JPS633422A - Ｉｃチツプの実装方法 - Google Patents
Ｉｃチツプの実装方法Info
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- JPS633422A JPS633422A JP61147588A JP14758886A JPS633422A JP S633422 A JPS633422 A JP S633422A JP 61147588 A JP61147588 A JP 61147588A JP 14758886 A JP14758886 A JP 14758886A JP S633422 A JPS633422 A JP S633422A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はサーマルヘッドその他の電子装置において、Ｉ
Ｃチップを実装する方法に関し、特にフェイスダウン・
ボンディング方法によりＩＣチップを実装する方法に関
するものである。
Ｃチップを実装する方法に関し、特にフェイスダウン・
ボンディング方法によりＩＣチップを実装する方法に関
するものである。
（従来技術）
ＩＣチップの実装方法としてはワイヤーボンディング方
法、テープボンディング方法、又はフェイスダウン・ボ
ンディング方法などがある。いずれも実装には高度な技
術が要求される。
法、テープボンディング方法、又はフェイスダウン・ボ
ンディング方法などがある。いずれも実装には高度な技
術が要求される。
第４図にＩＣチップ２を基板４上にフェイスダウン・ボ
ンディング方式でボンディングする場合を例にして説明
する。まずＩＣチップ２側に半田バンプ６を形成し、基
板４側にも半田バンプ８を形成しておく。そしてＩＣチ
ップ２の半田バンプ６が基板４の半田バンプ８に正しく
位置合わせされるようにＩＣチップ２を位置決めし、半
田バンプ６．８をリフローさせることによってＩＣチッ
プ２を基板４にボンディングさせていた。
ンディング方式でボンディングする場合を例にして説明
する。まずＩＣチップ２側に半田バンプ６を形成し、基
板４側にも半田バンプ８を形成しておく。そしてＩＣチ
ップ２の半田バンプ６が基板４の半田バンプ８に正しく
位置合わせされるようにＩＣチップ２を位置決めし、半
田バンプ６．８をリフローさせることによってＩＣチッ
プ２を基板４にボンディングさせていた。
このような半田バンプを用いるフェイスダウン・ボンデ
ィング方式では、ボンディング部の半田バンプの形状が
凸形状どうしであるため、位置合わせした際に半田バン
プ６．８の形状が変化したり、欠落したりすることがあ
り、また、ボンディング時の押えの強さの調節も難しい
という問題もある。
ィング方式では、ボンディング部の半田バンプの形状が
凸形状どうしであるため、位置合わせした際に半田バン
プ６．８の形状が変化したり、欠落したりすることがあ
り、また、ボンディング時の押えの強さの調節も難しい
という問題もある。
さらに１両方の半田バンプ６．８が凸形状であるため、
位置合わせ精度を出すのが雅しく、ずれが生じやすいと
いう問題もある。
位置合わせ精度を出すのが雅しく、ずれが生じやすいと
いう問題もある。
（目的）
本発明はＩＣチップ２をフェイスダウン・ボンディング
方法で実装する方法において、実装工程を容易にし、か
つ、正確に行なうことを目的とするものである。
方法で実装する方法において、実装工程を容易にし、か
つ、正確に行なうことを目的とするものである。
（構成）
本発明の実装方法は、ＩＣチップのパッド部分に凹部を
設け、ＩＣチップを実装する基板にも前記パッド部分に
対応する位置に、前記パッド部分の凹部とほぼ同形状の
凹部を設け、ＩＣチップの前記凹部と基板の前記凹部と
を半田ボールを介在させて対応させ、その半田ボールを
溶融させることによりＩＣチップを基板にボンディング
させることを特徴とする方法である。
設け、ＩＣチップを実装する基板にも前記パッド部分に
対応する位置に、前記パッド部分の凹部とほぼ同形状の
凹部を設け、ＩＣチップの前記凹部と基板の前記凹部と
を半田ボールを介在させて対応させ、その半田ボールを
溶融させることによりＩＣチップを基板にボンディング
