JPS63311231A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、液晶素子に関し、特に強誘電性液晶をセル内
に配置した液晶素子に関する。

〔従来技術〕

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子と
の組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク（Ｃ１ａｒｋ）及びラガーウオール（Ｌａｇｅ
ｒｗａｌ＋）により提案されている（特開昭５６−１０
７２１６号公報、米国特許第４，３６７．９２４号明細
書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域にお
いてカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（
ＳｍＨ＊）を有し、この状態において、加えられる電界
に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状
態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはその
状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また電
界の変化に対する応答も速やかであり、高速ならびに記
憶型の表示素子としての広い利用が期待されている。

この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所定
の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配
置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような分子配
列状態にあることが必要である。たとえばＳｍＣ＊また
はＳｍＨ’相を有する強誘電性液晶については、ＳｍＣ
＊またはＳｍＨ＊相を有する液晶分子相が基板面に対し
て垂直で、したがって液晶分子軸が基板面にほぼ平行に
配列した領域（モノドメイン）が形成される必要がある
。

ところで、強誘電性液晶の配向方法としては、一般にラ
ビング処理や斜方蒸着処理などによる一軸性配向処理を
施した配向制御膜を用いる方法が知られ、これまで配向
制御膜としては、芳香族系ポリイミド、ポリアミド又は
ポリビニルアルコール膜などが用いられていた。

本発明者らの実験から、後述する様に前述した如き常誘
電体を配向制御膜とした時、マルチブレクシレグ駆動時
に正常なスイッチング動作が得られないことが判明した
。

ところで、前述した強誘電性液晶素子は、双安定性を付
与するために、無電界時でカイラルスメクチックＣ又は
Ｈ液晶が固有しているらせん構造を消失させるセル厚に
設定されている。このためのセル厚は、従来から用いら
れていたＴＮ液晶素子のセル厚に対して１／２〜１／１
０程度に設定されることになる。

したがって、こめ強誘電性液晶素子を大画面の表示パネ
ルに適用するためには、セル内に多数の電極が配線され
、しかも上下基板に配線した電極間の間隔が非常に狭い
ものとなっていた。このため、上下電極間のショートを
防ぐために、前述した配向制御膜の膜厚を十分に肉厚と
する方法が考えられていたが、後述で明らかにした様に
肉厚な配向制御膜をマルチブレクシング用液晶セルに配
置すると、スイッチング不良を生じることが明らかにな
った。

従って、本発明の目的は前述の問題点を解消した液晶素
子を提供することにあり、特に本発明は上下基板に多数
の電極を配線し、セル内に強誘電性液晶を配置したマル
チブレクシフグ駆動用液晶素子に対して上下電極のショ
ートとスイッチング特性を改善することを目的としてい
る。

すなわち、本発明は、透明電極が形成された２枚の基板
間に液晶物質の層を配置した液晶装置において、少なく
とも一方の透明電極と液晶物質の層との間に、該透明電
極の側から高誘電率をもつ物質又は強誘電物質で形成し
た第１の膜と５００Å以下の膜厚で、且つ液晶物質の層
と接する面で一軸配向処理軸が付与された第２の膜とを
配置した液晶素子に特徴を有している。

〔発明の態様の詳細な説明〕

第１図は、本発明の液晶素子の平面図で、第２図（Ａ）
〜（Ｃ）はそれぞれ異なる態様のＡ　−Ａ’　断面図で
ある。

第１図で示すセル構造体１０は、ガラス板やプラスチッ
クシートなどからなる一対の基板１１ａとｌｌｂがスペ
ーサ１４で所定の間隔に保持され、この一対の基板をシ
ーリングするために、周囲を接着剤で形成したシール材
１５を有しており、基板１１ａの上には複数の透明電極
１２ａからなる電極群（例えばマトリクス電極構造のう
ちの走査電圧印加用電極群）が帯状パターンで形成され
、基板１１ｂの上には前述の透明電極１２ａと交差させ
た複数の透明電極１２ｂからなる電極群（例えば、マト
リクス電極構造のうちの情報電圧印加用電極群）が形成
されている。この基板１１ａとｌｌｂとの間には、後述
する強誘電性液晶１３が配置されている。

