JPS6331708B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6331708B2
JPS6331708B2 JP56174280A JP17428081A JPS6331708B2 JP S6331708 B2 JPS6331708 B2 JP S6331708B2 JP 56174280 A JP56174280 A JP 56174280A JP 17428081 A JP17428081 A JP 17428081A JP S6331708 B2 JPS6331708 B2 JP S6331708B2
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JP
Japan
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hot water
temperature
resistor
heating
transistor
Prior art date
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Expired
Application number
JP56174280A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5875619A (ja
Inventor
Nobuo Oonishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56174280A priority Critical patent/JPS5875619A/ja
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Publication of JPS6331708B2 publication Critical patent/JPS6331708B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23NREGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
    • F23N5/00Systems for controlling combustion
    • F23N5/02Systems for controlling combustion using devices responsive to thermal changes or to thermal expansion of a medium
    • F23N5/022Systems for controlling combustion using devices responsive to thermal changes or to thermal expansion of a medium using electronic means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23NREGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
    • F23N2225/00Measuring
    • F23N2225/08Measuring temperature
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23NREGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
    • F23N2235/00Valves, nozzles or pumps
    • F23N2235/12Fuel valves
    • F23N2235/14Fuel valves electromagnetically operated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Control Of Combustion (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は1個の感温素子でもつて給湯と暖房の
両温度制御を行うようにした燃焼制御回路に関す
る。
この種従来の燃焼制御回路では給湯時の湯温制
御が、感温素子の抵抗―温度特性が指数関数的に
影響し、制御に対し比例的に湯温が変化しなかつ
た。すなわち、第2図bのように、つまみの回転
によるX領域では湯温の変化は少ないが、Y領域
になると急激に変化する。一方、この感温素子で
もつて暖房用の湯の温度制御も行うのである。
したがつて、給湯時における湯温制御に対し比
例的に湯温変化が可能になるように前記感温素子
の特性を改善しなければならなく、一方ではこの
事により給湯よりも高温湯を必要とする暖房用湯
の温度に悪影響をおよぼさないように配慮する必
要があつた。
本発明は給湯時の可変抵抗器による湯温制御と
出湯する湯の温度変化を比例させるとともに暖房
時の湯温は給湯制御に影響されない高温湯が得ら
れるようにして給湯時および暖房時の使い勝手を
向上させるものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明す
る。
1は電源トランスと整流回路と電源コンデンサ
より構成されてなる直流電源、2は種火燃焼検出
により動作するスイツチ、3は暖房スイツチ、4
は給湯スイツチで給湯栓を開けると給湯スイツチ
4は閉じ、給湯栓を閉じると給湯スイツチ4は開
くよう、給湯スイツチ4と給湯栓は連動してあ
る。5は通電電流によりガス通過量を制御するよ
うに構成してなる電磁弁、6は湯温を感知する感
温素子(サーミスタ)、7は感温素子6の信号に
より電磁弁5への通電電流を制御するように構成
してなる比例制御回路、8は6の感温素子の並列
抵抗で可変抵抗器の湯温変化を平等目盛にするた
めの固定抵抗器、9は給湯湯温調整用の可変抵抗
器、10は固定抵抗器で、可変抵抗器9のOオー
ム(最低湯温)を決める抵抗である。11は誤動
作を防ぐためのダイオードである。12,13,
14,15,16,17,18は固定抵抗器であ
つて、次のトランジスタ19,20を動作させる
ためのトランジスタ19,20にバイアスを与え
ている。19,20はトランジスタでスイツチ動
作をする。
比例制御回路7において、21は電磁弁5の逆
電圧防止用のダイオード、22,23は固定抵抗
器、24,25はダイオード、26はトランジス
タ、27,28,29,30は固定抵抗器、31
はトランジスタ、32,33は固定抵抗器、34
はトランジスタ、35は固定抵抗器、36は固定
抵抗器、37,38はトランジスタ、38,3
9,40は固定抵抗器、41はコンデンサ、42
はトランジスタ、43は固定抵抗器、44はトラ
ンジスタ、45,は固定抵抗器で、46は帰環用
抵抗である。47はダイオードである。以上で比
例制御回路7を構成する。
48は定電圧ダイオードである。49はダイオ
ードである。
次に動作を説明する。
直流電源1を電源として、ガスコツクの操作に
より何らかの手段で種火に点火することにより、
種火燃焼検出を感知し、スイツチ2がオンし、燃
