JPS63313837A - 埋込み多重レベル間相互接続体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、全体的にいえば、高集積度半導体回路に関す
るものである。さらに詳細に云えば、本発明は半導体チ
ップの表面の下に埋め込まれたチップ内相互接続装置に
関するものである。

［従来の技術］ 集積回路はますます複雑になりそして集積度が大きくな
ってきているので、１つの基板の上の何個の回路や、回
路素子および回路群を、相互に接続することがますます
困難になってきている。現在、絶縁体で分離された多重
層相互接続用金属ストリップが用いられている。ここで
の金属ストリップは、接触体を通して、下にある回路素
子に接続される。これは多重レベル相互接続装置と呼ば
れている。典型的な場合には、この多重レベル相互接続
体は、多結晶シリコン、アルミニウムまたは適当な耐熱
性の材料で作成され、半導体基板の上に作成される。基
板は、シリコン、ヒ化ガリウム、または■−■化合物、
またはテルル化水銀・カドミウム、またはＩ［−Ｖｌ化
合物であることができる。

多重レベル相互接続体を製造するさいには、基板の上に
導電体の層を沈着またはスパッタリングによって配置し
、その後パターニングを行ない、次にこの層の上に絶縁
体層を沈着し、その後次の導電体層を沈着する、といっ
た工程段階を逐次に行なうことが必要である。集積回路
の集積度が大きくなると、この多重レベル相互接続装置
はいくつかの欠点を持つようになる。それは表面の形状
がますます複雑になるのが原因である。このために、表
面の形状を考えながら、可能な相互接続レベルを設計し
なければならない。多重レベル相互接続装置のこの他の
欠点は、おのおのの層は互いに異なるレベルにあること
による固有の問題点があることである。多重レベル相互
接続装置のまた別の欠点は、相互接続を行なうために、
回路素子が作成されている表面から外の表面へ接触体を
作成しなければならないことである。

多重レベル相互接続体が持つこれらの問題点を解決する
１つの方法は、時として半導体材料の「埋込みタンク」
と呼ばれる、導電体材料の埋め込まれた領域をそなえる
方法である。これらの埋め込まれたタンクは、ドープさ
れた半導体材料の抵抗率が多重レベル相互接続技術に用
いられる導電体ストリップに比べて比較的大きいので、
短い導電路で用いられる。

［発明の要約］ ここに開示されかつ請求される本発明は、半導体基板の
ための埋込み相互接続体とその製造法に関するものであ
る。埋め込まれたレベル間相接続体は、基板の表面の中
に作成され、かつ、その底表面が第ルベルの位置にある
溝の中に配置された導電材料の層で構成される。この溝
の底のところに配置された導電体層の選定された部分に
接続され、かつ、この基板の表面に達している、導電体
プラグが備えられる。溝の残りの部分は絶縁体酸化物で
満される。この埋め込まれたレベル間相互接続体は次の
ようにして作成される。まず、基板の中に溝が作成され
、そしてこの溝の底に導電体層が沈着される。この後、
溝の中に酸化物の層が沈着され、それからその上表面が
基板の表面と平らにされる。その後、開口部が作ら□れ
、エツチングによって溝の中の酸化物の一部分が除去さ
れて導電体層の選定された部分が露出される。この酸化
物が除去されて導電体層が露出した部分に導電体材料が
沈着され、垂直接触体が作成される。

基板は、シリコン、ヒ化ガリウム、または■−■化合物
、またはテルル化水銀・カドミウム、またはＩＩ−Ｖｌ
化合物のような半導体材料であることができる。

　５一 本発明の別の実施例において、第２レベル溝が中間レベ
ル、すなわち、第２レベルに作成される。

この第２レベル溝の底表面は第２レベル溝の側壁と交差
する。中間レベル溝、すなわち、第２レベル溝の底表面
は、この底表面上に作成された導電体層を有する。この
導電体層は、これら２つの溝が交差する位置において、
その底表面が絶縁体層で隔てられながら第１溝を乗り越
えて配置される。

基板の表面と中間レベル溝の中の導電体層との間に、垂
直接触体がそなえられる。

中間レベル埋込み相互接続体、すなわち、第２レベル埋
込み相互接続体の作成は、まず、第ルベルの溝、すなわ
ち最も下のレベルの溝、よりは浅いところに溝が作られ
、それから、この第１溝を絶縁体酸化物で中間レベル溝
のほぼ底表面付近まで満たすことによって行なわれる。

工程段階としては、この後、中間レベル溝の底表面の上
と２つの溝の交差位置の絶縁体酸化物部分の上とに、導
電体層が沈着される。その後、２つの溝の中に、絶縁体
酸化物層が基板の表面と同じ高さにまで沈着される。そ
れから、この絶縁体酸化物層の中に開口部が作られ、中
間レベル溝の底の位置と、より深い第１溝の底の位置に
おいて、２つの導電体層の選定された部分が露出される
。その後、この開口部の中に導電体材料が沈着されて、
垂直接触体が作成される。

本発明のまた別の実施例において、おのおののレベルの
溝は、予め定められたレベルに溝がまず作成され、それ
からその溝の底に導電体層を作成することによる、標準
工程で作成される。この標準工程の後、その溝が酸化物
層で埋められ、そしてその後、その溝の底に配置された
導電体層から表面にまで達する垂直接触体を作成するこ
とが行なわれる。その次の溝は、同じ標準工程によって
、より浅いレベルに作成される。埋め込まれたレベル間
相互接続体は、前のレベルにおいて、かつ別の中間レベ
ル溝と交差する位置において、垂直接触体を選択的に作
成することによって２つのレベルの間に作成される。中
間レベル溝が最初に作成される場合には、シリコンと垂
直接触体の両方が底表面のレベルまでエツチングされる
。

本発明により、相互接続導電体ストリップが基板の表面
の下に埋め込まれ、したがって、これらの導電体層は基
板の形状に影響を与えない、という技術上の利点が得ら
れる。さらに、分離のための酸化物層が埋め込まれた相
互接続体の上に作成され、そしてこの分離用酸化物層は
基板の各部分を隔離するという技術上の利点も得られる
。さらに別の技術上の利点は、埋め込まれたレベルが異
ったレベルにおいて相互に接続され、そして互いに交差
することができ、かつ、比較的厚い酸化物層によって分
離されることである。このことにより、重なりによる静
電容量が小さくなるという利点が得られる。