させることを特徴とする方法である。
以下、実施例について具体的に説明する。
第１図〜第３図は一実施例を工程順に示したものである
。
。
１０はＩＣチップであり、ボンディングを行なうパッド
部１２には凹部１４が形成されている。
部１２には凹部１４が形成されている。
パッド部１２を除くＩＣチップ１０の表面は、耐熱性が
良く対腐蝕性の高い絶縁膜（例えば５ｉｓＮ４など）で
被覆されている。
良く対腐蝕性の高い絶縁膜（例えば５ｉｓＮ４など）で
被覆されている。
１８はＩＣチップ１０を実装する基板であり、基板１８
の表面には導体パターン２０が形成され。
の表面には導体パターン２０が形成され。
その導体パターン２０の表面は耐熱性が良く耐腐蝕性の
高い絶縁膜（例えばＳｉ３Ｎ４など）２２により被覆さ
れている。ＩＣチップ１０が実装される部分でパッド部
１２と対応する部分には凹部２４が形成されており、こ
の凹部２４はＩＣチップｌＯのパッド部１２の凹部１４
と同じ形状をしている。
高い絶縁膜（例えばＳｉ３Ｎ４など）２２により被覆さ
れている。ＩＣチップ１０が実装される部分でパッド部
１２と対応する部分には凹部２４が形成されており、こ
の凹部２４はＩＣチップｌＯのパッド部１２の凹部１４
と同じ形状をしている。
次に、基板１８の各凹部２４に半田ボール２６を１個ず
つ入れ、ＩＣチップ１０を基板１８上に位置決めする。
つ入れ、ＩＣチップ１０を基板１８上に位置決めする。
半田ボール２６を介して基板１８とＩＣチップ１０を対
向させた状態が第２図である。
向させた状態が第２図である。
次に、第３図に示されるように基板１８とＩＣチップ１
０を加熱して半田ボール２６をリフローさせ、ＩＣチッ
プ１０のパッド部１２と基板１８の凹部の導体パターン
とを接合させる。
０を加熱して半田ボール２６をリフローさせ、ＩＣチッ
プ１０のパッド部１２と基板１８の凹部の導体パターン
とを接合させる。
半田ボール２６としては球状のものが好ましい。
これは球状が最も作り易く、また、形状にばらつきが少
なく、さらにＩＣチップ１０を基板１８上に位置決めす
る際、位置合わせも行ない易いからである。
なく、さらにＩＣチップ１０を基板１８上に位置決めす
る際、位置合わせも行ない易いからである。
ここで−例としてＩＣチップ１０の凹部１４と基板１８
の凹部２４の寸法を示すと、縦、横及び深さがそれぞれ
１００μｍ、１００μｍ、５０μｍの矩形状のものであ
る。半田ボール２６の形状としては半径５０μｍの球形
のものがよい、半田ボール２６の材料としては、例えば
鉛と錫の比率が９５：５．９０：１０．８０：２０、又
は６０：４０の半田にフラックスを混入させたものが好
ましい。
の凹部２４の寸法を示すと、縦、横及び深さがそれぞれ
１００μｍ、１００μｍ、５０μｍの矩形状のものであ
る。半田ボール２６の形状としては半径５０μｍの球形
のものがよい、半田ボール２６の材料としては、例えば
鉛と錫の比率が９５：５．９０：１０．８０：２０、又
は６０：４０の半田にフラックスを混入させたものが好
ましい。
第２図から第３図に示される状態において、リフローを
行なう際、基板１８の凹部２４と半田ボール２６及びＩ
Ｃチップ１０の凹部１４の間を粘性の高いフラックスで
仮接着を行なってから半田リフローを行なうようにすれ
ば、第２図のように位置合せした後半田リフローを行な
う間に基板１８とＩＣチップ１０の位置ずれが生じにく
くなり、さらに半田の濡れ性も向上しリフローし易くな
る。
行なう際、基板１８の凹部２４と半田ボール２６及びＩ
Ｃチップ１０の凹部１４の間を粘性の高いフラックスで
仮接着を行なってから半田リフローを行なうようにすれ
ば、第２図のように位置合せした後半田リフローを行な
う間に基板１８とＩＣチップ１０の位置ずれが生じにく
くなり、さらに半田の濡れ性も向上しリフローし易くな
る。
また、ＩＣチップ１０の凹部１４の底部と基板１８の凹
部の底部の導体パターン面にそれぞれ予め半田を１０μ
ｍ程度形成しておいてから半田ボール２６により接合し
てもよい、この場合も半田の濡れ性が向上する。
部の底部の導体パターン面にそれぞれ予め半田を１０μ
ｍ程度形成しておいてから半田ボール２６により接合し
