JPS6331049A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS6331049A JPS6331049A JP17481386A JP17481386A JPS6331049A JP S6331049 A JPS6331049 A JP S6331049A JP 17481386 A JP17481386 A JP 17481386A JP 17481386 A JP17481386 A JP 17481386A JP S6331049 A JPS6331049 A JP S6331049A
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- Japan
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- optical recording
- film
- recording medium
- protective film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体のスパツｊ１法による製造方法に
関する。
関する。
従来の光記録媒体は、磁気記録膜に集光したレーザ光を
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるｖ−ｈは記録膜にレーザを照射し、記録膜の
結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆等）相変態によシ情
報を記録する方法。
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるｖ−ｈは記録膜にレーザを照射し、記録膜の
結晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、あ
るいは六方晶から立方晶又はその逆等）相変態によシ情
報を記録する方法。
あるＶｈＦｉ記録膜にレーザ光を照射することにより穴
を開ける方法、バブルを形成するなどの記録部分の形状
を変化させ情報を記録する方法によジ用いられて米た。
を開ける方法、バブルを形成するなどの記録部分の形状
を変化させ情報を記録する方法によジ用いられて米た。
待に従来の光磁気記録媒体の記録膜としては、垂直磁化
膜となり間密反記録が可能という待機。
膜となり間密反記録が可能という待機。
また粒界ノイズが少なく、キュリー温度が１２０℃〜２
００℃までと半導体レーザでも十分曹き込めるとβう特
数から、希土類−遷移金属非晶質材料が主として用いら
れている。しかしながらこれらの優れた特徴をもつ反面
、希土類−遷移金属材料は非常に酸化・腐食され易＾欠
点を有し、このため希土類−遷移金属非晶質材料を記録
膜として基板上に単層で用いると、記録膜表面からの酸
化及び水分の浸透による記録膜の暦食などを引き起こす
。
００℃までと半導体レーザでも十分曹き込めるとβう特
数から、希土類−遷移金属非晶質材料が主として用いら
れている。しかしながらこれらの優れた特徴をもつ反面
、希土類−遷移金属材料は非常に酸化・腐食され易＾欠
点を有し、このため希土類−遷移金属非晶質材料を記録
膜として基板上に単層で用いると、記録膜表面からの酸
化及び水分の浸透による記録膜の暦食などを引き起こす
。
このため従来の光記録媒体は、透明基板と光記録媒体間
や、光記録媒体の上下面に保護膜が形成されている。そ
してこのような保護膜として、特開昭５８−２１５７４
４号公報のよりにｓｈｏ。
や、光記録媒体の上下面に保護膜が形成されている。そ
してこのような保護膜として、特開昭５８−２１５７４
４号公報のよりにｓｈｏ。
等の酸化物や、特開昭５９−１１００５２号公報ｌ持開
昭６０−１３１６５９号公報のようにアルミニウムの窒
化物、珪素の窒化物ｔ ”ＱＦ′！ 、 ＺｎＢ。
昭６０−１３１６５９号公報のようにアルミニウムの窒
化物、珪素の窒化物ｔ ”ＱＦ′！ 、 ＺｎＢ。
ＣｅＦ ３． ＡＡ′Ｆ３．３ＮａＦ などの非酸化
物が、スパッタリング法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法などの真空薄膜成膜法により形成され用いられてき
た。
物が、スパッタリング法、蒸着法、イオンブレーティン
グ法などの真空薄膜成膜法により形成され用いられてき