［実施例］ 本発明とその利点は下記説明と添付図面とによりさらに
よく理解されるであろう。

第１図は埋込み相互接続体を使用した基板１０の一部分
除去立体図である。２つのレベルの埋込み相互接続体が
例示されている。この場合、第ルベルは第１平面１２に
配置され、第２レベルは第２平面１４に配置されている
。表面１６は基板の表面である。基板はシリコン、ヒ化
ガリウム、■−■化合物、テルル化水銀・カドミウム、
またはＩＩ−Ｖｌ化合物のような半導体材料であること
ができる。下記の実施例における基板材料はシリコンの
場合である。

第１平面１２は、この平面の１つの端部から他の端部に
向けて配置されている導電体ストリップ１８を有する。

導電体ストリップ１８は、接触体２０を通して、半導体
チップ１０の外部の装置と接続される。導電体ストリッ
プ１８の他の端部は、垂直接触体２２を通して、表面１
６から外部の装置と接続される。導電体ストリップ１８
はまた、平面１２の中に配置されている導電体ストリッ
プ２４と、垂直接触体２６とを通して、表面に連結され
る。同じようにして、導電体ストリップ１８は、平面１
２の中に配置されている導電体ストリップ２８と、垂直
接触体３０とを通して、表面に連結される。導電体スト
リップ１８は基板１０の表面の中に作られた溝３２の中
に作成され、そしてその後、酸化物で埋められる。

第２導電体ストリップ３４が平面１２の中でかつ導電体
ストリップ１８と平行に配置され、そして側面接触体３
６を通して基板１０から外部の装置と接続され、および
垂直接触体３８を通して第２平面１４に連結される。こ
こで重要なことは、垂直接触体３８は第１平面１２と第
２平面１４との間にだけ配置されているのであって、表
面１６にまでは達していないことである。

第１平面１２はまた２つの導電体ストリップ４０および
４２を有する。これらの導電体ストリップは導電体スト
リップ３４と直角に配置されて接続され、そして導電体
ストリップ３４と半導体チップ１０の側面との間に配置
されている。側面接触体４４と側面接触体４６はそれぞ
れ、半導体チプ１０の側面を通して外部の装置に接続さ
れる。

平面１２内のストリップ３４と第２平面１４とを接続す
る垂直接触体３８は、第２平面１４内の導電体ストリッ
プ４８に接続される。導電体ストリップ４８は、垂直接
触体５０を通して、表面１６に連結される。第２平面１
４はまた、垂直接触体５４を通して表面１６に接続され
た導電体ストリップ５２を有する。第２平面１４の中に
また導電体ストリップ５６が示されているが、この導電
体ストリップ５６は垂直接触体５８を通して表面に接続
される。導電体ストリップ５６は、酸化物で満たされて
いる溝６０の中に配置される。溝６０は表面１６と第２
平面１４との間にだけ存在し、一方、導電体ストリップ
１８が入っている溝３２は表面１６から第１平面１２に
まで達して配置されている。下記で説明されるように、
導電体ストリップ４８の他に、導電体ストリップ５２お
よび５６は第２平面１４から外に延びており、かつ、第
１平面１２の中のいずれかの導電体ストリップと交差す
る。

第２図は、本発明の埋込み相互接続体の製造工程のうち
の１つの段階の立体図である。３つの埋込み導電体が第
１平面の中に示されており、そして１つの埋込み導電体
が第２平面および中間平面の中に示されているが、これ
は例示のためにその部分だけを示したものである。半導
体チップ６２は、シリコン、ヒ化ガリウム、またはいず
れかの半導体といった半導体材料で構成される。例示さ
れた実施例では、半導体チップ６２の材料としてシリコ
ンが用いられている。けれども、埋込み相互接続体を作
成するのに、その他の半導体基板またはそれと同等の媒
体を用いることもできる。

浅い満６４を作るために、まず基板６２の上にパターニ
ングが行なわれる。それから、基板６２が垂直シリコン
・エツチングによってエッチされて、浅い溝６４が作ら
れる。浅い溝６４の壁面はわずかに傾いている。その後
、溝６４を酸化物で埋めて表面と平らにし、それから深
い溝を作るためにパターニングが行なわれる。このパタ
ーニングの段階は、基本的には、基板の上にフォトレジ
ストまたは窒化物のような材料でマスクを作成すること
である。

深い溝を作るために基板にパターニングを行った後、浅
い溝６４の中に配置された酸化物は異方的エッチングに
よってエッチされる。この異方的エツチングは、深い溝
パターンの中の酸化物を垂直に除去する。深い溝をエツ
チングによって作るために、シリコンの選択的エツチン
グが用いられ、それにより溝６６．６８および７ｏが作
成される。

これらの溝６６．６８および７０の深さは、溝６４より
深い。溝６４を満たしている酸化物が除去されるから、
溝６４が溝６６〜７０と交差しているところでは、溝６
６〜７０は溝６４より深い。

溝７０の１つの側壁だけが例示のために示されている。

溝６４〜７０が作成された後、溝６４から酸化物が除去
され、そして基板６２０表面上だけに酸化物層７２が沈
着されるか、または成長により作成される。満６４〜７
０の底表面には酸化物層は作成されない。その後、溝６
４〜７０の底表面の中にイオン注入が行なわれる。その
際、酸化物層７２があるので上表面にはイオン注入は行
なわれない。

イオン注入の後、基板６２に対して焼鈍工程が行なわれ
、それにより不純物が予め定められた深さにまで拡散し
、溝６４〜７０の底に導電率の大きな領域が作成される
。このことにより、溝６６の底にＳ電体層７４が作成さ
れ、溝６８の底に導電体層７６が作成され、溝７０の底
に導電体層７８が作成され、そして溝６４の底に導電体
層８０が作成される。

第３図は製造工程の第２段階を示したもので、溝６６〜
７０の底の層７４〜７８の上に２ケイ化チタンの層が作
られ、もし必要ならば、溝６４の底の層８０の上に２ケ
イ化チタンの層が作られる。

