JPS6332943A - 樹脂モ−ルド型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂モ−ルド型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6332943A JPS6332943A JP17562086A JP17562086A JPS6332943A JP S6332943 A JPS6332943 A JP S6332943A JP 17562086 A JP17562086 A JP 17562086A JP 17562086 A JP17562086 A JP 17562086A JP S6332943 A JPS6332943 A JP S6332943A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin
- pellet
- silicone
- subassembly
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂モールド型半導体装置、特に１対の電極部
材間に少なくとも１枚の半導体ペレットを鑞付挟持しエ
ポキシ樹脂でモールドする半導体装置の製造方法に関す
るものである。
材間に少なくとも１枚の半導体ペレットを鑞付挟持しエ
ポキシ樹脂でモールドする半導体装置の製造方法に関す
るものである。
樹脂モールド型半導体装置の典型的構造を第１図に示す
。
。
第１図において、１はｐｎｎ接合を有するシリコンペレ
ット、２は１のシリコンペレットにろう材３を接着させ
るために施されたニッケル鍍金層、３はへラダーリード
４にシリコンペレット１を接着する半田ろう材である。
ット、２は１のシリコンペレットにろう材３を接着させ
るために施されたニッケル鍍金層、３はへラダーリード
４にシリコンペレット１を接着する半田ろう材である。
ヘッダーリード４の表面は銀鍍金層５が設けられている
。このような構成のサブアッセンブリーに対して、シリ
コンペレット１のｐｎ接合丁の表面安定化のため一般に
用いられるシリコーン樹脂の表面安定化材６をシリコン
ペレット１の側周に設けてから、エポキシ樹脂で封止層
７が設けられている。
。このような構成のサブアッセンブリーに対して、シリ
コンペレット１のｐｎ接合丁の表面安定化のため一般に
用いられるシリコーン樹脂の表面安定化材６をシリコン
ペレット１の側周に設けてから、エポキシ樹脂で封止層
７が設けられている。
シリコーン樹脂、及びエポキシ樹脂は熱硬化型の樹脂で
熱を加え高温状態で硬化させてモールド層を形成させる
。
熱を加え高温状態で硬化させてモールド層を形成させる
。
従来の製造方法は、まず半田３によりろう付されたヘッ
ダーリード４をシリコンペレット１の両側に持つサブア
センブリーを作り、シリコンペレット１の表面にシリコ
ーン樹脂を塗布し加熱硬化する。次に硬化完了後、サブ
アセンブリーをエポキシ樹脂によりトランスファ成形を
するための金型にセットする。次にエポキシ樹脂を金型
に所定の圧力で注入し、サブアセンブリーに所定の形状
のエポキシ樹脂層をもたせる。最後にエポキシ樹脂の加
熱硬化を行う。
ダーリード４をシリコンペレット１の両側に持つサブア
センブリーを作り、シリコンペレット１の表面にシリコ
ーン樹脂を塗布し加熱硬化する。次に硬化完了後、サブ
アセンブリーをエポキシ樹脂によりトランスファ成形を
するための金型にセットする。次にエポキシ樹脂を金型
に所定の圧力で注入し、サブアセンブリーに所定の形状
のエポキシ樹脂層をもたせる。最後にエポキシ樹脂の加
熱硬化を行う。
なお、この種の装置として関連するものには例えば特開
昭５９−１１３６４８号公報、特開昭５９−２１７３４
４号公報、特開昭６０−１６１６４４号公報、特開昭６
０−２１９７５５号公報が挙げられる。
昭５９−１１３６４８号公報、特開昭５９−２１７３４
４号公報、特開昭６０−１６１６４４号公報、特開昭６
０−２１９７５５号公報が挙げられる。
上記従来技術は、シリコーン樹脂を塗布した後に加熱硬
化させ、エポキシ樹脂でトランスファー成形後に加熱硬
化させるという２回の加熱硬化を実施しており工数がか
かるという問題があった。
化させ、エポキシ樹脂でトランスファー成形後に加熱硬
化させるという２回の加熱硬化を実施しており工数がか
かるという問題があった。
また、シリコーン樹脂の塗布作業は常温常圧にて行なっ
ているため、ヘッダーリード間に挟まれたシリコンペレ
ット表面の凹部などの細部まで表面保護させることは難
かしく表面保護不完全による逆洩れ電流特性の劣化を引
き起こす要因となっていた。
ているため、ヘッダーリード間に挟まれたシリコンペレ