てもよい、この場合も半田の濡れ性が向上する。
さらに、ＩＣチップ１０の表面の絶縁層１６と基板１８
の表面の絶縁層２２として熱伝導性のよい絶縁材料を使
用し、ボンディングした際絶縁層１６と絶ｇ層２２とが
接触するようにすれば、ＩＣチップ１０で発生した熱を
、半田バンプだけではなくＩＣチップ１０の表面全体か
ら基板１８へ逃すことができ、放熱効率が向上する。こ
のように放熱効率を向上させることによって、ＩＣチッ
プ１０のサイズを小さくしてコスト低下を図ることがで
きるとともに、ＩＣチップ１０の耐久性などの性能が向
上する。
の表面の絶縁層２２として熱伝導性のよい絶縁材料を使
用し、ボンディングした際絶縁層１６と絶ｇ層２２とが
接触するようにすれば、ＩＣチップ１０で発生した熱を
、半田バンプだけではなくＩＣチップ１０の表面全体か
ら基板１８へ逃すことができ、放熱効率が向上する。こ
のように放熱効率を向上させることによって、ＩＣチッ
プ１０のサイズを小さくしてコスト低下を図ることがで
きるとともに、ＩＣチップ１０の耐久性などの性能が向
上する。
従来のフェイスダウン・ボンディング方法の場合、ＩＣ
チップ２で発生した熱は第４図に示されるように半田パ
ンプ６．８の接合部を通してのみ基板４側へ放熱される
。そのためフェイスダウン・ボンディング方法は他のＩ
Ｃチップの実装方法であるワイヤーボンディング方法な
どと比べると放熱効率が悪い。したがって、フェイスダ
ウン・ボンディングではＩＣチップのチップサイズを小
さくすることができず、また、性能を犠牲にしなければ
ならないというような問題がある。
チップ２で発生した熱は第４図に示されるように半田パ
ンプ６．８の接合部を通してのみ基板４側へ放熱される
。そのためフェイスダウン・ボンディング方法は他のＩ
Ｃチップの実装方法であるワイヤーボンディング方法な
どと比べると放熱効率が悪い。したがって、フェイスダ
ウン・ボンディングではＩＣチップのチップサイズを小
さくすることができず、また、性能を犠牲にしなければ
ならないというような問題がある。
そこで次に、フェイスダウン・ボンディングされたＩＣ
チップの放熱効率を改善し・ＩＣチップのサイズを小さ
くしたり、性能を向上させる方法を説明する。
チップの放熱効率を改善し・ＩＣチップのサイズを小さ
くしたり、性能を向上させる方法を説明する。
第５図では、基板４上に半田パンプ３０の接合によりフ
ェイスダウン・ボンディングされたＩＣチップ２の裏側
に保護カバー３２を接触させている。これによりＩＣチ
ップ２で発生した熱は半田パンプ３０から基板４へ放熱
されるだけでなく、ＩＣチップ２の裏側から保護カバー
３２を通しても放熱されるようになる。
ェイスダウン・ボンディングされたＩＣチップ２の裏側
に保護カバー３２を接触させている。これによりＩＣチ
ップ２で発生した熱は半田パンプ３０から基板４へ放熱
されるだけでなく、ＩＣチップ２の裏側から保護カバー
３２を通しても放熱されるようになる。
第６図は他の例を示すものであり、第５図の例と比較す
るとＩＣチップ２と基板４の間を熱伝導性のよい樹脂３
４で封止したものである。
るとＩＣチップ２と基板４の間を熱伝導性のよい樹脂３
４で封止したものである。
第７図はさらに他の例を表わし、第６図の例と比較して
ＩＣチップ２の側面も熱伝導性のよい樹脂３４で封止し
たものである。
ＩＣチップ２の側面も熱伝導性のよい樹脂３４で封止し
たものである。
第８図はさらに他の例を表わし、この例は第７図の例と
比較すると、ＩＣチップ４の裏面と保護カバー３２の間
も熱伝導性のよい樹脂３４で封止している。第８図の場
合、ＩＣチップ２の裏面と保護カバー３２の間の樹脂３
４の厚さは５０〜２００μｍ程度が適当である。
比較すると、ＩＣチップ４の裏面と保護カバー３２の間
も熱伝導性のよい樹脂３４で封止している。第８図の場
合、ＩＣチップ２の裏面と保護カバー３２の間の樹脂３
４の厚さは５０〜２００μｍ程度が適当である。
第９図はさらに他の例を表わすものであり、第５図の実
施例と比較すると、ＩＣチップ２の裏面と保護カバー３
２の間に熱伝導性のよいゴム３６を放熱ゴムとして介在
させたものである。
施例と比較すると、ＩＣチップ２の裏面と保護カバー３