この２ケイ化チタンは埋め込まれた導電体の抵抗率を低
下させる。２ケイ化チタンを作成するために、まず、溝
６４〜７０の側壁に酸化物の薄い層が作られる。この側
壁の酸化物層の作成は、溝６４〜７０の中の基板６２の
表面上に整合した酸化物層をまず沈着する、または、成
長させることによって行なわれる。その後、この基板に
対して垂直方向への異方的エツチングが行なわれて、平
らな表面から酸化物が除去される。このエツチングによ
り、垂直になっているすべての表面の上の側壁酸化物は
エツチングされないで残留する。側壁酸化物を残す理由
は、下記で詳細に説明されるように、溝６４〜７０の垂
直な表面を保護するためである。この側壁酸化物を作成
する方法は、Ｈｏｒｎｑ−３ｅｎ　Ｆｕほか名で取得さ
れ、テキサス・インスツルーメンツ社に譲渡された１９
８２年１０月２６日付の米国特許第４，３５６．０４０
号に開示されている。

溝６４〜７０の垂直な表面上に側壁酸化物が作成された
後、真空装置の中で、基板６２の上に、溶解しにくい金
属であるチタンがスパッタリングによって約１０００オ
ングストロームの厚さに沈着される。この層は、溝６４
〜７０の中の露出したシリコン表面の上にある整合した
層である。典型的な場合には、チタン層のスパッタリン
グの前に、１．０％の塩化水素酸の中で湿式エツチング
が行なわれ、露出したシリコン表面上に残留している酸
化物が除去される。

このチタン層が作成された後、チタンはアルボンと窒素
の雰囲気中で約６７５℃の温度において、約３０分間反
応が行なわれる。この反応により、溝６４〜７０の底の
上にあるチタン層部分がシリコンと反応し、２ケイ化チ
タンが作成される。垂直な表面には側壁酸化物があるの
で、そこに２ケイ化チタンが作成されることはない。こ
の反応の結果、作成される２ケイ化チタンの厚さは約１
５００オングストロームであるが、表面上にはチタンの
わずかな部分が未反応のまま残る。このようにして、溝
６６の底にケイ素化合物８２が作成され、溝６８の底に
ケイ素化合物８４が作成され、溝７０の底にケイ素化合
物８６が作成され、そして溝６４の底にケイ素化合物８
８が作成される。

最初のチタン層のうち、ケイ素化合物層８２〜８８の中
の部分のみが２ケイ化チタンに変わるが、酸化物の上に
あるチタン層の部分はそのまま残る。

チタンはアルゴンと窒素の雰囲気と反応するので、これ
らの領域のチタンの表面露出部分は窒化チタンに変わる
であろう。一方、下にある酸化物と接しているシリコン
と未反応のチタン部分は、酸化チタンに変わるであろう
。このようにして得られた構造体が第３図に示されてい
る。

２ケイ化チタン層８２〜８８が作成された後、この表面
に酸化物を沈着することによって溝６４〜７０が酸化物
層９０で埋められ、そして基板の上表面が平らにされる
。このようにして得られた構造体が第４図に示されてい
る。表面が平らにされた後、酸化物選択エツチングを行
なうことによって、すべての満６４〜７０の中の酸化物
層９０が溝６４の底表面のレベルまでエツチングされ、
そして溝６６〜７０の中に酸化物１１９０が残される。

多結晶シリコン（ポリシリコン）の層が溝６４〜７０の
中に沈着され、そしてそれからこの基板がパターンに作
られ、そしてポリシリコン・エツチングが行なわれて溝
６４の中にだけポリシリコン層９２が残される。好まし
い実施例では、溝６６〜７０の底の中のケイ素化合物層
７４〜７８と溝６４の中のポリシリコン層との間に静電
容量が得られる。この静電容量の大きさは、重なりの面
積と、誘電体の種類と、誘電体の厚さとで定まる。

第５ａ図は第５図の線５ａ−５ａに沿っての横断面図で
ある。この図面かられかるように、溝６６．６８および
７０と溝６４の底表面との交差部分に配置されている酸
化物層９ｏを、ポリシリコン層９２が橋渡しをしている
。酸化物層９ｏはそれらの間の絶縁体層として働いてお
り、かつまた、ポリシリコンが沈着される表面として働
いている。

ポリシリコン層９２の厚さは約４５００オングストロー
ムである。

ポリシリコン層９２が作られた後、基板６２にパターニ
ングが行なわれて、ポリシリコン層９２の表面上に２ケ
イ化チタンが作成される。このことを行なうために、前
記の工程が用いられる。このようにして、ポリシリコン
層９２の上にチタン層９４が作成される。その後、酸化
物がすべての満６４〜７０の中に沈着されてこれらの溝
が完全に埋められ、溝６４〜７０の中に酸化物層９６が
作成される。この酸化物層に表面を平らにする工程が行
なわれて、基板６２の上に比較的平らな表−１８＝ 面が得られる。このようにして得られた構造体が第６図
に示されている。

酸化物層９６が作成された後においては、すべての溝６
４〜７０の中に埋め込まれた２レベル相互接続体ができ
る。そこで、垂直接触体を作成するために、酸化物層９
６の表面にマスキングが行なわれる。第７図に示されて
いるように、このマスキングは基板６２の上にフォトレ
ジスト層９８を沈着することによって行なわれる。例を
挙げて説明すると、溝６６の選定された部分と酸化物層
９０の真上の７オトレジスト層９８の中に、接触体のた
めの開口部１００が作られる。同じようにして、接触体
用開口部１０２が溝７０の上のフォトレジスト層９８の
中に作成され、そして接触体用開口部１０４が溝６４の
上のフォトレジスト層９８の中に作成される。これらの
開口部１００〜１０４のおのおのは、それぞれの溝の底
に配置されているチタン層８２．８６および９４のうち
の１つの上にそれぞれ配置される。それから塩素をベー
スとする、エツチングのような、適切なプラズマ・エツ
チングを行なうことにより、酸化物層９６が垂直方向に
選択的にエツチングされて、満６６の中に垂直接触体用
開口部１０６が作成され、溝７０の中に垂直接触体用開
口部１０８が作成され、そして溝６４の中に垂直接触体
用開口部１１０が作成される。

垂直接触体用開口部１０６〜１１０を作成した後、ケイ
化アルミニウムまたはケイ化タングステンのような金属
が沈着されて垂直開口部１０６〜１１０が満たされ、そ
れにより垂直接触体１１２゜１１４および１１６がそれ
ぞれ作成される。その後、この表面にパターニングが行
なわれて、垂直接触体１１２〜１１６の上表面以外の基
板６２のその他の表面上にある金属が除去される。垂直
接触体の上に残留している金属により、後で基板６２上
に作成される回路や回路素子との接続を行なうことがで
きる。

