する■３８３ヨ／■５
４２ヨ極犬高さ比を表わす。
Ｇｄ１−ｘ ’ｂｘ ）２．９１２ （Ｇａｏ、ａ Ａ
ｅｏ、４ ）＊ｏｓ８０、ｚ を有するリン光体の（曲
線２）半対数プロットでのＸに対する■３８３ヨ／■５
４２ヨ極犬高さ比を表わす。
第１４図は実施例５４〜６２により得た式％式％
光体中のｙに対する３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光
強度（Ｒ，Ｅ、 １．）を表わす。
強度（Ｒ，Ｅ、 １．）を表わす。
第１５図は実施例５９および６３〜６９により得た式（
Ｇｄｏ、９９２Ｔｂｏ、００ｇ ）２Ｊ８ （Ｇａｌ−
２Ａｌ！ｚ）ａｘｚＯｔｚを有するリン光体中の２に対
する３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，！！
、 Ｌ）を表わす。
Ｇｄｏ、９９２Ｔｂｏ、００ｇ ）２Ｊ８ （Ｇａｌ−
２Ａｌ！ｚ）ａｘｚＯｔｚを有するリン光体中の２に対
する３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，！！
、 Ｌ）を表わす。
本発明により使用するためのリン光体化合物の製造は、
乾式または湿式混合法により、焼成中７ラツクスを用い
または用いずに、空気または例えば窒素を含有する不活
性雰囲気の存在下約６００〜約１６００℃の温度での１
回以上の焼成で行うとよい。最後の焼成はＴｂ’＋をＴ
ｂ３＋に変えるため僅かに還元性穿囲気中で生起させる
とよい。
乾式または湿式混合法により、焼成中７ラツクスを用い
または用いずに、空気または例えば窒素を含有する不活
性雰囲気の存在下約６００〜約１６００℃の温度での１
回以上の焼成で行うとよい。最後の焼成はＴｂ’＋をＴ
ｂ３＋に変えるため僅かに還元性穿囲気中で生起させる
とよい。
各成分の有効な混合が重要である。混合される各成分は
異なる形であってよい。ドープ剤とも称される活性剤ま
たは活性剤の混合物は、種々な方法で例えば酸化物とし
て、共沈澱修酸塩として共沈殿水酸化物としてまたはド
ープしたホスト金属酸化物として導入することができる
。
異なる形であってよい。ドープ剤とも称される活性剤ま
たは活性剤の混合物は、種々な方法で例えば酸化物とし
て、共沈澱修酸塩として共沈殿水酸化物としてまたはド
ープしたホスト金属酸化物として導入することができる
。
ホスト金属の一つであるがトリニウムは例えば活性剤ま
たは活性剤群と共に共沈澱修酸塩と導入するとよい。イ
ツトリウムは例えば活性剤または活性剤群と共に共沈澱
修酸塩として、修酸イツトリウムとして、水酸化イツト
リウムとしてまたは酸化イツトリウムとして導入すると
よい。ガリウムは例えば酸化ガリウム、オキシ水酸化ガ
リウム、水酸化ガリウムまたは修酸ガリウムとして導入
するとよい。アルミニウムは例えばα−酸化アルミニウ
ム、Ｔ−酸化アルミニウム、α−およびＴ−酸化アルミ
ニウムの混合物、オキシ水酸化アルミニウム、水酸化ア
ルミニウム、または修酸アルミニウムとして導入すると
よい。
たは活性剤群と共に共沈澱修酸塩と導入するとよい。イ
ツトリウムは例えば活性剤または活性剤群と共に共沈澱
修酸塩として、修酸イツトリウムとして、水酸化イツト
リウムとしてまたは酸化イツトリウムとして導入すると
よい。ガリウムは例えば酸化ガリウム、オキシ水酸化ガ
リウム、水酸化ガリウムまたは修酸ガリウムとして導入
するとよい。アルミニウムは例えばα−酸化アルミニウ
ム、Ｔ−酸化アルミニウム、α−およびＴ−酸化アルミ
ニウムの混合物、オキシ水酸化アルミニウム、水酸化ア
ルミニウム、または修酸アルミニウムとして導入すると
よい。
これらのリン光体の製造に当って酸化物の混合物または
酸化物および修酸塩の混合物を用いて出発するとき、焼
成前の混合は不活性液体例えばエタノールの如き揮発性
液体の存在下に行うのが好ましい。この液体は混合物を
焼成する前に形成されたスラリーから蒸発させる。
酸化物および修酸塩の混合物を用いて出発するとき、焼
成前の混合は不活性液体例えばエタノールの如き揮発性
液体の存在下に行うのが好ましい。この液体は混合物を
焼成する前に形成されたスラリーから蒸発させる。
別々にまたは一緒に用いる下記の４種の混合法が非常に
満足できる結果を生ぜしめる：（１）水酸化アンモニウ
ムを使用した金属水酸化物および相当する金属硝酸塩ま
たは塩化物の共沈殿： （２）スラリーの形でのテｂドープ修酸ガドリニウムま
たは熱分解修酸ガドリニウム；Ｔｂドープ修酸イツトリ
ウムまたは熱分解修酸イツトリウム；Ｇａ０ＯＨまたは
Ｇ Ｃ２ｏ３およびａ −Ａ／２０３の混合二（３）ス
ラリーの形でのＧｄ２Ｏ３；’ｒｂ、ａ、 ； Ｙ２Ｏ
３； Ｇａ０ＯＨまたはＧａ２Ｏ３；およびａ −ｋ１
２０３の混合：（４）焼成中改良された反応性接触を与
えるための７ラツクスと、Ｇｄ２Ｏ３； Ｔｂ、０７
； Ｙ２Ｏ３； Ｇａ０ＯＨまたはＧ〜０３；およびα
−Ａ ／２０．、の混合。
満足できる結果を生ぜしめる：（１）水酸化アンモニウ
ムを使用した金属水酸化物および相当する金属硝酸塩ま
たは塩化物の共沈殿： （２）スラリーの形でのテｂドープ修酸ガドリニウムま
たは熱分解修酸ガドリニウム；Ｔｂドープ修酸イツトリ
ウムまたは熱分解修酸イツトリウム；Ｇａ０ＯＨまたは
Ｇ Ｃ２ｏ３およびａ −Ａ／２０３の混合二（３）ス
ラリーの形でのＧｄ２Ｏ３；’ｒｂ、ａ、 ； Ｙ２Ｏ
３； Ｇａ０ＯＨまたはＧａ２Ｏ３；およびａ −ｋ１
２０３の混合：（４）焼成中改良された反応性接触を与
えるための７ラツクスと、Ｇｄ２Ｏ３； Ｔｂ、０７
； Ｙ２Ｏ３； Ｇａ０ＯＨまたはＧ〜０３；およびα
−Ａ ／２０．、の混合。
焼成に当って使用するのに好ましいフラッグ化合物の中
にはＢａＦｌ 、 ＢａＣｌ！２ 、 Ｋ２Ｓｏ、 、
Ｎａ２５Ｏ，。
にはＢａＦｌ 、 ＢａＣｌ！２ 、 Ｋ２Ｓｏ、 、
Ｎａ２５Ｏ，。
ＬＩＳＯ，、ＫＢｒおよびＬｉＦがある。他のフラック
ス化合物にはＭｇＣｌ、 Ｉ Ａ／Ｆ’、 ｌ ”３
ｔ Ｂ２Ｏ３およびＨ３ＢＯ３がある。
ス化合物にはＭｇＣｌ、 Ｉ Ａ／Ｆ’、 ｌ ”３
ｔ Ｂ２Ｏ３およびＨ３ＢＯ３がある。
詳細な製造法を下記実施例１〜６９に示す。
各試料の結晶構造はＣｕＫα放射線を用い粉末Ｘ線回折
スペクトルでチェックした。
スペクトルでチェックした。
実施例 １
２８２．５９の酸化ガドリニウムおよび１８．５９５７
９の酸化テルビウムを７００ ｍｌの濃硝酸中に加熱し
つつ溶解し、形成された溶液をナイトレートガラスが形
成されるまで蒸発させた。これを２．０７２５ｅの２回
蒸溜した水中に溶解し、撹拌しつつ０．６Ｍ修酸アンモ
ニウム溶液４．７２５１を流加した、そして”１．８８
Ｔｂ０．１２ （Ｃ２Ｏ４）３が沈澱した。これを炉別
し、中性になるまで２回蒸溜した水で洗った。
９の酸化テルビウムを７００ ｍｌの濃硝酸中に加熱し
つつ溶解し、形成された溶液をナイトレートガラスが形
成されるまで蒸発させた。これを２．０７２５ｅの２回
蒸溜した水中に溶解し、撹拌しつつ０．６Ｍ修酸アンモ
ニウム溶液４．７２５１を流加した、そして”１．８８
Ｔｂ０．１２ （Ｃ２Ｏ４）３が沈澱した。これを炉別
し、中性になるまで２回蒸溜した水で洗った。
修酸塩を１５０℃で一夜乾燥した。
収量： Ｇｄ１．８８ ＴｂＯ，１２（Ｃ２Ｏ４）３
・４．４３ Ｈ２Ｏの５３４．７９゜実施例 ２ ９、１４８９４９のＧｄｔ、ａｓ Ｔｂｏ、１２ （Ｃ
２０４）ｓ ・４．４３Ｈ２０（実施例１からの）、２
．１７０４５９のＧａ２Ｏ３および１．１８０６０９の
ａ −Ａ／２０３を、８．６ｍのエタノールの存在下に
遊星型ボールミル中で１５分間混合した。メタ／−ルを
蒸発させた後。
・４．４３ Ｈ２Ｏの５３４．７９゜実施例 ２ ９、１４８９４９のＧｄｔ、ａｓ Ｔｂｏ、１２ （Ｃ
２０４）ｓ ・４．４３Ｈ２０（実施例１からの）、２
．１７０４５９のＧａ２Ｏ３および１．１８０６０９の
ａ −Ａ／２０３を、８．６ｍのエタノールの存在下に
遊星型ボールミル中で１５分間混合した。メタ／−ルを
蒸発させた後。
混合物をチューブ炉中の酸化アルミニウム製坩堝中で３
時間、空気中で１４５０℃で圧縮状態で焼成した。試料
は３００℃／ｈｒの速度で加熱した。冷却後試料を乳鉢
と乳棒で粉砕した。
時間、空気中で１４５０℃で圧縮状態で焼成した。試料
は３００℃／ｈｒの速度で加熱した。冷却後試料を乳鉢
と乳棒で粉砕した。
形成されたリン光体はガドリニウムおよびテルビニウム
の合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有してお
り、Ｘ線回折スペクトルによれば式（”ｏ、＊＊ Ｔｂ
ｏ、０ｇ ）３ （”ｏ、ｓ Ａｅｏ、ｓ ）ｓ ０１
２を有する１００％ガドリニウムガリウムアルミニウム
ガーネットからなっていた。
の合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有してお
り、Ｘ線回折スペクトルによれば式（”ｏ、＊＊ Ｔｂ
ｏ、０ｇ ）３ （”ｏ、ｓ Ａｅｏ、ｓ ）ｓ ０１
２を有する１００％ガドリニウムガリウムアルミニウム
ガーネットからなっていた。
第１図は実施例２により作ったリン光体の相対エネルギ
ー（ＲｌＢ、）対波長（ｎ、、）曲線を表わす。励起は
１００ ｋＶのＸ線で行い、１３９の相対発光強度を観
察した。
ー（ＲｌＢ、）対波長（ｎ、、）曲線を表わす。励起は
１００ ｋＶのＸ線で行い、１３９の相対発光強度を観
察した。
比較例 １
８．４７９５０９のＧｄｔ、ｓｓ ＴｂＯ，１２（Ｃ２
０４）４ ・４．４３Ｈ２０（実施例１からの）および
４．０２１５０９のＧａ２０３を１２．５１ｌＩｌのエ
