JPS633469B2 - - Google Patents
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- JPS633469B2 JPS633469B2 JP53075443A JP7544378A JPS633469B2 JP S633469 B2 JPS633469 B2 JP S633469B2 JP 53075443 A JP53075443 A JP 53075443A JP 7544378 A JP7544378 A JP 7544378A JP S633469 B2 JPS633469 B2 JP S633469B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、逆方向に電圧を印加した半導体ダイ
オードターゲツトに高速電子打ち込み、ターゲツ
ト中に発生した増幅電子流を出力とする電子照射
形増幅管において、ターゲツト静電容量を増加さ
せることなく、管内に発生する二次電子やＸ線の
影響を除去し、半導体ダイオードのなだれ降伏電
圧の低下やもれ電流の増加を防止し、利得帯域幅
積やパルス立上り特性などの周波数特性を向上さ
せ、半導体ダイオードの電極の断線を防止した電
子照射形増幅管用ターゲツトに関するものであ
る。
オードターゲツトに高速電子打ち込み、ターゲツ
ト中に発生した増幅電子流を出力とする電子照射
形増幅管において、ターゲツト静電容量を増加さ
せることなく、管内に発生する二次電子やＸ線の
影響を除去し、半導体ダイオードのなだれ降伏電
圧の低下やもれ電流の増加を防止し、利得帯域幅
積やパルス立上り特性などの周波数特性を向上さ
せ、半導体ダイオードの電極の断線を防止した電
子照射形増幅管用ターゲツトに関するものであ
る。
第１図は従来使用されている電子照射形増幅管
用のターゲツトの構成とその外部接続回路を示す
図である。
用のターゲツトの構成とその外部接続回路を示す
図である。
このターゲツトはSiやGaAsなどからなるn+形
半導体基板１上に形成したn-形半導体層２の表
面近傍にp+形半導体層３を設けてpn接合ダイオ
ードを構成し、このpn接合活性領域ｂの周辺部
上から外方に拡がるSiO2やAl2O3などからなる絶
縁体層４を設け、p+形半導体層３の露出してい
る面上から絶縁体層４の一部上をおおうMoやAl
などの金属層５を設け、この金属層５の周辺部及
び絶縁体層４の一部上をおおうようにAuやAlな
どの金属層６を設けたものである。また、第１図
のn+形半導体基板１とその上のn-形半導体基板
２とからなるpn接合ダイオード半導体基板のか
わりに、シヨツトキーバリアダイオード半導体基
板を用いたものなどもある。
半導体基板１上に形成したn-形半導体層２の表
面近傍にp+形半導体層３を設けてpn接合ダイオ
ードを構成し、このpn接合活性領域ｂの周辺部
上から外方に拡がるSiO2やAl2O3などからなる絶
縁体層４を設け、p+形半導体層３の露出してい
る面上から絶縁体層４の一部上をおおうMoやAl
などの金属層５を設け、この金属層５の周辺部及
び絶縁体層４の一部上をおおうようにAuやAlな
どの金属層６を設けたものである。また、第１図
のn+形半導体基板１とその上のn-形半導体基板
２とからなるpn接合ダイオード半導体基板のか
わりに、シヨツトキーバリアダイオード半導体基
板を用いたものなどもある。
これらの電子照射形増幅管用ターゲツトに設け
られる絶縁体層４は熱酸化法やCVD法やスパツ
タ法などにより形成され、その内部は結晶状態に
近い緻密な層で構成されている。
られる絶縁体層４は熱酸化法やCVD法やスパツ
タ法などにより形成され、その内部は結晶状態に
近い緻密な層で構成されている。
このようなターゲツトにおいては、半導体ダイ
オードに逆方向電圧を印加すると、n-形半導体
層２中に第１図に示すような電界ｆが発生し、と
くに絶縁体層４と接するpn接合部近傍の領域の
電界は他の領域の電界より強くなつている。