第９図から第１１図までの図面は、ケイ素化合物層８６
とチタン層９４との間に接触体を作成する方法を示した
ものである。第６図に示されているようにポリシリコン
層９２とチタン層９４が作成され、それに続いて酸化物
層９６が作成された後、溝７０と溝６４の交差位置近傍
の酸化物層９６の中に、開口部１１８が作られる。開口
部１１８によって、溝７０の底のケイ素化合物層８６の
一部分と、また溝６４の底のケイ素化合物層９４の一部
分とが露出する。

開口部１１８が作成された後、ケイ素化合物層８６の表
面の上に、ケイ素化合物層９４の上表面を越える高さま
での予め定められた厚さに、金属が沈着される。このよ
うにして、垂直接触体１２０が作成される。垂直接触体
１２０の上表面は基板６２の表面より低い位置にある。

その後、酸化物９６の層が垂直接触体の上に基板６２の
表面に達するまでに作成される。このようにして、２つ
の埋め込まれたその間に、埋め込まれた接触体が得られ
る。

第１２図は、２つの埋め込まれた層の間に垂直接触体を
作成する別の実施例を示したものである。

第１２図は、溝６４の中心を通る線に沿っての横断面図
であって、溝６８を横切る位置でのものが示されている
。第５図と第５ａ図に示されたポリシリコン層９２を作
成する前に、第４図に示された層９０に、第７図に示さ
れたのと同じように、パターニングとエツチングが行な
われる。このパターニング段階により、溝６４と溝６８
を満たしていた酸化物層９０のこれらの溝の交差位置近
傍の部分が除去され、そして溝６８の底のところでケイ
素化合物層８４が露出する。その後、溝６８の中のケイ
素化合物層８４の表面の上と満６４の中のケイ素化合物
層８８の表面の上とに、金属が約４０００オングストロ
ームの厚さにまで沈着される。このようにして、２つの
ケイ素化合物層８４と８８とを接続する垂直接触体１２
２が作成される。その後、第１３図に示されているよう
に、ポリシリコン層９２が沈着され、さらに続いてケイ
素化合物層９４を作成することができる。第１２図の実
施例は、中間レベルの溝の底の上に金属状層を作成する
前に、２つの埋め込み層の間に垂直接触体を作成するこ
とが必要であったが、第９図から第１１図の実施例では
埋め込み垂直接触体を工程の後の段階で作成することが
可能である。

第１４図は、溝６６の中に埋め込まれたケイ素化合物層
８２と溝６８の中に埋め込まれたケイ素化合物層８４と
だけを有し、かつ、基板６２の中に作成された完全な回
路素子１２４とを有する、完成した装置の基板６２内の
横断面図である。回路素子１２４は、トランジスタ、論
理ゲートなどのような半導体回路素子、またはプログラ
ム可能論理アレイ（ＰＬ八、ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｔｅ
　ｌｏｇｉｃ　ａｒｒａｙ）のような回路ネットワーク
であることができる。回路素子１２４はその表面上に作
成された２つの接触体パッド１２６および１２８を有す
る。典型的な場合には、与えられた回路素子の中の半導
体接続体の厚さは２ミクロン乃至４ミクロンであり、一
方、溝の深さは４ミクロンまたはそれ以上であることが
できる。

従来の工程では、基板６２の上の回路素子は、厚いフィ
ールド酸化物によって分離されることにより、隔離が行
なわれる。このフィールド酸化物は溝６４〜７０を埋め
ている酸化物層９６と合体することができる。第１４図
では、フィールド酸化物領域１３０は溝６８の中の酸化
物層９６と合体しているものとして示されている。接触
体パッド１２６および１２８に対してそれぞれ作成され
た接触体１３４および１３６と共に、酸化物層１３２が
作られ、および垂直接触体１１２に対して接触体１３８
が作られる。接触体１３６と接触体１３８とを接続する
ために、金属で作成された相互接続層１４０が作られる
。この金属相互接続層により、回路素子１２４と埋め込
まれたケイ素化合物層８２どの間の電気的接続がえられ
る。溝の中の酸化物は基板上の種々の領域の間の分離を
行なう。

第１５図は埋め込まれたレベル間相互接続体を作成する
ための別の実施例の図面である。第１５図には、基板１
４４とその中に作成された２つの溝１４６および１４８
が示されている。この基板の上に酸化物の薄い層が成長
されるかまたは沈着され、基板１４４の上と溝１４６お
よび１４８の中に酸化物層が作成される。溝１４６およ
び１４８は単結晶シリコン・エツチングによる溝エツチ
ングによって作成され、そして基板１４４の上に薄い酸
化物層を沈着または成長させることにより、溝１４６の
底に酸化物の層１５０と溝１４８の底に酸化物の層１５
２が作成される。酸化物層１５０および１５２は溝１４
６と溝１４８のそれぞれの底と側壁との両方に順応して
被覆する。

薄い酸化物層が作成された後、基板１４４の上と溝１４
６および１４８の中に、金属体が沈着またはスパッタリ
ングによって作成される。ここで用いられる金属の１つ
の例はケイ化タングステンである。金属が沈着またはス
パッタリングされるのであるから、上表面にある量の金
属が存在することになる。この金属に再びエツチングが
行なわれて、表面上のケイ化タングステンと溝の中のケ
イ化タングステンの一部分とが除去され、溝１４６の底
の導電体層１５４と溝１４８の底の導電体層１５６だけ
が残される。ここで、導電体層１５４が溝１４６のシリ
コン表面から酸化物層１５０によって分離されており、
かつ、導電体層１５６が溝１４８のシリコン表面から酸
化物層１５２によって分離されていることに着目するこ
とが重要である。このことにより、導電体層１５４およ
び１５６と基板１４４との間の静電容量が小さくなる。

けれども、場合によっては、酸化物層１５０および１５
２を備えることが必要でない応用例もある。この場合に
は、導電体層１５４および１５６とそれぞれの溝１４６
および１４８のシリコン表面との接触により、十分な動
作特性がえられるであろう。このようにして得られた構
造体が第１７図に示されている。

導電体層１５４および１５６が作成された後、溝１４６
および１４８は酸化物で埋められ、そして前記と同じよ
うにして表面が平らにされる。その結果、酸化物層１５
８が溝１４６の中で導電体層１５４の上に作成され、お
よび酸化物層１６０が溝１４８の中で導電体層１５６の
上に作成される。このようにして得られた構造体が第１
７図に示されている。

