JPS63312671A - 電荷転送撮像装置 - Google Patents
電荷転送撮像装置Info
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- JPS63312671A JPS63312671A JP62149344A JP14934487A JPS63312671A JP S63312671 A JPS63312671 A JP S63312671A JP 62149344 A JP62149344 A JP 62149344A JP 14934487 A JP14934487 A JP 14934487A JP S63312671 A JPS63312671 A JP S63312671A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電荷転送撮像装置、特にカラーフィルタを備え
た電荷転送撮像装置の構造に関する。
た電荷転送撮像装置の構造に関する。
半導体基板上に複数の光電変換部を２次元的に配し、こ
れらの光電変換部上にモザイク状に複数の色のフィルタ
を被覆した固体カラー撮像装置の１つとして、第２図に
示すように、ガラス基板にあらかじめモザイク状に色フ
ィルタ素子を形成したカラーフィルタ２０をエポキシ系
、あるいはウレタン系、アクリル系の接着にて半導体基
板上に複数の光電変換部を有する電荷転送撮像素子２４
に接着した構造が多（用いられている。
れらの光電変換部上にモザイク状に複数の色のフィルタ
を被覆した固体カラー撮像装置の１つとして、第２図に
示すように、ガラス基板にあらかじめモザイク状に色フ
ィルタ素子を形成したカラーフィルタ２０をエポキシ系
、あるいはウレタン系、アクリル系の接着にて半導体基
板上に複数の光電変換部を有する電荷転送撮像素子２４
に接着した構造が多（用いられている。
このようなカラーフィルタ２０では、電荷検出用の浮遊
拡散層２１を含む有効光電変換領域２２外にクロームに
よるしゃ光層２３を設けている。
拡散層２１を含む有効光電変換領域２２外にクロームに
よるしゃ光層２３を設けている。
この浮遊拡散層２１によって電荷転送撮像素子の有効光
電変換部２２以外の領域に入射された光によって発生し
た不要なキャリアが有効光電変換部２２にもれ込み画質
を劣化させるのを防止し、更に電荷検出用の浮遊拡散層
２１へ非常に強い光が直接入射した場合、この部分で発
生したキャリアによって、正常な電荷検出動作が行なえ
なくなるのを防止していた。
電変換部２２以外の領域に入射された光によって発生し
た不要なキャリアが有効光電変換部２２にもれ込み画質
を劣化させるのを防止し、更に電荷検出用の浮遊拡散層
２１へ非常に強い光が直接入射した場合、この部分で発
生したキャリアによって、正常な電荷検出動作が行なえ
なくなるのを防止していた。
しかしながら、浮遊拡散層２１上は第３図に示すような
構造となっている。す々わち、Ｎ型浮遊拡散石２１を有
するＰジ基板３４上には荷い５ｉ０２層３６を介してゲ
ート電極３７を有し、さらにその上に厚い８ｉ０Ｊ！３
３を有している。この厚い５ｉ０２層３３上にガラス基
板３０に形成したカラーフィルターを接着剤３２で接着
している。カラーフィルターは浮遊拡散層２１上にはク
ロムのしゃ光層３１を有している。このような構造では
、例えばＰ型基板３４に対して大きな面積で対向してい
ることによって実効的に接地されたと同等のガラス基板
３０上のクロームシャ光層３１が、Ｎ型浮遊拡散層２１
上部を接着剤樹脂３２を介しておおっており、浮遊拡散
層２１との間に浮遊静電容ｔ３５を有している。ところ
で、この浮遊拡散層２１の拡散容量は重荷検出感度を高
くするため、通常０．０２ｐＦ程度の非常番で微少な値
であるため、このような浮遊静電容量３５を無視出来ず
、２０〜３０憾程度の容量増加となシミ荷感度を低下さ
せている。また更に、このような浮遊静電容量３５は、
接着剤樹脂層３２の厚さのばらつきによって変化するた
め、出力電圧を一定として使用するカメラ装置において
装置毎の感度ばらつきが生じるという欠点を有する。
構造となっている。す々わち、Ｎ型浮遊拡散石２１を有
するＰジ基板３４上には荷い５ｉ０２層３６を介してゲ
ート電極３７を有し、さらにその上に厚い８ｉ０Ｊ！３
３を有している。この厚い５ｉ０２層３３上にガラス基
板３０に形成したカラーフィルターを接着剤３２で接着
している。カラーフィルターは浮遊拡散層２１上にはク
ロムのしゃ光層３１を有している。このような構造では
、例えばＰ型基板３４に対して大きな面積で対向してい
ることによって実効的に接地されたと同等のガラス基板
３０上のクロームシャ光層３１が、Ｎ型浮遊拡散層２１
上部を接着剤樹脂３２を介しておおっており、浮遊拡散
層２１との間に浮遊静電容ｔ３５を有している。ところ
で、この浮遊拡散層２１の拡散容量は重荷検出感度を高
くするため、通常０．０２ｐＦ程度の非常番で微少な値
であるため、このような浮遊静電容量３５を無視出来ず
、２０〜３０憾程度の容量増加となシミ荷感度を低下さ
せている。また更に、このような浮遊静電容量３５は、
接着剤樹脂層３２の厚さのばらつきによって変化するた
め、出力電圧を一定として使用するカメラ装置において