タノールの存在下に遊星ボールミル中でｌＯ分間混合し
た。かかる４個の混合物を作り、エタノールを蒸発させ
た。これらの混合物を一緒にして同じ酸化アルミニウム
坩堝中で、チューブ炉で３時間１４５０℃の温度で空気
中で焼成した。試料は３００℃／ｈｒの速度で加熱した
。冷却後試料を乳鉢と乳棒で粉砕した。
０４）４ ・４．４３Ｈ２０（実施例１からの）および
４．０２１５０９のＧａ２０３を１２．５１ｌＩｌのエ
タノールの存在下に遊星ボールミル中でｌＯ分間混合し
た。かかる４個の混合物を作り、エタノールを蒸発させ
た。これらの混合物を一緒にして同じ酸化アルミニウム
坩堝中で、チューブ炉で３時間１４５０℃の温度で空気
中で焼成した。試料は３００℃／ｈｒの速度で加熱した
。冷却後試料を乳鉢と乳棒で粉砕した。
形成されたリン光体はガドリニウムおよびテルビウムの
合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有しており
、そのＸ線回折スペクトルにより式（ＧｄＯ，９４Ｔｂ
Ｏ，０６）３ Ｇａ５０１２を有する１００９６ガドリ
ニウムガリウムガーネツトからなっていた。
合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有しており
、そのＸ線回折スペクトルにより式（ＧｄＯ，９４Ｔｂ
Ｏ，０６）３ Ｇａ５０１２を有する１００９６ガドリ
ニウムガリウムガーネツトからなっていた。
１００ ｋＶのＸ線で励起したとき、５４２ ｎｍ帯域
の相対発光強度（Ｒ１，Ｉ） ７５が観察された。
の相対発光強度（Ｒ１，Ｉ） ７５が観察された。
実施例 ３〜７
実施例２に記載した方法に従って、前述した実験式のリ
ン光体（ＡがＴｂであり： ’ ＝ ０： ７＝Ｓ、Ｏ
Ｏ：そしてＸがそれぞれ０．０２；０．０３；０．０９
；０．１０および０．１２である）を作った。
ン光体（ＡがＴｂであり： ’ ＝ ０： ７＝Ｓ、Ｏ
Ｏ：そしてＸがそれぞれ０．０２；０．０３；０．０９
；０．１０および０．１２である）を作った。
５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（ＲｏＩＩ、）を下表
１に示す、なお表１にはｌ３ｓ３ｎｙＨ／ ｌ１１４２
ｎＨ極大高さ比を一緒に示す、これは４７８ ｎｍよ
り上の波長での発光に対する４ ７８ ｎｍ未溝の波長
での発光の測度を与える。
１に示す、なお表１にはｌ３ｓ３ｎｙＨ／ ｌ１１４２
ｎＨ極大高さ比を一緒に示す、これは４７８ ｎｍよ
り上の波長での発光に対する４ ７８ ｎｍ未溝の波長
での発光の測度を与える。
表 １
３ ０．０２ ７Ｂ ０．２５５
４ ０．０３ ７６ ０．１３８
２ ０．０６ ．１３９ ０．０１２
５ ０．０９ １３４ ０．００３
６ ０．１０ ５５ ０．０２３
７ ０．１２ ３６ ０．００５
□１０．０６ ７５ ０．０１７
５４２ ｎｍでのＲ，Ｅ、Ｉ、値は第２図にＸに対して
プロットしである。
プロットしである。
実施例 ８〜１３
実施例２に記載した方法に従って、前述した実験式のリ
ン光体（ＡがＴｂであり、Ｘが０．０６であり、Ｗが０
であり、２が０４であり、ｙがそれぞれ４．９０４ ；
４．９３６ ； ４．９６８ ；５．００；５．０４
および５．０８８である）を作った。
ン光体（ＡがＴｂであり、Ｘが０．０６であり、Ｗが０
であり、２が０４であり、ｙがそれぞれ４．９０４ ；
４．９３６ ； ４．９６８ ；５．００；５．０４
および５．０８８である）を作った。
５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ２Ｈ，！、）を下
表２に示す。
表２に示す。
表 ２
８ ４．９０４ ６５；６９
９ ４．９３６ １００
１０ ４．９６８ １２１
１１ ５．００ １２３
１２ ５．０４ ９３
１３ ５．０８８ ７５
５４２ ｎｍでのＲ，Ｅ、 Ｉ、値を第３図にｙに対し
てプロットしである。
てプロットしである。
実施例 １４〜１７
実施例２に記載した方法に従い、前述した実験式のリン
光体（ＡがＴｂであり、Ｘが０．０６であり、ＷがＯで
あり、ｙが５．００であり、２がそれぞれ０．２ ；
０．６ ； ０．８および１．０である）を作った。
光体（ＡがＴｂであり、Ｘが０．０６であり、ＷがＯで
あり、ｙが５．００であり、２がそれぞれ０．２ ；
０．６ ； ０．８および１．０である）を作った。
下表３に実施例２、実施例１１および比較例１の５４２
ｎｍ帯域での相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．）と共にそ
れらのＲｏＢ、 Ｉを示す。
ｎｍ帯域での相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．）と共にそ
れらのＲｏＢ、 Ｉを示す。
表 ３
比較例 １ ０ ７５１４
０、２ ９２１１ ０．４
１２３２ ０．５
１３９１５ ０．６ １１２１６
０、７ ８４１７
０．８ ４２１Ｂ’ １．０
２５にχ線回折分析によれば、この試料は
Ｃ１ｄＡ（１’ｏ３とＧｄ３Ａｌ！５０．□相の混合物
からなっていた。
０、２ ９２１１ ０．４
１２３２ ０．５
１３９１５ ０．６ １１２１６
０、７ ８４１７
０．８ ４２１Ｂ’ １．０
２５にχ線回折分析によれば、この試料は
Ｃ１ｄＡ（１’ｏ３とＧｄ３Ａｌ！５０．□相の混合物
からなっていた。
５４２ ｎｍでのＲｌＥ、 １．値を第４図に２に対し
てプロットしである。
てプロットしである。
実施例 １９
３１、１８３９０９の酸化イツトリウムおよび３．３６
４６９の酸化テルビウムを３００ ｍｌの濃硝酸中に加
熱しつつ溶解し、形成された溶液をナイトレートガラス
が形成されるまで蒸発させた。これを２回蒸溜した水３
７５１Ｌｔに溶解し、９００ｄの６Ｍ修酸°アンモニウ
ム溶液を撹拌しつつ流加し、そしてＹｌ、８１１ ”０
．１２ （Ｃ２Ｏ４）３を沈澱させた。これを−過によ
って分離し、中性になるまで２回蒸溜した水で洗った。
４６９の酸化テルビウムを３００ ｍｌの濃硝酸中に加
熱しつつ溶解し、形成された溶液をナイトレートガラス
が形成されるまで蒸発させた。これを２回蒸溜した水３
７５１Ｌｔに溶解し、９００ｄの６Ｍ修酸°アンモニウ
ム溶液を撹拌しつつ流加し、そしてＹｌ、８１１ ”０
．１２ （Ｃ２Ｏ４）３を沈澱させた。これを−過によ
って分離し、中性になるまで２回蒸溜した水で洗った。
修酸塩を次いで１５０℃で一夜乾燥した。
収量ニア８．９０９のＹｓ、ｓｓ Ｔｂｏ、１２ （Ｃ
２０４）３ ・３．６１ Ｈ２０実施例 ２０〜２４ 実施例２に記載した方法に従い、前述した実験式のリン
光体（ＡがＴｂであり、ＬｎがＹであり、２がＯであり
、Ｘが０．０６であり、ｙが５．００であり、Ｗがそれ
ぞれＯ；０．３１３３；０．４７；０．６２６６；０．
８４６および０．９４である）を作った。
２０４）３ ・３．６１ Ｈ２０実施例 ２０〜２４ 実施例２に記載した方法に従い、前述した実験式のリン
光体（ＡがＴｂであり、ＬｎがＹであり、２がＯであり
、Ｘが０．０６であり、ｙが５．００であり、Ｗがそれ
ぞれＯ；０．３１３３；０．４７；０．６２６６；０．
８４６および０．９４である）を作った。
５４２ ｎｍ帯域での相対発光強度（ＲＪ、Ｌ）を比較
例１のそれと共に下表４−こ示す。
例１のそれと共に下表４−こ示す。
表 ４
実施例＆ １１ ５４２ ｎｍでのＲｏＥ
、 Ｉ。
、 Ｉ。
比較例１ ０．０ ７５２０ ０．３
１３３ ９２ ２１ ０．４７ ９７ ２２ ０．６２６６ ８１ ２３ ０．８４６ ７４ ２４ ０．９４ ７４ ５４２ ｎｍでのＲｌＥ、 １．値を第５図に胃に対し
てプロットしである。
１３３ ９２ ２１ ０．４７ ９７ ２２ ０．６２６６ ８１ ２３ ０．８４６ ７４ ２４ ０．９４ ７４ ５４２ ｎｍでのＲｌＥ、 １．値を第５図に胃に対し
てプロットしである。
実施例 ２５〜２９
実施例２に記載した方法に従い、前述した実験式のリン
光体（ＡがＴｂであり、ＬｎがＹであり、Ｘが０．０６
であり、ｙが５．００であり、Ｗが０．８６４であり、
２がそれぞれ０．１；０．４；０．６；０．８および１
．０である）を作った。
光体（ＡがＴｂであり、ＬｎがＹであり、Ｘが０．０６
であり、ｙが５．００であり、Ｗが０．８６４であり、
２がそれぞれ０．１；０．４；０．６；０．８および１
．０である）を作った。
５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（ＲｌＥ、Ｉ、）を実
施例２３のそれと共に下表５に示す。
施例２３のそれと共に下表５に示す。
表 ５
２３ ０．０ ７４
２５ ０．１ １０３
２６ ０．４ １１３
２７ ０．６ ９５
２８ ０．８ ４２
２９ １．０ ２５
５４２ ｎｍでのＲ，ｌ、 Ｉ、値を第６図に２に対し
てプロットしである。
てプロットしである。
実施例 ３０〜３２
実施例２に記載した方法に従い、前述した実験式のリン
光体（ＡがＴｂであり、ＬｎがＹであり、Ｘが０．０６
であり、ｙが５．００であり、２が０．７であり、Ｗが
それぞれＯ；０．３１３３；０．４７；０．６２６６お
よび０．９４である）を作った。
光体（ＡがＴｂであり、ＬｎがＹであり、Ｘが０．０６
であり、ｙが５．００であり、２が０．７であり、Ｗが
それぞれＯ；０．３１３３；０．４７；０．６２６６お
よび０．９４である）を作った。
５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｒｔ、 １．）
を実施例１６のそれと共に下表６に示す。
を実施例１６のそれと共に下表６に示す。
表 ６