酸化物層１５８および１６０が作成された後、その表面
にパターニングが行なわれ、溝１５８と溝１６０のうち
の１つの溝の上の選定された位置に開口部が作られる。

次に、この開口部を使ってエツチングが行なわれ、下に
ある導電体層１５４または１５６の表面が露出するまで
酸化物が除去される。その後、金属が沈着またはスパッ
タリングされて、表面にまで達するプラグまたは垂直接
触体が作成されると共に、表面が金属で被覆される。そ
の後、表面が平らにされかつエツチングされて、開口部
の中に作成された垂直接触体だけが残される。このよう
にして、第１８図に示されているように、溝１４６の中
に垂直接触体１６８が作成される。

溝１４６および１４８の中に酸化物層１５８および１６
０が作成された後、この基板の表面にパターニングが行
なわれ、そして導電体層１５４および１５６と一定の角
度をなす位置に溝１６２がエツチングによって作成され
る。溝１６２の深さは溝１４６および１４８の深さより
も浅いようにエツチングが行なわれる。このエツチング
によって、シリコンと酸化物層１５８および１６０の一
定部分が除去されるが、溝１６２の底表面の下に酸化物
層１５８および１６０の未エツチング部分が残るように
、エツチングが行なわれる。エツチング速度について云
えば、酸化物層１５８および１６０はシリコンとほぼ同
じ速さで除去されるであろう。ここに開示された好まし
い実施例のエツチングは、シリコンと２１１ｆ化シリコ
ンと金属とをほぼ同じ速さでエツチングする、従来のエ
ツチングである。第２溝エツチングによって溝１６２が
作成された後、底酸化物層１６４が作成されると共に側
壁も酸化物で被覆される。その後、沈着またはスパッタ
リングにより、金属層１６６が？ｌ１１６２の底表面の
上に沈着される。溝の底では、酸化物層１６４によって
、金属層１６６と溝の底とが隔てられている。このよう
にして得られた構造体が第１８図に示されている。

第１９図は、埋め込まれた垂直接触体をレベルの間に作
成する製造法を示したものである。埋込み垂直接触体の
ための開口部が作られ、そして溝１６２を作る前に金属
が沈着される。例えば、第１９図において、垂直接触体
が溝１４８の中に作成され、そし、てそれから、この垂
直接触体が作成されている位置において溝１４８と交差
するように溝１６２が作成される。溝のエツチングのさ
い、溝１４６の中の酸化物と、溝１４８の中の接触体と
、シリコンとは事実上同じ速さでエツチングされる。そ
の結果、溝１４８の中に作成された接触体は溝１６２の
底表面のレベルまでエツチングされる。その結果、溝１
６２と溝１４８が交差する位置において、溝１４８の底
に埋込み垂直接触体１７０が作成される。その後、薄い
酸化物層１６４と導電体層１６６が作成され、そしてこ
の導電体層１６６は溝１４８の上を溝１６２どの交差位
置において乗り越え、かつ、垂直坤込みレベル接触体１
７０と接続される。このようにして、導電体層１６６と
導電体層１５６との間に、埋め込まれたレベル間相互接
続体が得られる。

この実施例の場合、おのおのの溝は同じ数のエ程によっ
て作成される。これらの工程は、（１）溝を作成する段
階と、（２）この溝の底に導電体層を作成する段階と、
（３）この溝を酸化物の絶縁体層で埋める段階と、（４
）開口部を作成しかつ表面にまで達する垂直接触体を作
成する段階とを有する。各レベルの溝に対してこれらの
標準工程段階を繰り返すことによって、複数個のレベル
の溝を作成することができる。後のレベルの溝が作成さ
れる前に垂直接触体が作成されるから、この垂直接触体
は再びエツチングされて、レベルの間に埋め込まれたレ
ベル間相互接続体が作成される。図面には示されていな
いけれども、もし３レベル装置を作成することが必要な
らば、第ルベルの処理工程中に、第３レベルの溝が作成
される予定の位置に垂直接触体を作成することにより、
第ルベルと第３レベルとを接続することができる。第２
レベルの溝は第２レベル満領域だけに対して選択的にパ
ターニングを行なうことによって作成されるから、この
垂直接触体は第２レベル溝の処理工程中には影響を受け
ないであろう。そしてこの接触体は、第一　　３０　− ３レベル溝と第ルベル溝との間の埋め込まれたレベル間
相互接続体として用いることができる。

要約をすれば、本発明により、半導体基板の中に埋め込
まれたレベル間相互接続体の製造法が得られる。まず、
基板の中に溝が作成され、そしてそれから２ケイ化チタ
ンのような導電体層がこれらの溝の底に作成される。こ
れらの溝は表面上の絶縁体酸化物で埋められ、そしてそ
れから選定された領域においてこの酸化物を貫通して接
触体が作成される。中間レベルの接続は、第ルベルすな
わちより深いレベルの溝に対して一定の角度をなす、よ
り浅い溝をエツチングによって作成することによって行
なわれる。溝の底に導電体層を作成した後、これらの溝
をまず酸化物で埋め、そして次に浅い溝のレベルまで酸
化物層を再びエツチングすることによって、交差接続が
得られる。その後、浅い溝の中にアモルファス半導体の
層が沈着されて、浅い溝と深い溝との間の交差位置を乗
り越える橋渡し導電体が作成され、その後、溝が酸化物
で埋められる。次に、浅い溝と深い溝との両方に対し、
接触体が作成される。

好ましい実施例が詳細に説明されたけれども、本発明の
範囲内において、種々の修正、変更および置き換の為し
うろことが容易にわかるであろう。

以上の説明に関して以下の項を開示する。

（１）　　側壁と底表面とを有し、かつ、予め定められ
た深さを有する溝を基板の中に作成する段階と、前記溝
の底表面の上に導電体層を沈着する段階と、 前記溝の中に絶縁体材料を沈着する段階と、前記絶縁体
材料の中に開口部を選択的に作成して、前記溝の底の中
の前記導電体層の選定された部分を露出させる段階と、 前記絶縁体材料の中の前記開口部の中に導電体材料を沈
着して、前記溝の底にある前記導電体層と前記基板の表
面との間に垂直接触体を作成する段階と、 を有する半導体基板の中に埋め込まれたレベル間相互接
続体の製造法。

