JPS6331008A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS6331008A JPS6331008A JP17497786A JP17497786A JPS6331008A JP S6331008 A JPS6331008 A JP S6331008A JP 17497786 A JP17497786 A JP 17497786A JP 17497786 A JP17497786 A JP 17497786A JP S6331008 A JPS6331008 A JP S6331008A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッド、特に高透磁率材ブロック上に高飽
和磁束密度膜を形成した磁気コアを有する磁気ヘッドに
関するのもである。
和磁束密度膜を形成した磁気コアを有する磁気ヘッドに
関するのもである。
従来、メタル塗布テープ、金属蒸着テープ等の高抗磁力
磁性媒体に適する磁気ヘッドとして、いわゆるMIG(
Metal 1nGap)ヘッドと呼ばれるものがあ
り、既に実用に供されている。
磁性媒体に適する磁気ヘッドとして、いわゆるMIG(
Metal 1nGap)ヘッドと呼ばれるものがあ
り、既に実用に供されている。
MIGヘッドは、コアの大部分にフェライト等の高透磁
率材を用いギャップ近傍の磁極先端部を高飽和磁束密度
材、即ちパーブロイ、センダスト、アモルファス等の合
金磁性材で形成した構造となっている。MIGヘッドに
は、摺動面上における金属磁性材とフェライトとの境界
が1作動ギャップに平行なタイプ(これをPタイプと呼
ぶことにする。たとえば特開昭51−140708号公
報等が開示されている)と、前記境界が作動ギャップと
非平行でアジマスが付いたタイプ(これをAタイプと呼
ぶことにする。たとえば、特開昭54−96013号公
報、特開昭60−32107号公報等に開示されている
。)とがあり、現在までのところAタイプのMIGヘッ
ドが実用化されている。
率材を用いギャップ近傍の磁極先端部を高飽和磁束密度
材、即ちパーブロイ、センダスト、アモルファス等の合
金磁性材で形成した構造となっている。MIGヘッドに
は、摺動面上における金属磁性材とフェライトとの境界
が1作動ギャップに平行なタイプ(これをPタイプと呼
ぶことにする。たとえば特開昭51−140708号公
報等が開示されている)と、前記境界が作動ギャップと
非平行でアジマスが付いたタイプ(これをAタイプと呼
ぶことにする。たとえば、特開昭54−96013号公
報、特開昭60−32107号公報等に開示されている
。)とがあり、現在までのところAタイプのMIGヘッ
ドが実用化されている。
ところで上述の如きMIGヘッドにあっては1作動磁気
ギャップは、いわゆるツキ合わせ工程に依り形成されて
いた。このように従来のツキ合わせ工程により作動ギャ
ップを形成したヘッドは、ギャップ幅のバラツキが多く
、結果としてはヘッド間の特性のバラツキも大きかった
。このバラツキを無くす目的でツキ合わせ工程を経ずに
ギャップを形成したMIGヘッドも提案されている。こ
の種のヘッドでは金属磁性膜上に磁気ギャップとなるギ
ャップ材となる絶縁膜を形成して、更にこの絶縁膜上に
更に金属磁性膜が形成されている。
ギャップは、いわゆるツキ合わせ工程に依り形成されて
いた。このように従来のツキ合わせ工程により作動ギャ
ップを形成したヘッドは、ギャップ幅のバラツキが多く
、結果としてはヘッド間の特性のバラツキも大きかった
。このバラツキを無くす目的でツキ合わせ工程を経ずに
ギャップを形成したMIGヘッドも提案されている。こ
の種のヘッドでは金属磁性膜上に磁気ギャップとなるギ
ャップ材となる絶縁膜を形成して、更にこの絶縁膜上に
更に金属磁性膜が形成されている。
この様なツキ合わせ工程を含まないMIGヘッドとして
はAタイプのものが特開昭60−177314号公報に
開示され、Pタイプのものとしては本出願人に係る特願
昭60−187486号に開示している。
はAタイプのものが特開昭60−177314号公報に
開示され、Pタイプのものとしては本出願人に係る特願