２の間に熱伝導性のよいゴム３６を放熱ゴムとして介在
させたものである。
第５図〜第９図の例では、基板４にフェイスダウン・ボ
ンディング方式でボンディングされたＩＣチップ２で発
生した熱をＩＣチップ２の裏面から保護カバー３２を通
しても放熱するようにしたので、従来のように半田パン
プ３０を通してのみ基板４へ放熱する場合に比べて、Ｉ
Ｃチップのナイスを小さくできてコストを低下させるこ
とができ、また、ＩＣチップの性能が向上することから
負荷時間率（ｄｕｔｙ ｆａｃｔ、ｏｒ）を大きく取る
ことができ、このＩＣチップをサーマルヘッドの駆動回
路装置として実装した場合には記録速度を向上させるこ
とができる。
ンディング方式でボンディングされたＩＣチップ２で発
生した熱をＩＣチップ２の裏面から保護カバー３２を通
しても放熱するようにしたので、従来のように半田パン
プ３０を通してのみ基板４へ放熱する場合に比べて、Ｉ
Ｃチップのナイスを小さくできてコストを低下させるこ
とができ、また、ＩＣチップの性能が向上することから
負荷時間率（ｄｕｔｙ ｆａｃｔ、ｏｒ）を大きく取る
ことができ、このＩＣチップをサーマルヘッドの駆動回
路装置として実装した場合には記録速度を向上させるこ
とができる。
なお、第５図ないし第９図に示さ九た方法を第１図ない
し第３図で示される本発明のフェイスダウン・ボンディ
ング方法で実装されたＩＣチップに適用することもでき
る。
し第３図で示される本発明のフェイスダウン・ボンディ
ング方法で実装されたＩＣチップに適用することもでき
る。
マイクロソルダリングを用いる高密度実装手法にＴ Ａ
Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔ、ｏｍａｔ、ｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）方式がある。
Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔ、ｏｍａｔ、ｅｄ Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）方式がある。
この方式は第１０図及び第１１図に示されるように、ポ
リイミドフィルムなどのベース４０上に接着された銅箔
をパターン化してリード４２を形成してフレキシブルな
テープキャリアとし、このテープキャリアのり−ド４２
にＩＣチップや基板４４をボンディングするものである
。この手法は応用面が広く、今後もＩＣチップの実装や
精密部品の実装に幅広く用いられることが予想される。
リイミドフィルムなどのベース４０上に接着された銅箔
をパターン化してリード４２を形成してフレキシブルな
テープキャリアとし、このテープキャリアのり−ド４２
にＩＣチップや基板４４をボンディングするものである
。この手法は応用面が広く、今後もＩＣチップの実装や
精密部品の実装に幅広く用いられることが予想される。
従来のＴＡＢ方式では基板４４やＩＣチップのバンプに
、半田メツキを施こしたり−ド４２を熱圧着して共晶を
形成する方式が多かったが、最近はフラックスや接合技
術の向上により溶食の問題がなく、低融点接合が可能で
ある半田パンプ４６による半田付けも普及している。な
お、第１０図で４８は基板４４上に形成された電極であ
る。
、半田メツキを施こしたり−ド４２を熱圧着して共晶を
形成する方式が多かったが、最近はフラックスや接合技
術の向上により溶食の問題がなく、低融点接合が可能で
ある半田パンプ４６による半田付けも普及している。な
お、第１０図で４８は基板４４上に形成された電極であ
る。
このような半田パンプを用いるＴＡＢ方式のボンディン
グはコスト低下と工程の簡略化という利点を備えている
。しかし、−方、この半田パンプ４６を用いるＴＡＢ方
式では、接合部での付着強度が余り強くない点、及び第
１２図に示されるようにテープキャリアのり−ド４２−
１．４２−２が接近している場合、半田バンプ４６−１
．４６−２の半田の量が多すぎる場合に隣接リード間で
ブリッジが生じて短絡する問題がある。したがって、第
１２図に示されるような隣接リード間の短絡を防ぐため
には、隣接リード間の間隔を広くしなければならない。