（２）　　第１項において、前記半導体基板が■−■化
合物およびＩＩ−Ｖｌ化合物の中から選定された化合物
半導体である、前記製造法。

（３）　　第１項において、前記導電体層を作成する段
階が前記溝の底に配置された半導体材料の中に不純物を
沈着することを有する、前記製造法。

（４）　　第３項において、前記溝の底表面の上に耐熱
性の材料を作成することをさらに有する、前記製造法。

（５）　　第４項において、耐熱性材料を作成する前記
段階が、 前記溝の底に耐熱性材料を作成するために反応しない耐
熱性金属層の基板部分の表面の上に中間材料層を沈着す
ることと、 前記基板の平らな表面と前記溝の底の上とに耐熱性の金
属層を沈着することと、 耐熱性の前記金属層を反応させて、前記溝の底の上に耐
熱性の材料を作成することと、耐熱性の前記金属層のう
ちの未反応の部分を選択的に除去して、前記溝の底に耐
熱性の材料を作成することと、 を有する前記＠造法。

（６）　　第１項において、 側壁と底表面とを有し、かつ、予め定められた前記深さ
に比べて中間の深さを有する第２番目の溝を前記基板の
中に作成することと、 第２番目の前記溝が予め定められた深さを有する前記溝
と交差して配置されることと、第２番目の前記溝の底の
上に導電体層を作成することと、 予め定められた深さを有する前記溝の中に、かつまた第
２番目の前記溝の中に、絶縁体材料を沈着することと、 第２番目の前記溝の底に配置された前記導電体層を露出
させるがしかし予め定められた深さを有する前記溝の底
に配置された前記導電体層は除去しない深さにまで、予
め定められた深さを有する前記溝の中と第２番目の前記
溝の中とにある前記絶縁体材料の上部層部分を除去する
ことと、第２番目の前記溝の底の中にアモルファス半導
体材料で作成された導電体層を沈着し、かつ、予め定め
られた深さを有する前記溝と第２番目の前記溝とが交差
する位置において前記導電体層が前記絶縁体層を乗り越
えて橋渡しをすることと、前記溝の中に絶縁体材料を前
記基板の表面に近いレベルまで沈着することと、 予め定められた深さを有する前記溝の中の前記絶縁体材
料の中に開口部を選択的に作成しかつ第２番目の前記溝
の底の中に配置されたアモルファス材料の前記導電体層
を露出するために開口部を作成する段階と、予め定めら
れた深さを有する前記溝の中の前記絶縁体材料の前記開
口部の中に導電体材料を沈着しかつ第２番目の前記溝の
前記ｙ１口部の中に導電体材料を沈着する段階と、をさ
らに有する前記製造法。

（７）　　第１項において、予め定められた深さを有す
る前記溝の底の中に配置された前記導電体層と、第２番
目の前記溝の底の中に配置されかつ第２番目の前記溝と
予め定められた深さを有する前記溝との間の交差位置を
乗り越えて橋渡しをする前記導電体層と、の間に接触体
を作成することをざらに有する前記製造法。

（８）　　半導体基板の中に予め定められた第１深さを
有する第ルベル溝を作成することと、予め定められた第
１深さよりは浅い予め定められた第２深さを有しかつ前
記第ルベル溝に対して一定の角度を有しかつ前記第ルベ
ル溝と交差する第２レベル溝を前記基板の中に作成する
ことと、 前記第ルベル溝と前記第２レベル溝が側壁と底表面とを
有することと、 前記第ルベル溝の底表面に第１導電体層を作成すること
と、 前記第１溝の中で前記第１導電体層の上に前記第２レベ
ル溝の底表面に近い高さまで絶縁体材料の第１層を作成
することと、 前記第２レベル溝の底表面の上に第２導電体層を作成し
、かつ、前記第ルベル溝と前記第２レベル溝との交差位
置に配置された前記第１絶縁体層部分を乗り越えて橋渡
しを行なうことと、前記第１溝と前記第２溝の中で前記
第１絶縁体　３６一 層の上に絶縁体材料の第２層を作成し、かつ、前記基板
の上表面に近い高さまで前記第２ｓ電体層を作成するこ
とと、 前記基板の上表面から前記第１絶縁体層および前記第２
絶縁体層を通り前記第１導電体層と前記第２導電体層の
選定された位置に達する垂直導電体を選択的に作成する
ことと、 を有する、半導体基板の中に埋め込まれたレベル間相互
接続体のＷ＃造法。

（９）　　第８項において、前記第ルベル溝の底表面の
上に前記第１導電体層を作成する前記段階が前記基板の
表面上に中間材料の層を作成し、かつ、前記中間材料を
耐熱性金属と反応させて第１耐熱性材料体を作成するこ
とと、 前記基板の上および前記第ルベル溝の底表面の上に耐熱
性の金属層を沈着することと、前記耐熱性金属を前記第
ルベル溝の底表面の基板の半導体材料と反応させて第１
耐熱材料を作成し、かつ、前記耐熱性金属を前記中間材
料と反応させて第２耐熱材料体を作成することと、前記
第２耐熱材料体を選択的に除去し、がっ、その後に前記
第１耐熱材料体を残すことと、を有する前記製造法。

（１０）第９項において、前記第ルベル溝の底表面と前
記第２レベル溝の底表面との中へ不純物材料を沈着して
それらの導電率を大きくすることをさらに有する、前記
製造法。

（１１）第９項において、前記耐熱材料がチタンであり
、かつ、前記基板がシリコンである、前記製造法。

（１２）第８項において、前記半導体基板が■−■化合
物およびＩＩ−Ｖ［化合物の中から選定された化合物半
導体で構成された、前記製造法。

（１３）第８項において、前記第２レベル溝の底表面の
上に前記第２導電体層を作成する前記段階が前記基板の
上と前記第２溝の底表面の上と前記絶縁体層の上とに導
電材料の層を沈着することと、前記基板の表面を被覆し
ている導電材料の一部分と、前記第１溝の中に配置され
ているが前記第１溝と前記第２溝の交差位置に配置され
ていないすなわち前記第２溝の中に配置されていない第
１絶縁体層部分と、を選択的に除去するために導電材料
の前記層にパターニングを行なうことと、を有する前記
製造法。

（１４）第１３項において、前記導電体層が多結晶シリ
コンであり、かつ、前記基板がシリコンである、前記製
造法。

（１５）第８項において、絶縁体材料の前記第１層と前
記第２層を作成する前記段階が前記第１溝と前記第２溝
のそれぞれの溝の中に酸化物層を沈着することを有する
、前記製造法。

