JPS6331279A - 画像センサアレイ - Google Patents
画像センサアレイInfo
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- JPS6331279A JPS6331279A JP62172725A JP17272587A JPS6331279A JP S6331279 A JPS6331279 A JP S6331279A JP 62172725 A JP62172725 A JP 62172725A JP 17272587 A JP17272587 A JP 17272587A JP S6331279 A JPS6331279 A JP S6331279A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
- H04N25/7013—Line sensors using abutted sensors forming a long line
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は画像センサアレイに関し、更に詳細には、アレ
イのセンサと出力端子との間に二段転送装置を有する画
像センサアレイ及びかかる画像センサアレイを備えた組
合せ装置に関する。
イのセンサと出力端子との間に二段転送装置を有する画
像センサアレイ及びかかる画像センサアレイを備えた組
合せ装置に関する。
（従来の技術）
高解像度の画像形成を達成するためには、比較的多数の
ホトサイトを有する画像センサアレイが必要となる。し
かし、多数のホトサイトを有するアレイを提供しようと
する試みは一般に成功しておらず、歩留りは低い。他の
構成として、いくつかの画像センサアレイを用い、これ
らの端部突合せに配置して長い複合アレイを形成すると
いうことが考えられる。この技術が成功的に行なわれる
ならば、全中または接触走査アレイを、走査されるべき
最大の画像と等しい大きさに形成することができる。
ホトサイトを有する画像センサアレイが必要となる。し
かし、多数のホトサイトを有するアレイを提供しようと
する試みは一般に成功しておらず、歩留りは低い。他の
構成として、いくつかの画像センサアレイを用い、これ
らの端部突合せに配置して長い複合アレイを形成すると
いうことが考えられる。この技術が成功的に行なわれる
ならば、全中または接触走査アレイを、走査されるべき
最大の画像と等しい大きさに形成することができる。
（発明が解決しようとする問題点）
センサアレイを一緒に結合することの利点を考えると、
アレイ全体にわたってピッチを保持することが極めて有
利であり、その故に、個々のアレイの突合せ端部におけ
る相隣るホトサイト間の間隔がアレイの本体におけるホ
トサイト相互間の間隔と同じであるということが重要で
ある。画像センサアレイ、特に、他の同様のプレイとの
端部突合せに必要な特性を有する画像センサアレイの製
作においては、ＮＭＯ３またはＣＭＯ８技術を用いるこ
とが、かかる技術を用いて得ることのできる極めて高い
歩留りを利用するうえにおいて、望ましいことである。
アレイ全体にわたってピッチを保持することが極めて有
利であり、その故に、個々のアレイの突合せ端部におけ
る相隣るホトサイト間の間隔がアレイの本体におけるホ
トサイト相互間の間隔と同じであるということが重要で
ある。画像センサアレイ、特に、他の同様のプレイとの
端部突合せに必要な特性を有する画像センサアレイの製
作においては、ＮＭＯ３またはＣＭＯ８技術を用いるこ
とが、かかる技術を用いて得ることのできる極めて高い
歩留りを利用するうえにおいて、望ましいことである。
しかし、ＮＭＯ３またはＣＭＯ３技術を用いる場合、屯
段電荷転送を行なうと、アレイのホトサイト間イ 出力の電荷から電圧への変換器の低入力キャパシタンス
との間の転送効率が極めて低くなる。
段電荷転送を行なうと、アレイのホトサイト間イ 出力の電荷から電圧への変換器の低入力キャパシタンス
との間の転送効率が極めて低くなる。
本発明は高い転送効率を有する改良された画像センサア
レイを提供することを目的とするものである。
レイを提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の画像センサアレイは、センサのホトサイトの画
像信号電荷の電荷から電圧への変換を行なうためにセン
サの各ホトサイトにあるソースホロワと、上記センサの
ホトサイトから上記ソースホロワへ画像信号電荷を効率
的に転送するため、及び帰還を最小限化するための二段
転送手段と、上記ソースホロワへ伝送して転送効率を増
大させるために上記センサのホトサイト内にバイアス電
荷を注入するための各ソースホロワにある手段と、上記
ソースホロワから出力端子へ画像信号電圧を出力するた
めの切替え手段とを備えている。以下、本発明をその実
施例について図面を参照して詳細に説明する。
像信号電荷の電荷から電圧への変換を行なうためにセン
サの各ホトサイトにあるソースホロワと、上記センサの
ホトサイトから上記ソースホロワへ画像信号電荷を効率
的に転送するため、及び帰還を最小限化するための二段
転送手段と、上記ソースホロワへ伝送して転送効率を増
大させるために上記センサのホトサイト内にバイアス電
荷を注入するための各ソースホロワにある手段と、上記