ット表面の凹部などの細部まで表面保護させることは難
かしく表面保護不完全による逆洩れ電流特性の劣化を引
き起こす要因となっていた。
本発明の目的は、２回の加熱硬化の工数を低減し、信頼
性の高い樹脂モールド型半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
性の高い樹脂モールド型半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
上記問題点はシリコーン樹脂の塗布後に行なっていた加
熱硬化を止め、塗布完了品をそのままエポキシ樹脂によ
るトランスファー成形させ、その後行なう加熱硬化によ
り、シリコーン樹脂、及びエポキシ樹脂を同時に硬化さ
せる方法により解決される。
熱硬化を止め、塗布完了品をそのままエポキシ樹脂によ
るトランスファー成形させ、その後行なう加熱硬化によ
り、シリコーン樹脂、及びエポキシ樹脂を同時に硬化さ
せる方法により解決される。
シリコーン樹脂の加熱硬化を実施しなくてもエポキシ樹
脂の加熱硬化時にシリコーン樹脂も同時に加熱硬化され
る。したがってシリコーン樹脂塗布後に加熱硬化を実施
する必要はない。
脂の加熱硬化時にシリコーン樹脂も同時に加熱硬化され
る。したがってシリコーン樹脂塗布後に加熱硬化を実施
する必要はない。
また、トランスファー成形用金型を用いてエポキシ樹脂
をモールドさせるときの圧力により未硬化のシリコーン
樹脂はシリコンペレットの細部にまで行き渡たり、シリ
コンペレットの表面保護が良好となる。
をモールドさせるときの圧力により未硬化のシリコーン
樹脂はシリコンペレットの細部にまで行き渡たり、シリ
コンペレットの表面保護が良好となる。
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。
材料構成は従来の技術と同一となるが製造方法が異なる
のでその方法について述べる。
のでその方法について述べる。
まず半田３によりろう付されたヘッダーリード４をシリ
コンペレット１の両側に持つサブアセンブリーのシリコ
ンペレット１の表面にシリコーン樹脂６を塗布する。塗
布が完了した後サブアセンブリーをトランスファー成形
をするための金型にセットする。次にエポキシ樹脂を金
型に所定の圧力で注入しサブアセンブリーに所定の形状
のエポキシ樹脂層を持たせる。最後にシリコーン樹脂と
エポキシ樹脂の加熱硬化を同時に行なう。
コンペレット１の両側に持つサブアセンブリーのシリコ
ンペレット１の表面にシリコーン樹脂６を塗布する。塗
布が完了した後サブアセンブリーをトランスファー成形
をするための金型にセットする。次にエポキシ樹脂を金
型に所定の圧力で注入しサブアセンブリーに所定の形状
のエポキシ樹脂層を持たせる。最後にシリコーン樹脂と
エポキシ樹脂の加熱硬化を同時に行なう。
本実施例によれば、シリコーン樹脂の塗布後に行なわれ
ていた加熱硬化の工程が不必要となる。
ていた加熱硬化の工程が不必要となる。
またトランスファー成形用金型を用いてエポキシ樹脂を
サブアセンブリーにモールドさせるときに圧力により未
硬化のシリコーン樹脂はシリコンペレット１の細部にま
で行き渡たり、シリコンペレット１の表面保護が良好と
なる。従って表面保護が不完全であることにより発生し
ていた逆洩れ電流特性の劣化を低減させることができる
。
サブアセンブリーにモールドさせるときに圧力により未
硬化のシリコーン樹脂はシリコンペレット１の細部にま
で行き渡たり、シリコンペレット１の表面保護が良好と
なる。従って表面保護が不完全であることにより発生し
ていた逆洩れ電流特性の劣化を低減させることができる
。
従来品と本発明品でダイオードを同温１５０℃の状態に
置き逆方向に定格電圧を交流で印加したときの逆方向の
洩れ電流を調査した。第２図にその結果を示す０図中の
グラフは洩れ電流の平均値を指数化して比較したもので
あるが本発明品は従来品の約１／３となっている。
置き逆方向に定格電圧を交流で印加したときの逆方向の
洩れ電流を調査した。第２図にその結果を示す０図中の
グラフは洩れ電流の平均値を指数化して比較したもので
あるが本発明品は従来品の約１／３となっている。
次に従来品と本発明品で周温１５０℃中でダイオードの
逆方向に定格電圧を直流で１０００時間印加後に常温に
て逆方向に定格電圧を印加し逆方向洩れ電流を調査した
。第３図にその結果を示す。
逆方向に定格電圧を直流で１０００時間印加後に常温に
て逆方向に定格電圧を印加し逆方向洩れ電流を調査した
。第３図にその結果を示す。
従来品において逆方向洩れ電流値が初期値より増大した
ものの増加率の指数を１００とした場合、本発明品は５
０となり信頼性が向上している。
ものの増加率の指数を１００とした場合、本発明品は５