装置毎の感度ばらつきが生じるという欠点を有する。
子上に、少なくとも透明基板上に導電性し中光層を備え
たカラーフィルタを接着してなる電荷転送撮像素子にお
いて、少な（とも電荷検出用浮遊拡散層上部の導電性じ
ゃ光層を除去したことを特徴とし、更に、望ましくはこ
れら電荷検出用浮遊拡散層上部の導電性しや光層を除去
した部分に単一色以上の色フィルタを形成した電荷撮像
装置を得る。
たカラーフィルタを接着してなる電荷転送撮像素子にお
いて、少な（とも電荷検出用浮遊拡散層上部の導電性じ
ゃ光層を除去したことを特徴とし、更に、望ましくはこ
れら電荷検出用浮遊拡散層上部の導電性しや光層を除去
した部分に単一色以上の色フィルタを形成した電荷撮像
装置を得る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。Ｐ型基板１
上には薄い５ｉｎ２膜１９とゲート電極】０とを有し、
一方、この電荷転送撮像素子はＰ型基板１には多数の光
電変換領域、電荷転送領域とともに電荷検出用Ｎ型浮遊
拡散層２を有している。
上には薄い５ｉｎ２膜１９とゲート電極】０とを有し、
一方、この電荷転送撮像素子はＰ型基板１には多数の光
電変換領域、電荷転送領域とともに電荷検出用Ｎ型浮遊
拡散層２を有している。
この電荷転送撮像素子上にはエポキシ系接着剤３を介し
てカラーフィルタ４が従来同様接着されている。カラー
フィルタ４には従来同様有効光電変換領域外へ不用な光
が入射し不要なキャリアの発生を防止するため、クロー
ムによるしゃ光層５が設けられている。しかしながらこ
のしゃ光層５は浮遊拡散層２との浮遊静電容量を持つの
を防止するため、 １０μ、ａの浮遊拡散層２の上部１
００１１ｍ”にわたってクロームじゃ光層５が除去され
ている。
てカラーフィルタ４が従来同様接着されている。カラー
フィルタ４には従来同様有効光電変換領域外へ不用な光
が入射し不要なキャリアの発生を防止するため、クロー
ムによるしゃ光層５が設けられている。しかしながらこ
のしゃ光層５は浮遊拡散層２との浮遊静電容量を持つの
を防止するため、 １０μ、ａの浮遊拡散層２の上部１
００１１ｍ”にわたってクロームじゃ光層５が除去され
ている。
通常接着剤３の厚さは３〜５μ程度であるため浮遊拡散
層２とクロームじゃ光層５間の容量結合は非常に少なく
なり５チ以下の浮遊拡散層の電荷検出容量増加にとどま
る。
層２とクロームじゃ光層５間の容量結合は非常に少なく
なり５チ以下の浮遊拡散層の電荷検出容量増加にとどま
る。
一方、浮遊拡散層２上のし十光層５を除去すると、通常
の撮像条件では入射した光によって発生したキャリアで
の電荷検出動作への影響は、この浮遊拡散層の蓄積リセ
ット動作が７〜１０ＫＨｚと非常に速いためにほとんど
影響は生じないが、直接太閘光が入射する等の条件では
、バイアス電荷が注入された状態となり正常な動作が損
なわれる。
の撮像条件では入射した光によって発生したキャリアで
の電荷検出動作への影響は、この浮遊拡散層の蓄積リセ
ット動作が７〜１０ＫＨｚと非常に速いためにほとんど
影響は生じないが、直接太閘光が入射する等の条件では
、バイアス電荷が注入された状態となり正常な動作が損
なわれる。
そこで、第１図に示すように、浮遊拡散Ｒ２上のしゃ光
層５の開口部に青、赤、緑の有効部に設けられている各
色フィルタ素子６．７．８を３層積層し、色フィルタ素
子によって光じゃ光を実現している。このような色フィ
ルタによる光しゃ光は、クロームじゃ光層に対してしゃ
光性は悪く、２〜５％の光透過はあるが、電荷検出動作
を正常に保つには十分であることが実験により確認され
ている。
層５の開口部に青、赤、緑の有効部に設けられている各
色フィルタ素子６．７．８を３層積層し、色フィルタ素
子によって光じゃ光を実現している。このような色フィ
ルタによる光しゃ光は、クロームじゃ光層に対してしゃ
光性は悪く、２〜５％の光透過はあるが、電荷検出動作
を正常に保つには十分であることが実験により確認され
ている。
〔発明の効果〕
以上説明したように１本発明は浮遊拡散層上部のし中光
層を除去することによって、浮遊拡散層としや光層間に
生じる浮遊静電容量の発生を防止することによって、電
荷検出容量の増加を防止することによって感度低下及び
感度ばらつきを防止することが呂来る。またクロームじ
ゃ光層を除去した部分には、有効部に形成している各色
フィルタ素子を層積することによって動作上全く支障の
無いしゃ光効果が得られる。
層を除去することによって、浮遊拡散層としや光層間に
生じる浮遊静電容量の発生を防止することによって、電
荷検出容量の増加を防止することによって感度低下及び
感度ばらつきを防止することが呂来る。またクロームじ
ゃ光層を除去した部分には、有効部に形成している各色
フィルタ素子を層積することによって動作上全く支障の
無いしゃ光効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図で、第２図は従
来の電荷転送撮像素子の上面図で、第３図は従来の電荷
転送撮像素子の部分断面図である。 】・・・・・・Ｐ型基板、２・・・・・・Ｎ型浮遊拡散
層、３・・・・・・接着剤、４・・・・・・カラーフィ