グはコスト低下と工程の簡略化という利点を備えている
。しかし、−方、この半田パンプ４６を用いるＴＡＢ方
式では、接合部での付着強度が余り強くない点、及び第
１２図に示されるようにテープキャリアのり−ド４２−
１．４２−２が接近している場合、半田バンプ４６−１
．４６−２の半田の量が多すぎる場合に隣接リード間で
ブリッジが生じて短絡する問題がある。したがって、第
１２図に示されるような隣接リード間の短絡を防ぐため
には、隣接リード間の間隔を広くしなければならない。
そこで次に、このように半田パンプを用いたＴＡＢ方式
のボンディングにおいて、半田パンプのリフロー後にブ
リッジによる短絡を防止し、なおかつ、接合面の付着強
度を高めるための方法を説明する。
のボンディングにおいて、半田パンプのリフロー後にブ
リッジによる短絡を防止し、なおかつ、接合面の付着強
度を高めるための方法を説明する。
第１３図及び第１４図は一方法を表わし、テープキャリ
アのリード４２のボンディングを行なう部分にボア（孔
）５０を開けている。
アのリード４２のボンディングを行なう部分にボア（孔
）５０を開けている。
基板４４の電極４８に半田パンプ４６を形成しておき、
テープキャリアのリード４２には半田メツキを施してお
く、そしてリード４２を半田バンプ４６上に押し当てて
熱圧着を行ない、その半田パンプ４６の濡れ性を利用し
て接合させる。この場合、第１３図に示されるように、
半田パンプ４６はボア５０を通して半田の毛細管現象に
よりり一部４２の表面にも広がる。これにより半田４６
の付着面積が２倍になり、構造的にも強固な接合が得ら
れる。
テープキャリアのリード４２には半田メツキを施してお
く、そしてリード４２を半田バンプ４６上に押し当てて
熱圧着を行ない、その半田パンプ４６の濡れ性を利用し
て接合させる。この場合、第１３図に示されるように、
半田パンプ４６はボア５０を通して半田の毛細管現象に
よりり一部４２の表面にも広がる。これにより半田４６
の付着面積が２倍になり、構造的にも強固な接合が得ら
れる。
また、第１５図に示されるように、テープキャリアの隣
接するリード４２−１とり−ド４２−２が接近している
場合でも、又は半田バンプ４６−１．４６−２の半田量
が多すぎる場合でも半田がボア５０１．５０−２を通し
てリード４２−１゜４２−２の表面にも広がっていくた
め、隣接り−ド４２−１．４２−２間でブリッジを作っ
て短絡するということがなくなる。そして、リフロー後
に半田バンプ４６−１．４６−２の半田がそれぞれリー
ド４２−１．４２−２を包み込む形状となる。
接するリード４２−１とり−ド４２−２が接近している
場合でも、又は半田バンプ４６−１．４６−２の半田量
が多すぎる場合でも半田がボア５０１．５０−２を通し
てリード４２−１゜４２−２の表面にも広がっていくた
め、隣接り−ド４２−１．４２−２間でブリッジを作っ
て短絡するということがなくなる。そして、リフロー後
に半田バンプ４６−１．４６−２の半田がそれぞれリー
ド４２−１．４２−２を包み込む形状となる。
第１６図及び第１７図はテープキャリアのり−ド４２に
クラック５２を設けた例を示したものである。
クラック５２を設けた例を示したものである。
この場合、このリード４２を用いて第１３図と同様に基
板上の電極の半田パンプ４６と熱圧着した場合、半田パ
ンプ４６の半田がクラック５２から浸透して破線５４で
示されるようにリード４２の表面にも広がる。
板上の電極の半田パンプ４６と熱圧着した場合、半田パ
ンプ４６の半田がクラック５２から浸透して破線５４で
示されるようにリード４２の表面にも広がる。
なお、第１３図及び第１４図ではテープキャリアのリー
ド４２にボア５０を設け、第１６図及び第１７図ではテ
ープキャリアのリード４２にクラック５２を設けている
が、ボア５０やクラック５２に限らずリードを裏面から
表面に貫通する他の手段を設けてもよい、このようなボ
ア５０やクラック５２はテープキャリアのり−ド４２を
形成する際にフォトエツチングで同時に形成することが
できる。
ド４２にボア５０を設け、第１６図及び第１７図ではテ
ープキャリアのリード４２にクラック５２を設けている
が、ボア５０やクラック５２に限らずリードを裏面から