１８ ０．０ ８４
３０ ０．３１３３ １１６
３１ ０．６２６６ ６０
３２ ０．９４ ６７
５４２ ｎｍでの相対発光強度（Ｒ，Ｂ、Ｉ、）を第７
図にＷに対してプロットしである。
図にＷに対してプロットしである。
実施例 ３３〜３５
実施例２に記載した方法に従い、前述した実験式のリン
光体（Ａがテｂであり、ＬｎがＹであり、Ｘが０．０６
であり、ｙが５．００であり、Ｗが０．３１３３であり
、２がそれぞれ０．３；０．８および０．９である）を
作った。
光体（Ａがテｂであり、ＬｎがＹであり、Ｘが０．０６
であり、ｙが５．００であり、Ｗが０．３１３３であり
、２がそれぞれ０．３；０．８および０．９である）を
作った。
５４２ ｎｍでの相対発光強度（ＲｏＥ、 ！、）を実
施例２０および３０のそれと共に下表７に示す。
施例２０および３０のそれと共に下表７に示す。
表 ７
２０ ０．０ ９２
３３ ０．３ １９２
３０ ０．７ ８２
３４ ０．８ ８２
３５ ０．９ ２４
５４２ ｎｍでのＲ，ｌｉ、１．値を第８図に２に対シ
テプロットしである。
テプロットしである。
実施例 ３６
３、８３６２９の酸化がトリニウム（水５．８重量％含
有）、０．２５５３９の酸化テルビウム（水４．６重量
％含有）、２．１０９２９の酸化ガリウムおよび０．７
６６６９のα−酸化アルミニウムを、７．５−のエタノ
ールの存在下に遊星ボールミル中で１５分間混合した。
有）、０．２５５３９の酸化テルビウム（水４．６重量
％含有）、２．１０９２９の酸化ガリウムおよび０．７
６６６９のα−酸化アルミニウムを、７．５−のエタノ
ールの存在下に遊星ボールミル中で１５分間混合した。
エタノールを蒸発させた後、混合物をチューブ炉中で、
酸化アルミニウム坩堝中で３時間空気中で１５５０℃で
圧縮状態で焼成した。試料は３００℃／ｈｒの速度で加
熱した。冷却後試料を乳棒と乳鉢で粉砕した。
酸化アルミニウム坩堝中で３時間空気中で１５５０℃で
圧縮状態で焼成した。試料は３００℃／ｈｒの速度で加
熱した。冷却後試料を乳棒と乳鉢で粉砕した。
形成されたリン光体はガドリニウムおよびテルビウムの
合計含有量に対して、テルビウム６原子％を含有し、Ｘ
線回折分析によれば式（％式％ トからなっていた。１００ ｋｌ／ｐのＸ線で励起した
とき、５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、 Ｉ
、 ）９８が観察された。
合計含有量に対して、テルビウム６原子％を含有し、Ｘ
線回折分析によれば式（％式％ トからなっていた。１００ ｋｌ／ｐのＸ線で励起した
とき、５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、 Ｉ
、 ）９８が観察された。
比較例 ２
５．１１１３１９の酸化ガドリニウム（水５，８重量％
含有）、０．３３６７３ ｇの酸化テルビウム（水４．
６重量％含有）および４．６８７４９の酸化ガリウムを
、１２．５＋＋／のエタノールの存在下に遊星ボールミ
ル中で１０分間混合した。エタノールを蒸発させた後、
混合物を圧縮状態で、チューブ炉中の酸化アルミニウム
坩堝中で空気中で３時間１５５０℃で焼成した。試料は
３００℃／ｂｒの速度で加熱した。冷却後試料を乳棒と
乳鉢で粉砕した。
含有）、０．３３６７３ ｇの酸化テルビウム（水４．
６重量％含有）および４．６８７４９の酸化ガリウムを
、１２．５＋＋／のエタノールの存在下に遊星ボールミ
ル中で１０分間混合した。エタノールを蒸発させた後、
混合物を圧縮状態で、チューブ炉中の酸化アルミニウム
坩堝中で空気中で３時間１５５０℃で焼成した。試料は
３００℃／ｂｒの速度で加熱した。冷却後試料を乳棒と
乳鉢で粉砕した。
形成されたリン光体はガドリニウムおよびテルビウムの
合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有し、Ｘ線
回折によれば式（ＧｄＯＪ４ ＴｂＯ，０６）２Ｊ１１
”１１１０１２を有する１００％がトリニウムガリウム
ガーネットからなっていた。ｌ ＯＯｋＶｐのＸ線で励
起したとき、５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ
、１．） ３４が観察された。
合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有し、Ｘ線
回折によれば式（ＧｄＯＪ４ ＴｂＯ，０６）２Ｊ１１
”１１１０１２を有する１００％がトリニウムガリウム
ガーネットからなっていた。ｌ ＯＯｋＶｐのＸ線で励
起したとき、５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ
、１．） ３４が観察された。
実施例 ３７〜４１
実施例３６に記載した方法に従い、前述した実験式のリ
ン光体（ＡがＴｂであり、Ｗが０であり、ｙが５．１１
であり、窓が０．４であり、Ｘがそれぞれ０．００１
；０．００５；０．０１ ；０．０２および０．０４で
ある）を作った。
ン光体（ＡがＴｂであり、Ｗが０であり、ｙが５．１１
であり、窓が０．４であり、Ｘがそれぞれ０．００１
；０．００５；０．０１ ；０．０２および０．０４で
ある）を作った。
５４２ガｍ帯域での相対発光強度（ＲＪ、Ｉ、）を実施
例３６のそれと共に下表８に示す、また表８には工３８
３ヨ／Ｉ５４□ｎｍ極大高さ比を共に示す、これは４７
８ ｎｍより下の波長での発光と４７８ｎｍより上のそ
れに対する測度を与える。
例３６のそれと共に下表８に示す、また表８には工３８
３ヨ／Ｉ５４□ｎｍ極大高さ比を共に示す、これは４７
８ ｎｍより下の波長での発光と４７８ｎｍより上のそ
れに対する測度を与える。
表 ８
３７０．００１ １０ ４．５６
３Ｂ ０．００５ １５ ２．５７
３９０．０１０ ３８ １．１７；１．２６４００．０
２０ ６７ ０．５０４ ４１０．０４０ ８Ｂ ０．１２８３６０゜０６０
９８ ０．０５４ ５４２ ｎｍでのＲ，Ｅ、 １．値を第９図にＸに対し
てプロットしである。
２０ ６７ ０．５０４ ４１０．０４０ ８Ｂ ０．１２８３６０゜０６０
９８ ０．０５４ ５４２ ｎｍでのＲ，Ｅ、 １．値を第９図にＸに対し
てプロットしである。
工、８３ヨ／工、４□ヨ極大高さ比対χは第１３図に曲
線１で半対数プロットでプロットしである。
線１で半対数プロットでプロットしである。
比較例 ３
比較例２に記載した方法に従い、式（”０．１１１１Ｔ
ｂ０．０２）２．８９Ｇａｌ １１０１２を有するリン
光体を作った。１００ ｋ’／ｐのＸ線で励起したとき
５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度３１が観察された。
ｂ０．０２）２．８９Ｇａｌ １１０１２を有するリン
光体を作った。１００ ｋ’／ｐのＸ線で励起したとき
５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度３１が観察された。
実施例 ４２〜４５
実施例３６に記載した方法に従い、前述した実験式のリ
ン光体（ＡがＴｂであり、賃が０であリ、ｙが５．１１
であり、Ｘが０．０２であり、２がそれぞれ０．２ ；
０．４ ； ０．６ ； ０．８および１．０である
）を作った。
ン光体（ＡがＴｂであり、賃が０であリ、ｙが５．１１
であり、Ｘが０．０２であり、２がそれぞれ０．２ ；
０．４ ； ０．６ ； ０．８および１．０である
）を作った。
５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（ＲＪ、Ｉ、）を実施
例４０および比較例３のそれと共に下表９に示す。
例４０および比較例３のそれと共に下表９に示す。
表 ９
比較例３ ０ ３１
４２ ０、２ ５０
４０ ０．４ ６７
４３ ０．６ ６２
４４ ０．８ ５０
４５ １．０ ２９ＮＸ線回折分析
によれば、この試料はＧｄＡｌ！０３およびＧｄ５Ａ１
５０１２相の混合物からなっていた。
によれば、この試料はＧｄＡｌ！０３およびＧｄ５Ａ１
５０１２相の混合物からなっていた。
５４２ ｎｍでのＲ，Ｂ、 ！、値を第１０図に２に対
してプロットしである。
してプロットしである。
実施例 ４６
５、２８８９９の酸化がトリニウム（水５．８重量％含
有）、０．３４３７９の酸化テルビウム（水４．６重量
％含有）、３．８５９０８９の酸化ガリウム、０．５１
３００９のα−酸化アルミニウムおよび０．５００６０
９の弗化バリウムを、１０ｄのエタノールの存在下に遊
星ボールミル中で１０分間混合した。エタノールを蒸発
させた後、混合物を圧縮状態で、チューブ炉中で酸化ア
ルミニウム坩堝中で１６時間空気中で１５３０℃で焼成
した。試料は３００℃／ｂｒの速度で加熱した。冷却後
、試料を乳棒および乳鉢で粉砕し。
有）、０．３４３７９の酸化テルビウム（水４．６重量
％含有）、３．８５９０８９の酸化ガリウム、０．５１
３００９のα−酸化アルミニウムおよび０．５００６０
９の弗化バリウムを、１０ｄのエタノールの存在下に遊
星ボールミル中で１０分間混合した。エタノールを蒸発
させた後、混合物を圧縮状態で、チューブ炉中で酸化ア
ルミニウム坩堝中で１６時間空気中で１５３０℃で焼成
した。試料は３００℃／ｂｒの速度で加熱した。冷却後
、試料を乳棒および乳鉢で粉砕し。
１．５Ｎ硝酸で洗って残存Ｂ ａ Ｆ’２を除去し、沖
過し２回蒸溜した水で洗い、次いで乾燥した。
過し２回蒸溜した水で洗い、次いで乾燥した。
形成されたリン光体はガドリニウムおよびテルビウムの
合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有し、Ｘ線