昭60−187486号に開示している。
第12図はツキ合わせ工程を含まないPタイプのMIG
ヘッドの例を示す図であり、1はフェライト等の高透磁
率材ブロック、2.7はセンダスト等の高飽和磁束密度
材よりなる磁性膜、3は巻線窓用溝、6は磁気ギャップ
、9゜10はガラス等の非磁性材である。
ヘッドの例を示す図であり、1はフェライト等の高透磁
率材ブロック、2.7はセンダスト等の高飽和磁束密度
材よりなる磁性膜、3は巻線窓用溝、6は磁気ギャップ
、9゜10はガラス等の非磁性材である。
しかしながら、上述の如きツキ合わせ工程を含まないP
タイプMIGヘッドに於いては金属磁性膜とフェライト
との境界が疑似ギャップとして作用し、これに伴うコン
タ−効果により。
タイプMIGヘッドに於いては金属磁性膜とフェライト
との境界が疑似ギャップとして作用し、これに伴うコン
タ−効果により。
周波数出力特性3Peak−to−Peak値で数dB
程度のリップルが現われ実用上の問題があった。
程度のリップルが現われ実用上の問題があった。
また第12図のヘッドに於いては内部応力の蓄積により
、115Ii線窓用溝4に近いフェライト1中に、CI
、C3で示す如きクラックが入り。
、115Ii線窓用溝4に近いフェライト1中に、CI
、C3で示す如きクラックが入り。
製品歩留りを低下させてしまう原因となっていた。
更に、金属磁性膜とフェライトとの境界近傍に内部応力
が蓄積すると、境界における磁気的性質の不連続性が増
し、コンタ−効果も大きくなりヘッドの電磁変換特性が
悪化する。
が蓄積すると、境界における磁気的性質の不連続性が増
し、コンタ−効果も大きくなりヘッドの電磁変換特性が
悪化する。
本発明は上述の如き問題に鑑みかつ製造時の歩留りが良
く、磁気特性が良好なコア構造を有する低コストの磁気
ヘッドを提供することを目的とする。
く、磁気特性が良好なコア構造を有する低コストの磁気
ヘッドを提供することを目的とする。
かかる目的下に於いて本発明の磁気ヘッドにあっては1
巻線用溝が形成されている高透磁率材ブロックと、該ブ
ロックの前記巻線用溝の形成されている側に対し前記巻
線用溝内を除く部分の少なくとも媒体摺動面側に形成さ
れた高飽和磁束密度材よりなる第1の磁性膜と、該第1
の磁性膜上に形成され磁気ギャップとなる絶縁膜と、該
絶縁膜上に形成された高飽和磁束密度材よりなる第2の
磁性膜と、夫々前記絶縁膜の両端に接する一対の非磁性
部とを具え、前記ブロックの前記絶縁膜に対向する面が
前記絶縁膜と平行でかつ前記第1の磁性膜が前記一対の
非磁性材部と前記ブロックとの境界に沿って該ブロック
の両側に延在する構造を採用している。
巻線用溝が形成されている高透磁率材ブロックと、該ブ
ロックの前記巻線用溝の形成されている側に対し前記巻
線用溝内を除く部分の少なくとも媒体摺動面側に形成さ
れた高飽和磁束密度材よりなる第1の磁性膜と、該第1
の磁性膜上に形成され磁気ギャップとなる絶縁膜と、該
絶縁膜上に形成された高飽和磁束密度材よりなる第2の
磁性膜と、夫々前記絶縁膜の両端に接する一対の非磁性
部とを具え、前記ブロックの前記絶縁膜に対向する面が
前記絶縁膜と平行でかつ前記第1の磁性膜が前記一対の
非磁性材部と前記ブロックとの境界に沿って該ブロック
の両側に延在する構造を採用している。
上述の如き構成の磁気ヘッドによれば高透磁率材ブロッ
クと非磁性材部との境界に沿って該ブロックの両側に延
在する磁性膜の作用によりコンタ−効果による電磁変速
特性への悪影響を実用上問題にならない程度にまで軽減
可能である。
クと非磁性材部との境界に沿って該ブロックの両側に延
在する磁性膜の作用によりコンタ−効果による電磁変速
特性への悪影響を実用上問題にならない程度にまで軽減
可能である。
第一図は1本発明の最も典型的な構成を有す するヘ
ッドの実施例につき、その概略を示す斜視図である。
ッドの実施例につき、その概略を示す斜視図である。
第1図において、1は単結晶フェライト等の高透磁率材
ブロック、2は高透磁率材1上に、たとえばスパッタ等
の物理蒸着によって成膜さレタパーマロイ、センダスト
、アモルファス等の高飽和磁束密度を有する第1の磁性
膜とじて合金磁性材、7は5i03などのギャップ材で