ソースホロワから出力端子へ画像信号電圧を出力するた
めの切替え手段とを備えている。以下、本発明をその実
施例について図面を参照して詳細に説明する。
（実施例）
第１図について説明すると、図は本発明の二段転送装置
を有する画像センサアレイ１０を示すものである。画像
センサアレイ１０は、上にホトダイオード１４の形式の
複数のホトサイトを具備するシリコンの基盤またはチッ
プ１２を有す。ホトダイオード１４は、チップ１２上に
、線形アレイまたは列１６となって互いに密に間隔をお
いて並１乙 置されている。アレイ１０のようないくつかの小さいア
レイを互いに端部突合わせに配置して長いアレイ、即ち
全１１または接触アレイを形成し、その突合わせ端部に
おけるホトダイオード相互間の間隔をチップ内のホトダ
イオード相互間の間隔と同しにし、これにより、この複
合アレイの全中にわたってホトダイオードのピッチを保
持するようにしてもよい。
を有する画像センサアレイ１０を示すものである。画像
センサアレイ１０は、上にホトダイオード１４の形式の
複数のホトサイトを具備するシリコンの基盤またはチッ
プ１２を有す。ホトダイオード１４は、チップ１２上に
、線形アレイまたは列１６となって互いに密に間隔をお
いて並１乙 置されている。アレイ１０のようないくつかの小さいア
レイを互いに端部突合わせに配置して長いアレイ、即ち
全１１または接触アレイを形成し、その突合わせ端部に
おけるホトダイオード相互間の間隔をチップ内のホトダ
イオード相互間の間隔と同しにし、これにより、この複
合アレイの全中にわたってホトダイオードのピッチを保
持するようにしてもよい。
本明細書においてはホトダイオード１４を図示し且つこ
れについて説明するが、アモルファスシリコンまたは透
明電極ＭＯ３形ホトサイトのような他の形式の受光素子
を用いることもできる。また、本明細書においてはホト
ダイオード１４の単一列１６を有する一次元センサアレ
イを図示し且つこれについて説明するが、ホトダイオー
ドの複数列を有する二次元センサアレイを用いることも
できる。
れについて説明するが、アモルファスシリコンまたは透
明電極ＭＯ３形ホトサイトのような他の形式の受光素子
を用いることもできる。また、本明細書においてはホト
ダイオード１４の単一列１６を有する一次元センサアレ
イを図示し且つこれについて説明するが、ホトダイオー
ドの複数列を有する二次元センサアレイを用いることも
できる。
各ホトダイオード１４はこれに付属する二段転送回路２
０を有し、該回路は上記ホトダイオードとともに画素セ
ル１５を形成する。回路２０において、上記ホトダイオ
ードからの画像電荷信号がソースホロワ３３の入力端子
へ転送され（第２図、第３図）、該ソースホロワはこの
信号を電圧として出力線２２へ送る。また、上記画像信
号電荷は、ホトダイオード１４からソースホロワ３３へ
の該画像信号電荷の転送中に得られる利得により、増巾
される。上記の信号利得は、ホトダイオード１４とソー
スホロワ３３の入力端子との間のキャパシタンスの差に
よって生ずる。これにより、上記画像電荷信号は、出力
線２２への転送の前に、所望の電位値となる。適当する
シフトレジスタ及び論理回路２４が、各画素セル１５を
適切な時間的順序で出力線２２に接続するためのタイミ
ング制御信号を提供する。
０を有し、該回路は上記ホトダイオードとともに画素セ
ル１５を形成する。回路２０において、上記ホトダイオ
ードからの画像電荷信号がソースホロワ３３の入力端子
へ転送され（第２図、第３図）、該ソースホロワはこの
信号を電圧として出力線２２へ送る。また、上記画像信
号電荷は、ホトダイオード１４からソースホロワ３３へ
の該画像信号電荷の転送中に得られる利得により、増巾
される。上記の信号利得は、ホトダイオード１４とソー
スホロワ３３の入力端子との間のキャパシタンスの差に
よって生ずる。これにより、上記画像電荷信号は、出力
線２２への転送の前に、所望の電位値となる。適当する
シフトレジスタ及び論理回路２４が、各画素セル１５を
適切な時間的順序で出力線２２に接続するためのタイミ
ング制御信号を提供する。
画像センサアレイ１０を用いて、例えば、原画書類をラ
スク走査することができ、その場合には、原画書類及び
センサアレイ１０を、アレイ１０の線形軸に対して通例
垂直である方向に、互いに移動またはステップ動作させ
る。これと同時に、走査中の画像線を照明し、そして屈
折率集束形ファイバレンズアレイのような適当な光学手
段を設けてホトダイオード１４を上記画像線上に合焦さ
せる。統合期間中、電荷が各ホトダイオード上に発生ず
る。この電荷は、各ホトダイオードによって見られる画
像区域の反射率に比例する。上記画像信号電荷は、その
後、回路２０により、後述するように所定の順次的順序
で出力線２２へ転送される。
スク走査することができ、その場合には、原画書類及び
センサアレイ１０を、アレイ１０の線形軸に対して通例
垂直である方向に、互いに移動またはステップ動作させ
る。これと同時に、走査中の画像線を照明し、そして屈
折率集束形ファイバレンズアレイのような適当な光学手
段を設けてホトダイオード１４を上記画像線上に合焦さ
せる。統合期間中、電荷が各ホトダイオード上に発生ず
る。この電荷は、各ホトダイオードによって見られる画
像区域の反射率に比例する。上記画像信号電荷は、その
後、回路２０により、後述するように所定の順次的順序