回折分析によれば、式％式％ トからなっていた。１００ ｋＶｐのＸ線で励起したと
き、５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．）
８９が観察された。
合計含有量に対してテルビウム６原子％を含有し、Ｘ線
回折分析によれば、式％式％ トからなっていた。１００ ｋＶｐのＸ線で励起したと
き、５４２ ｎｍ帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．）
８９が観察された。
実施例 ４７
５．８５４３５９の酸化がトリニウム（水５．８重量％
含有）、０．０４２３０９の酸化テルビウム（水４．６
重量％含有）、３．０１２９１９の酸化ガリウムおよび
１．０９３９０９のα−酸化アルミニウムをｌａｇ／の
エタノールの存在下遊星ボールミル中でｌＯ分間混合し
た。エタノールを蒸発させた後、混合物を圧縮状態で、
チューブ炉中で酸化アルミニウム坩堝中で３時間空気中
で１４５０℃で焼成した。試料は３００℃／ ｂｒの速
度で加熱した。冷却後試料を乳鉢と乳棒で粉砕した。
含有）、０．０４２３０９の酸化テルビウム（水４．６
重量％含有）、３．０１２９１９の酸化ガリウムおよび
１．０９３９０９のα−酸化アルミニウムをｌａｇ／の
エタノールの存在下遊星ボールミル中でｌＯ分間混合し
た。エタノールを蒸発させた後、混合物を圧縮状態で、
チューブ炉中で酸化アルミニウム坩堝中で３時間空気中
で１４５０℃で焼成した。試料は３００℃／ ｂｒの速
度で加熱した。冷却後試料を乳鉢と乳棒で粉砕した。
形成されたリン光体はガドリニウムおよびテルビウムの
合計含有量に対してテルビウム０．７原子％を含有し、
Ｘ線回折分析によれば、式％式％ −ネットからなっていた。１００ ｋＶｐのＸ線で励起
したとき、４７８ ｎｍ未満の波長の相対発光強度（Ｒ
，Ｅ、Ｉ、） ５ Ｑを有する青色発光が観察された。
合計含有量に対してテルビウム０．７原子％を含有し、
Ｘ線回折分析によれば、式％式％ −ネットからなっていた。１００ ｋＶｐのＸ線で励起
したとき、４７８ ｎｍ未満の波長の相対発光強度（Ｒ
，Ｅ、Ｉ、） ５ Ｑを有する青色発光が観察された。
第１１図はこのリン光体に対する相対エネルギー（Ｒ０
！、）対波長Ｃｎｍ）曲線を示す。
！、）対波長Ｃｎｍ）曲線を示す。
比較例 ４
５．３１６３０９の酸化ガドリニウム（水５．８重量％
含有）、０．０４３９０９の酸化テルビウム（水４．６
重量％含有）および４．６４０３０９の酸化ガリウムを
、１６ｄのエタノールの存在下に遊星ボールミル中でｌ
Ｏ分間混合した。エタノールを蒸発させた後、混合物を
チューブ炉中で酸化アルミニウム坩堝中で、３時間空気
中で１４５０℃で焼成した。試料を３００℃／ｈｒの速
度で加熱した。冷却後、試料を乳棒と乳鉢で粉砕した。
含有）、０．０４３９０９の酸化テルビウム（水４．６
重量％含有）および４．６４０３０９の酸化ガリウムを
、１６ｄのエタノールの存在下に遊星ボールミル中でｌ
Ｏ分間混合した。エタノールを蒸発させた後、混合物を
チューブ炉中で酸化アルミニウム坩堝中で、３時間空気
中で１４５０℃で焼成した。試料を３００℃／ｈｒの速
度で加熱した。冷却後、試料を乳棒と乳鉢で粉砕した。
形成されたリン光体はガドリニウムおよびテルビウムの
合計含有量に対してテルビウム０．８原子％を含有し、
Ｘ線回折分析によれば式（％式％ ニウムガリウムガーネットからなっていた。
合計含有量に対してテルビウム０．８原子％を含有し、
Ｘ線回折分析によれば式（％式％ ニウムガリウムガーネットからなっていた。
１００ ｋＶｐのＸ線で励起したとき、４７８ ｎｍ未
満の波長で２６の相対発光強度（Ｒ，！１．１．）で、
青色発光が観察された。
満の波長で２６の相対発光強度（Ｒ，！１．１．）で、
青色発光が観察された。
実施例 ４８〜５３
実施例４７１こ記載した方法に従い、前記実験式のリン
光体（Ａがテｂであり、ＷがＯであり、ｙが０．５であ
り、２が５．０８８であり、およびＸがそれぞれ０．０
０１ ； ０．００３ ； ０．００５ ；０．０１お
よび０．０２である）を作った。
光体（Ａがテｂであり、ＷがＯであり、ｙが０．５であ
り、２が５．０８８であり、およびＸがそれぞれ０．０
０１ ； ０．００３ ； ０．００５ ；０．０１お
よび０．０２である）を作った。
４７８ ｎｍ未満の波長の相対発光強度（Ｒ８Ｅ、 Ｉ
、 ）を実施例４７のそれと共に下表１０に示す、また
表１０には１＋ｓ３ｎ、、１／ ｘｓ４２ｆｉｆｉ極大
高さ比を一極大水す、これは４７８ ｎｍ未満の波長（
λ）での発光の４７８ ｎｍより上のそれに対する測度
を与える。
、 ）を実施例４７のそれと共に下表１０に示す、また
表１０には１＋ｓ３ｎ、、１／ ｘｓ４２ｆｉｆｉ極大
高さ比を一極大水す、これは４７８ ｎｍ未満の波長（
λ）での発光の４７８ ｎｍより上のそれに対する測度
を与える。
表１０
４Ｂ ０．００１ １７．０ ６．６８
４９ ０．００３ ２８．５ ５．２８５
０ ０．００５ ３８．３ ３．９２４７
０．００７ ５３．９；６０．３ ３．８０５
１ ０．００Ｂ ５４．３ ３．３５５
２ ０．０１ ５０．０ ２．７４５３
０．０２ ５０．５ １．８７４７８
ｎｍ未満の波長に対するＲ、 Ｅ、Ｉ、値を第１２図
にＸに対してプロットしである。
４９ ０．００３ ２８．５ ５．２８５
０ ０．００５ ３８．３ ３．９２４７
０．００７ ５３．９；６０．３ ３．８０５
１ ０．００Ｂ ５４．３ ３．３５５
２ ０．０１ ５０．０ ２．７４５３
０．０２ ５０．５ １．８７４７８
ｎｍ未満の波長に対するＲ、 Ｅ、Ｉ、値を第１２図
にＸに対してプロットしである。
第１３図の曲線２に、実施例４７〜５３に対する”３８
３．Ｉ７Ｈ／ ■５４２２１ゎ極大高さ比を、半対数プ
ロットでＸに対してプロットしである。実施例３６〜４
１と比較して実施例４７〜５３の４７８ ｎｍ未満の波
長（λ）に対する発光のスペクトル分布における明瞭な
シフトがある。
３．Ｉ７Ｈ／ ■５４２２１ゎ極大高さ比を、半対数プ
ロットでＸに対してプロットしである。実施例３６〜４
１と比較して実施例４７〜５３の４７８ ｎｍ未満の波
長（λ）に対する発光のスペクトル分布における明瞭な
シフトがある。
実施例 ５４〜６２
実施例４７に記載した方法に従い、前述した実験式のリ
ン光体（ＡがＴｂであり、Ｗが０であり、Ｘがｏ、 ｏ
ｏ ｓであり、２が０５であり、ｙがそれぞれ４．９
０４ ； ４．９３６ ； ４．９６８ ；５．０ ；
５．０４ ； ５．０８８ ； ５．１０８ ； ５
．１２および５．１５である）を作った。
ン光体（ＡがＴｂであり、Ｗが０であり、Ｘがｏ、 ｏ
ｏ ｓであり、２が０５であり、ｙがそれぞれ４．９
０４ ； ４．９３６ ； ４．９６８ ；５．０ ；
５．０４ ； ５．０８８ ； ５．１０８ ； ５
．１２および５．１５である）を作った。
４７８ ｎｍ未満での波長の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１
．）を下表１１に示す。
．）を下表１１に示す。
表１１
５４ ４．９０４ ２４．６５５
４．９３６ ２７．３５６
４．９６８ ２９．６５７
５．０ ３０．６５８
５．０４ ３２．８；３３．３５９
５．０８８ ４６．５６０
５、１０８ ５０．４６１
５．１２ ４７．２６２ ５．
１５ ３６．３ ； ３Ｂ、６４７８
ｎｍ未満の波長に対するＲ、 Ｂ、 １．値は第１４図
にｙに対してプロットしである。
４．９３６ ２７．３５６
４．９６８ ２９．６５７
５．０ ３０．６５８
５．０４ ３２．８；３３．３５９
５．０８８ ４６．５６０
５、１０８ ５０．４６１
５．１２ ４７．２６２ ５．
１５ ３６．３ ； ３Ｂ、６４７８
ｎｍ未満の波長に対するＲ、 Ｂ、 １．値は第１４図
にｙに対してプロットしである。
実施例 ６３〜６９
実施例４７に記載した方法に従い、前述した実験式のリ
ン光体（ＡがＴｂであり、胃が０であり、Ｘがｏ、 ｏ
ｏ ｓであり、ｙが５．１２であり、２がそれぞれ０
．２ ； ０．３ ； ０．４ ； ０．６ ； ０．
７ ；０、８および１０である）を作った。
ン光体（ＡがＴｂであり、胃が０であり、Ｘがｏ、 ｏ
ｏ ｓであり、ｙが５．１２であり、２がそれぞれ０
．２ ； ０．３ ； ０．４ ； ０．６ ； ０．
７ ；０、８および１０である）を作った。
４７８ ｎｍ未満の波長の相対発光強度（ＲｏＥ、Ｅ）
を比較例４および実施例５９のそれと共に下表１２に示
す。
を比較例４および実施例５９のそれと共に下表１２に示
す。
表１２
比較例４ ０．０ ２６６３ ０
．２ ３５．７６４ ０．３
３２．５６５ ０．４ ４８ ５９ ０．５ ４７．２６６ ０
．６ ４４ ６７ ０．７ ２６．７６８ ０
．８ ２２．６６９ １．０
０．７’ＮＸ線回折分析によればこの試料はＧｄ
Ａｅ０３およびＧｄ５Ａｅ５０．２相の混合物からなっ
ていた。
．２ ３５．７６４ ０．３
３２．５６５ ０．４ ４８ ５９ ０．５ ４７．２６６ ０
．６ ４４ ６７ ０．７ ２６．７６８ ０
．８ ２２．６６９ １．０
０．７’ＮＸ線回折分析によればこの試料はＧｄ
Ａｅ０３およびＧｄ５Ａｅ５０．２相の混合物からなっ
ていた。
４７８ ｎｍ未満の波長に対するＲ、 Ｅ、 Ｉ、値を
第１５図に２に対してプロットしである。
第１５図に２に対してプロットしである。
Ｘ線変換スクリーンにおいて、本発明により使用するリ
ン光体は、支持されたまたは自己支持性結合剤層中に分
散した形で存在させる、結合剤は有機重合体またはかか
る重合体の混合物である。