、高飽和磁束密度材2上に同じくスパッタ等により成膜
され、8は第2の磁性膜としての合金磁性材で、ギャッ
プ材7上に同じくスパッタ等により成膜される。4は巻
線窓用溝、6は低融点ガラス、9は低融点ガラス6と同
程度か低い融点を有する低融点ガラス、10〜12は保
護板で、10は非磁性フェライトあるいは結晶化ガラス
など耐摩耗性の高い非磁性材、11はたとえばフェライ
ト単結晶の如き高透磁率材で、12は、低融点ガラス9
と同程度かより高い融点を有する接着剤であり、13は
巻線窓である0本ヘッドの製造上、構造上の特徴をいく
つか示す、先ずヘッドとしての基本構造である磁極−ギ
ャップ−磁極の要素機能は、高透磁率材基板1上に次々
に成膜される第1の磁極としての高飽和磁束密度材2と
、ギャップ材6゜第2磁極としての高飽和磁束密度材7
とによって満たされる。ヘッド摺動面上において、高透
磁率材基板1と高飽和磁束密度材2との境界は、ギャッ
プ6に対し平行になっており、コンタ−効果の出現を完
全に制御することには困難であるが、後述する様な構造
により実用上問題とならない程度にまで抑圧できるこが
分った。
ブロック、2は高透磁率材1上に、たとえばスパッタ等
の物理蒸着によって成膜さレタパーマロイ、センダスト
、アモルファス等の高飽和磁束密度を有する第1の磁性
膜とじて合金磁性材、7は5i03などのギャップ材で
、高飽和磁束密度材2上に同じくスパッタ等により成膜
され、8は第2の磁性膜としての合金磁性材で、ギャッ
プ材7上に同じくスパッタ等により成膜される。4は巻
線窓用溝、6は低融点ガラス、9は低融点ガラス6と同
程度か低い融点を有する低融点ガラス、10〜12は保
護板で、10は非磁性フェライトあるいは結晶化ガラス
など耐摩耗性の高い非磁性材、11はたとえばフェライ
ト単結晶の如き高透磁率材で、12は、低融点ガラス9
と同程度かより高い融点を有する接着剤であり、13は
巻線窓である0本ヘッドの製造上、構造上の特徴をいく
つか示す、先ずヘッドとしての基本構造である磁極−ギ
ャップ−磁極の要素機能は、高透磁率材基板1上に次々
に成膜される第1の磁極としての高飽和磁束密度材2と
、ギャップ材6゜第2磁極としての高飽和磁束密度材7
とによって満たされる。ヘッド摺動面上において、高透
磁率材基板1と高飽和磁束密度材2との境界は、ギャッ
プ6に対し平行になっており、コンタ−効果の出現を完
全に制御することには困難であるが、後述する様な構造
により実用上問題とならない程度にまで抑圧できるこが
分った。
従来このような構成をとるヘッドにおいては境界部が疑
似ギャップとして作用するためコンタ−効果が発生する
と考えられている。
似ギャップとして作用するためコンタ−効果が発生する
と考えられている。
しかし第1図に示す如き構成のヘッドを高飽和磁束密度
材20.8の膜厚を変化させて試作した結果、膜厚があ
る一定の値を越えたところがコンタ−結果が低減すると
いうことがわかった。
材20.8の膜厚を変化させて試作した結果、膜厚があ
る一定の値を越えたところがコンタ−結果が低減すると
いうことがわかった。
すなわちこの境界部は疑似ギャップとして作用する程度
は少ないことが予想される。その試作したヘッドの実験
データを第2図に示す。
は少ないことが予想される。その試作したヘッドの実験
データを第2図に示す。
第2図かられかるようにギャップ近傍での高飽和磁束密
度材の膜厚が10uLmの時出力のリップルが3〜5c
iBあるのに比べ膜厚が25gmの時ではリップルが1
〜2dB程度におさえられている。
度材の膜厚が10uLmの時出力のリップルが3〜5c
iBあるのに比べ膜厚が25gmの時ではリップルが1
〜2dB程度におさえられている。
さらに高飽和磁束密度材2.8の膜厚が異なった場合で
もリップルがおさえられることがわかった。
もリップルがおさえられることがわかった。
一方、保護板は摺動面側が非磁性材となっており、従っ
て第2の磁極7との間のスキ間あるいは接着剤層は疑似
ギャップとならない、また。
て第2の磁極7との間のスキ間あるいは接着剤層は疑似
ギャップとならない、また。
保護板のギャップに面する側の非磁性材10あるいは1
