JPS633205Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS633205Y2 JPS633205Y2 JP8547182U JP8547182U JPS633205Y2 JP S633205 Y2 JPS633205 Y2 JP S633205Y2 JP 8547182 U JP8547182 U JP 8547182U JP 8547182 U JP8547182 U JP 8547182U JP S633205 Y2 JPS633205 Y2 JP S633205Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- dielectric plate
- metal wire
- metal film
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 2
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、フインラインで構成するダイオー
ドスイツチの広帯域化に関するものである。
ドスイツチの広帯域化に関するものである。
第１図に従来のフインラインを用いて構成する
ダイオードスイツチの構造の一例を示す。
ダイオードスイツチの構造の一例を示す。
導波管１の幅広面の概略中央に、電界に平行に
誘電体板２が配置され、誘電体板２の表面には、
電波伝搬方向に沿つて細隙３を設けた、金属膜４
が被着している。
誘電体板２が配置され、誘電体板２の表面には、
電波伝搬方向に沿つて細隙３を設けた、金属膜４
が被着している。
また、ダイオード５が上記細隙３を橋渡しする
ように所定の間隔で金属膜４にボンデイング、ま
たはハンダ付け等により接続されている。
ように所定の間隔で金属膜４にボンデイング、ま
たはハンダ付け等により接続されている。
第１図に示した構成例のダイオードスイツチ
は、ダイオード５に印加するバイアスの極性を順
逆切り換えることにより、フインラインを伝搬す
る電波を遮断、通過状態に切り換えている。
は、ダイオード５に印加するバイアスの極性を順
逆切り換えることにより、フインラインを伝搬す
る電波を遮断、通過状態に切り換えている。
すなわち、順バイアス状態ではダイオード５の
呈するインピーダンスが低インピーダンスとなる
ため細隙３に沿つて流れるマイクロ波電流を短絡
し、遮断状態を、一方、逆バイアス状態では逆に
ダイオード５が高インピーダンスとなるため上記
マイクロ波電流に影響を与えず、通過状態を得て
いる。
呈するインピーダンスが低インピーダンスとなる
ため細隙３に沿つて流れるマイクロ波電流を短絡
し、遮断状態を、一方、逆バイアス状態では逆に
ダイオード５が高インピーダンスとなるため上記
マイクロ波電流に影響を与えず、通過状態を得て
いる。
また、通常、ダイオード５は所定の間隔で複数
個接続され（図では２個）アイソレーシヨン特性
及び反射特性の改善を図つている。
個接続され（図では２個）アイソレーシヨン特性
及び反射特性の改善を図つている。
ところで、フインラインで構成したダイオード
スイツチは、ダイオード５の装着が容易、導波管
との変換が容易、比較的低損失な特長があるため
高周波数帯で用いられる場合が多い。しかし、周
波数が高くなるに従い、逆バイアス状態において
ダイオード５がマイクロ波に対して呈するインピ
ーダンスは低くなる。そのため、スイツチの通過
状態における反射特性が劣化するという欠点があ
つた。
スイツチは、ダイオード５の装着が容易、導波管
との変換が容易、比較的低損失な特長があるため
高周波数帯で用いられる場合が多い。しかし、周
波数が高くなるに従い、逆バイアス状態において
ダイオード５がマイクロ波に対して呈するインピ
ーダンスは低くなる。そのため、スイツチの通過
状態における反射特性が劣化するという欠点があ
つた。
この考案は、この欠点を除去するため、ダイオ
ードの装着されている側の誘電体板面と、対向す
る面に、ダイオードの装着されている面と同様な
細隙を設けられた金属膜を被着し、ダイオード装
着部と対向する位置の上記細隙を金属ワイヤ等で
短絡したもので、逆バイアス状態におけるダイオ
ード装着部のインピーダンス低下を防ぎ、良好な
反射特性を得ようとするものである。
ードの装着されている側の誘電体板面と、対向す
る面に、ダイオードの装着されている面と同様な
細隙を設けられた金属膜を被着し、ダイオード装
着部と対向する位置の上記細隙を金属ワイヤ等で
短絡したもので、逆バイアス状態におけるダイオ
ード装着部のインピーダンス低下を防ぎ、良好な
反射特性を得ようとするものである。
第２図はこの考案の一実施例を示すもので、誘
電体板２の両面には細隙３を設けた金属膜４が被
着されており、ダイオード５が装着された位置と
対向する金属膜４には金属ワイヤ６が設けられ、
細隙３を金属ワイヤ６が橋渡しした構造となつて
いる。上記金属ワイヤ６は、長さを適当に定める
ことにより、フインラインを伝搬するマイクロ波
に対して誘導性リアクタンスを持つ。
電体板２の両面には細隙３を設けた金属膜４が被
着されており、ダイオード５が装着された位置と
対向する金属膜４には金属ワイヤ６が設けられ、
細隙３を金属ワイヤ６が橋渡しした構造となつて
いる。上記金属ワイヤ６は、長さを適当に定める
ことにより、フインラインを伝搬するマイクロ波
に対して誘導性リアクタンスを持つ。
さらに、上記金属ワイヤ６は、フインラインを
伝搬するマイクロ波にとつては、ダイオード５に
並列に接続されている。
伝搬するマイクロ波にとつては、ダイオード５に
並列に接続されている。
したがつて、金属ワイヤ６の呈する誘導性リア
クタンスの値を適当に定めることにより、ダイオ
ード５の容量性リアクタンスと共に並列共振状態
が可能となり、高いインピーダンスを呈すること
になる。
クタンスの値を適当に定めることにより、ダイオ
ード５の容量性リアクタンスと共に並列共振状態
が可能となり、高いインピーダンスを呈すること
になる。
この場合、フインラインを伝搬するマイクロ波
はダイオード装着部において大きな反射を受ける
ことなく良好な通過特性が達成できる。
はダイオード装着部において大きな反射を受ける
ことなく良好な通過特性が達成できる。
また、第２図ではダイオード５を２個用いた例
を示したが、この考案はこれに限らず、さらに良
好な反射特性アイソレーシヨン特性を得るため多
数のダイオード５を使用しても良い。
を示したが、この考案はこれに限らず、さらに良
好な反射特性アイソレーシヨン特性を得るため多
数のダイオード５を使用しても良い。
また、第３図に示すように金属ワイヤ６を接続
する金属膜４に設けられた細隙３の幅を広くし、
金属ワイヤ６の呈する誘導性リアクタンスの大き
さを変えても良い。さらに金属ワイヤ６は、金属
膜４と同様フオトエツチング手法を用い、金属膜
４と一体化して形成することもできる。
する金属膜４に設けられた細隙３の幅を広くし、
金属ワイヤ６の呈する誘導性リアクタンスの大き
さを変えても良い。さらに金属ワイヤ６は、金属
膜４と同様フオトエツチング手法を用い、金属膜
４と一体化して形成することもできる。
この考案に係るフインラインダイオードスイツ