ン光体は、支持されたまたは自己支持性結合剤層中に分
散した形で存在させる、結合剤は有機重合体またはかか
る重合体の混合物である。
本発明によりＸ線変換スクリーンの製造において使用す
るため、リン光体粒子は０．１〜２０μｍの範囲の大き
さが好ましく、１〜１０μｍの範囲が更に好ましい。
るため、リン光体粒子は０．１〜２０μｍの範囲の大き
さが好ましく、１〜１０μｍの範囲が更に好ましい。
粒度は焼成し冷却した後、例えばボールミル中で粉砕す
ることによって調整できる。
ることによって調整できる。
本発明は、本発明によるＸ線変換スクリーンを像に従っ
たＸ線に露光し、これによって発せられた光を、光素子
検知装置、例えば可視光が当ったとき電子を発生する光
陰極、増大した導電率を得る光導電体、または光化学的
検知素子例えば可視像を現像によって形成するための写
真ハロゲン化銀乳剤材料の一部を作る感光性ハロゲン化
銀粒子によって受容するような情報の記録方法を含む。
たＸ線に露光し、これによって発せられた光を、光素子
検知装置、例えば可視光が当ったとき電子を発生する光
陰極、増大した導電率を得る光導電体、または光化学的
検知素子例えば可視像を現像によって形成するための写
真ハロゲン化銀乳剤材料の一部を作る感光性ハロゲン化
銀粒子によって受容するような情報の記録方法を含む。
本発明のスクリーンは約２Ｑ ｋｅＶから１５０ｋｅｌ
／まで広がるＸ線範囲で使用するのに特に好適である。
／まで広がるＸ線範囲で使用するのに特に好適である。
分散した形で前記リン光体を混入する結合剤層を形成す
るのに好適な結合剤は、フィルム形成性有機重合体であ
り、例えばセルロースアセテートブチレート、ポリアル
キル（メタ）アクリレート例えばポリメチルメタクリレ
ート、ポリビニル−ｎ−ブチラール（例えば米国特許第
３０４３７１０号に記載されている如き）、コポリ（ビ
ニルアセテート／ビニルクロライド）およびコポリ（ア
クリロニトリル／ブタジェン／スチレン）またはコポリ
（ビニルクロライド／ビニルアセテート／ビニルアルコ
ール）またはそれらの混合物がある。
るのに好適な結合剤は、フィルム形成性有機重合体であ
り、例えばセルロースアセテートブチレート、ポリアル
キル（メタ）アクリレート例えばポリメチルメタクリレ
ート、ポリビニル−ｎ−ブチラール（例えば米国特許第
３０４３７１０号に記載されている如き）、コポリ（ビ
ニルアセテート／ビニルクロライド）およびコポリ（ア
クリロニトリル／ブタジェン／スチレン）またはコポリ
（ビニルクロライド／ビニルアセテート／ビニルアルコ
ール）またはそれらの混合物がある。
高Ｘ線発光を与えるため、Ｘ線変換スクリーンを形成す
るため最少量の結合剤を使用する、かくするとスクリー
ンの蛍光層が結合剤中に分散されたリン光体粒子から実
質的になる。しかしながら非常に少ない量の結合剤では
脆すぎる層を生ぜしめることがある、従って妥協をしな
ければならない。
るため最少量の結合剤を使用する、かくするとスクリー
ンの蛍光層が結合剤中に分散されたリン光体粒子から実
質的になる。しかしながら非常に少ない量の結合剤では
脆すぎる層を生ぜしめることがある、従って妥協をしな
ければならない。
支持されたリン光体層の厚さは０．０５〜０．５ｎの範
囲であるのが好ましい。
囲であるのが好ましい。
リン光体の被覆率は約３００〜７５０９／ｍ”の範囲で
あるのが好ましい。
あるのが好ましい。
リン光体スクリーンまたは蛍光スクリーンと１ も称さ
れるＸ線変換スクリーンの製造のため、リン光体粒子は
結合剤の溶液に均密に分散させ、次いで支持体上に被覆
し、乾燥する。
れるＸ線変換スクリーンの製造のため、リン光体粒子は
結合剤の溶液に均密に分散させ、次いで支持体上に被覆
し、乾燥する。
本発明のリン光体結合剤層の被覆は、通常の任意の方法
、例えば噴霧、浸漬被覆またはドクターブレード被覆に
よって行うとよい。被覆後、被覆混合物の溶媒は、例え
ば６０℃の空気流中で乾燥することによって蒸発により
除去する。
、例えば噴霧、浸漬被覆またはドクターブレード被覆に
よって行うとよい。被覆後、被覆混合物の溶媒は、例え
ば６０℃の空気流中で乾燥することによって蒸発により
除去する。
リン光体−結合剤組合せの脱気を行うためおよび充填密
度を改良するため超音波処理を適用できる。保護被覆の
任意付与をする前に、充填密度（乾燥被覆ｌ−について
のリン光体の分数）を改良するためリン光体−結合剤層
をカレンダリングしてもよい。
度を改良するため超音波処理を適用できる。保護被覆の
任意付与をする前に、充填密度（乾燥被覆ｌ−について
のリン光体の分数）を改良するためリン光体−結合剤層
をカレンダリングしてもよい。
本発明によるｘｍｃ換スタスクリーン造するに当って、
リン光体−結合剤組成物は広い種類の支持体、例えばカ
ードボードおよびプラスチックフィルム例えばポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に被覆するとよい。本発
明の蛍光スクリーンに使用する支持体は、それに対する
リン光体被覆の接着を改良するため下塗り層で被覆する
とよい。
リン光体−結合剤組成物は広い種類の支持体、例えばカ
ードボードおよびプラスチックフィルム例えばポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に被覆するとよい。本発
明の蛍光スクリーンに使用する支持体は、それに対する
リン光体被覆の接着を改良するため下塗り層で被覆する
とよい。
所望によって、光反射性層をリン光体含有層とその支持
体の間に設け、例えばハロゲン化銀乳剤材料の露光のた
めの光出力を増強させる。かかる光反射性層は結合剤中
に分散させた白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含
有できる、あるいは蒸着金属層、例えば紫外線および青
色光に対して高反射力を有するアルミニウム層から作る
ことができる。
体の間に設け、例えばハロゲン化銀乳剤材料の露光のた
めの光出力を増強させる。かかる光反射性層は結合剤中
に分散させた白色顔料粒子例えば二酸化チタン粒子を含
有できる、あるいは蒸着金属層、例えば紫外線および青
色光に対して高反射力を有するアルミニウム層から作る
ことができる。
本発明によるＸ線変換スクリーンおよび写真ハロゲン化
銀材料からなる像形成系で得られる像鮮鋭性は、蛍光ス
クリーン材料中にスフＩＪ ＋ニング染料と称される蛍
光吸収性染料を混入することによって著しく改良できる
。斜向放射線はスクリーン材料中でより長い通路を有す
るので、直角に衝突する放射線よりも大きな程度にスク
リーニング染料によって減衰せしめられる。
銀材料からなる像形成系で得られる像鮮鋭性は、蛍光ス
クリーン材料中にスフＩＪ ＋ニング染料と称される蛍
光吸収性染料を混入することによって著しく改良できる
。斜向放射線はスクリーン材料中でより長い通路を有す
るので、直角に衝突する放射線よりも大きな程度にスク
リーニング染料によって減衰せしめられる。
ここで使用するスクリーニング染料なる語は、染料（即
ち分子的に分解された形での着色物質）のみならす顔料
を含む。
ち分子的に分解された形での着色物質）のみならす顔料
を含む。
Ｘ線変換スクリーンの支持体から反射される拡散放射線
はリン光体層の下に隣接するスクリーニング染料を含有
する反射防止層で主として減衰できる。
はリン光体層の下に隣接するスクリーニング染料を含有
する反射防止層で主として減衰できる。
スクリーニング染料はスクリーンから除去される必要は
ない、従ってリン光体の発光スペクトルにおける吸収を
する任意の染料または顔料であることができる。例えば
前記反射防止層またはリン光体層中に混入した０、１５
〜０．６０μｍの粒度のカーボンブラック粒子の如き黒
色物質が非常に満足できる結果を生せしめる。
ない、従ってリン光体の発光スペクトルにおける吸収を
する任意の染料または顔料であることができる。例えば
前記反射防止層またはリン光体層中に混入した０、１５
〜０．６０μｍの粒度のカーボンブラック粒子の如き黒
色物質が非常に満足できる結果を生せしめる。
リン光体層に対して、５〜２５μｍの範囲の厚さを有し
、ハロゲン化銀乳剤層に対して写真的に不活性であるフ
ィルム形成性重合体材料を含有する保護層を付与すると
よく、好ましい。
、ハロゲン化銀乳剤層に対して写真的に不活性であるフ
ィルム形成性重合体材料を含有する保護層を付与すると
よく、好ましい。
この目的のために好適な重合体材料には、例えばセルロ
ース誘導体（例えば硝酸セルロース、三酢酸セルロース
、酢酸プロピオン酸セルロース、酢酸酪酸セルロース）
、ポリアミド、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、
ポリビニルクロライド、シリコーン樹脂、ポリ（アクリ
ル酸エステル）およびポリ（メタクリル酸エステル）樹
脂、および弗素化炭化水素樹脂、およびこれらの材料の
混合物を含む。これらの結合剤材料のそれぞれの種々の
ものの代表例には次の樹脂材料：ポリ（メチルメタクリ
レート）、ポリ（ｎ−ブチルメタクリレート）、ポリ（
インブチルメタクリレート）、ｎ−ブチルメタクリレー
トとイソブチルメタクリレートの共重合体。
ース誘導体（例えば硝酸セルロース、三酢酸セルロース
、酢酸プロピオン酸セルロース、酢酸酪酸セルロース）
、ポリアミド、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、
ポリビニルクロライド、シリコーン樹脂、ポリ（アクリ
ル酸エステル）およびポリ（メタクリル酸エステル）樹
