JPH0936174A - 半導体装置とその実装方法 - Google Patents
半導体装置とその実装方法Info
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Abstract
ートサイクル性等の信頼性を向上させる半導体装置及び
実装方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置1を構成している半導体キャ
リア3の外部電極8の部分に凹部を形成し、その凹部の
底部に外部電極8を形成する。凹部にクリーム半田13
を充填し、反転してから、回路基板12に装着する。ク
リーム半田13の融点以上の温度に加熱することで半田
付けを行なう。
Description
基板に高密度、高信頼性で実装することを可能とする半
導体装置、特に、半導体素子と半導体素子を保持すると
ともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対し
て、電気的接続がなされた外部電極端子を有する絶縁基
体からなる半導体キャリアとを備えた半導体装置とその
実装方法に関する。
しながら説明する。図8に示すように半導体装置1は、
半導体素子2を絶縁性材料からなる半導体キャリア3上
に配置して構成されている。半導体キャリア3の上面に
は、半導体素子2の電極4に半田もしくは金のバンプ5
で接続された複数の電極6が配置され、底面には格子上
に配置された外部電極端子8が配列され、かつこれらの
電極6と外部電極端子8は電気的接続がなされている。
また、半導体素子2と半導体キャリア3との間の隙間お
よび半導体素子2の周辺部が、エポキシ系樹脂の封止剤
7にて充填被覆されている。外部電極端子8の表面には
半田バンプ9が形成されている場合もある。図8におい
て、12は半導体装置1を実装する回路基板であり、半
導体装置1の実装位置に外部電極端子8に対応して格子
状に電極11が設けられており、その上にはクリーム半
田13が印刷されている。図9に示すように、半導体装
置1の外部電極端子8が回路基板12の電極11に合致
するように半導体装置1を回路基板12上に積載して加
熱することにより、クリーム半田13が溶融して、外部
電極端子8と電極11は半田10を介して接合される。
ような構成の半導体装置1では、回路基板12に搭載す
る際、図9に示す半導体キャリア3と回路基板12との
間の間隔Hを調節することが難しい。間隔Hが小さいと
キャリア3と回路基板12の熱膨張係数の差によって生
ずる熱応力が半田接合部に集中し、接合部にクラックが
生じたり、場合によっては剥離することもある。
ト基板に高い信頼性を持って実装できる半導体装置及び
半導体装置の実装方法を提供することを目的としてい
る。
めに、本発明の半導体装置は、半導体の集積回路を形成
する素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャ
リアの上に形成された導電回路と接続することにより、
半導体キャリアに形成された外部電極により外部との電
気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャ
リアに凹部を設けその底部に外部電極を形成することを
特徴とする。
み方向に対して、平板状の上方部分と凹部を形成するた
め上方部分から下部表面に突出する下方部分を積層して
構成することを特徴とし、さらに、前記上方部分と下方
部分を異なる材料で構成し、さらに、異なる材料で構成
する場合の材料は、半導体装置の半導体キャリアの熱膨
張係数から順次半導体装置を実装する回路基板の熱膨張
係数に近づくように熱膨張係数の異なる材料を複数層積
層して構成することを特徴とする。
体装置の外部電極の凹部に対してクリーム半田を充填
し、半導体装置を反転してから回路基板に装着し加熱す
ることにより半田付けを行なうことを特徴とし、さら
に、半導体装置の外部電極の凹部に対して粘着性のフラ
ックスを塗布した後半田ボールを充填し、半導体装置を
反転してから回路基板に装着し加熱することにより半田
付けを行なうことを特徴とし、半導体キャリアの凹部に
設けた電極と回路基板上の電極とを電気的に接合する場
合に、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電気的に接
続の必要のない部分において接着剤を塗布し、半導体装
置を回路基板に装着し、次に加熱することにより半田付
けを行なうことを特徴とするものである。
図面を参照しながら説明する。図1(a)は本発明に基
づく半導体装置の構造の一例を示している。半導体素子
2が絶縁基体からなる半導体キャリア3上に配置されて
いる。半導体キャリア3の上面には半導体素子2の電極
4と電気的に接続される電極6が配設され、底面には図
1(b)に示すように格子上に配置された外部電極端子
8が配設され、かつ、これら電極6と外部電極端子8は
電気的に接続されている。また、半導体素子2と半導体
キャリア3との間の間隙及び半導体素子2の周辺部は封
止材7によって充填被覆されている。外部電極端子8は
半導体キャリア3の表面に設けた凹部の底部に形成され
ている。凹部の深さは回路基板と半田付けを行なう場合
の接合高さがどの程度必要かによって決定される。例え
ば、外部電極端子8の配列ピッチが1mmで直径が0.