オードに逆方向電圧を印加すると、n-形半導体
層２中に第１図に示すような電界ｆが発生し、と
くに絶縁体層４と接するpn接合部近傍の領域の
電界は他の領域の電界より強くなつている。
第１図に示すような構成のターゲツトの静電容
量は、第２図に示したように、p+形半導体層３
上の金属層５とn+形半導体層１にはさまれた領
域のn-形半導体層２に形成される静電容量C1と、
絶縁体層４上の金属層６とn+形半導体層１には
さまれた領域に形成される絶縁体層４の静電容量
C2およびn-形半導体層２の静電容量C3で構成さ
れる。
量は、第２図に示したように、p+形半導体層３
上の金属層５とn+形半導体層１にはさまれた領
域のn-形半導体層２に形成される静電容量C1と、
絶縁体層４上の金属層６とn+形半導体層１には
さまれた領域に形成される絶縁体層４の静電容量
C2およびn-形半導体層２の静電容量C3で構成さ
れる。
このようなターゲツトを使用した電子照射形増
幅管を動作させると、一次電子７がターゲツトや
ビームカツター８に衝突する際などに二次電子や
Ｘ線が発生し、この二次電子やＸ線が絶縁体層４
にあたり、絶縁体層４中に正電荷が発生して、絶
縁体層４に接するn-形半導体層２の領域の電界
が強くなる。このため、ダイオードの耐圧が減少
したり、もれ電流が増加したり、ダイオードの耐
圧が減少することによつて、動作中になだれ降伏
が生じる可能性があるなどの劣化を生じる欠点が
あつた。とくに、絶縁体層４と接するpn接合部
近傍の領域の電界は、他の領域の電界より強くな
つているので、この領域に近い絶縁体層４中に発
生する正電荷は、ターゲツトの劣化に大きな影響
を与える。
幅管を動作させると、一次電子７がターゲツトや
ビームカツター８に衝突する際などに二次電子や
Ｘ線が発生し、この二次電子やＸ線が絶縁体層４
にあたり、絶縁体層４中に正電荷が発生して、絶
縁体層４に接するn-形半導体層２の領域の電界
が強くなる。このため、ダイオードの耐圧が減少
したり、もれ電流が増加したり、ダイオードの耐
圧が減少することによつて、動作中になだれ降伏
が生じる可能性があるなどの劣化を生じる欠点が
あつた。とくに、絶縁体層４と接するpn接合部
近傍の領域の電界は、他の領域の電界より強くな
つているので、この領域に近い絶縁体層４中に発
生する正電荷は、ターゲツトの劣化に大きな影響
を与える。
この欠点を改善する方法としては、絶縁体層４
上に電界が発生している部分をおおうように、充
分厚い金属層を形成して、二次電子やＸ線が絶縁
体層にあたるのを防ぎ、絶縁体層中に正電荷が発
生するのを防げばよい。しかし、金属層６の面積
を広くすると、静電容量C2、C3が大きくなつて、
ターゲツトの静電容量が増加する。電子照射形増
幅管のパルス立上り時間などの周波数特性は、タ
ーゲツトの静電容量と負荷抵抗９で決まる時定数
とn-形半導体層２中の電子の走行時間で決定さ
れるので、ターゲツトの静電容量が増加すると、
出力パルスの立上り時間が増加したり、利得帯域
幅積が低下するなどの周波数特性の性能が劣化す
る欠点が生じ、この改善には限界があつた。
上に電界が発生している部分をおおうように、充
分厚い金属層を形成して、二次電子やＸ線が絶縁
体層にあたるのを防ぎ、絶縁体層中に正電荷が発
生するのを防げばよい。しかし、金属層６の面積
を広くすると、静電容量C2、C3が大きくなつて、
ターゲツトの静電容量が増加する。電子照射形増
幅管のパルス立上り時間などの周波数特性は、タ
ーゲツトの静電容量と負荷抵抗９で決まる時定数
とn-形半導体層２中の電子の走行時間で決定さ
れるので、ターゲツトの静電容量が増加すると、
出力パルスの立上り時間が増加したり、利得帯域
幅積が低下するなどの周波数特性の性能が劣化す
る欠点が生じ、この改善には限界があつた。
また、第１図に示すようなターゲツトの金属層
５，６は真空蒸着法やスパツタ法により形成され
る。このため、絶縁体層４の活性領域側の縁の部
分における金属層５，６の厚さは、活性領域上や
絶縁体層上における金属層の厚さより薄くなつて