脂、および弗素化炭化水素樹脂、およびこれらの材料の
混合物を含む。これらの結合剤材料のそれぞれの種々の
ものの代表例には次の樹脂材料：ポリ（メチルメタクリ
レート）、ポリ（ｎ−ブチルメタクリレート）、ポリ（
インブチルメタクリレート）、ｎ−ブチルメタクリレー
トとイソブチルメタクリレートの共重合体。
ビニリデンフルオライドとへキサスルオロプロピレンの
共重合体、ビニリデンフルオライドとトリフルオロクロ
ロエチレンの共重合体、ビニリデンフルオライドとテト
ラフルオロエチレンの共重合体、ビニリデンフルオライ
ド、ヘキサフルオロプロピレンおよびテトラフルオロエ
チレンの三元重合体、およびポリ（ビニリデンフルオラ
イド）を含む。
共重合体、ビニリデンフルオライドとトリフルオロクロ
ロエチレンの共重合体、ビニリデンフルオライドとテト
ラフルオロエチレンの共重合体、ビニリデンフルオライ
ド、ヘキサフルオロプロピレンおよびテトラフルオロエ
チレンの三元重合体、およびポリ（ビニリデンフルオラ
イド）を含む。
特別の例によれば、保護層は架橋剤および反応性水素原
子を含有する重合体または重合体混合物の酸触媒反応に
よって得られた架橋重合体からなる、この場合の架橋剤
には例えば複数のエーテル化Ｎ−メチロール基を含有す
る有機化合物がある。
子を含有する重合体または重合体混合物の酸触媒反応に
よって得られた架橋重合体からなる、この場合の架橋剤
には例えば複数のエーテル化Ｎ−メチロール基を含有す
る有機化合物がある。
好ましい実施態様によれば、写真ハロゲン化銀乳剤材料
と接触させんとするスクリーンの外面は、公告されたド
イツ特許出願第２６１６０９３号に記載されている如く
鋼上で０．５０より小さい室温（２０℃）での静摩擦係
数を有する固体粒状材料を含有する。
と接触させんとするスクリーンの外面は、公告されたド
イツ特許出願第２６１６０９３号に記載されている如く
鋼上で０．５０より小さい室温（２０℃）での静摩擦係
数を有する固体粒状材料を含有する。
スパークを生ぜしめる電位差の危険を減するためスクリ
ーンに帯電防止物質を付与することができる。例えばス
クリーンをアンティスタット（ＡＮＴＩ −Ｓ’ｌ’Ａ
Ｔ ） ５スプレーで処理する。これは無臭の透明帯電
防止付着を残す。アンティスタットは米国ペンシルバニ
ア州フィラデルフィアのパート・ケミカル・コムパニー
・インコーホレイテッドのブラウン・ラボラトリーズ・
ディビジョンの商品名である。
ーンに帯電防止物質を付与することができる。例えばス
クリーンをアンティスタット（ＡＮＴＩ −Ｓ’ｌ’Ａ
Ｔ ） ５スプレーで処理する。これは無臭の透明帯電
防止付着を残す。アンティスタットは米国ペンシルバニ
ア州フィラデルフィアのパート・ケミカル・コムパニー
・インコーホレイテッドのブラウン・ラボラトリーズ・
ディビジョンの商品名である。
本発明のＸ線変換スクリーンはＸ線変換に使用するため
、上述したリン光体を、他のリン光体粒子例えば青色お
よび／または緑色光発光リン光体、例えば３価テルビウ
ムで活性化したランタン、ガドリニウムまたはルテチウ
ムのオキシサルファイドと組合せて含有してもよい。こ
れらのリン光体の製造は例えば米国特許第３４１８２４
６号、第３４１８２４７号および第３５１５６７５号に
記載されている如くして行う。かかるリン光体を含有す
るＸ線変換スクリーンは米国特許第３７２５７０４号に
記載されている。強力な緑色光発光を有する他のリン光
体は米国特許第３６１７７４３号に記載されており、例
えばＬａ０Ｃｔ： Ｑ、 ０５ ＴｂおよびＬａ０Ｂｒ
＋０．０５ Ｔｂ ：０．００５ Ｃｅがある（この
特許明細書の第２ｂ図および第２ｃ図参照）。
、上述したリン光体を、他のリン光体粒子例えば青色お
よび／または緑色光発光リン光体、例えば３価テルビウ
ムで活性化したランタン、ガドリニウムまたはルテチウ
ムのオキシサルファイドと組合せて含有してもよい。こ
れらのリン光体の製造は例えば米国特許第３４１８２４
６号、第３４１８２４７号および第３５１５６７５号に
記載されている如くして行う。かかるリン光体を含有す
るＸ線変換スクリーンは米国特許第３７２５７０４号に
記載されている。強力な緑色光発光を有する他のリン光
体は米国特許第３６１７７４３号に記載されており、例
えばＬａ０Ｃｔ： Ｑ、 ０５ ＴｂおよびＬａ０Ｂｒ
＋０．０５ Ｔｂ ：０．００５ Ｃｅがある（この
特許明細書の第２ｂ図および第２ｃ図参照）。
ラジオクラフイに特に好適な組合せは、支持体の各面上
に被覆されたハロゲン化銀乳剤層を有する支持体を含む
写真材料および二つの別々のＸ線蛍光スクリーンを含む
、この場合蛍光スクリーンの各々は例えば米国特許第４
１３０４２８号に記載されている如くハロゲン化銀乳剤
層の一つに隣接して配置する。ハロゲン化銀乳剤層は、
４５０〜５７０ ｎｍの波長範囲での光に対してハロゲ
ン化銀が感光性であるような方法でスペクトル増感染料
で増感させる。スペクトル増感させたハロゲン化銀は、
前記米国特許第４１３０４２８号に記載されている如く
、像鮮鋭性の損失および不都合なりロスオーバーを生せ
しめることなく、４ｇ／ｍ３未満の銀量と等しい量で各
ハロゲン化銀乳剤層中に存在させるとよい。特に有用な
Ｘ線記碌法においては、一対の本発明のＸ線像変換スク
リーンをカセット中で使用し、写真ハロゲン化銀乳剤フ
ィルムと直接接触させて置く、このとき両側被覆した乳
剤を、その各側で前記スクリーンの一つと接触させる。
に被覆されたハロゲン化銀乳剤層を有する支持体を含む
写真材料および二つの別々のＸ線蛍光スクリーンを含む
、この場合蛍光スクリーンの各々は例えば米国特許第４
１３０４２８号に記載されている如くハロゲン化銀乳剤
層の一つに隣接して配置する。ハロゲン化銀乳剤層は、
４５０〜５７０ ｎｍの波長範囲での光に対してハロゲ
ン化銀が感光性であるような方法でスペクトル増感染料
で増感させる。スペクトル増感させたハロゲン化銀は、
前記米国特許第４１３０４２８号に記載されている如く
、像鮮鋭性の損失および不都合なりロスオーバーを生せ
しめることなく、４ｇ／ｍ３未満の銀量と等しい量で各
ハロゲン化銀乳剤層中に存在させるとよい。特に有用な
Ｘ線記碌法においては、一対の本発明のＸ線像変換スク
リーンをカセット中で使用し、写真ハロゲン化銀乳剤フ
ィルムと直接接触させて置く、このとき両側被覆した乳
剤を、その各側で前記スクリーンの一つと接触させる。
放射性元素の痕跡を含有する稀土類金属リン光体粒子を
含有するＸ線像変換スクリーンと組合せて使用されるハ
ロゲン化銀フィルム中に現像可能センターの形で極部欠
陥が生ずるのを排除するため、スクリーンは光拡散性層
またはシートを含有するとよく、これらは結合剤媒体中
にランダムに分布したまたはその中に部分的に埋め込ま
れた多くのばらばらの光散乱性容量の物質を含有し、か
かる容量は２０μｍより大きくない平均粒度を有し、前
記層またはシートは、前記リン光体粒子の蛍光がそれを
通って侵入し、スクリーンを出るよう番こ置く。前記物
質を含むスクリーンは米国特許第４１４９０８３号に記
載されている。
含有するＸ線像変換スクリーンと組合せて使用されるハ
ロゲン化銀フィルム中に現像可能センターの形で極部欠
陥が生ずるのを排除するため、スクリーンは光拡散性層
またはシートを含有するとよく、これらは結合剤媒体中
にランダムに分布したまたはその中に部分的に埋め込ま
れた多くのばらばらの光散乱性容量の物質を含有し、か
かる容量は２０μｍより大きくない平均粒度を有し、前
記層またはシートは、前記リン光体粒子の蛍光がそれを
通って侵入し、スクリーンを出るよう番こ置く。前記物
質を含むスクリーンは米国特許第４１４９０８３号に記
載されている。
別の実施態様によれば、本発明によるＸ線像変換スクリ
ーンは、傷に従ったＸ＠熱照射影響下に、これによって
発光させられる蛍光像の可視検査のための透視用蛍光ス
クリーンと独立に使用する。
ーンは、傷に従ったＸ＠熱照射影響下に、これによって
発光させられる蛍光像の可視検査のための透視用蛍光ス
クリーンと独立に使用する。
更ζこ別の実施態様によれば、本発明によるＸ線像変換
スクリーンは、加速された後陰極線発光スクリーンに当
てるため使用される光電子を作る光陰極に、変換スクリ
ーンによって発せられた光を当てることができるような
方法で脱気したＸ線像増感チューブに使用する。
スクリーンは、加速された後陰極線発光スクリーンに当
てるため使用される光電子を作る光陰極に、変換スクリ
ーンによって発せられた光を当てることができるような
方法で脱気したＸ線像増感チューブに使用する。
下記実施例７０は本発明によるＸ線変換スクリーンの製
造を示す。部、百分率および比の全てが他に特記せぬ限
り重量による。
造を示す。部、百分率および比の全てが他に特記せぬ限
り重量による。
実施例 ７０
実施例１により作ったリン光体を、トルエン中の結合剤
としてのポリ−ｎ−ブチルメタクリレートの３０％溶液
中にボールミルで分散させた、リン光体対結合剤比は８
：ｌであった。
としてのポリ−ｎ−ブチルメタクリレートの３０％溶液
中にボールミルで分散させた、リン光体対結合剤比は８
：ｌであった。
ポールミリングはへツジマン・グリシド・ゲージで測定
して粉末度７ Ｉｓを有する粉砕物が得られるまで行っ
た（ ｈｓＴＭ Ｄ １２０参照）。最終粉砕物のリン
光体粒子の平均粒度は７μｍであった。
して粉末度７ Ｉｓを有する粉砕物が得られるまで行っ
た（ ｈｓＴＭ Ｄ １２０参照）。最終粉砕物のリン
光体粒子の平均粒度は７μｍであった。
一過し、脱気した後、分散液をポリエチレンテレフタレ
ート支持体上に６００９／ｍ’のリン光体被覆率で被覆