5mmの場合、凹部の深さは0.2mmから1.0mm
が好ましい。半導体キャリア3の材料はアルミナやガラ
スセラミックスのようなセラミックスが一般的に用いら
れる。また、エポキシ等の樹脂材料を用いることも可能
である。
法があるが、例えば感光性のエポキシ樹脂フィルムを用
いて、露光現像により凹部も形成することも可能であ
る。このように、半導体素子の表面に凹部を設け、凹部
の底部に外部電極を形成することにより、回路基板に半
田付け等の電気的接合を行なう場合、接合部の高さHを
凹部の深さによって任意に制御することが可能となる。
凹部を有しない半導体装置を実装した場合に比べて接合
部の高さHを高くすることができ、接合界面にかかる応
力を低減できるため耐ヒートサイクル性等の信頼性が向
上する。
した場合は、周辺に膨らんだ太鼓状の形状になるが、凹
部にクリーム半田又は半田ボールを充填してから半田付
けを行なうので、半田接合部の形状が接合の高さ方向に
対して中央部が凹んだ鼓状の形状にすることが可能にな
る。次に、第2実施例について図2を参照しながら説明
する。この実施例では、半導体キャリア3は、半導体装
置の厚み方向に対して凹部の存在する側の凹部の底面か
ら下部表面までの下方部分52と、凹部のない平板状の
上方部分51からなり、それぞれ異なる材料で構成され
る。半導体キャリア3の平板部51は、例えばアルミナ
にガラスを混合したガラスセラミックス等のセラミック
で構成される。その理由は、樹脂材料に比べて半導体素
子の材料であるシリコンに熱膨張係数が近いからであ
る。一方、半導体キャリア3の下方部分52を構成する
材料は、例えばポリフェニレンサルファイドのような耐
熱性のエンジニアリングプラスチックを用いる。その理
由は、半導体装置を実装する回路基板の熱膨張係数と、
半導体キャリアに用いているガラスセラミックスの熱膨
張係数との中間の値を持つ材料を、キャリア下方部分5
2に用いることにより、熱応力を緩和し半田付け部の信
頼性を向上させることが可能となるからである。同様の
理由により、図3に示すようにキャリア下方部分53〜
55を厚さ方向に複数の材料で構成しても同様の効果が
得られる。この実施例では、ポリフェニレンサルファイ
ドにフィラーを混合し、フィラーの種類や量を変えるこ
とにより熱膨張率を調整することができる。例えば、5
3の材料はガラスフィラーを約60%混合し、54の材
料はフィラー量約50%、55の材料は約40%とす
る。フィラー量を低減することにより熱膨張率は増加す
る。各層は接着剤を用いて張り合わせる。
の底部にある電極から、半導体素子の存在しない側の表
面までを、半導体装置の半導体キャリアの熱膨張係数か
ら順次半導体装置を実装する回路基板の熱膨張係数に近
づくように、異なる材料を複数層積層して構成すること
により、接着部分にかかる応力を緩和することが可能と
なる。
張係数は図7に示されている。次に、本発明の半導体装
置の実装方法について図4を用いて説明する。半導体装
置1を反転し、半導体キャリア3に設けてある凹部の開
口部を上部に向け、凹部にクリーム半田を充填する。充
填する方法の一例は、凹部の開口パターンに対応した開
口を有するメタルマスクの開口部を、半導体キャリア3
の凹部と位置合わせし、メタルマスク上に置いたクリー
ム半田13をスキージを用いて印刷することにより充填
が実現できる。また、メタルマスクを用いない場合でも
充填は可能である。例えば、半導体キャリア3上に直接
クリーム半田13を置き、スキージを用いてかきとるこ
とにより充填は可能である。次に、クリーム半田13を
充填した半導体装置1を再度反転し、クリーム半田の充
填された半導体キャリアの凹部を下に向ける。一方、半
導体装置を実装する回路基板12にはメタルマスクを用
いてクリーム半田を印刷してもよい。通常回路基板の周
辺には、本発明の半導体装置以外にも抵抗やコンデンサ
ーなどの電子部品が実装されるのが一般的であり、これ
らの電子部品を実装するために、メタルマスクを用いた
クリーム半田の印刷が行なわれるのが通常である。ただ
し、本半導体装置の実装には必ずしも回路基板12への
クリーム半田印刷は必要ではない。その理由は、既に半
導体キャリア3の凹部にクリーム半田が充填されている
からである。回路基板にクリーム半田の印刷を行なうか
否かは、メタルマスクの開口をあけるかあけないかによ
って決定され、工程上は全く同一である。次に、半導体
装置1を回路基板12上で位置合わせを行なってから装
着する。次に、リフロー工程においてクリーム半田の融
点以上の温度に加熱することにより、クリーム半田を溶
融させ半田付けを行なう。共晶半田の場合は好ましくは
220℃に加熱するのが一般的である。