表面に貫通する他の手段を設けてもよい、このようなボ
ア５０やクラック５２はテープキャリアのり−ド４２を
形成する際にフォトエツチングで同時に形成することが
できる。
次に、テープキャリアのり−ド４２に設けるボアやクラ
ックの大きさや数によってリード４２の表面に濡れる半
田量を制御することが可能であることを説明する。
ックの大きさや数によってリード４２の表面に濡れる半
田量を制御することが可能であることを説明する。
半田付けにおける接合の原理において、重要なのは濡れ
性と毛細管現象の２点である。例えば、第１８図に示さ
れるように、銅板５６に半田５８が濡れた場合を考える
と、半田５６の表面張力ｒｌ、銅板５６の表面張力ｒｓ
、及び半田５８と銅板５６間の界面張力ｒｌｓの３つの
力の間には、力学的な釣り合いの条件から、 「ｓ ＝ ｒｌｃｏｓθ＋ｒＩｇ の関係がある。
性と毛細管現象の２点である。例えば、第１８図に示さ
れるように、銅板５６に半田５８が濡れた場合を考える
と、半田５６の表面張力ｒｌ、銅板５６の表面張力ｒｓ
、及び半田５８と銅板５６間の界面張力ｒｌｓの３つの
力の間には、力学的な釣り合いの条件から、 「ｓ ＝ ｒｌｃｏｓθ＋ｒＩｇ の関係がある。
上記の式からθを小さくする、すなわち半田５６の濡れ
性をよくするには表面張力ｒ１の小さい半田５８を用い
るか、表面張力ｒｓの大きい母材（この場合銅板）を用
いるか、又は界面張力ＦＩＳの小さくなる母材５６と半
田５８の組合せにする必要がある。半田付けの際にフラ
ックスを用いると、フラックスが半田を覆い、同じ半田
であっても表面張力（正しくは半田とフラックスの界面
張力）を小さくすることができる。しかし、濡れ性は半
田５８の表面張力ｒ１、母材５６の表面張力ｒｓ、及び
半田５８と母材５６間の界面張力ＦＩｓの値の相対的な
関係で決まり、また、これらの値ｒ１、ｒｓ、 ｒ’１
ｇはそれぞれ物質に固有な物性値であるので動かすこと
ができない。実際には母材５６と半田５８の間に拡散反
応や溶解反応が起るために複雑になる。
性をよくするには表面張力ｒ１の小さい半田５８を用い
るか、表面張力ｒｓの大きい母材（この場合銅板）を用
いるか、又は界面張力ＦＩＳの小さくなる母材５６と半
田５８の組合せにする必要がある。半田付けの際にフラ
ックスを用いると、フラックスが半田を覆い、同じ半田
であっても表面張力（正しくは半田とフラックスの界面
張力）を小さくすることができる。しかし、濡れ性は半
田５８の表面張力ｒ１、母材５６の表面張力ｒｓ、及び
半田５８と母材５６間の界面張力ＦＩｓの値の相対的な
関係で決まり、また、これらの値ｒ１、ｒｓ、 ｒ’１
ｇはそれぞれ物質に固有な物性値であるので動かすこと
ができない。実際には母材５６と半田５８の間に拡散反
応や溶解反応が起るために複雑になる。
ここで毛細管現象に着目する。液体が狭い隙間を上昇す
るのは液体の表面張力によるものであり、その高さは一
般に、 Ｈ＝２ ｒＬａｏｓθ／ ｐ ｇ ｄ で表わされる。ここで、Ｈは上昇高さ、θは接触角、ρ
は液体の密度、ｇは重力加速度、ｄは隙間の径を示す。
るのは液体の表面張力によるものであり、その高さは一
般に、 Ｈ＝２ ｒＬａｏｓθ／ ｐ ｇ ｄ で表わされる。ここで、Ｈは上昇高さ、θは接触角、ρ
は液体の密度、ｇは重力加速度、ｄは隙間の径を示す。
隙間の径が１０μｍの銅板ぞは溶融した半田が上昇する
高さは９００ｍｍにもなる。しかし実際は、フラックス
や半田の粘性抵抗や介在物などのため５００〜６００ｍ
ｍになる。したがって、テープキャリアのり−ド４２に
設けるボアやクラックの大きさや数によって表面に濡れ
る半田量を制御するのは理論的には可能となる。
高さは９００ｍｍにもなる。しかし実際は、フラックス
や半田の粘性抵抗や介在物などのため５００〜６００ｍ
ｍになる。したがって、テープキャリアのり−ド４２に
設けるボアやクラックの大きさや数によって表面に濡れ
る半田量を制御するのは理論的には可能となる。
（効果）
本発明のＩＣチップの実装方法では、ＩＣチップのパッ
ド部分に凹部を設け、ＩＣチップを実装する基板にも前
記パッド部分に対応する位置に、前記パッド部分の凹部
とほぼ同形状の凹部を設け、ＩＣチップの前記凹部と基