した。
ート支持体上に６００９／ｍ’のリン光体被覆率で被覆
した。
乾燥後、得られたＸ線変換スクリーン材料を、普通のＸ
線カセット中の一対のスクリーンとして組入れた。かく
して得られたカセットを、緑色増感ハロゲン化銀乳剤層
で両側被覆した医学用ラジオグラフフィルムの露光のた
めに使用した。米国特許第４１３０４２８号の実施例２
に記載されたＸ線フィルムを用いて得られた場合速度と
偉鮮鋭度の点から非常に満足できる結果を得た。
線カセット中の一対のスクリーンとして組入れた。かく
して得られたカセットを、緑色増感ハロゲン化銀乳剤層
で両側被覆した医学用ラジオグラフフィルムの露光のた
めに使用した。米国特許第４１３０４２８号の実施例２
に記載されたＸ線フィルムを用いて得られた場合速度と
偉鮮鋭度の点から非常に満足できる結果を得た。
第１図はＸ線励起を用いたとき実施例２により製造した
リン光体によって発光した光の相対エネルギー（Ｒ，１
，）対波長（ｎｍ ）曲線を表わす。 第２図は実施例２〜７によって得た式（Ｇｄ１−ＸＴｂ
Ｘ）３（Ｇａｏ、ｓ Ａｏ、ｓ）ｓ ０１２を有するリ
ン光体中のＸに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発
光強度（Ｒ，Ｅ、Ｉ、）を表わす。 第３図は実施例８〜１３によって得た式（％式％ 中のｙに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（ＲＪ、Ｉ、 ）を表わす。 第４図は実施例２．１１および１４〜１７および比較例
１により得た式（ＧｄＯ，９４Ｔｂ０．０６ ）（Ｇａ
１−アＡｅｚ ）ｓ０１□を有するリン光体中の２に対
する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ９Ｅ、
１．）を表わす。 第５図は実施例２０〜２４および比較例１により得た式
（ＧｄＯ，９４−Ｗ ＹＷ Ｔｂｏ、ｏｓ ）３ ”５
０１２を有するリン光体中の胃に対する５ ４２ ｎｍ
発光帯域の相対発光強度（ＲｌＥ、 Ｉ、 ）を表わす
。 第６図は実施例２３および２５〜２９により得た式（Ｙ
Ｏ，８４６ＧｄＯ，０９４’ｂｏ、０６ ）３ （”ｔ
−ｚＡｅｇ ）ｓ ０１２を有するリン光体中の２に
対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ
、１．）を表わす。 第７図は実施例１６および３０〜３２により得た式（Ｇ
ｄＯ，９４−１１Ｙｗ Ｔｂ０．０６ ）３ （”ｏ、
ｓ Ａｌ！０．７ ）ｓ ０１２を有するリン光体中で
のＷに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（
Ｒ，Ｅ、Ｉ、）を表わす。 第８図は実施例２０．３０および３３〜３５により得た
式（Ｇｄ０Ｊ２６７Ｙｏｊ１３３ Ｔｂｏ、ｏａ ）３
（ａｍ、−ｔＡｌ！、）５ｏｔｚを有するリン光体中
の２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（
ＲＪ、Ｉ、）を表わす。 第９図は実施例３６〜４１により得た式（％式％ 中のＸに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（ＲＪ、１．）を表わす。 第１０図は実施例４０．４２〜４５および比較例３によ
り得た式（Ｇｄ０．９８Ｔｂ０．０２ ）２．５ｓ（Ｇ
ａ１−ｚＡｅｚ）ａｔｔＯｔｚを有するリン光体中の２
に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，
Ｅ、 Ｉ、）を表わす。 第１１図はＸ線励起を用いたとき実施例４７により作っ
たリン光体によって発光する光の相対エネルギー（Ｒ，
Ｅ、）対波長（ｎｍ ）曲線を表わす。 第１２図は実施例４７〜５３により得た式（％式％ 中のＸに対する３ ８３ ｎｍの相対発光強度（ＲｌＥ
、１．）を表わす。 第１３図は実施例３６〜４１により得た式（％式％ （曲線ｌ）および実施例４７〜５３により得た式（０ｄ
ｌ−ＸＴｂＸ ）ｚ、ｅｔ２（ＧＪＬｏＪＡｌｏ、ａ
）ａｏｓｓＯｔｚを有するリン光体（曲線２）の半対数
プロットでのＸに対する１３８３ ｎｍ／ 工５４２
ｒａｎ極元高さ比を表わす。 第１４図実施例５４〜６２により得た式（％式％ 中のｙに対する３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（Ｒ，Ｅ、１．）を表わす。 第１５図は実施例５９および６３〜６９により得た式（
ＧｄＯ，９９２”ｏ、ｏｏｓ ）２Ｊ８ （”ｘ−ｚＡ
ｅｇ ）ａｘｚＯｔｚを有するリン光体中の２に対する
３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．
）を表わす。 ＦＩ６． １ Ｒ，Ｅ、Ｉ。 ＦＩＧ、 ’１ Ｒ，Ｅ、ｌ。 ＦＩＧ、 ５ Ｒ，Ｅ、 ｌ 。 ＦＩ６．８ Ｒ，Ｅ、Ｉ ＦＩ６．９ Ｒ，Ｅ、１ Ｒ，Ｅ、Ｉ。 ＦＩ６．１２ ＦＩ６．１３
リン光体によって発光した光の相対エネルギー（Ｒ，１
，）対波長（ｎｍ ）曲線を表わす。 第２図は実施例２〜７によって得た式（Ｇｄ１−ＸＴｂ
Ｘ）３（Ｇａｏ、ｓ Ａｏ、ｓ）ｓ ０１２を有するリ
ン光体中のＸに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発
光強度（Ｒ，Ｅ、Ｉ、）を表わす。 第３図は実施例８〜１３によって得た式（％式％ 中のｙに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（ＲＪ、Ｉ、 ）を表わす。 第４図は実施例２．１１および１４〜１７および比較例
１により得た式（ＧｄＯ，９４Ｔｂ０．０６ ）（Ｇａ
１−アＡｅｚ ）ｓ０１□を有するリン光体中の２に対
する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ９Ｅ、
１．）を表わす。 第５図は実施例２０〜２４および比較例１により得た式
（ＧｄＯ，９４−Ｗ ＹＷ Ｔｂｏ、ｏｓ ）３ ”５
０１２を有するリン光体中の胃に対する５ ４２ ｎｍ
発光帯域の相対発光強度（ＲｌＥ、 Ｉ、 ）を表わす
。 第６図は実施例２３および２５〜２９により得た式（Ｙ
Ｏ，８４６ＧｄＯ，０９４’ｂｏ、０６ ）３ （”ｔ
−ｚＡｅｇ ）ｓ ０１２を有するリン光体中の２に
対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ
、１．）を表わす。 第７図は実施例１６および３０〜３２により得た式（Ｇ
ｄＯ，９４−１１Ｙｗ Ｔｂ０．０６ ）３ （”ｏ、
ｓ Ａｌ！０．７ ）ｓ ０１２を有するリン光体中で
のＷに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（
Ｒ，Ｅ、Ｉ、）を表わす。 第８図は実施例２０．３０および３３〜３５により得た
式（Ｇｄ０Ｊ２６７Ｙｏｊ１３３ Ｔｂｏ、ｏａ ）３
（ａｍ、−ｔＡｌ！、）５ｏｔｚを有するリン光体中
の２に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（
ＲＪ、Ｉ、）を表わす。 第９図は実施例３６〜４１により得た式（％式％ 中のＸに対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（ＲＪ、１．）を表わす。 第１０図は実施例４０．４２〜４５および比較例３によ
り得た式（Ｇｄ０．９８Ｔｂ０．０２ ）２．５ｓ（Ｇ
ａ１−ｚＡｅｚ）ａｔｔＯｔｚを有するリン光体中の２
に対する５ ４２ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，
Ｅ、 Ｉ、）を表わす。 第１１図はＸ線励起を用いたとき実施例４７により作っ
たリン光体によって発光する光の相対エネルギー（Ｒ，
Ｅ、）対波長（ｎｍ ）曲線を表わす。 第１２図は実施例４７〜５３により得た式（％式％ 中のＸに対する３ ８３ ｎｍの相対発光強度（ＲｌＥ
、１．）を表わす。 第１３図は実施例３６〜４１により得た式（％式％ （曲線ｌ）および実施例４７〜５３により得た式（０ｄ
ｌ−ＸＴｂＸ ）ｚ、ｅｔ２（ＧＪＬｏＪＡｌｏ、ａ
）ａｏｓｓＯｔｚを有するリン光体（曲線２）の半対数
プロットでのＸに対する１３８３ ｎｍ／ 工５４２
ｒａｎ極元高さ比を表わす。 第１４図実施例５４〜６２により得た式（％式％ 中のｙに対する３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光強度
（Ｒ，Ｅ、１．）を表わす。 第１５図は実施例５９および６３〜６９により得た式（
ＧｄＯ，９９２”ｏ、ｏｏｓ ）２Ｊ８ （”ｘ−ｚＡ
ｅｇ ）ａｘｚＯｔｚを有するリン光体中の２に対する
３ ８３ ｎｍ発光帯域の相対発光強度（Ｒ，Ｅ、１．
）を表わす。 ＦＩ６． １ Ｒ，Ｅ、Ｉ。 ＦＩＧ、 ’１ Ｒ，Ｅ、ｌ。 ＦＩＧ、 ５ Ｒ，Ｅ、 ｌ 。 ＦＩ６．８ Ｒ，Ｅ、Ｉ ＦＩ６．９ Ｒ，Ｅ、１ Ｒ，Ｅ、Ｉ。 ＦＩ６．１２ ＦＩ６．１３
Claims (10)
- １．Ｘ線に露光したとき光を発し、そのスペクトルが
４７８ｎｍ未満の主強度線および／または５３０〜５７
０ｎｍの主強度線を含有するリン光体を用いてＸ線を青
色光および／または緑色光に変換する方法において、前
記リン光体が下記実験式 （Ｇｄ＿１＿−＿ｗ＿−＿ｘＬｎ＿ｗＡ＿ｘ）＿８＿
−＿ｙ（Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｌ＿ｘ）＿ｙＯ＿１＿２（