法について図5を用いて説明する。半導体装置1を反転
し、半導体キャリア3に設けた凹部の開口部を上部に向
け、凹部の底部に粘着性フラックス15を塗布した後半
田ボール16を充填する。粘着性フラックス15の塗布
方法の一例はディスペンスによって行なわれ、半田ボー
ル16の充填は電子部品を搭載する装着機を用いて行わ
れる。
置1を再度反転し、半田ボールの充填された半導体キャ
リアの凹部を下に向ける。一方、半導体装置を実装する
回路基板12にはメタルマスクを用いてクリーム半田を
印刷してもよい。通常回路基板の周辺には本発明の半導
体装置以外にも抵抗やコンデンサーなどの電子部品が実
装されるのが一般的であり、これらの電子部品を実装す
るためにメタルマスクを用いたクリーム半田の印刷が行
なわれるのが通常である。ただし、本半導体装置の実装
には必ずしも回路基板へのクリーム半田印刷は必要では
ない。その理由は既に半導体キャリア3の凹部に半田ボ
ールが充填されているからである。回路基板にクリーム
半田の印刷を行なうか否かはメタルマスクの開口をあけ
るかあけないかによって決定され、工程上は全く同一で
ある。次に、半導体装置1を回路基板12上で位置合わ
せを行なってから装着する。次に、リフロー工程におい
て、クリーム半田の融点以上の温度に加熱することによ
り、クリーム半田を溶融させ半田付けを行なう。共晶半
田の場合好ましくは220℃に加熱するのが一般的であ
る。
法について図6を用いて説明する。半導体装置1を反転
し、半導体キャリア3にある凹部の開口部を上部に向
け、凹部にクリーム半田を充填する。充填する方法の一
例は、凹部の開口パターンに対応した開口を有するメタ
ルマスクの開口部を、半導体キャリア3の凹部と位置合
わせし、メタルマスク上に置いたクリーム半田13をス
キージを用いて印刷することにより充填が実現できる。
また、メタルマスクを用いない場合でも充填は可能であ
る。例えば、半導体キャリア3上に直接クリーム半田1
3を置き、スキージを用いてかきとることにより充填は
可能である。次に、クリーム半田13を充填した半導体
装置1を反転し、クリーム半田の充填された半導体キャ
リアの凹部を下に向ける。一方、半導体装置を実装する
回路基板12にはメタルマスクを用いてクリーム半田を
印刷してもよい。通常回路基板の周辺には、本発明の半
導体装置以外にも抵抗やコンデンサーなどの電子部品が
実装されるのが一般的であり、これらの電子部品を実装
するために、メタルマスクを用いたクリーム半田の印刷
が行なわれるのが通常である。ただし、本半導体装置の
実装には必ずしも回路基板へのクリーム半田印刷は必要
ではない。その理由は既に半導体キャリア3の凹部にク
リームが充填されているからである。回路基板にクリー
ム半田の印刷を行なうか否かはメタルマスクの開口をあ
けるかあけないかによって決定され、工程上は全く同一
である。次に、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電
気的に接続の必要のない部分において接着剤14を回路
基板12に塗布する。接着剤14は半導体キャリア側に
塗布してもかまわない。次に、半導体装置1を回路基板
12上で位置合わせを行なってから装着する。次に、リ
フロー工程でクリーム半田の融点以上の温度に加熱する
ことにより、クリーム半田を溶融させ半田付けを行な
う。共晶半田の場合好ましくは220℃に加熱するのが
一般的である。
し、かつ電気的に接続の必要のない部分において接着剤
を介してから回路基板に装着し、加熱して半田付けを行
なうことにより、接着した部分が応力を吸収し、電気的
接合部にかかる応力を低減することが可能となる。
装方法においては、半導体素子の表面に凹部を設け、凹
部の底部に外部電極を形成することにより、回路基板に
半田付け等の電気的接合を行なう場合、接合部の高さH
を凹部の深さによって任意に制御することが可能とな
る。凹部を有しない半導体装置を実装した場合に比べ
て、接合部の高さHを高くすることができ、接合界面に
かかる応力を低減できるため、耐ヒートサイクル性等の
信頼性を向上するという効果を奏する。
した場合は、接合部の形状が周辺に膨らんだ太鼓状の形
状になるが、本発明においては凹部にクリーム半田又は
半田ボールを充填してから半田付けを行なうので、半田
接合部の形状が接合の高さ方向に対して中央部が凹んだ
鼓状の形状にすることが可能になる。その理由はクリー
ム半田が溶融時に体積収縮するからである。半田接合部
の形状を鼓状にすることにより、応力の集中部が接合界
面から接合の中央部に変化し、強度が強くなり接合界面
の破壊を防ぐことが可能になるという効果を奏する。