おり、この部分の金属層に穴が発生したり、活性
領域上の金属層と絶縁体層上の金属層の間が断線
し、導通がなくなる可能性があつた。さらに、金
属層６にAuなどの金属を用いたターゲツトの場
合、この部分の金属層５に発生した穴から、n-
形半導体層２にAuなどの金属が侵入することに
よつて、ダイオードの耐圧が低下したり、もれ電
流が増加するなどの欠点があつた。
５，６は真空蒸着法やスパツタ法により形成され
る。このため、絶縁体層４の活性領域側の縁の部
分における金属層５，６の厚さは、活性領域上や
絶縁体層上における金属層の厚さより薄くなつて
おり、この部分の金属層に穴が発生したり、活性
領域上の金属層と絶縁体層上の金属層の間が断線
し、導通がなくなる可能性があつた。さらに、金
属層６にAuなどの金属を用いたターゲツトの場
合、この部分の金属層５に発生した穴から、n-
形半導体層２にAuなどの金属が侵入することに
よつて、ダイオードの耐圧が低下したり、もれ電
流が増加するなどの欠点があつた。
本発明によるターゲツトは、上述のような従来
技術の欠点を改善したもので、半導体基板層中に
ダイオードの活性領域を囲むように絶縁体層を設
け、この絶縁体層を多孔質なものとすることによ
つて、ターゲツトの静電容量を増加させることな
く、二次電子やＸ線などによるダイオードの劣化
を防止し、パルス立上り特性などの周波数特性の
向上を実現したものである。また、ダイオードの
活性領域の表面と絶縁体層の表面とを同一平面上
にあるように構成することによつて、ダイオード
の電極の断線やもれ電流の増加などの欠点が発生
するのを防止したものである。
技術の欠点を改善したもので、半導体基板層中に
ダイオードの活性領域を囲むように絶縁体層を設
け、この絶縁体層を多孔質なものとすることによ
つて、ターゲツトの静電容量を増加させることな
く、二次電子やＸ線などによるダイオードの劣化
を防止し、パルス立上り特性などの周波数特性の
向上を実現したものである。また、ダイオードの
活性領域の表面と絶縁体層の表面とを同一平面上
にあるように構成することによつて、ダイオード
の電極の断線やもれ電流の増加などの欠点が発生
するのを防止したものである。
以下に本発明をその実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第３図は、本発明による電子照射形増幅管用タ
ーゲツトの実施例の構成を示す図である。
ーゲツトの実施例の構成を示す図である。
この実施例では、n+形半導体基板１上に形成
したn-形半導体層２の表面近傍にp+形半導体層
３を設けてpn接合ダイオードを構成し、このダ
イオードの活性領域（p+形半導体層３）の周り
を囲むように多孔質絶縁体層２１をn-形半導体
層２中に設け、多孔質絶縁体層２１からn-形半
導体層２上にダイオード活性領域の周辺をおおう
ように多孔質絶縁体層２２を設け、ダイオード活
性領域上に一次電子が透過しうるような充分に薄
い金属層５を設け、さらに、金属層５の周辺部上
から多孔質絶縁体層２２上に多孔質絶縁体層２１
のみをおおうように充分厚い金属層６を設けるこ
とにより、電子照射形増幅管用ターゲツトを構成
している。
したn-形半導体層２の表面近傍にp+形半導体層
３を設けてpn接合ダイオードを構成し、このダ
イオードの活性領域（p+形半導体層３）の周り
を囲むように多孔質絶縁体層２１をn-形半導体
層２中に設け、多孔質絶縁体層２１からn-形半
導体層２上にダイオード活性領域の周辺をおおう
ように多孔質絶縁体層２２を設け、ダイオード活
性領域上に一次電子が透過しうるような充分に薄
い金属層５を設け、さらに、金属層５の周辺部上
から多孔質絶縁体層２２上に多孔質絶縁体層２１
のみをおおうように充分厚い金属層６を設けるこ
とにより、電子照射形増幅管用ターゲツトを構成
している。
第３図に示したターゲツトの静電容量は、第４
図に示すように、活性領域の金属層５とn+形半
導体層１にはさまれた領域のn-形半導体層２に