０となり信頼性が向上している。
以上の実施例では、ダイオードを例にとったが、トラン
スファーモールド成形されるものなら、トランジスタ、
サイリスタ等、他の型の半導体’ａｍにも適用可能であ
る。
スファーモールド成形されるものなら、トランジスタ、
サイリスタ等、他の型の半導体’ａｍにも適用可能であ
る。
本発明によれば、シリコーン樹脂塗布後及びエポキシ樹
脂モールド後に行なっていた２回の加熱硬化がエポキシ
樹脂モールド後の１回のみで十分となり工数低減の効果
がある。
脂モールド後に行なっていた２回の加熱硬化がエポキシ
樹脂モールド後の１回のみで十分となり工数低減の効果
がある。
またシリコーン樹脂のシリコンペレットに対する表面保
護がより完全となるので、電気的信頼性の優れた樹脂モ
ールド型半導体装置を得ることができる。
護がより完全となるので、電気的信頼性の優れた樹脂モ
ールド型半導体装置を得ることができる。
第１図はアキシャルリード型樹脂モールドダイオードの
典型的構造を示す断面図、第２図は従来品と本発明品と
で定格逆電圧印加時の周温１５０℃における逆洩れ電流
平均値を比較した図、第３図は従来品と本発明品とで定
格逆電圧１０００時間印加後の洩れ電流増加率を比較し
た図である。 １・・・シリコンペレット、２・・・ニッケル鍍金層、
３・・・半田、４・・・ヘッダーリード、５・・・銀鍍
金層５６・・・表面安定化材、７・・・封止層。
典型的構造を示す断面図、第２図は従来品と本発明品と
で定格逆電圧印加時の周温１５０℃における逆洩れ電流
平均値を比較した図、第３図は従来品と本発明品とで定
格逆電圧１０００時間印加後の洩れ電流増加率を比較し
た図である。 １・・・シリコンペレット、２・・・ニッケル鍍金層、
３・・・半田、４・・・ヘッダーリード、５・・・銀鍍
金層５６・・・表面安定化材、７・・・封止層。
Claims (1)
- １、電極部材に少なくとも１個のｐｎ接合を有する少な
くとも１枚の半導体ペレットを鑞付したサブアッセンブ
リーにシリコーン系表面保護剤を塗布し、その上をエポ
キシ樹脂でトランスファーモールド成形する樹脂モール
ド型半導体装置においてシリコーン系表面保護剤とエポ
キシ樹脂の加熱硬化を同時に行なうことを特徴とする樹
脂モールド型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175620A JPH0750718B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 樹脂モ−ルド型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175620A JPH0750718B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 樹脂モ−ルド型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332943A true JPS6332943A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0750718B2 JPH0750718B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=15999270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175620A Expired - Lifetime JPH0750718B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 樹脂モ−ルド型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750718B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829819U (ja) * | 1971-08-13 | 1973-04-12 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP61175620A patent/JPH0750718B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829819U (ja) * | 1971-08-13 | 1973-04-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750718B2 (ja) | 1995-05-31 |
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