た。
しかし、前述の従来技術では、形成した採ｆｆ１Ｕにピ
ンホールが生じ易く、このピンホールｋａして光記録膜
へ水分が浸透し前記光記録膜が腐食されるという問題を
有する。″また透明基板として。
ンホールが生じ易く、このピンホールｋａして光記録膜
へ水分が浸透し前記光記録膜が腐食されるという問題を
有する。″また透明基板として。
保護膜との＠着力が弱く、温度・湿度変化による膨張率
が著しく異なるＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）
ｔｉｃ（ポリカーボネート）、エポキシ樹脂等のプラス
チック基板を用いた場合、＠反・湿度変化により、保護
膜にクラックが発生する。また保護膜の前記プラスチッ
ク基板からの模浮きが発生する等の問題を有する。
が著しく異なるＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）
ｔｉｃ（ポリカーボネート）、エポキシ樹脂等のプラス
チック基板を用いた場合、＠反・湿度変化により、保護
膜にクラックが発生する。また保護膜の前記プラスチッ
ク基板からの模浮きが発生する等の問題を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、保護膜にピンホール、クラック
、俟浮きが発生することがなく、耐候性に浸れた光記録
媒体を提供することにある。
の目的とするところは、保護膜にピンホール、クラック
、俟浮きが発生することがなく、耐候性に浸れた光記録
媒体を提供することにある。
本発明の光記録媒体の製造方法は、透明基板とに光記録
膜を形成し、前記光記録膜に集光したレーザ光を照射す
ることにより、情報を記録、再生あるｌｆｈは消去する
光記録媒体において、前記光記録媒体の耐候性を向上さ
せるための保護膜のスパッタ法による製造において、前
記保護膜を形成する基板上にＲＩＦバイアス電力、また
１ｊＤＣバイアス亀圧を印加することを特徴とする。
膜を形成し、前記光記録膜に集光したレーザ光を照射す
ることにより、情報を記録、再生あるｌｆｈは消去する
光記録媒体において、前記光記録媒体の耐候性を向上さ
せるための保護膜のスパッタ法による製造において、前
記保護膜を形成する基板上にＲＩＦバイアス電力、また
１ｊＤＣバイアス亀圧を印加することを特徴とする。
第１図は本発明の実施列における。スパッタ装置の概略
図であって％ １はターゲット用”Ｎ源、２はバイアス
印加用ＲＩＩ’またはＤＣ電源、３ｉ１ｔＰＣ基板、４
は基板セット用治具で、５Ｆ′ｉターゲツト、６はシー
ルド板、７は基板ホルダー、８はチャンバーでアースに
落ちている。９はパツキンである、１ＯｔｌＡｙガス導
入用パルプ、 １１はＭ２ガス導入用バルブである。
図であって％ １はターゲット用”Ｎ源、２はバイアス
印加用ＲＩＩ’またはＤＣ電源、３ｉ１ｔＰＣ基板、４
は基板セット用治具で、５Ｆ′ｉターゲツト、６はシー
ルド板、７は基板ホルダー、８はチャンバーでアースに
落ちている。９はパツキンである、１ＯｔｌＡｙガス導
入用パルプ、 １１はＭ２ガス導入用バルブである。
このスパッタ装置によ多形成した光記録媒体の断面財欲
を図２に、またこの構造における保護膜の成膜条件を表
１に示す。
を図２に、またこの構造における保護膜の成膜条件を表
１に示す。
まず、保ｌ１ＩＩＫ１３を成膜した。実空槽内をＩ Ｘ
１ｒ）−’ＴＯｆｆ” まで排気し、次に表１に示
した条件に従い９９、９９５％の高純反ＡＴガス及びＭ
２ガスを導入し、その後バイアス印加用電詠２を条件電
力また？ｌｊ：電圧に設定する１次にターゲット用のＲ
Ｆ％、源’に５００Ｗに設定しスパッタを開始する。膜
厚は１０００Ａと固定した。その後光記録膜１４として
１ＪｄＤｙＦｅｃｏ ’ｒ摸厚４００ Ａ成膜した。
１ｒ）−’ＴＯｆｆ” まで排気し、次に表１に示
した条件に従い９９、９９５％の高純反ＡＴガス及びＭ
２ガスを導入し、その後バイアス印加用電詠２を条件電
力また？ｌｊ：電圧に設定する１次にターゲット用のＲ
Ｆ％、源’に５００Ｗに設定しスパッタを開始する。膜
厚は１０００Ａと固定した。その後光記録膜１４として
１ＪｄＤｙＦｅｃｏ ’ｒ摸厚４００ Ａ成膜した。
その後保護膜１５を、前記保護膜１３と同−栄沖で成膜
することによ９１図２に示した光記録媒体を形成した。
することによ９１図２に示した光記録媒体を形成した。