2の最下点P1は、巻線窓用溝壁面31の上端点P3と
同程度の高さか、やや下(摺動面を上として)に位置す
るが、可能な限り摺動面に近い方が特性上好ましい。こ
れは、保護板の高透磁率材11が摺動面に近い程、磁気
回路の磁気抵抗が小さくなるからである。
2の最下点P1は、巻線窓用溝壁面31の上端点P3と
同程度の高さか、やや下(摺動面を上として)に位置す
るが、可能な限り摺動面に近い方が特性上好ましい。こ
れは、保護板の高透磁率材11が摺動面に近い程、磁気
回路の磁気抵抗が小さくなるからである。
このようなヘッド構造の場合、実効的なギャップデプス
は1点PI、P3の内、摺動面に近い側によって決めら
れる。
は1点PI、P3の内、摺動面に近い側によって決めら
れる。
従来提案されているつき合わせ工程を経ずに作られるヘ
ッドと本実施例との構造上量も異なる点は、第1図にお
いてフェライトコアlに刻まれた巻線窓13を形成する
為の溝4を形作る溝の壁面から可能な限り金属磁性材が
取除かれている事にある。
ッドと本実施例との構造上量も異なる点は、第1図にお
いてフェライトコアlに刻まれた巻線窓13を形成する
為の溝4を形作る溝の壁面から可能な限り金属磁性材が
取除かれている事にある。
これは高透磁率材1と高飽和磁束密度材2の境界部が材
料の熱膨張係数が異なる等の原因から応力が集中してい
ることを回避するために行う。その結果類境界部が応力
による磁気特性の不連続性から生じるようなコンタ−効
果の低減も期待できる。
料の熱膨張係数が異なる等の原因から応力が集中してい
ることを回避するために行う。その結果類境界部が応力
による磁気特性の不連続性から生じるようなコンタ−効
果の低減も期待できる。
以上のような構造上の特徴を有するヘッドの製造法を第
3図〜第8図を用いて説明する。
3図〜第8図を用いて説明する。
第3図においてlはフェライト単結晶の直方体ブロック
の一部でその一面には多数の平行な第1の溝31〜34
が刻まれている。この時溝先端部側面が互いに非平行に
しておくのが好ましい、すなわち後工程で高飽和磁束密
度材2を形成する際に側面部が平行であると膜形成が不
可能であり付着したとしても磁気特性が劣化するからで
ある。
の一部でその一面には多数の平行な第1の溝31〜34
が刻まれている。この時溝先端部側面が互いに非平行に
しておくのが好ましい、すなわち後工程で高飽和磁束密
度材2を形成する際に側面部が平行であると膜形成が不
可能であり付着したとしても磁気特性が劣化するからで
ある。
ここでWoは将来形成されるトラック巾より狭くなるよ
うに加工しておく。
うに加工しておく。
次に第4図ではフェライトブロック1の溝を刻んだ面に
、物理蒸着、メッキCVD等の方法により高飽和磁束密
度材2を厚さ30 pm〜50gm程度成膜する。ここ
での膜厚は第2図でのWo、将来必要とするトラック巾
、研磨シロ等さらにギャップ近傍で20pm以上になる
ように考慮して決められる。この磁性膜2の成膜後第5
図に示すように巻線窓用の第2の溝4を切りアルミニウ
ム等の細線5を溝4に落し込み金属磁性膜2が成膜され
た第1の溝31〜34諸共融点が550℃〜600℃程
の第1の低融点ガラスで埋め込む。第6図では溝を第1
の低融点ガラス6で埋め込んだ後ギャップ面を形成する
ための平面ラップした状態を示す、ここでWtはトラッ
ク巾になるように加工する。
、物理蒸着、メッキCVD等の方法により高飽和磁束密
度材2を厚さ30 pm〜50gm程度成膜する。ここ
での膜厚は第2図でのWo、将来必要とするトラック巾
、研磨シロ等さらにギャップ近傍で20pm以上になる
ように考慮して決められる。この磁性膜2の成膜後第5
図に示すように巻線窓用の第2の溝4を切りアルミニウ
ム等の細線5を溝4に落し込み金属磁性膜2が成膜され
た第1の溝31〜34諸共融点が550℃〜600℃程
の第1の低融点ガラスで埋め込む。第6図では溝を第1
の低融点ガラス6で埋め込んだ後ギャップ面を形成する
ための平面ラップした状態を示す、ここでWtはトラッ
ク巾になるように加工する。
平面ラップ後第6図のように先ず5i02などのギャッ
プ材を設計に応じ、たとえば0.2〜0.3JLm被着
し、続いてもう一方の磁極を形成するための第2の金属