焼装置は運転準備状態となる。
次に、暖房スイツチ3をオンすると、電源が供
給され抵抗(固定抵抗器)22を通して定電圧ダ
イオード48に通電され、定電圧電源が48の両
端で供給される。
比例制御回路7の動作を説明すると、湯温の感
知する感温素子6(サーミスタ)により抵抗23
及びダイオード24,25、感温素子6とその並
列抵抗8及び抵抗12(トランジスタ19は抵抗
13,14と15でバイアスされ、スイツチ動作
していてそのエミツタ―コレクタ電圧はほぼゼロ
である。トランジスタ20はベースに電圧がかか
らず、オフ状態であるからそのエミツタ―コレク
タ電圧は定電圧ダイオードの電圧に等しい)。抵
抗28,29,30からなるブリツジ回路の一辺
である感温素子6の抵抗値が変化することにより
トランジスタ26がオンオフする。従つてトラン
ジスタ26がオンする設定点まで、感温素子6の
抵抗値が上昇することによりトランジスタ26が
オンすると共に、トランジスタ31と34がオフ
する。また、抵抗27を通して感温素子6の抵抗
値によりトランジスタ26を流れる電流が増大
し、抵抗27で増巾された電流が抵抗29,30
に流れる。
抵抗28,29,30及び39,40のブリツ
ジ回路に設けたトランジスタ37,38は差動増
幅器を構成しており、抵抗29,30の両端電圧
が上昇することによりトランジスタ37がオフす
る。と同時にトランジスタ38がオンして抵抗3
8aの通電電流が増加する。トランジスタ42と
44の電圧VBEを超えるとトランジスタ42,4
4はオンし電磁弁5に通電され、帰環用抵抗46
で電磁弁5に通電される電流を検出し、抵抗40
の両端電圧の変動を検出し、トランジスタ38を
通して抵抗38aへの通電電流を制御する。従つ
て感温素子6の抵抗値の上昇,降下と比例して抵
抗38aへの通電電流を制御しトランジスタ4
2,44を通して電磁弁5への電流を制御するよ
うに動作する。
ここで、給湯栓を開けたとすると、4の給湯ス
イツチがオンする。抵抗17,18に電圧が供給
されるので、トランジスタ20がオンする。動作
はスイツチ動作のため、トランジスタ20のエミ
ツタ―コレクタ間電圧はほぼOvである。
従つて、トランジスタ19のベース―エミツタ
間電圧は0.6V以下になるので、トランジスタ1
9はオフすると同時に電流は感温素子6、抵抗8
から可変抵抗器9、抵抗器10、ダイオード11
と流れる。暖房の一点制御から給湯の多点制御ト
ランジスタ20を流れる。
今可変抵抗器9をOΩ,シヨート状態にする
と、これは抵抗10の両端電圧とダイオード11
のVFとトランジスタ20のVCE(sat)の和で
Vwnioとする。Vwnioとする暖房時の抵抗12の両
端電圧とトランジスタ19のVCE(sat)の和VH
する。Vwnio≪VHと抵抗10を選んであるので、
感温素子(サーミスタ)6が大きな抵抗値でつま
り低温で比例制御を行う。
次に可変抵抗器9を最大抵抗値にすると、これ
は、可変抵抗器の両端電圧をVwnioに加加えれば
よく、これをVwnaxとする。Vwnax≒VHと可変抵
抗器の抵抗値を選んであるので感温素子サーミス
タ6が小さな抵抗値(高温)で比例制御を行う。
第2図aは抵抗8が存在する場合の例でつまみ
の回転により湯温は均一に変化する。第2図bは
抵抗8がないときの例でX領域では湯温の変化は
少なく、Y領域では急激に変化する。
このように給湯時における可変抵抗器9による
湯温制御はサーミスタ6に抵抗8を並列接続する
ことで前記サーミスタ6の抵抗―温度特性の指数
関数的な影響をなくし、比例的に行えるようにな
る。
しかし一方、暖戻湯温の制御においてはサーミ
スタ6に抵抗8を並列接続してサーミスタ6の抵
抗―温度特性の指数関数的な影響はなくなるもの
の、その特性の全体が低位置になり、高温の暖房
湯が得られなくなるのである。そこで本発明では
高温湯が得られるように抵抗値を設定した抵抗1
2を介して前記並列回路に暖房用のスイツチング
素子としてのトランジスタ19を接続するのであ
る。このようにすると前記したように抵抗12の
両端電圧とトランジスタ19のVCEの和VH
Vwnioより極めて大きくなり、比例制御回路7へ
流れる電流が大きくなり電磁弁5を大きく開成し
バーナへ供給するガス量を増すことができ、高温
の暖房湯が得られるのである。
以上の構成により本発明は次の効果を奏する。
(1) 給湯の湯温調節ができ必要な温度を必要量だ
けという省エネルギータイプである。
(2) 湯温調節回路を半導体のスイツチング特性を
使用しているので、高信頼、長寿命である。
(3) 一管二水路で、一つの感温素子で暖房、給湯
の制御をしているので安価である。
(4) 1個の感温素子で暖房と給湯の湯温制御をし
ているが、暖房湯は高温が得られ、かつ給湯温
度は可変抵抗器の制御に比例し均一に変化でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の燃焼制御回路の回
路図、第2図a,bは同温度調整ツマミと温度の
関係を示す図である。 3……暖房スイツチ、4……給湯スイツチ、5
……電磁弁、6……感温素子、7……比例制御回
路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 1個の感温素子で給湯と暖房の両温度制御を
    行うものにおいて、バーナに供給する燃料を制御
    する電磁弁と、暖房湯の温度を感知する前記の感
    温素子と、この感温素子の信号により前記電磁弁
    の通電量を制御してバーナの燃焼量を制御する比
    例制御回路と、給湯信号により動作する給湯用の
    スイツチング素子および暖房信号により動作する
    暖房用のスイツチング素子とを備え、この暖房用
    のスイツチング素子には前記比例制御回路に一端
    を接続した感温素子に抵抗を並列接続し、かつこ
    の並列回路に固定抵抗器を直列に介して接続せし
    め、前記給湯用のスイツチング素子には前記並列
    回路に湯温調節用の可変抵抗器を直列に介して接
    続せしめてなる燃焼制御回路。
JP56174280A 1981-10-29 1981-10-29 燃焼制御回路 Granted JPS5875619A (ja)

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JP56174280A JPS5875619A (ja) 1981-10-29 1981-10-29 燃焼制御回路

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JP56174280A JPS5875619A (ja) 1981-10-29 1981-10-29 燃焼制御回路

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Publication Number Publication Date
JPS5875619A JPS5875619A (ja) 1983-05-07
JPS6331708B2 true JPS6331708B2 (ja) 1988-06-24

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