で出力線２２へ転送される。
第２図及び第３図について説明すると、各転送回路２０
は、画像信号電荷を電圧信号に変換するためのトランジ
スタ３０．３２から成るソースホロワまたは共通ドレイ
ン増１１器３３を有ず。ホトダイオード１４の一つの電
極をソースホロワ３３のトランジスタ３０のゲートと接
続する線路２５と直列のトランジスタ２６．２８から成
る二段転送装置を用いて画像信号電荷をホトダイオード
１４からソースホロワ３３へ転送し、トランジスタの動
的ドレインコンダクタンス効果に基づく帰還を最小限に
する。ホトダイオード１４の他の電極及びトランジスタ
３２のソースは接地線２９を介して接地されている。
は、画像信号電荷を電圧信号に変換するためのトランジ
スタ３０．３２から成るソースホロワまたは共通ドレイ
ン増１１器３３を有ず。ホトダイオード１４の一つの電
極をソースホロワ３３のトランジスタ３０のゲートと接
続する線路２５と直列のトランジスタ２６．２８から成
る二段転送装置を用いて画像信号電荷をホトダイオード
１４からソースホロワ３３へ転送し、トランジスタの動
的ドレインコンダクタンス効果に基づく帰還を最小限に
する。ホトダイオード１４の他の電極及びトランジスタ
３２のソースは接地線２９を介して接地されている。
トランジスタ３０のドレインは線路４０によってプリセ
ント電位νｄｄに接続されている。ソースホロワ３３の
トランジスタ３０のソース及びトランジスタ３２のドレ
インは、上記画素セルを出力線２２に接続するマルチプ
レクシングトランジスタ３４に線路４４によって接続さ
れている。電荷注入トランジスタ３６が設けられ、プリ
セットバイアス電荷、例えば電気的ファツトゼロＶｆ、
をホトダイオード１４に注入するようになっている。
ント電位νｄｄに接続されている。ソースホロワ３３の
トランジスタ３０のソース及びトランジスタ３２のドレ
インは、上記画素セルを出力線２２に接続するマルチプ
レクシングトランジスタ３４に線路４４によって接続さ
れている。電荷注入トランジスタ３６が設けられ、プリ
セットバイアス電荷、例えば電気的ファツトゼロＶｆ、
をホトダイオード１４に注入するようになっている。
リセットトランジスタ３８が、所定のリセット信号源Ｖ
ｒからソースホロワ３３のトランジスタ３０のゲートへ
のリセット信号の付与を制御する。
ｒからソースホロワ３３のトランジスタ３０のゲートへ
のリセット信号の付与を制御する。
適当な画素クロック（図示せず）が、ホトダイオード１
４からソースホロワ３３への画像信号電荷の横転送を制
御するクロック信号φ−１、φ−２及びφ−３を提供す
る。追加のクロック信号φ−４及びφ−５並びにシフト
レジスタクロック信号φ−６がシフトレジスタ及び論理
回路２４に入力される。シフトレジスタ及び論理回路２
４は、１つまたはそれ以上のシフトレジスタを有してお
り、クロック信号φ−７及びφ−８を出力して転送回路
２４を作動させ、ソースホロワ３３から出力線２２への
画像信号電圧を順次に増巾して転送する。クロック信号
φ−１ないしφ−６は、走査アレイ即ちセンサアレイ１
０の動作を、アレイ１０が付属している走査装置の他の
構成部品と、及び、アレイ１０が他の同様アレイと突き
合わさって長い走査アレイを形成している場合には追加
のアレイと、同期させて結合する。
４からソースホロワ３３への画像信号電荷の横転送を制
御するクロック信号φ−１、φ−２及びφ−３を提供す
る。追加のクロック信号φ−４及びφ−５並びにシフト
レジスタクロック信号φ−６がシフトレジスタ及び論理
回路２４に入力される。シフトレジスタ及び論理回路２
４は、１つまたはそれ以上のシフトレジスタを有してお
り、クロック信号φ−７及びφ−８を出力して転送回路
２４を作動させ、ソースホロワ３３から出力線２２への
画像信号電圧を順次に増巾して転送する。クロック信号
φ−１ないしφ−６は、走査アレイ即ちセンサアレイ１
０の動作を、アレイ１０が付属している走査装置の他の
構成部品と、及び、アレイ１０が他の同様アレイと突き
合わさって長い走査アレイを形成している場合には追加
のアレイと、同期させて結合する。
作動について第２図及び第４図を参照して説明すると、
統合期間の後、全数のホトダイオード１４に対する横電
荷転送サイクルが開始し、該サイクルにおいて、クロッ
ク信号φ−１、φ−２が、全ての画素セル１５に対して
回路２０の二段転送トランジスタ２６．２８を同時に作
動させる。トランジスタ２６．２８は、統合期間中に個
々のホトダイオード１４に発生した画像信号電荷をソー
スホロワ３３のトランジスタ３０のゲートへ転送する。
統合期間の後、全数のホトダイオード１４に対する横電
荷転送サイクルが開始し、該サイクルにおいて、クロッ
ク信号φ−１、φ−２が、全ての画素セル１５に対して
回路２０の二段転送トランジスタ２６．２８を同時に作
動させる。トランジスタ２６．２８は、統合期間中に個
々のホトダイオード１４に発生した画像信号電荷をソー
スホロワ３３のトランジスタ３０のゲートへ転送する。
その後、クロック信号φ−３及びＶｆｚがトランジスタ
３６を作動させてバイアス電圧電荷Ｖｆｚをホｉ・ダイ
オード１４に与える。
３６を作動させてバイアス電圧電荷Ｖｆｚをホｉ・ダイ
オード１４に与える。
上記横電荷転送ザイクルの後、ビデオ出力サイクルが開
始させられ、このビデオ出力サイクルにおいて、シフト