の電極とを電気的に接合する場合に、半導体装置と回路
基板が接触し、かつ電気的に接続の必要のない部分にお
いて、接着剤を介して回路基板に装着し、加熱して半田
付けを行なうことにより、接着した部分が応力を吸収
し、電気的接合部にかかる応力を低減することが可能と
なるという効果を奏する。
た凹部の底部にある電極から、半導体素子の存在しない
側の表面までを、半導体装置の半導体キャリアの熱膨張
係数から半導体装置を実装する回路基板の熱膨張係数に
順次近づくように、異なる材料を複数層積層して構成す
ることにより、接着部分にかかる応力を緩和することが
可能となり、電気的接合部の応力を低減することが可能
となるという効果を奏する。
施例の構成を示す側断面図および平面図である。
側断面図である。
側断面図である。
す工程図である。
示す工程図である。
示す工程図である。
料の熱膨張係数表である。
る。
構成を示す側断面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体の集積回路を形成する素子の表面
上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成
された導電回路と接続することにより、半導体キャリア
に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能
にした半導体装置において、半導体キャリアに凹部を設
けその底部に外部電極を形成することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項2】 半導体の集積回路を形成した素子の表面
上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成
された導電回路と接続することにより、半導体キャリア
に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能
にした半導体装置において、半導体キャリアは半導体装
置の厚み方向に対して、平板状の上方部分と凹部を形成
するため上方部分から下部表面に突出する下方部分を積
層して構成することを特徴とする請求項1記載の半導体
装置。 - 【請求項3】 平板状の上方部分と凹部を形成するため
上方部分から下部表面に突出する下方部分を熱膨張係数
の異なる材料で構成することを特徴とする請求項2記載
の半導体装置。 - 【請求項4】 半導体の集積回路を形成した素子の表面
上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成
された導電回路と接続することにより、半導体キャリア
に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能
にした半導体装置において、半導体キャリアの材料は半
導体装置の厚み方向に対して、凹部のない上方部分と凹
部を形成するため上方部分から下部表面に突出し複数層
が積層した下方部分から構成され、積層される材料が半
導体キャリアの熱膨張係数から半導体装置を実装する回
路基板の熱膨張係数に順次近づくように、熱膨張係数の
異なる材料を複数層積層して構成することを特徴とする
請求項1または2のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項5】 半導体装置の外部電極が存在する凹部に
対してクリーム半田を充填し、半導体装置を反転してか
ら回路基板に装着し加熱することにより半田付けを行な
う請求項1または2のいずれかに記載の半導体装置によ
る実装方法。 - 【請求項6】 半導体装置の外部電極が存在する凹部に
対して粘着性のフラックスを塗布した後半田ボールを充
填し、半導体装置を反転してから回路基板に装着し加熱
することにより半田付けを行なう請求項1または2のい
ずれかに記載の半導体装置による実装方法。 - 【請求項7】 半導体キャリアの凹部に設けた電極と回
路基板上の電極の電気的接合において、半導体装置と回
路基板が接触し、かつ電気的接続の必要のない部分に接
着剤を塗布し、半導体装置を回路基板に装着し、次に加
熱することにより半田付けを行なう請求項1または2の
いずれかに記載の半導体装置による実装方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18427595A JP3597913B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 半導体装置とその実装方法 |
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