（１６）第８項において、垂直導電体を選択的に作成す
る前記段階が 前記第１導電体層と前記第２導電体層との選定された位
置の上の前記基板の表面上に選定された領域を定めるた
めのパターニングを前記基板の表面に行なうことと、 前記第１絶縁体層と前記第２絶縁体層のうちの選定され
た前記領域の上の部分を除去して前記導電体層と前記第
２導電体層との選定された領域を露出させ、それにより
露出された前記選定された位置の上に開口部を選択的に
得ることと、前記第１導電体表面と前記第２導電体表面
の選定された前記位置から前記基板の表面に達する導電
体材料を選定された開口部の中に沈着することと、 を有する前記製造法。

（１７）第８項において、前記第ルベル溝の中に絶縁体
材料の前記第１層を作成する前記段階が前記第ルベル溝
と前記第２レベル溝の中に酸化物の第１層を前記基板の
表面にほぼ等しい高さまで沈着することと、 前記第２レベル溝の底表面が露出するような深さまで酸
化物の前記第１層を選択的に除去し、かつ、残りの酸化
物層部分が前記第２レベル溝の底表面の近傍に表面を有
することと、 を有する前記製造法。

（１８）第８項において、 前記第ルベル溝のうちの１つの溝の中の絶縁体材料の前
記第１層の中に開口部を作成し、前記開口部が前記第ル
ベル溝と前記第２レベル溝との交差位置に近接しており
かつ前記第２１！電層の作成の後に作成されることと、 前記開口部の中に導電体材料を選択的に沈着して、前記
第ルベル溝の底表面の上の前記第１導電体層の前記露出
部分に接触しかつ前記第２１！電体層と重なっているこ
とと、 をさらに有する前記製造法。

（１９）第８項において、 前記第ルベル溝と前記第２レベル溝のうちの選定された
溝の交差位置において絶縁体材料の前記第１層の中に開
口部を作成して、前記第ルベル溝の底表面の中の前記第
１１！ｌ電体層のうちの前記第ルベル溝と前記第２レベ
ル溝の中の選定された溝の交差位置における部分を露出
することと、前記導電体層から前記第２レベル溝の底表
面にほぼ等しい高さまで導電体材料を前記開口部の中に
沈着し、かつ、前記導電体材料の沈着が前記第２レベル
溝の底表面の上に前記第２導電体層を作成する前に行な
われることと、 をさらに有する前記製造法。

（２０）前記基板の中の予め定められた第１深さの位置
に第ルベル溝を作成することと、 前記基板の中で予め定められた前記第１深さよりは浅い
予め定められた第２深さの位置に、がっ、前記第ルベル
溝に対して一定の角度をなす方向を有する、第２レベル
溝を作成することと、前記第ルベル溝と前記第２レベル
溝が側壁と底表面を有し、かつ、前記底表面が前記基板
の表面と事実上平行であり、かつ、前記第２レベル溝の
底表面が前記第ルベル溝の側壁と交差しかっこの交差の
さい前記第２レベル溝との交差位置において前記第２レ
ベル溝の底表面の中にギャップが存在することと、 前記第ルベル溝と前記第２レベル溝との底表面の上にＳ
電体層を作成することと、 前記第ルベル溝の中の前記導電体層の上に絶縁体材料の
第１層を前記第２レベル溝の底表面に近い高さにまで作
成することと、 絶縁体材料の前記第１層のなかの前記第ルベル溝と前記
第２レベル溝の交差位置部分の上に導電体の橋渡し体を
作成し、かつ、前記第２レベル溝の底表面のうちの前記
交差位置に配置された前記導電体層を前記第２レベル溝
の２つの側壁と接触させることと、 前記第１溝と前記第２溝の中で前記第１絶縁体層と導電
体の前記橋渡し体と前記導電体層との上に絶縁体材料の
第２層を前記基板の上表面にほぼ等しい高さにまで作成
することと、 前記第１絶縁体層および前記第２絶縁体層を貫通して前
記基板の上表面から前記第１溝および前記第２溝の底表
面の上の前記導電体層の選定された位置に達する垂直導
電体を選択的に作成することと、 を有する、半導体基板の中に埋め込まれたレベル間相互
接続体の製造法。

（２１）第２０項において、前記半導体基板がＩ−■化
合物およびＩ［−Ｖｌ化合物の中から選定された化合物
半導体で構成される、前記＠造法。

（２２）　　Ｗ板の表面の中に作成され、かつ、底表面
と側壁を有し、かつ、予め定められた深さを有する溝と
、 前記溝の底表面の上に配置された導電体層と、前記溝の
中の選定された位置に作成されかつ前記溝の底表面から
前記基板の表面にまで達して配置され、かつ、それによ
り前記導電体層との電気的接触体がえられる導電体プラ
グと、 前記溝を絶縁体材料で満たすことと、 を有する埋め込まれたレベル間相互接続体をそなえた基
板。

（２３）第２２項において、前記導電体層が耐熱性の材
料の層で構成されている、半導体基板のための埋め込ま
れた前記レベル間相互接続体。

（２４）第２２項において、前記絶縁体層が酸化物層で
構成され、かつ、前記基板がシリコンで構成された、埋
め込まれた前記レベル間相互接続体。

（２５）第２２項において、前記導電体層（１０）がド
ープされた半導体材料で構成された、埋め込まれた前記
レベル間相互接続体。

（２６）第２２項において、 前記基板の表面の中に作成されかつ前記溝に対して一定
の角度をなして配置されかつ予め定められた深さを有す
る中間レベル溝であって、前記中間レベル溝が底表面と
側壁とを有し、かつ、前記底表面が前記基板の表面と予
め定められた深さを有する前記溝の底表面との中間レベ
ルに配置され、かつ、前記中間レベル溝の底表面が予め
定められた深さを有する前記溝の側壁と交差している、
前記中間レベル溝と、 前記中間レベル溝の底表面の上に配置され、かつ、予め
定められた深さを有する前記溝の側壁の間のギャップを
橋渡しする導電体層と、前記中間レベル溝の中の選定さ
れた位置に作成され、かつ、前記中間レベル溝の底表面
から前記基板の表面に達するように配置され、かつ”、
それにより前記中間レベル溝の底の中の前記導電体層と
の電気的接触体が得られる第２層導電体プラグと、 前記中間レベル溝が絶縁体材料で満たされることと、 をさらに有する、埋め込まれたレベル間相互接続体。

（２７）第２６項において、予め定められた深さを有す
る前記溝の中に配置され、かつ、予め定められた深さを
有する前記溝の底表面に配置された前記導電体層と前記
中間レベル溝の底表面に配置された前記導電体層とを電
気的に接続する装置をさらに有する、埋め込まれたレベ
ル間相互接続体。