このセル構造体１０は、第２図（Ａ）に示す様に透明電
極１１ｂの上に第１の膜２１ｂと第２の膜２２ｂが塗設
されている。又、第２図（Ｂ）に示すセル構造体では、
透明電極１１ａの上にもう１つの第２の膜２２ａが塗設
されており、第２図（Ｃ）に示すセル構造体では、透明
電極１１ａ上にそれぞれもう１つの第１の膜２１ａと第
２の膜２２ａが塗設されている。

本発明で用いた第１°の膜２１ａ及び２１ｂは、高誘電
率をもつ物質又は強誘電物質を成膜したもので、その誘
電率を測定周波数２０ｋＨｚで１０以上、好ましくは２
０以上としたものである。かかる高誘電率をもつ物質又
は強誘電物質としては、例えばアルミニウム酸化物、マ
グネシウム酸化物、チタン酸化物、リチウム酸化物、ビ
スマス酸化物、有機金属化合物（チタン酸化合物、ニオ
ブ酸化合物）などの単独又は２種以上組合せて用いるこ
とができる。

この際の成膜法としては、電子ビーム蒸着法やスパッタ
リング法などを用いることができる。又、アセチルアセ
トナートスズ化合物の様な有機金属化合物の場合には、
有機金属化合物を含有した溶液を塗布（スピンナー塗布
法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、スプレー塗布法や
ロール塗布法による塗布）した後、所定温度で焼成する
ことによって成膜することができる。

かかる第１の膜２１ａ及び２１ｂの膜厚は、一般に５０
人〜３０００人、好ましくは１００人〜２０００人とす
るのがよい。

又、本発明で用いた第２の膜２２ａ及び２２ｂは、強誘
電性液晶１３と接する面でラビング処理、斜方蒸着処理
や斜方エツチング処理などによって一軸性配向処理軸が
付与され、その膜厚は５００Å以下、好ましくは１０人
〜２００Å以下に設定されている。

この第２の膜２２ａ及び２２ｂとしては、例えばポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリニス゛チルイミド、ポリ
ビニルアルコール、エチルセルロース、ポリアミド（ナ
イロンなど）、ポリエステル、ポリエチレンなどの有機
高分子フィルムやＳｉＯ，ＳｉＯ□などの斜方蒸着無機
フィルムを用いることができる。

本発明の好ましい具体例では、米国特許第２，７１０゜
８５３号公報、米国特許第２，７１２，５４３号公報、
米国特許第２，９００，３６９号公報、米国特許第３，
０７３゜７８４号公報、米国特許第３，１７９，６３４
号公報などに記載されたポリイミドを用いることができ
るが、特に好ましくは、下記の一般式ＣＩ）で示される
構造単位を含有するポリイミド樹脂を用いることができ
る。

式中、Ｒ１は４価の脂肪族系有機残基、ｎはＯ又は１を
表わしている。前記一般式ＣＩ）で示される構造単位を
含有するポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸ジ無水物
とジアミンとを重縮合させ、所謂ポリアミック酸とし、
次いで脱水閉環させることにより合成できる。

その重合方法は特に制限されるものではなく、溶液重合
、界面重合、塊状重合、固相重合等いずれも採用され得
る。又上記重合反応は生成するポリアミック酸を単離せ
ずにポリイミドとする１段法で行っても良く、或いは、
生成したポリアミック酸を単離し、次いで脱水閉環させ
て、ポリイミドとする２段法で行っても良い。

この際の重合方法は通常溶液法が好適である。溶液法に
用いられる溶媒としては、生成するポリアミック酸を溶
解するものであれば特に限定されるものではない、代表
的な例としては、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ
−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テト
ラメチル尿素、ビリ−ジン、ジメチルスルホラン、ヘキ
サメチルホスホルアミド、ブチロラクトン等が挙げられ
る。これらは、単独で用いても良く、又混合して用いて
もかまわない、更にポリアミック酸を溶解させない溶媒
であっても、ポリアミック酸を溶解させ得る範囲内で、
これを上記溶媒に加えても何ら差支えない。

ポリアミック酸生成のための重縮合反応の反応温度は−
２０’Ｃ〜１５０℃の任意の温度を選択できるが、特に
−５°Ｃ〜１００℃の範囲が好ましい。

本発明において、ポリアミック酸をポリイミドに転化す
るには、通常は加熱により脱水閉環する方法がとられる
。この加熱脱水閉環させる温度は、１５０℃〜４００℃
、好ましくは１７０°ｃ〜３５０℃の任意の温度を選択
できる。又この脱水閉環に要する時間は、上記反応温度
にもよるが３０秒〜１０時間、好ましくは５分〜５時間
をかけることが適当である。