レジスタ及び論理回路２４によって出力されたクロック
信号φ−７及びφ−８が各画素セル１５の転送回路の列
に沿って次々に移動さゼられてソースホロワ３３を作動
させ、そして上記ソースホロワの出力を出力線２２に順
次接続する。各画素セルにおいて、ソースホロワ３３の
トランジスタ３２のゲート及び出力トランジスタ即ちリ
セットトランジスタ３８のゲートへ入力されたクロック
信号φ−７がトランジスタ３２．３８を作動させて画像
信号電圧Ｖｏを出力線２２へ出力させる。所定の間隔の
後、クロック信号φ−８がリセットトランジスタ３８を
始動させてリセット信号Ｖｒをトランジスタ３０のゲー
トに与え、ソースホロワ３３をリセソｌ−１，、その画
素セルに対する信号電圧の出力を終了させる。
始させられ、このビデオ出力サイクルにおいて、シフト
レジスタ及び論理回路２４によって出力されたクロック
信号φ−７及びφ−８が各画素セル１５の転送回路の列
に沿って次々に移動さゼられてソースホロワ３３を作動
させ、そして上記ソースホロワの出力を出力線２２に順
次接続する。各画素セルにおいて、ソースホロワ３３の
トランジスタ３２のゲート及び出力トランジスタ即ちリ
セットトランジスタ３８のゲートへ入力されたクロック
信号φ−７がトランジスタ３２．３８を作動させて画像
信号電圧Ｖｏを出力線２２へ出力させる。所定の間隔の
後、クロック信号φ−８がリセットトランジスタ３８を
始動させてリセット信号Ｖｒをトランジスタ３０のゲー
トに与え、ソースホロワ３３をリセソｌ−１，、その画
素セルに対する信号電圧の出力を終了させる。
ホトダイオード１４の列１６内の最後のホトダイオード
に対応する出力が転送されるまで、各画素セル１５に対
して上述の過程がホトダイオード１４の列に沿って繰返
される。
に対応する出力が転送されるまで、各画素セル１５に対
して上述の過程がホトダイオード１４の列に沿って繰返
される。
第５図に示す実施例においては、同様参照番号は同様部
十イを示しており、クロック信号φ−８を用いて全ての
転送回路２０のリセットトランジスタ３８を同時に始動
させる。リセットトランジスタ３８の同時始動により、
リセット電圧Ｖｒがトランジスタ３０のゲートに印加さ
れ、転送回路２０のソースホロワ３３が一斉にリセット
される。
十イを示しており、クロック信号φ−８を用いて全ての
転送回路２０のリセットトランジスタ３８を同時に始動
させる。リセットトランジスタ３８の同時始動により、
リセット電圧Ｖｒがトランジスタ３０のゲートに印加さ
れ、転送回路２０のソースホロワ３３が一斉にリセット
される。
以」−１本発明をその実施例について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に
記載の如き本発明の範囲内で種々の変形及び変更が可能
である。
明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に
記載の如き本発明の範囲内で種々の変形及び変更が可能
である。
第１図は本発明の二段転送装置を用いたホトダイオード
の形式の受光素子アレイを有する画像走査アレイを示す
略図、第２図はホトダイオードから出力線への画像信号
の二段転送を行なうためのアレイ内の各ホトダイオード
に付属する転送回路を詳細に示す回路図、第３図は転送
回路の詳細回路図、第４図は第１図に示す二段転送装置
を有する画像走査アレイに対する作動クロック信号波形
を示すタイミング図、第５図はアレイホトダイオードの
転送回路を一斉にリセットするための作動クロック信号
波形の変形例を示すタイミング図である。 １４・・・・・・ホトダイオード、 ２０・・・・・・二段転送回路、 ２２・・・・・・出力線、 ２４・・・・・・シフトレジスタ及び論理回路、３０．
３２・・・・・・トランジスタ、３３・・・・・・ソー
スホロワ、 ３６・・・・・・電荷注入トランジスタ、３８・・・・
・・リセットトランジスタ。 ￥ ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ ４ ＦＩＧ、 ５ Ｖｆ−一−１「−一−８
の形式の受光素子アレイを有する画像走査アレイを示す
略図、第２図はホトダイオードから出力線への画像信号
の二段転送を行なうためのアレイ内の各ホトダイオード
に付属する転送回路を詳細に示す回路図、第３図は転送
回路の詳細回路図、第４図は第１図に示す二段転送装置
を有する画像走査アレイに対する作動クロック信号波形
を示すタイミング図、第５図はアレイホトダイオードの
転送回路を一斉にリセットするための作動クロック信号
波形の変形例を示すタイミング図である。 １４・・・・・・ホトダイオード、 ２０・・・・・・二段転送回路、 ２２・・・・・・出力線、 ２４・・・・・・シフトレジスタ及び論理回路、３０．
３２・・・・・・トランジスタ、３３・・・・・・ソー
スホロワ、 ３６・・・・・・電荷注入トランジスタ、３８・・・・
・・リセットトランジスタ。 ￥ ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ ４ ＦＩＧ、 ５ Ｖｆ−一−１「−一−８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ホトダイオードの少なくとも１つのアレイと、各上
記ホトダイオードの画像信号電荷を増巾して出力線へ転