（２８）第２７項において、接続のための前記装置が、
予め定められた深さを有する前記溝の底の中に配置され
、かつ、前記溝の交差位置においてそこから上方へ前記
中間レベル溝の高さまでに配置され、かつ、前記中間レ
ベル溝の底の中の前記導電体層に接続された、導電体プ
ラグで構成される、埋め込まれた前記レベル間相互接続
体。

（２９）第２６項において、前記半導体基板が■−Ｖ族
化合物およびＩｆ−Ｖｌ族化合物のなかから選定された
化合物半導体で構成される、埋め込まれた前記レベル間
相互接続体。

（３０）基板の中の複数個のレベルに埋め込まれたレベ
ル間相互接続体を作成する製造法であって、おのおのの
レベルが シリコンの中に予め定められた深さを有しかつ側壁と下
表面とを有する溝を作成することと、ここで前記溝のレ
ベルが前記底表面によって決定され、 前記溝の底に導電体層を作成することと、前記溝を絶縁
体材料で満たすことと、 前記溝の中の前記絶縁体材料の中に前記基板の表面から
前記溝の底にまで達する開口部を選択的に作成し、それ
により前記溝の底の位置において前記導電体層の選定さ
れた部分を露出させることと、 前記開口部の中に前記導電体層の前記露出された部分か
ら前記基板の表面にまでＩ！導電体材料沈着して垂直接
触体を作成することと、 最も深いレベルの溝が最初に作成され、その後、次のレ
ベルすなわちより浅いレベルの溝が作成されることと、 の段階によって作成される、前記製造法。

（３１）第３０項において、各レベルの溝を作成する前
記段階が、前記溝の底に前記導電体層を作成する前に前
記溝の底に絶縁体材料の薄い岡を作成することをさらに
有し、それにより前記溝の底および側壁の基板０料から
前記導電体層を分離することがえられる、前記製造法。

（３２）第３１項において、前記導電体層を作成する前
記方法が前記溝の底に金属を沈着することを有する、前
記製造法。

（３３）第３０項において、前記基板がシリコンであり
、かつ、前記絶縁体材料が二酸化シリコンであり、かつ
、絶縁体材料を有する前記溝を作成する前記段階が前記
基板の上に酸化物を沈着して前記溝を満たすことと前記
基板の表面を平らにすることとを有する、前記製造法。

（３４）第３０項において、前記開口部の中に導電体材
料を沈着する前記段階が前記基板の上に金属の層を沈着
して前記開口部を満たすことと前記基板の表面を平らに
することとを有する、前記製造法。

（３５）第３０項において、開口部を選択的に作成する
前記段階が複数個のレベルのうちの１つのレベルにある
絶縁体材料の中に開口部を選択的に作成することを有し
、そのさい前記開口部がより浅いレベルの溝の交差位置
に配置され、より浅いレベルのシリコンの中に溝を作成
する前記段階がより深い溝の中に作成された前記開口部
の中に沈着された導電体材料部分を除去し、そのさいよ
り浅いレベルの前記溝の中に作成された前記導電体層が
より深いレベルの前記溝の中に作成された前記開口部の
中の前記導電体材料と接触し、それによりより深いレベ
ルの前記溝の中の前記導電体層とより浅いレベルの前記
溝の中の前記導電体層との間に埋め込まれたレベル間相
互接続体が得られる、前記製造法。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の埋め込まれたレベル間相互接続体を用
いた半導体チップの一部分除去断両立体図、第２図は溝
を作成した後、埋め込まれたレベル間相互接続体の第ル
ベルと第２レベルとを作成し、かつ、その中に不純物を
注入する、工程の中の１つの段階図、第３図は第ルベル
溝と第２レベル溝との底にケイ素化合物を配置する段階
図、第４図は第ルベル溝と第２レベル溝とを酸化物で満
たす段階図、第５図は相互接続体の第２レベルの上に多
結晶シリコンの層を沈着する段階図、第５ａ図は第５図
の構造体の線５ａ−５ａに沿っての横断面図、第６図は
第２レベル溝の中にケイ素化合物を作成しかつこれらの
溝を酸化物で満たす段階図、第７図は表面から２つの導
電体レベルまでに達しかつその中に接触体が作成される
開口部を作成する初期の段階図、第８図は接触体を作成
する段階図、第９図から第１１図までの図面は埋め込ま
れた層のうちの２つの層の間の埋め込まれた相互接続体
を作成する段階を示し、第１２図は２つの埋め込まれた
層の間に接触体を作成する別の方法の図、第１３図はチ
ップ上の回路素子と接続される埋め込まれたレベル間相
互接続体の横断面図、第１４図は埋め込まれた２つのレ
ベル間相互接続体とそれらの間のシリコン基板の表面内
に作成された回路とを示した完成した装置の横断面図、
第１５図から第１９図までの図面は埋め込まれたレベル
間相互接続体を作成する別の実施例図。 ［符号の説明］ ６４．６６．６８．７０溝 １８．２４．２８．３４．４０゜ ４２．４８．５２，５６，７４゜ ７６．７８．８０　　　　　　　　　導電体層２２．２
６．３０，３８゜ ５０．５４，１１２，１１４゜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）側壁と底表面とを有し、かつ、予め定められた深
   さを有する溝を基板の中に作成する段階と、前記溝の底
   表面の上に導電体層を沈着する段階と、 前記溝の中に絶縁体材料を沈着する段階と、前記絶縁体
   材料の中に開口部を選択的に作成して、前記溝の底の上
   の前記導電体層の選定された部分を露出させる段階と、 前記絶縁体材料の中の前記開口部の中に導電体材料を沈
   着して、前記溝の底に配置された前記導電体層と前記基
   板の表面との間に垂直接触体を作成する段階と、 を有する半導体基板の中に埋め込まれたレベル間相互接
   続体の製造法。
2. （２）基板の表面の中に作成され、かつ、底表面と側壁
   を有し、かつ、予め定められた深さを有する溝と、 前記溝の底表面の上に配置された導電体層と、前記溝の
   中の選定された位置に作成されかつ前記溝の底表面から
   前記基板の表面にまで達して配置され、かつ、それによ
   り前記導電体層との電気的接触体がえられる導電体プラ
   グと、 前記溝を絶縁体材料で満たすことと、 を有する埋め込まれたレベル間相互接続体をそなえた基
   板。