又、ポリアミック酸をポリイミドに転化する他の方法と
して、脱水閉環触媒を用いて化学的に閉環する方法もと
り得る。これらの方法については、通常のポリイミド合
成において用いられる公知の方法をそのまま採用でき、
特に条件なども制限されるものではない。

以下に脂肪族系テトラカルボン酸ジ無水物とシアミ化合
物の具体例を示す。

（１）脂肪族系テトラカルボン酸ジ無水物Ｏ０ （２）ジアミン化合物 本発明において用いられるジアミンは、本発明の目的を
損なわない限り、特に限定されるものではない。その代
表的な例を挙げれば、前記ジアミンの具体例としては、
パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、４
．４’　−ジアミノジフェニルメタン、４．４’　−ジ
アミノジフェニルエタン、ベンジジン、４，４′　−ジ
アミノジフェニルスルフィド、４．４′　−ジアミノジ
フェニルスルホン、４．４’　−ジアミノジフェニルエ
ーテル、１，５−ジアミノナフタレン、３，３′　−ジ
メチル−４，４′　−ジアミノビフェニル、３．４’　
−ジアミノベンズアリニド、３．４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル、メタキシリレンジアミン、パラキシリレ
ンジアミン、エチレンジアミン、ｌ、３−プロパンジア
ミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン
、オククメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、４
，４′−ジメチルへブタメチレンジアミン、１，４′　
−ジアミノシクロヘキサン、テトラヒドロジシクロペン
タジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−４，７−メタン
イソダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ（６，２
，１，０”）−ランデシレンジメチルジアミン等がある
。

又、本発明で使用されるポリイミド樹脂としては、その
ポリマー鎖の中に少量の共重合単位（例えばアミド単位
、一般に含まれる他の重合単位）などを含む共重合体単
位も含まれる。

又、これらのポリアミック酸又はポリイミド樹脂の被膜
の形成法としては、この樹脂を適当な溶剤に０．１重量
％〜２０重量％、好ましくは０．２重量％〜１０重量％
の割合で溶解させた溶液、或いはその前駆体溶液をスピ
ンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、スプレ
ー塗布法やロール塗布法などの方法によって塗布した後
、所定の硬化条件（例えば加熱下）で硬化させる方法を
用いることができる。

これらの有機高分子フィルムに一軸性配向処理軸を付与
する方法としては、ラビング処理が好ましい。

又、本発明の好ましい具体例では、第１の膜２１と第２
の膜２２との間にポリオルガノシラン被膜を配置するこ
とができる。この際のオルガノシランは、一般式Ｒ”Ｓ
　ｒ　Ｘ４−ｍ　（ｒｎ　＝１　＋２＋３　）で表わさ
れる一種又は二種以上のオルガノシランである。式％式
％ シ）やアセトキシで、Ｒ２はメチル、エチル、ビニル、
アルケニルなどの脂肪族炭化水素基又はフェニルなどの
芳香族炭化水素基である。ポリオルガノシラン被膜はオ
ルガノシランのモノマー又はプレモノマーをｎ−ヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの溶媒に０．１
〜２０ｗｔ％の濃度で溶解し、この溶液を塗布後加熱す
ることによって調整することができる。

前述した強誘電性液晶素子を等価回路として考えると、
第１の膜２１／第２の膜２２／強誘電性液晶１３の層の
それぞれに、対応するコンデンサが直列に接続した回路
となっているが、第１の膜２１と第２の膜２２の積層体
における電気容量と強誘電性液晶１３の層における電気
容量との関係で、外部から印加された電圧に対して強誘
電性液晶１３の層に印加される電圧波形が決定される。

つまり、上述の積層体の電気容量が大きい程、強誘電性
液晶の双安定性が改善されることになる。

本発明によれば、前述した積層体の電気容量を大きくす
ることができる。又、本発明によれば一軸配向処理を付
与した第２の膜２２の膜厚を５００Å以下とすることに
よって、電気容量の損失を抑えることができる。