また、比較列として、保護膜成膜時に基板バイアスを印
加しなかったもの（比較列１〜３）についても、それぞ
れ第１表に示した条件で保護膜を成模し、図２に示した
構造の光記録媒体を形成し。
加しなかったもの（比較列１〜３）についても、それぞ
れ第１表に示した条件で保護膜を成模し、図２に示した
構造の光記録媒体を形成し。
各試料および比較列の６０’０９０％Ｒ，Ｈ高温高湿下
における５０００時間の加速試験による保護膜１：３．
１５のクラック発生及びｐｃ基板１２からの膜浮き、光
記録膜であるＮｄＤｙＦｅＣ６膜の腐食発生の有無？ま
とめ、第２表に示す。
における５０００時間の加速試験による保護膜１：３．
１５のクラック発生及びｐｃ基板１２からの膜浮き、光
記録膜であるＮｄＤｙＦｅＣ６膜の腐食発生の有無？ま
とめ、第２表に示す。
第３図には前記加速試験による。前記試料及び比較列の
磁気光学特注θ？（ファラデー回転角）の初期匝θＦＯ
の１直に対する経時変化を、また第４図には磁気￥ｆａ
Ｈｃ（保磁力）の初期直Ｈｃｏに対する経時変化を示す
、ここで第３図、第４図中で試料１．４の結果のみ示し
であるが、他の試料２，３及び５〜１２につ０ても試料
１，４と同様、θｙ 、ＨＣは共に全く変化が認められ
なかった。
磁気光学特注θ？（ファラデー回転角）の初期匝θＦＯ
の１直に対する経時変化を、また第４図には磁気￥ｆａ
Ｈｃ（保磁力）の初期直Ｈｃｏに対する経時変化を示す
、ここで第３図、第４図中で試料１．４の結果のみ示し
であるが、他の試料２，３及び５〜１２につ０ても試料
１，４と同様、θｙ 、ＨＣは共に全く変化が認められ
なかった。
第２民から明らかな如く、本発明による光記録媒体の製
造方法により形成した光記録媒体は、長期の加速試験に
おいても％保護膜のクラック、膜浮きが発生することな
く、かつ記録膜が腐食することもなかった、また磁気光
学特性θ？、磁気特性。
造方法により形成した光記録媒体は、長期の加速試験に
おいても％保護膜のクラック、膜浮きが発生することな
く、かつ記録膜が腐食することもなかった、また磁気光
学特性θ？、磁気特性。
Ｈ，についても全く変化することなく、加速試験による
推定寿命１０年以上と、非常に耐候性に優れている。
推定寿命１０年以上と、非常に耐候性に優れている。
このような、保護膜のクラック、膜浮き発生が抑えられ
た理由として、保護膜形成時基板にＲＦバイアス電力、
またはＤＣバイアス亀正圧印加することによう基板洗浄
効果が加わったこと、また゛保護膜が緻密になったこと
により、クラック、膜浮きの原因と考えられる、基板と
保Ｍｉ＆）間の警翫力の弱さが改善されたためと思われ
る。また光記録膜の腐食が抑えられたのは、基板にＲＦ
バイアスｉに力、またはＤＣバイアス珈、圧を印加する
ことにより保礁膜が緻密になｐ、ピンホールの発生が抑
えられ１ｇ食の原因となる水分が光記録膜に浸透しなか
ったためと考えられる。
た理由として、保護膜形成時基板にＲＦバイアス電力、
またはＤＣバイアス亀正圧印加することによう基板洗浄
効果が加わったこと、また゛保護膜が緻密になったこと
により、クラック、膜浮きの原因と考えられる、基板と
保Ｍｉ＆）間の警翫力の弱さが改善されたためと思われ
る。また光記録膜の腐食が抑えられたのは、基板にＲＦ
バイアスｉに力、またはＤＣバイアス珈、圧を印加する
ことにより保礁膜が緻密になｐ、ピンホールの発生が抑
えられ１ｇ食の原因となる水分が光記録膜に浸透しなか
ったためと考えられる。
筒、本実施列において保護膜材料としてＡ＃ ４π、
Ａ、４Ｎ 、 Ｂ１３ｋ１４について述べたが、この池
に５ｉ０２等の酸化物ｐ ”ＱＩ ＨＺｎ日、 ０ｇ７
３． ＡＪ？、 、 ３ＮＦなどの非酸化物についても
同碌の効果が得られる。
Ａ、４Ｎ 、 Ｂ１３ｋ１４について述べたが、この池
に５ｉ０２等の酸化物ｐ ”ＱＩ ＨＺｎ日、 ０ｇ７
３． ＡＪ？、 、 ３ＮＦなどの非酸化物についても
同碌の効果が得られる。
また、プラスチック基板にｐｃを用ハたが、これ以外に
Ｉ’ＭＭＡ 、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、さらに
はガラス基板においても本発明は有効である。また光記
録膜としてはＮｄＤｙＦ６ＧＯの池、ＴｂＣ０、ＴＩ）
ＤｙＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｌｅＣＯ、ＮｄＦｇ 、 Ｎ