チでは、ダイオードの装着されている側の誘電体
板面と対向する面に、表面と同様な細隙を設けた
金属膜を被着し、ダイオード装着部と対向する位
置の上記細隙を金属ワイヤ等で短絡することによ
り、逆バイアス状態におけるダイオード装着部の
インピーダンス低下を防ぎ良好な反射特性を得る
ことができる。
チでは、ダイオードの装着されている側の誘電体
板面と対向する面に、表面と同様な細隙を設けた
金属膜を被着し、ダイオード装着部と対向する位
置の上記細隙を金属ワイヤ等で短絡することによ
り、逆バイアス状態におけるダイオード装着部の
インピーダンス低下を防ぎ良好な反射特性を得る
ことができる。
第１図は従来のフインラインダイオードスイツ
チの構造を示した斜視図、第２図はこの考案によ
るフインラインダイオードスイツチの構造を示し
た斜視図、第３図は、この考案によるフインライ
ンダイオードスイツチの他の実施例の構造を示し
た斜視図である。 図中、１は導波管、２は誘電体板、３は細隙、
４は金属膜、５はダイオード、６は金属ワイヤで
ある。なお図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
チの構造を示した斜視図、第２図はこの考案によ
るフインラインダイオードスイツチの構造を示し
た斜視図、第３図は、この考案によるフインライ
ンダイオードスイツチの他の実施例の構造を示し
た斜視図である。 図中、１は導波管、２は誘電体板、３は細隙、
４は金属膜、５はダイオード、６は金属ワイヤで
ある。なお図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
Claims (1)
- 導波管の幅広面の概略中央に電界に平行に誘電
体板を配置し、上記誘電体板の両面に電波伝搬方
向に沿つて細隙を設けた金属膜を被着するととも
に上記金属膜の一方の面に、上記細隙に橋渡しす
るようにダイオードを装着し、上記ダイオードの
バイアス状態を変えるためのバイアス回路を具備
して成るフインラインダイオードスイツチにおい
て、ダイオード装着部と対向する面の金属膜に細
隙を橋渡しするように金属細線を装着したことを
特徴とするフインラインダイオードスイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8547182U JPS58189604U (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | フインラインダイオ−ドスイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8547182U JPS58189604U (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | フインラインダイオ−ドスイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189604U JPS58189604U (ja) | 1983-12-16 |
| JPS633205Y2 true JPS633205Y2 (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=30094337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8547182U Granted JPS58189604U (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | フインラインダイオ−ドスイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189604U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4356116B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2009-11-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路デバイス，高周波モジュール及び通信装置 |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP8547182U patent/JPS58189604U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58189604U (ja) | 1983-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS588763B2 (ja) | マイクロ波装置 | |
| KR960006457B1 (ko) | 마이크로스트립과 슬롯라인간의 광대역 전이부, 및 마이크로스트립 공급 회로를 구비한 양면 인쇄된 플레어형 슬롯 방사기 | |
| CA2262357C (en) | Dielectric resonant having a coupling line formed thereon | |
| US3659228A (en) | Strip-type directional coupler having elongated aperture in ground plane opposite coupling region | |
| JPS633205Y2 (ja) | ||
| US4288760A (en) | Strip line directional coupler | |
| US4800343A (en) | DC cutting circuit | |
| JPH05335815A (ja) | 導波管−マイクロストリップ変換器 | |
| JPH018002Y2 (ja) | ||
| JP2002100907A (ja) | 高周波線路の変換器 | |
| JP2713335B2 (ja) | ダイオード移相器 | |
| JPH05335816A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| JP2530021Y2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| JPS6112401B2 (ja) | ||
| JPH021441B2 (ja) | ||
| JPS6236323Y2 (ja) | ||
| JPS6117601Y2 (ja) | ||
| RU1775760C (ru) | Фазовый манипул тор | |
| JP2607051Y2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| JPH0398301A (ja) | 半導体移相器 | |
| JPS5821843B2 (ja) | ダイオ−ドスイツチ | |
| JPH0134482B2 (ja) | ||
| JPS6355803B2 (ja) | ||
| JPH01141402A (ja) | マイクロ波集積回路装置 | |
| JPH0787296B2 (ja) | 周波数逓倍回路 |