本発明で用いることができる双安定性を有する液晶とし
ては、強誘電性を有するカイラルスメクチック液晶が最
も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）の液晶が適している。この
強誘電性液晶については、“ル・ジュルナール・ド・フ
ィシツク・レター”（“ＬｅＪｏｕｒｎａｌ　　ｄｅ　
　Ｐｈｙｓｉｃ　　１ｅｔｔｅｒ’″）３６巻（Ｌ−５
９）、１９７５年の「フェロエレクトリック・リキッド
・クリスタルＪ　（ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　　
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ’）　；“アプライド・
フィジックス・レターズ″）　（”Ａｐｐｌｉｅｄ　　
Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）３６巻（１１号
）　、　１９８０年の「サブミクロン・セカンド・バイ
スティプル・エレクトロオプティック・スイッチング・
イン・リキッド・クリスタル」（「Ｓｕｂｍｉｃｒｏ　
５ｅｃｏｎｄ　Ｂ１５ｔａｂｌｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐ
ｔｉｃＳｗｉｔｃｈｉｎｇ　　ｉｎ　　Ｌｉｑｕｉｄ　
　ＣｒｙｓｔａｌＪ）　；“固体物理１６　（１４１）
１９８１　ｒ液晶ｊ等に記載されており、本発明ではこ
れらに開示された強誘電性液晶を用いることができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー）　（ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ）、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ’　−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等の他に、米国
特許第４，５６１，７２６号公報、米国特許第４，５９
２，８５８号公報、米国特許第４，５９６，６６７号公
報、米国特許第４．６１３，２０９号公報、米国特許第
４，６１４，６０９号公報、米国特許第４，６３９，０
８９号公報などに記載された強誘電性液晶が挙げられる
。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
ＳｍＣ木相又はＳｍＨ＊相となるような温度状態に保持
する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅
ブロック等により支持することができる。

又、本発明では前述のＳｍＣ＊、　ＳｍＨ＊の他に、カ
イラルスメクチックＦ相、■相、Ｊ相、Ｇ相やに相で表
わされる強誘電性液晶を用いることも可能である。

第４図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。４１ａど４１ｂは、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２やＩ
ＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層４２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
＊相の液晶が封入されている。太線で示した線４３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子４３は、その分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ土）４４を有し
ている。基板４１１と４１ｂ上の電極間に一定の閾値以
上の電圧を印加すると、液晶分子４３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント（Ｐ±）４４はすべて電界方向
に向くよう、液晶分子４３の配向方向を変えることがで
きる。液晶分子４３は細長い形状を有しており、その長
軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置
した偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを十分に薄くした場合（例え
ば１μ）には、第５図に示すように電界を印加していな
い状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極子
モーメントＰａ又はＰｂは上向き（５４ａ）又は下向き
（５４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに
第５図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ
ａ又はＥｂを所定時間付与すると、双極子モーメントは
電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対して上向き５４ａ
又は下向き５４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子
は第１の安定状態５３ａかあるいは第２の安定状態５３
ｂの何れか一方に配向する。

このような強透電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に応答速度が極めて速いこと
、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することであ
る。第２の点を例えば第５図によって説明すると、電界
Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態５３ａに配
向するが、この状態は電界を切っても安定である。又、
逆向きの電界Ｅｂを印加すると液晶分子は第２の安定状
態５３ｂに配向して、その分子の向きを変えるが、やは
り電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電
界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来
るだけ薄い方が好ましく、一般的には０．５μ〜２０μ
、特に１μ〜５μが適している。

〔発明の効果〕

本発明によれば、上下電極間のショート防止と同時に双
安定性に基づくスイッチングが可能となった。

以下本発明を実施例に従って説明する。

〔実施例１〕 ２５０μｍピッチ、電極幅２３０μｍの帯状の透明電極
が形成された基板上に二酸化チタンをＥＢ（電子ビーム
）蒸着により１０００人形成した。二酸化チタンはＥＢ
蒸着で作成すると誘電率εは１０２であった（インピー
ダンスアナライザー：４１９２Ａ：横河ヒューレットパ
ツカード社製）（測定周波数２０ｋＨｚ）。その上層に
ポリイミド（東し■：　５Ｐ７１０）をスピンコードに
より３００人塗布・焼成して形成しラビング処理した。

上記のように作成した２枚の基板を帯状の透明電極が直
交し、かつラビング方向が平行になるようにセル組した
。

この液晶セルに以下の液晶を等吉相まで昇温して注入し
た。

Ｚ　Ｌ　１３７７４　　Ｍ　ｅ　ｒ　ｃ　ｋ　　　’（
ＳｍＡ；スメクチックＡ相、Ｃｈ；コレステリック相、
　Ｉｓｏ　Ｈ等方相）この液晶セルを０．５℃／分の速
度で徐冷後、スイッチング特性を室温（約２５°Ｃ）で
観察した。