送するために上記各ダイオードに付属している手段とを
有する画像センサアレイにおいて、 （ａ）上記ホトダイオードの画像信号電荷の画像信号電
圧への電荷から電圧への変換のためのソースホロワ手段
と、 （ｂ）上記ホトダイオードからの画像信号電荷を上記ソ
ースホロワ手段の入力端子へ転送するための二段転送手
段とを備え、上記二段転送手段による上記信号電荷の転
送は帰還を最小限化しながら上記信号電荷を増巾し、 更に、 （ｃ）バイアス電荷を上記ホトダイオードに注入するた
めの手段と、 （ｄ）上記ソースホロワ手段の出力を上記出力線に接続
し、もって上記ホトダイオードからの画像信号電荷が、
上記ソースホロワ手段による電荷から電圧への変換の後
に、上記出力線へ転送されるようにするための切替手段
と、（ｅ）上記画像信号電圧の上記出力線への出力の後
に上記ソースホロワ手段をリセットするためのリセット
手段とを備えて成る画像センサアレイ。 ２、二段転送手段が、ホトダイオードとソースホロワ手
段の入力端子との間の直列のスイッチの対と、 画像信号電荷を上記ホトダイオードから上記ソースホロ
ワ手段の入力端子へ転送するために上記スイッチの対を
順々に作動させるためのクロック手段とを具備している
特許請求の範囲第１項記載の画像センサアレイ。 ３、注入手段が、プリセット電位の供給源と、上記電位
をホトダイオードに接続し、もって上記電位を上記ホト
ダイオードに印加してバイアス電荷を注入するためのス
イッチとを含んでいる特許請求の範囲第１項記載の画像
センサアレイ。 ４、ホトダイオードからソースホロワ手段の入力端子へ
の画像信号電荷の転送の後に、且つ、切替手段による出
力線への画像信号電圧の転送の前に、スイッチを作動さ
せるためのクロック手段を含んでいる特許請求の範囲第
３項記載の画像センサアレイ。 ５、リセット手段が、 リセット信号源と、 上記リセット信号源をソースホロワ手段の入力端子に接
続するためのリセットスイッチとを含んでいる特許請求
の範囲第１項記載の画像センサアレイ。 ６、切替手段による画像信号電圧の出力の後にリセット
スイッチを始動させるためのクロック手段を含んでいる
特許請求の範囲第５項記載の画像センサアレイ。 ７、リセットスイッチの各々を同時に始動させ、もって
ホトダイオードの各々に付属するソースホロワを一斉に
リセットするためのクロック手段を含んでいる特許請求
の範囲第５項記載の画像センサアレイ。 ８、ホトダイオードの各々に対する二段転送手段を一斉
に作動させて上記ホトダイオードからこれに付属するソ
ースホロワ手段の入力端子へ画像信号電荷を転送し、次
いで上記ホトダイオードの各々に対する注入手段を一斉
に作動させてバイアス電荷を上記ホトダイオードのアレ
イに一斉に注入するためのクロック手段を含んでおり、 上記クロック手段は、その後、上記ソースホロワの各々
に対する切替手段を順々に個別に作動させて上記ソース
ホロワ手段から出力線へ画像信号電圧を順次転送するよ
うになっている特許請求の範囲第１項記載の画像センサ
アレイ。 ９、ホトダイオードの少なくとも１つのアレイと、各上
記ホトダイオードの画像信号電荷を出力線へ転送するた
めに上記各ホトダイオードに付属している手段とを有す
る画像センサアレイにおいて、 （ａ）上記画像信号電荷の画像信号電圧への電荷から電
圧への変換のためのソースホロワと、（ｂ）上記ホトダ
イオードから上記ソースホロワへ画像信号電荷を転送す
るために上記ホトダイオードと上記ソースホロワの一つ
の入力端子との間に直列にあるスイッチの対とを備え、
上記スイッチの対による上記信号電荷の転送は帰還を最
小限化しながら上記信号電荷を増巾し、更に、 （ｃ）上記ホトダイオードにバイアス電荷を注入して上
記ソースホロワの第２の入力端子へ伝送するための第１
のスイッチと、 （ｄ）上記ソースホロワの出力端子を上記出力線に接続
するための第２のスイッチと、 （ｅ）先ず上記ホトダイオードから上記ソースホロワへ
上記画像信号電荷を転送し、次いで上記ホトダイオード
のアレイに上記バイアス電荷を注入するために上記スイ
ッチの対及び全ての上記ホトダイオードの上記第１のス
イッチを作動させるためのクロック手段とを備えて成り
、 上記クロック手段は、その後、上記ホトダ イオードのアレイ内の上記ホトダイオードの各々に対し
て上記第２のスイッチを順々に個別に作動させて上記ソ
ースホロワから上記出力線へ上記画像信号電圧を順次転
送することを特徴とする画像センサアレイ。 １０、高い転送効率及び応答性を有する画像センサアレ
イにおいて （ａ）出力線と、 （ｂ）画像を走査するためのホトダイオードのアレイと
、 （ｃ）上記ホトダイオードの各々に対する転送回路とを
備え、上記転送回路は該回路の各々の付属のホトダイオ
ードの画像信号電荷を転送するためのものであり、上記
回路は、 （１）ソースホロワと、 （２）互いに直列になっており、上記ホトダイオード上
の画像信号電荷を上記ソースホロワの入力端子へ転送す
るための二段転送の対を形成する第１及び第２の制御ゲ
ートと、 （３）所定のバイアス電位を上記ソースホロワに対する
上記ホトダイオードに印加するための第３の制御ゲート
と、 （４）上記ソースホロワの出力端子を上記出力線に接続
するための第４の制御ゲートと、 （５）全ての上記ホトダイオードの上記第１及び第２の
制御ゲートを同時に作動させて上記ホトダイオードから