磁性膜8をたとえば厚さ20〜50gm程成膜する。こ
こでは所定の場所だけに金属磁性膜を残すことが必要で
ある。
プ材を設計に応じ、たとえば0.2〜0.3JLm被着
し、続いてもう一方の磁極を形成するための第2の金属
磁性膜8をたとえば厚さ20〜50gm程成膜する。こ
こでは所定の場所だけに金属磁性膜を残すことが必要で
ある。
加工法としてはフォトリソ法又はダイシングマシーン等
による機械加工等が考えられる。
による機械加工等が考えられる。
第8図は予め用意した保護ブロック10〜12を融点が
500〜550℃程の第2の低融点ガラス91〜94で
溶着した様子を示す。
500〜550℃程の第2の低融点ガラス91〜94で
溶着した様子を示す。
保護ブロックの上部摺動面側は非磁性材10、下部フェ
ライト単結晶等の高透磁率材11であり、2つの部材は
融点が550〜s o o ’c程の第3の低融点ガラ
ス等の接着剤12で接合されている。
ライト単結晶等の高透磁率材11であり、2つの部材は
融点が550〜s o o ’c程の第3の低融点ガラ
ス等の接着剤12で接合されている。
このコアブロックから点線Ll、L2で示したように切
出しチップをカセイソーダ水溶液に浸漬するなどして巻
線窓用溝に埋められた金属棒5を溶解除去し巻線窓を形
成する摺動面等の外形加工を終えたヘッドチップの概略
斜視図が第1図である。
出しチップをカセイソーダ水溶液に浸漬するなどして巻
線窓用溝に埋められた金属棒5を溶解除去し巻線窓を形
成する摺動面等の外形加工を終えたヘッドチップの概略
斜視図が第1図である。
アジマス記録用のヘッドの場合は、第7図のように、ギ
ャップ長さ方向に対し垂直に切出すのではなく必要な角
度をつけて切ればよい、また、本発明の主旨を逸脱しな
い範囲内で、巻線窓用溝部壁面3に数pm程度の金属磁
性膜が残存しても良い。即ち、従来のつき合わせ工程を
無くしたヘッドの製造工程におけるように巻線窓用溝を
形成した後、溝部を遮蔽する工程を新規に導入し、その
後金属磁性膜を成膜しても良いが、遮蔽が不充分で1巻
線窓用溝部壁面に若干の金属磁性膜が付着するのは許容
されるべきである。また、従来の工程のように、巻線窓
用溝部にも成膜した後、それを必要な厚さ除去しても良
い。要はギャップ部を構成する部分の膜厚より、@線窓
用溝部の膜厚が実質的、作為的に薄くなっていれば良い
。
ャップ長さ方向に対し垂直に切出すのではなく必要な角
度をつけて切ればよい、また、本発明の主旨を逸脱しな
い範囲内で、巻線窓用溝部壁面3に数pm程度の金属磁
性膜が残存しても良い。即ち、従来のつき合わせ工程を
無くしたヘッドの製造工程におけるように巻線窓用溝を
形成した後、溝部を遮蔽する工程を新規に導入し、その
後金属磁性膜を成膜しても良いが、遮蔽が不充分で1巻
線窓用溝部壁面に若干の金属磁性膜が付着するのは許容
されるべきである。また、従来の工程のように、巻線窓
用溝部にも成膜した後、それを必要な厚さ除去しても良
い。要はギャップ部を構成する部分の膜厚より、@線窓
用溝部の膜厚が実質的、作為的に薄くなっていれば良い
。
構成の一部が異なる他の実施例をヘッドの斜視図として
第9図〜第11図に示す 。
第9図〜第11図に示す 。
第9図のへラドチップを第1図のヘッドチップと比較す
ると明らかなように、ギャップ材6を下部コア側にまで
形成せず、従って下部コア側で第1の金属磁性膜2の少
なくとも一部と。
ると明らかなように、ギャップ材6を下部コア側にまで
形成せず、従って下部コア側で第1の金属磁性膜2の少
なくとも一部と。
第2の金属磁性膜7とが直接密着することとなり、下部
コアの磁気抵抗を下げる効果がある。
コアの磁気抵抗を下げる効果がある。
第10図のヘッドチップと第1図のヘッドチップの違い
は、第10図のヘッドチップでは@線窓13のあるコア
半休の巻線窓用溝3の壁面はもとより、溝3より下側に
も金属磁性膜が形成されていない、下部コアにおいて、
磁束はギャップ7に対し垂直方向を向くが、その磁束が
変化すると、金属磁性膜中に渦電流が流れ、記録再生効
率の低下を招くからである。
は、第10図のヘッドチップでは@線窓13のあるコア
半休の巻線窓用溝3の壁面はもとより、溝3より下側に