ルタ、５・・・・・・クロームし中光層、２０・・・・
・・カラーフィルタ、２１・・・・・・浮遊拡散層、２
２・・・・・・有効光電変換領域、２３・・・クローム
し中光７ｉｊｉ、２４・・・・・・電荷転送撮像素子、
３０・・・・・・ガラス基板、３１・・・・・・クロー
ムし中光層、３２・・・・・・接着剤、３３・・・・・
・厚い９鴨、３４・・・・・・Ｐ型基板、３５・・・・
・・浮遊静電容量、３６・・・・・・薄いＳｉＯ□、
３７・・・・・・ゲート電極。
来の電荷転送撮像素子の上面図で、第３図は従来の電荷
転送撮像素子の部分断面図である。 】・・・・・・Ｐ型基板、２・・・・・・Ｎ型浮遊拡散
層、３・・・・・・接着剤、４・・・・・・カラーフィ
ルタ、５・・・・・・クロームし中光層、２０・・・・
・・カラーフィルタ、２１・・・・・・浮遊拡散層、２
２・・・・・・有効光電変換領域、２３・・・クローム
し中光７ｉｊｉ、２４・・・・・・電荷転送撮像素子、
３０・・・・・・ガラス基板、３１・・・・・・クロー
ムし中光層、３２・・・・・・接着剤、３３・・・・・
・厚い９鴨、３４・・・・・・Ｐ型基板、３５・・・・
・・浮遊静電容量、３６・・・・・・薄いＳｉＯ□、
３７・・・・・・ゲート電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多数の光−電変換領域と、これら光−電変換領域で
検出された電荷を転送する電荷転送部と、浮遊拡散層に
よる電荷検出部とを備えた電荷転送撮像素子に少なくと
も透明基板上に導電性しゃ光層を備えたカラーフィルタ
を接着してなる電荷転送撮像装置において、少なくとも
電荷検出用の前記浮遊拡散層上部の前記導電性しゃ光層
が除去されていることを特徴とする電荷転送撮像装置。 ２、電荷検出用の前記浮遊拡散層上の前記導電性しゃ光
層を除去した部分に色フィルタを形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電荷転送撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149344A JPS63312671A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 電荷転送撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149344A JPS63312671A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 電荷転送撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312671A true JPS63312671A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15473065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62149344A Pending JPS63312671A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 電荷転送撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63312671A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125685A (en) * | 1979-03-22 | 1980-09-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of color solid image taking element board |
| JPS5654174A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-14 | Toshiba Corp | Solidstate image sensor |
| JPS6010671A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP62149344A patent/JPS63312671A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125685A (en) * | 1979-03-22 | 1980-09-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of color solid image taking element board |
| JPS5654174A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-14 | Toshiba Corp | Solidstate image sensor |
| JPS6010671A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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