これに付属する転送回路のソースホロワへ画像信号電荷
を一斉に転送し、その後、上記第３の制御ゲートを同時
に作動させて上記所定の電位を上記ホトダイオードに一
斉に印加するための第１のクロック手段と、 （６）上記転送回路の各々の第４の制御ゲートを順々に
作動させ、もって上記ソースホロワの各々から上記出力
線へ画像信号電荷を順次出力させて一連りの画像信号を
上記出力線に提供するための第２のクロック手段とを含
んでいる画像センサアレイ。 １１、（ａ）ソースホロワをリセットするためのリセッ
ト電位の供給源と、 （ｂ）上記リセット電位を上記ソースホロワに接続して
上記ソースホロワをリセットし、及び上記ソースホロワ
からの上記画像信号の出力を終了させるための第５の制
御ゲートとを含んでおり、 第４の制御ゲートの作動の後に第２のクロ ック手段が上記第５の制御ゲートを所定の時間作動させ
て上記ソースホロワから出力線への画像信号の出力を終
了させるようになっている特許請求の範囲第１０項記載
の画像センサアレイ。 １２、（ａ）ソースホロワをリセットするためのリセッ
ト電位の供給源と、 （ｂ）上記リセット電位を上記ソースホロワに接続して
上記ソースホロワをリセットし、及び上記ソースホロワ
からの画像信号の出力を終了させるための第５の制御ゲ
ートと、 （ｃ）全ての転送回路の上記第５の制御ゲートを同時に
作動させることによって上記転送回路のソースホロワを
一斉に同時にリセットするための第３のクロック手段と
を含んでいる特許請求の範囲第１０項記載の画像センサ
アレイ。 １３、（ａ）各々が画像区域を走査して上記走査された
画像区域を表わす画像信号電荷を発生するようになって
いる画像センサのアレイと、 （ｂ）上記センサの各々に付属し、各上記センサの画像
信号電荷出力を共通出力端子に対して転送及び増強する
転送手段とを備え、上記転送手段は、 （１）上記センサの画像信号電荷を電圧に変換するため
の変換手段と、 （２）帰還を最小限化するために上記センサの画像信号
電荷を上記変換手段へ段階的に転送するための二段転送
手段と、 （３）上記変換手段へ伝送するために上記センサにバイ
アス電荷を注入するための手段と、 （４）上記変換手段による変換及び上記バイアス電荷に
よる上記共通出力端子へのオフセットの後に上記画像信
号電圧を転送するためのスイッチ手段とを含んでおり、
更に、 （ｃ）一連りの増強済み画像信号電圧を上記共通出力端
子へ転送するために上記センサの転送手段の各々を所定
の順序で作動させるためのタイミング制御手段を備えて
成る組合せ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US886692 | 1986-07-18 | ||
| US06/886,692 US4737854A (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Image sensor array with two stage transfer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331279A true JPS6331279A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH07105915B2 JPH07105915B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62172725A Expired - Lifetime JPH07105915B2 (ja) | 1986-07-18 | 1987-07-10 | 画像センサアレイ |
Country Status (4)
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| US (1) | US4737854A (ja) |
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| JP (1) | JPH07105915B2 (ja) |
| DE (1) | DE3786202T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235876A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Sony Corp | ラインセンサ |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2517544B2 (ja) * | 1985-07-08 | 1996-07-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JPH0795829B2 (ja) * | 1988-07-26 | 1995-10-11 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US5754705A (en) * | 1990-11-02 | 1998-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Image data compressing apparatus having a sensor size matching compression processing block size |