も金属磁性膜が形成されていない、下部コアにおいて、
磁束はギャップ7に対し垂直方向を向くが、その磁束が
変化すると、金属磁性膜中に渦電流が流れ、記録再生効
率の低下を招くからである。
第11図の実施例ではコストダウンを目的として、保護
板全体を非磁性体14で形成しである。
板全体を非磁性体14で形成しである。
以上第9〜11図に示した実施例は第1図の実施例にお
ける構成の一部分を変更したものであるが、これらを組
合わせて実施することもできる。また、たとえば第10
図のヘッドにおいて、キャップ材6を第9図のヘッドの
如く下部コア側には設けず、さらに第10図の第2の磁
極7を下部コア側にまで形成せず下部コア側では高透磁
率材1と11が直接省接するか、一体となるような構造
をとることも可能である。
ける構成の一部分を変更したものであるが、これらを組
合わせて実施することもできる。また、たとえば第10
図のヘッドにおいて、キャップ材6を第9図のヘッドの
如く下部コア側には設けず、さらに第10図の第2の磁
極7を下部コア側にまで形成せず下部コア側では高透磁
率材1と11が直接省接するか、一体となるような構造
をとることも可能である。
また本発明のすべての実施例において、高透磁率材1と
して、フェライト単結晶を用いる場合、摺動面上におけ
るフェライトの結晶方位を110面とすると耐摩耗性が
良い。
して、フェライト単結晶を用いる場合、摺動面上におけ
るフェライトの結晶方位を110面とすると耐摩耗性が
良い。
以上説明したように本発明の各実施例の磁気ヘッドにお
いては、高透磁率材ブロックと非磁性体部との境界に沿
って該ブロックの両側に延在する高飽和磁束密度磁性膜
の作用により金属磁性膜の膜厚がギャップ近傍で20p
mを越えると1周波数−出力特性のリップルが1−2d
B以内に納まり、実用上はとんど問題がないことがわか
った。
いては、高透磁率材ブロックと非磁性体部との境界に沿
って該ブロックの両側に延在する高飽和磁束密度磁性膜
の作用により金属磁性膜の膜厚がギャップ近傍で20p
mを越えると1周波数−出力特性のリップルが1−2d
B以内に納まり、実用上はとんど問題がないことがわか
った。
更に金属磁性材とフェライトとの境界近傍への内部応力
の蓄積を最小限に抑えることができたため、前記境界に
おける磁気的不連続性も少なくなりコンタ−効果による
リップルの更なる低減が期待できる。
の蓄積を最小限に抑えることができたため、前記境界に
おける磁気的不連続性も少なくなりコンタ−効果による
リップルの更なる低減が期待できる。
以上説明した様に本発明の磁気ヘッドは低コストで安定
な磁気特性を有し、かつ製造時の歩留まりが良いコア構
造を有するものであり、高保磁力の磁気記録媒体に対し
て良好な磁気記録再生が行える磁気ヘッドに対して極め
て有効なものである。
な磁気特性を有し、かつ製造時の歩留まりが良いコア構
造を有するものであり、高保磁力の磁気記録媒体に対し
て良好な磁気記録再生が行える磁気ヘッドに対して極め
て有効なものである。
第1図は本発明の一実施例としての磁気ヘッドの構成の
概略を示す斜視図、 第2図は第1図に示すヘッドの周波数特性を示す図。 第3図〜第8図は第1図のヘッドの製造工程の概略を示
す図、 第9図〜第11図は夫々第1図の磁気ヘッドとは異なる
構造を有する更に他の実施例としての磁気ヘッドを示す
斜視図、 第12図は従来の磁気ヘッドの構造の一例を示す斜視図
である。 1はフェライト単結晶などの高透磁率材ブロック。 2は第1の磁性−膜としての合金磁性材などの高飽和磁
束密度材、 4は巻線窓用の溝。 5は金属棒、 6は低融点ガラス。 7はギャップとなる絶縁膜、 8は第2の磁性膜としての合金磁性材などの高飽和磁束
密度材、 9は低融点ガラス、 13は巻線窓である。
概略を示す斜視図、 第2図は第1図に示すヘッドの周波数特性を示す図。 第3図〜第8図は第1図のヘッドの製造工程の概略を示
す図、 第9図〜第11図は夫々第1図の磁気ヘッドとは異なる
構造を有する更に他の実施例としての磁気ヘッドを示す
斜視図、 第12図は従来の磁気ヘッドの構造の一例を示す斜視図