ｄＤｙＣｏ。
Ｉ’ＭＭＡ 、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、さらに
はガラス基板においても本発明は有効である。また光記
録膜としてはＮｄＤｙＦ６ＧＯの池、ＴｂＣ０、ＴＩ）
ＤｙＣｏ 、 ＴｂＤｙＦｌｅＣＯ、ＮｄＦｇ 、 Ｎ
ｄＤｙＣｏ。
などの希土類−遷移金鴎膜の他、光相変態膜としてＴＩ
−ＴｇＯ２、Ａｇ工ｎ糸、 Ｔ６ＢｇＳ％ 系、酸化
物磁性膜としてバリウムフェライト、コバルトフェライ
トについても用いる仁とができる。
−ＴｇＯ２、Ａｇ工ｎ糸、 Ｔ６ＢｇＳ％ 系、酸化
物磁性膜としてバリウムフェライト、コバルトフェライ
トについても用いる仁とができる。
また今回は基板バイアスとしてＲＦ５ＱＱＷ。
ＤＣ−５ＱＱＶまでであったが、これはＲＦバイアス電
力、またはＤＣバイアス亀正圧印加する時発生する熱に
よ５ｐｃ基板が変形しない限界の条件であシ、基板冷却
法を考えることにより、より高いバイアスを印加するこ
とができる。今回ターゲットにはＲＩＦ［源を用いたが
、試料５，６のよりにターゲットに金属材料を用いると
きは、ＤＣｔ源を用いても１本発明の効果が得られるこ
とは言うまでもない。
力、またはＤＣバイアス亀正圧印加する時発生する熱に
よ５ｐｃ基板が変形しない限界の条件であシ、基板冷却
法を考えることにより、より高いバイアスを印加するこ
とができる。今回ターゲットにはＲＩＦ［源を用いたが
、試料５，６のよりにターゲットに金属材料を用いると
きは、ＤＣｔ源を用いても１本発明の効果が得られるこ
とは言うまでもない。
またｊ＄：実施列においては、第２図に示す溝造にクハ
てのみ述べたが、保護膜を１層のみとした場合、他の透
明基板とはり合せて用いる場合も同様第 ２
戎 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、光記録媒体の耐侯注
を向上させるための保護膜のスパッタ法による製造にお
いて、前記保護膜を作成する基板上にバイアス電力を印
加することにより、保護膜にピンホール、クラック、膜
浮きが発生することがなく光記録媒体の信！ｌ１ｌｌＩ
注を著しく向上させる（推定寿命１０年以上）効果？有
するものである。
てのみ述べたが、保護膜を１層のみとした場合、他の透
明基板とはり合せて用いる場合も同様第 ２
戎 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、光記録媒体の耐侯注
を向上させるための保護膜のスパッタ法による製造にお
いて、前記保護膜を作成する基板上にバイアス電力を印
加することにより、保護膜にピンホール、クラック、膜
浮きが発生することがなく光記録媒体の信！ｌ１ｌｌＩ
注を著しく向上させる（推定寿命１０年以上）効果？有
するものである。
第１図は本発明に用いたスパッタ装置の概略図、第２図
は本発明によシ形成した光記録媒体の断面構造図、第３
図は表１の条件の下で第２図に示すように形成した光記
録媒体のω℃９０％ＲＨの環境下における磁気光学特注
θＦ（ファラデー回転角）の初期匝θ−に対する経時変
化図を、第４図は前記試験における磁気￥ｆ性Ｈ６（保
磁力）の初期１直Ｈｃ０に対する経時変化図ｔ−示す。 １・・ターゲット用ＲＩＦ電源 ２・・バイアス印加用ＲＦ’ま九はＤＣｍ源３・・ＰＣ
基板 ４・ｅ基板セット用治具 ５０ターゲツト ６・・シールド板 ７・・基板ホルダー ８・・チャ／パー ９１１φパツキン １０・・Ａデガス導入用パルプ １１・・Ｎ！ガス導入用バルブ １２・・ＰＣ基板 １３・・保！！膜 １４・・光記録膜 １５・１１保Ｆ！ｌ＠ １６・・試料ｌの場合 １７Φ・試料４の場合 １８・・比較列１の場合 １９・・比較列２の場合 Ｉ・・比較列３の場合 ２１１１・試料１の場合 ４・・試料４の場合 η・・比較列ｌの場合 冴・・比較列２の場合 δ・・比較列３の場合 以 上 出願人 セイコーエプソン昧式会社 第 １０ １２、Ｐ、Ｃ基長 第７図
は本発明によシ形成した光記録媒体の断面構造図、第３
図は表１の条件の下で第２図に示すように形成した光記
録媒体のω℃９０％ＲＨの環境下における磁気光学特注
θＦ（ファラデー回転角）の初期匝θ−に対する経時変
化図を、第４図は前記試験における磁気￥ｆ性Ｈ６（保
磁力）の初期１直Ｈｃ０に対する経時変化図ｔ−示す。 １・・ターゲット用ＲＩＦ電源 ２・・バイアス印加用ＲＦ’ま九はＤＣｍ源３・・ＰＣ