| US5113260A (en) * | 1990-12-24 | 1992-05-12 | Xerox Corporation | Sensor array for both synchronous and asynchronous operation |
| US5105277A (en) * | 1990-12-24 | 1992-04-14 | Xerox Corporation | Process for canceling cell-to-cell performance variations in a sensor array |
| US5081536A (en) * | 1990-12-24 | 1992-01-14 | Xerox Corporation | Image sensor array using two stage transfer having improved uniformity |
| US5148268A (en) * | 1991-04-26 | 1992-09-15 | Xerox Corporation | Multiplexing arrangement for controlling data produced by a color images sensor array |
| JP3881056B2 (ja) * | 1995-05-19 | 2007-02-14 | ゼロックス コーポレイション | ビデオイメージデータ出力装置 |
| US6847399B1 (en) * | 1998-03-23 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | Increasing readout speed in CMOS APS sensors through block readout |
| US6014160A (en) * | 1998-03-30 | 2000-01-11 | Xerox Corporation | Image scanning array having independently addressable photosensor chips |
| US7129985B1 (en) * | 1998-11-24 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus arranged on a single substrate |
| US6850278B1 (en) * | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
| US6545712B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-04-08 | Xerox Corporation | Photogate image sensor with fat zero injection on a middle node of an associated transfer circuit |
| WO2001075462A1 (de) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Infineon Technologies Ag | Sensor-anordnung und verfahren zum erfassen eines zustands eines transistors einer sensor-anordnung |
| US7116370B1 (en) * | 2000-03-31 | 2006-10-03 | Sharp Laboratories Of Ameria, Inc. | Image processing system optical shifting mechanism |
| US6670598B1 (en) | 2000-09-06 | 2003-12-30 | Xerox Corporation | Low power autozero of pixel amplifier |
| US6316284B1 (en) | 2000-09-07 | 2001-11-13 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| US6768565B1 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-27 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| US6853402B2 (en) * | 2001-01-30 | 2005-02-08 | Xerox Corporation | Combined multiplexing and offset correction for an image sensor array |
| US7164506B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-01-16 | Xerox Corporation | Multi-chip image sensor, on chip apparatus for causing each chip to selectably function in a parallel or serial readout |