板の前記凹部とを半田ボールを介在させて対応させ、そ
の半田ボールを溶融させることによりＩＣチップを基板
にボンディングさせるようにしたので、ＩＣチップの位
置合せが容易になり、仮接着時の実装精度が向上する。
ド部分に凹部を設け、ＩＣチップを実装する基板にも前
記パッド部分に対応する位置に、前記パッド部分の凹部
とほぼ同形状の凹部を設け、ＩＣチップの前記凹部と基
板の前記凹部とを半田ボールを介在させて対応させ、そ
の半田ボールを溶融させることによりＩＣチップを基板
にボンディングさせるようにしたので、ＩＣチップの位
置合せが容易になり、仮接着時の実装精度が向上する。
また、半田の欠損が少なくなる。さらに、ＩＣチップで
発生する熱を効率よく基板側へ逃すことができるように
なるので、ＩＣチップのサイズが／ｈさくなりコストが
低下する。また、ＩＣチップの放熱効率がよくなること
からＩＣチップの性能が向上する。
発生する熱を効率よく基板側へ逃すことができるように
なるので、ＩＣチップのサイズが／ｈさくなりコストが
低下する。また、ＩＣチップの放熱効率がよくなること
からＩＣチップの性能が向上する。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を工程順に示す
断面図、第４図は従来のフェイスダウンボンディング方
式を示す断面図、第５図ないし第９図はＩＣチップの放
熱特性を改良する方法を示すそれぞれ断面図、第１０図
は従来のテープキャリアによるＴＡＢ方式のボンディン
グを示す断面図、第１１図は従来のテープキャリアの一
部を示す平面図、第１２図は従来のテープキャリアによ
るＴＡＢ方式で隣接リード間で短絡が生じた状態を示す
断面図、第１３図は改良されたテープキャリアを用いた
ＴＡＢ方式によるボンディングを示す断面図、第１４図
は改良されたテープキャリアの一部を示す平面図、第１
５図は改良されたテープキャリアによるボンディングの
状態を示す断面図、第１６図及び第１７図は改良された
他のテープキャリアの一部を示すそれぞれ斜視図と平面
図、第１８図は半田の濡れ性を示す概略図である。なお
、断面図のハツチングは一部省略しである。 １０・・・・・・ＩＣチップ、 １２・・・・・・パッド部分、 １４．２４・・・・・・凹部、 １８・・・・・・基板、 ２６・・・・・・半田ボール。
断面図、第４図は従来のフェイスダウンボンディング方
式を示す断面図、第５図ないし第９図はＩＣチップの放
熱特性を改良する方法を示すそれぞれ断面図、第１０図
は従来のテープキャリアによるＴＡＢ方式のボンディン
グを示す断面図、第１１図は従来のテープキャリアの一
部を示す平面図、第１２図は従来のテープキャリアによ
るＴＡＢ方式で隣接リード間で短絡が生じた状態を示す
断面図、第１３図は改良されたテープキャリアを用いた
ＴＡＢ方式によるボンディングを示す断面図、第１４図
は改良されたテープキャリアの一部を示す平面図、第１
５図は改良されたテープキャリアによるボンディングの
状態を示す断面図、第１６図及び第１７図は改良された
他のテープキャリアの一部を示すそれぞれ斜視図と平面
図、第１８図は半田の濡れ性を示す概略図である。なお
、断面図のハツチングは一部省略しである。 １０・・・・・・ＩＣチップ、 １２・・・・・・パッド部分、 １４．２４・・・・・・凹部、 １８・・・・・・基板、 ２６・・・・・・半田ボール。
Claims (1)
- （１）ＩＣチップのパッド部分に凹部を設け、ＩＣチッ
プを実装する基板にも前記パッド部分に対応する位置に
、前記パッド部分の凹部とほぼ同形状の凹部を設け、Ｉ
Ｃチップの前記凹部と基板の前記凹部とを半田ボールを
介在させて対応させ、その半田ボールを溶融させること
によりＩＣチップを基板にボンディングさせるＩＣチッ
プの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147588A JPS633422A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Ｉｃチツプの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61147588A JPS633422A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Ｉｃチツプの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633422A true JPS633422A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15433742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61147588A Pending JPS633422A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Ｉｃチツプの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633422A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01241767A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 固体電解質二次電池 |
| JPH02291673A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-12-03 | Devars Ms Co | 多孔性のカソード集電体を有する固態電気化学セル |
| JPH0463282U (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-29 | ||
| WO1997004481A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Carrier, semiconductor device, and method of their mounting |
| JP2006093420A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
| JP2009206614A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP61147588A patent/JPS633422A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01241767A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 固体電解質二次電池 |
| JPH02291673A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-12-03 | Devars Ms Co | 多孔性のカソード集電体を有する固態電気化学セル |
| JPH0463282U (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-29 | ||
| WO1997004481A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Carrier, semiconductor device, and method of their mounting |
| US6037657A (en) * | 1995-07-20 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Carrier, semiconductor device, and method of their mounting |
| JP2006093420A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
| JP2009206614A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 |
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