第３図（Ｂ）に示すように双安定性を逆極性の単極性の
パルスの繰返しで評価した（パルス幅：５０μｓｅｃ、
波高値：　２０Ｖ）。液晶の電気光学応答をクロスニコ
ル偏光子を介して測定したところ、無電界時に液晶の状
態がパルスによって規定された状態を保つていることが
確認され、双安定性があることが確認された。

〔比較例１〕 実施例１で用いた３００人のポリイミド膜に代えて、８
００人のポリイミド膜を用いたほかは、実施例１と同様
の方法で液晶セルを作成し、同様のテストを行った。そ
の結果を第３図（Ａ）に示す。

第３図（Ａ）は、本発明外の強透電性液晶セルに対する
印加電圧と光学応答特性を表わし、第３図（Ｂ）は本発
明の強透電性液晶素子に対する印加電圧と光学応答特性
を表わしている。図中、ｔは時間、■は電圧、Ｔは透過
率（単位任意）を表わしている。

前述の特性図から判るとおり、本発明外の液晶セル（第
３図（Ａ））では、パルス電圧印加時に急激な電圧降下
を生じ、そのパルス電圧を解除した時には、逆極性の大
きな電圧が印加され、その結果電圧を解除した時にはも
との暗レベルとなった。

つまり電圧２０Ｖ、パルス幅５０μｓｅｃでの反転スイ
ッチングは行なわれていなかった。これに対し、本発明
の液晶セル（第３図（Ｂ））ではパルス電圧印加時には
電圧降下が小さく、パルス電圧を解除した時には、逆極
性の電圧はあまり大きな値を示していなかった。従って
本発明の液晶セルは、第３図（Ｂ）の光学応答特性に示
す様に、パルス電圧を解除した時に、電圧印加時の明状
態がそのまま維持されていた。つまり、本発明の液晶セ
ルでパルス電圧２０ｖ９幅５０μｓｅｃで反転スイッチ
ングが行なわれた。

〔実施例２〕 実施例１において用いた液晶を以下のものに代えた他は
、実施例１と同様の方法で液晶セルを作成し、同様のテ
ストを行った。

Ｃ５１０１８ツ゛（＋ 実施例１と同様双安定性が保持されていることが確認さ
れた。

〔実施例３〕 実施例１と同様の透明電極付基板上に触媒化成■社製の
有機スズ化合物（アセチルアセトナートスズ）のイソプ
ロピルアルコール溶液（５％溶液）をスピナーによって
塗布焼成し、ＳｎＯ□膜ｓｏｏ人を形成した。透電率は
２６（測定周波数２０ｋＨｚ）であった。

その他は、実施例１と同様のセル構成と液晶材料で液晶
セルを作成した。

実施例１と同様良好な双安定性が得られた。

〔実施例４〕 実施例１で用いた３００人のポリイミド膜に代えて、３
００人のポリビニルアルコール膜を用いた他は、実施例
１と同様の方法で液晶セルを作成し、同様のテストを行
ったところ、実施例１と同様の結果が得られた。

〔実施例５〕 実施例１で用いた３００人のポリイミド膜に代えて、下
記単位を繰返し有する２００厚のポリイミド膜を用いた
他は、実施例１と同様の方法で液晶セルを作成し、同様
のテストを行ったところ、実施例１と同様の結果が得ら
れた。

このポリイミド膜は、下記の処方で調製することができ
た。

２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシフェニル）
プロパン１２．３ｇをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１
８９ｍｊ！に加え、撹拌して均一溶液とした後、３゜５
．６−　トリカルボキシ−２−カルボキシメチルノルボ
ルナン−２：３，５：６−ジ無水物７．５ｇを加え、室
温で６時間撹拌を続けたところ、薄（茶色味を帯た粘稠
な液体となった。この粘稠液体を大量のトルエン中に沈
殿させたところ白色の固体１７．６ｇポリアミック酸が
得られた。

得られたポリアミック酸を２重量％の割合でジンチルホ
ルムアミドに溶解し回転数３００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピン
ナーで１８０秒間塗布した。成膜後、２５０℃で１時間
加熱焼成処理を施し、下記式（ＶＩ）の（り返して表わ
されるポリイミド樹脂の塗膜を形成した。このときの塗
膜の膜厚は約２００人であった。