| US7518759B2 (en) * | 2003-04-22 | 2009-04-14 | Xerox Corporation | Readout system for a CMOS-based image sensor array |
| US7755418B2 (en) * | 2005-04-29 | 2010-07-13 | Xerox Corporation | Current source generator utilizing a portion of a targeted analog circuit |
| US8625010B2 (en) * | 2008-05-02 | 2014-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus with each pixel including a photoelectric converter portion and plural holding portions |
| FR3005205A1 (fr) * | 2013-04-26 | 2014-10-31 | St Microelectronics Grenoble 2 | Capteur d'image a gain de conversion multiple |
| US20150070588A1 (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-12 | Himax Imaging, Inc. | Imaging processing circuit for generating and storing updated pixel signal in storage capacitor before next operating cycle |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839386B2 (ja) * | 1978-02-22 | 1983-08-30 | 株式会社東芝 | 電荷転送形イメ−ジセンサ |
| JPS55105480A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-13 | Hitachi Ltd | Solid state pickup device |
| JPS5738073A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Hitachi Ltd | Solid-state image sensor |
| US4338633A (en) * | 1980-11-14 | 1982-07-06 | Northrop Corporation | Frame integrator for CID imaging system |
| DE3236073A1 (de) * | 1982-09-29 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zweidimensionaler halbleiter-bildsensor mit einer anordnung zur reduzierung des ueberstrahlens |
-
1986
- 1986-07-18 US US06/886,692 patent/US4737854A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-07-10 JP JP62172725A patent/JPH07105915B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-17 EP EP87306337A patent/EP0254497B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-17 DE DE8787306337T patent/DE3786202T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235876A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Sony Corp | ラインセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4737854A (en) | 1988-04-12 |
| JPH07105915B2 (ja) | 1995-11-13 |
| DE3786202D1 (de) | 1993-07-22 |
| EP0254497A3 (en) | 1989-09-06 |
| EP0254497A2 (en) | 1988-01-27 |
| DE3786202T2 (de) | 1993-09-23 |
| EP0254497B1 (en) | 1993-06-16 |
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