である。 1はフェライト単結晶などの高透磁率材ブロック。 2は第1の磁性−膜としての合金磁性材などの高飽和磁
束密度材、 4は巻線窓用の溝。 5は金属棒、 6は低融点ガラス。 7はギャップとなる絶縁膜、 8は第2の磁性膜としての合金磁性材などの高飽和磁束
密度材、 9は低融点ガラス、 13は巻線窓である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 巻線用溝が形成されている高透磁率材ブロックと、該ブ
ロックの前記巻線用溝の形成されている側に対し前記巻
線用溝内を除く部分の少なくとも媒体摺動面側に形成さ
れた高飽和磁束密度材よりなる第1の磁性膜と、該第1
の磁性膜上に形成され磁気ギャップとなる絶縁膜と、該
絶縁膜上にに形成された高飽和磁束密度材よりなる第2
の磁性膜と、夫々前記絶縁膜の両端に接する一対の非磁
性部とを具え前記ブロックの前記絶縁膜に対向する面が
前記絶縁膜と平行でかつ前記第1の磁性膜が前記一対の
非磁性材部と前記ブロックとの境界に沿って該ブロック
の両側に延在することを特徴とする磁気ヘッ ド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17497786A JPS6331008A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 磁気ヘツド |
| US07/235,824 US4890378A (en) | 1985-08-28 | 1988-08-19 | Method for manufacturing a magnetic head core having a magnetic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17497786A JPS6331008A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331008A true JPS6331008A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15988055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17497786A Pending JPS6331008A (ja) | 1985-08-28 | 1986-07-25 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331008A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641517A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Preparation of magnetic head |
| JPS60179906A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-13 | Tdk Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS6145716B2 (ja) * | 1981-12-18 | 1986-10-09 | Sonitsukusu Kk |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17497786A patent/JPS6331008A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641517A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Preparation of magnetic head |
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| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
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