基板 ４・ｅ基板セット用治具 ５０ターゲツト ６・・シールド板 ７・・基板ホルダー ８・・チャ／パー ９１１φパツキン １０・・Ａデガス導入用パルプ １１・・Ｎ！ガス導入用バルブ １２・・ＰＣ基板 １３・・保！！膜 １４・・光記録膜 １５・１１保Ｆ！ｌ＠ １６・・試料ｌの場合 １７Φ・試料４の場合 １８・・比較列１の場合 １９・・比較列２の場合 Ｉ・・比較列３の場合 ２１１１・試料１の場合 ４・・試料４の場合 η・・比較列ｌの場合 冴・・比較列２の場合 δ・・比較列３の場合 以 上 出願人 セイコーエプソン昧式会社 第 １０ １２、Ｐ、Ｃ基長 第７図
Claims (1)
- 透明基板上に光記録膜を形成し、前記光記録膜に集光し
たレーザ光を照射することにより、情報を記録、再生あ
るいは消去する光記録媒体において、前記光記録媒体の
耐候性を向上させるための保護膜のスパッタ法による製
造において、前記保護膜を作成する基板上にＲＦバイア
ス電力、またはＤＣバイアス電圧を印加することを特徴
とする、光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17481386A JPS6331049A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17481386A JPS6331049A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331049A true JPS6331049A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15985115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17481386A Pending JPS6331049A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762413A1 (en) * | 1989-03-28 | 1997-03-12 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical media |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58215744A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Yoshifumi Sakurai | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS6122456A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62109247A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17481386A patent/JPS6331049A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58215744A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Yoshifumi Sakurai | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS6122456A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62109247A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762413A1 (en) * | 1989-03-28 | 1997-03-12 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical media |
| US5667887A (en) * | 1989-03-28 | 1997-09-16 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical media |
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