式中ＬｎはＹおよび／またはＬｎであり、Ａはガドリニ
ウム、プラセオジムおよびルテチウム以外の稀土類元素
の１種以上であり；１．０＞ｗ≧０；０．１２＞ｘ＞０
；５．２０＞ｙ＞４．８８であり、０．５＞ｗ≧０であ
るときｚは０．６６＞ｚ＞０の範囲にあり、１．０＞ｗ
≧０．５であるときｚは０．８＞ｚ＞０の範囲にある）
を有し、前記リン光体をＸ線に露光することを特徴とす
る方法。 - ２．ｙが４．９２≧ｙ≧５．１０の範囲にあり、Ｌｎ
がＹであり、ドーピング剤の少なくとも５０原子％であ
るＡが３価テルビウムである請求項１記載の方法。 - ３．Ａが少なくとも５０原子％のテルビウムであり、
ｘが緑色光発光のため０．１２＞ｘ＞０．０２５の範囲
である請求項１または２記載の方法。 - ４．Ａが少なくとも５０原子％のテルビウムであり、
ｘが青色光発光のため０．０６＞ｘ＞０．００２５の範
囲である請求項１または２記載の方法。 - ５．ｗ、ｘ、ｙおよびｚ値がそれぞれ０．８＞ｗ≧０
；０．１０５＞ｘ＞０．０３５；５．１６＞ｙ＞４．９
４；０．６≧ｚ≧０．１の範囲である請求項３記載の方
法。 - ６．Ｔｂ＾３＾＋濃度が稀土類元素の合計含有量に対
して５〜９原子％の範囲である請求項３記載の方法。 - ７．Ｔｂ＾３＾＋濃度が稀土類元素の合計含有量に対
して０．６〜２原子％の範囲である請求項４記載の方法
。 - ８．リン光体が結合剤層中に分散した形で存在し、そ
の結合剤が有機重合体またはかかる重合体の混合物であ
る請求項１〜７の何れかに記載の方法。 - ９．リン光体が前記層中に３００〜７５０ｇ／ｍ＾３
の範囲の被覆率で存在する請求項８記載の方法。 - １０．リン光体が０．１〜２０μｍの範囲の粒度を有
する請求項１〜９の何れかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP87200994A EP0292616B1 (en) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | X-ray conversion into light |
| NL872009949 | 1987-05-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63309583A true JPS63309583A (ja) | 1988-12-16 |
Family
ID=8197620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63115959A Pending JPS63309583A (ja) | 1987-05-26 | 1988-05-12 | Ｘ線を可視光に変換する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0292616B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63309583A (ja) |
| DE (1) | DE3779305D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04288393A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-10-13 | General Electric Co <Ge> | 正孔トラップを補償したシンチレータ材料 |
| US5391876A (en) * | 1990-06-29 | 1995-02-21 | General Electric Company | Hole-trap-compensated scintillator material and computed tomography machine containing the same |
| JP2001348273A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-12-18 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。 |
| US7947956B2 (en) | 2004-12-21 | 2011-05-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| NL9200939A (nl) * | 1991-05-31 | 1992-12-16 | Hughes Aircraft Co | In het ver-rode gebied emitterend luminescerend materiaal voor kathodestraalbuizen. |
| US5242620A (en) * | 1992-07-02 | 1993-09-07 | General Electric Company | Gadolinium lutetium aluminate phosphor with cerium luminescence |
| DE59713024D1 (de) | 1996-06-26 | 2010-01-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6315923B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-11-13 | Symyx Technologies, Inc | Storage phosphors |
| RU2236432C2 (ru) * | 2001-11-28 | 2004-09-20 | Сощин Наум Петрович | Красноизлучающий фотолюминофор для экранов плазменных панелей и способ его получения |
| US9617469B2 (en) | 2011-01-06 | 2017-04-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phosphor particles, making method, and light-emitting diode |
| US8865022B2 (en) * | 2011-01-06 | 2014-10-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phosphor particles and making method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0161820A1 (en) * | 1984-04-26 | 1985-11-21 | EMI Limited | Cathodo luminescent phosphors |
-
1987
- 1987-05-26 DE DE8787200994T patent/DE3779305D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-26 EP EP87200994A patent/EP0292616B1/en not_active Expired
-
1988
- 1988-05-12 JP JP63115959A patent/JPS63309583A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04288393A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-10-13 | General Electric Co <Ge> | 正孔トラップを補償したシンチレータ材料 |
| US5360557A (en) * | 1990-06-29 | 1994-11-01 | General Electric Company | Hole-trap-compensated scintillator for computed tomography machine |
| US5391876A (en) * | 1990-06-29 | 1995-02-21 | General Electric Company | Hole-trap-compensated scintillator material and computed tomography machine containing the same |
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| US7947956B2 (en) | 2004-12-21 | 2011-05-24 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, a method of manufacturing the fluorescent material, a radiation detector using the fluorescent material, and an X-ray CT scanner |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3779305D1 (de) | 1992-06-25 |
| EP0292616A1 (en) | 1988-11-30 |
| EP0292616B1 (en) | 1992-05-20 |
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