〔実施例６〕 実施例１の液晶セルを作成する′際、ポリイミド膜を塗
設するに先立って、ＥＢ蒸着で形成した二酸化チタン膜
の上にジェトキシジメチルシランの５％トルエン溶液を
浸漬塗布し、８０℃の温度で３０分間の加熱処理を施し
てポリオルガノシラン膜を形成したほかは実施例１と同
様の方法で液晶セルを作成し同様のテストを行ったとこ
ろ、実施例１の液晶セルの場合と比較して光学応答特性
に改善が見られた。この光学応答特性の改善は、米国特
許第４，６５５゜５６１号公報に開示されたマルチブレ
クシング駆動を適用した時に画面でのちらつきを低減す
ることができるものであった。

又、前述したジェトキシジメチルシランの他に、他のシ
ランモノマー（ジメチルジクロルシラン。

ジェトキシジフェニルシラン、メチルトリエトキシシラ
ン／ジメチルジェトキシシラン（＝１／１）など）又は
ブレモノマーを用いても同様の結果が得られた。

〔実施例７〕 実施例１の液晶セルを作成する際に用いたＥＢ蒸着によ
る二酸化チタン膜に代えて、スパッタリングにより成膜
した１０００人厚のＢａＴｉＯ３膜を用いたほかは実施
例１と同様の方法で液晶セルを作成し、同様のテストを
行なったところ、実施例１と同様の結果が得られた。又
、実施例１と同様の方法で透１率の測定を行ったところ
、１０００人厚のＢａＴｉＯ３膜の誘電率は１５０であ
った。

〔実施例８〕 実施例１の液晶セルを作成する際に用いた３００人厚０
ポリイミド膜に代えて３００人のＳｉＯ斜方蒸着膜を用
いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶セルを作成し
、同様のテストを行ったところ、実施例１と同様の結果
が得られた。この際の斜方蒸着角度は５°に設定された
。

〔比較例２〕 実施例１の液晶セルを作成する際に用いたｉｏｏ。

入庫の二酸化チタン膜に代えて蒸着形成した１０００人
厚のＢａ化シリコン膜を用いたほかは、実施例１と同様
の方法で作成し、同様のテストを行ったところ、第３図
（Ａ）に示す結果と同様の結果が得られた。この際の１
０００人厚のＢａ化シリコン膜の誘電率を実施例１と同
様の方法で測定したところ、誘電率は３．１であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶素子の平面図で、第２図特性を
示す特性図で、第３図（Ｂ）は本発明の液晶素子の電気
−光学特性を示す特性図である。 第４図及び第５図は本発明で用いた強誘電性液晶素子の
斜視図である。 呂） （Ｂン

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明電極が形成された２枚の基板間に液晶物質の
   層を配置した液晶装置において、少なくとも一方の透明
   電極と液晶物質の層との間に、該透明電極の側から高誘
   電率をもつ物質又は強誘電物質で形成した第１の膜と５
   ００Å以下の膜厚で、且つ液晶物質の層と接する面で一
   軸配向処理軸が付与された第２の膜とを配置したことを
   特徴とする液晶素子。
2. （２）前記液晶が強誘電性液晶である特許請求の範囲第
   １項記載の液晶素子。
3. （３）強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶である
   特許請求の範囲第２項記載の液晶素子。
4. （４）カイラルスメクチツク液晶の膜厚が、無電界時に
   カイラルスメクチツク液晶が固有するらせん構造を消失
   する薄さに設定されている特許請求の範囲第３項記載の
   液晶素子。
5. （５）前記高誘電率をもつ物質又は強誘電物質の誘電率
   （測定周波数２０ｋＨｚ）が１０以上である特許請求の
   範囲第１項記載の液晶素子。
6. （６）前記高誘電率をもつ物質又は強誘電物質の誘電率
   （測定周波数２０ｋＨｚ）が２０以上である特許請求の
   範囲第１項記載の液晶素子。
7. （７）前記高誘電率をもつ物質又は強誘電物質がチタン
   酸化物、アルミニウム酸化物、マグネシウム酸化物、リ
   チウム酸化物、ビスマス酸化物、チタン酸化合物及びニ
   オブ酸化合物からなる群より選択された少なくとも１種
   の化合物である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
8. （８）前記第１の膜と第２の膜との間にポリオルガノシ
   ラン膜を配置した特許請求の範囲第１項記載の液晶素子
   。