形成される静電容量C1と、活性領域周辺部上の
金属層６とn+形半導体層１にはさまれた領域の
多孔質絶縁体層２２に形成される静電容量C4お
よび多孔質絶縁体層２１に形成される静電容量
C5ならびにn-形半導体層２に形成される静電容
量C6で構成される。
図に示すように、活性領域の金属層５とn+形半
導体層１にはさまれた領域のn-形半導体層２に
形成される静電容量C1と、活性領域周辺部上の
金属層６とn+形半導体層１にはさまれた領域の
多孔質絶縁体層２２に形成される静電容量C4お
よび多孔質絶縁体層２１に形成される静電容量
C5ならびにn-形半導体層２に形成される静電容
量C6で構成される。
この場合、金属層６は充分に厚いので、管内に
発生した二次電子やＸ線は、金属層６を被着させ
てある部分の絶縁体層２１，２２にあたらないの
で、絶縁体層中に正電荷が発生することがなく、
ダイオードの劣化は生じない。一般に、絶縁体の
誘電率は半導体の誘電率より小さい。また、絶縁
体層は多孔質になつているため誘電率はさらに小
さくなる。このため、金属層６を絶縁体層２２の
上に適当な面積をもつて被着させれば、C4、C5、
C6で構成される静電容量が従来のC2、C3で構成
される静電容量より小さくできることから、ター
ゲツトの静電容量を減小させることができ、周波
数特性が改善される。
発生した二次電子やＸ線は、金属層６を被着させ
てある部分の絶縁体層２１，２２にあたらないの
で、絶縁体層中に正電荷が発生することがなく、
ダイオードの劣化は生じない。一般に、絶縁体の
誘電率は半導体の誘電率より小さい。また、絶縁
体層は多孔質になつているため誘電率はさらに小
さくなる。このため、金属層６を絶縁体層２２の
上に適当な面積をもつて被着させれば、C4、C5、
C6で構成される静電容量が従来のC2、C3で構成
される静電容量より小さくできることから、ター
ゲツトの静電容量を減小させることができ、周波
数特性が改善される。
第５図は本発明による電子照射形増幅管用ター
ゲツトの他の実施例の構成を示す図である。
ゲツトの他の実施例の構成を示す図である。
この実施例では、pn接合ダイオードを構成し
たn-形半導体層２およびpn接合活性領域の周囲
に多孔質絶縁体層２１を設けた半導体基板におい
て、活性領域のp+形半導体層３の表面と絶縁体
層２１の表面とが少なくとも同一平面上にあるよ
うに構成し、絶縁体層２１の周囲のn-形半導体
層３の上にも絶縁体層２３を設け、p+形半導体
層３上にこれよりやや広い金属層５を形成し、こ
の金属層５の周辺上及び絶縁体層２１上をおおう
ように充分厚い金属層６を形成して、電子照射形
増幅管用ターゲツトを構成している。
たn-形半導体層２およびpn接合活性領域の周囲
に多孔質絶縁体層２１を設けた半導体基板におい
て、活性領域のp+形半導体層３の表面と絶縁体
層２１の表面とが少なくとも同一平面上にあるよ
うに構成し、絶縁体層２１の周囲のn-形半導体
層３の上にも絶縁体層２３を設け、p+形半導体
層３上にこれよりやや広い金属層５を形成し、こ
の金属層５の周辺上及び絶縁体層２１上をおおう
ように充分厚い金属層６を形成して、電子照射形
増幅管用ターゲツトを構成している。
この実施例の場合、第３図に示したターゲツト
と同様に、二次電子やＸ線などによるダイオード
の劣化は発生せず、ターゲツト静電容量を減小す
ることができるので、周波数特性が改善される。
また、p+形半導体層３の表面とその周囲に構成
した絶縁体層２１の表面が同一平面上にあるた
め、それらの上に形成した金属層５はその厚さが
全面において均一になつており、金属層５が断線
したり、これに穴が発生したりすることがない。
したがつて、金属層６がn-形半導体層２に侵入
することによつて発生するダイオードの劣化を防
止することができる。
と同様に、二次電子やＸ線などによるダイオード
の劣化は発生せず、ターゲツト静電容量を減小す
ることができるので、周波数特性が改善される。
また、p+形半導体層３の表面とその周囲に構成
した絶縁体層２１の表面が同一平面上にあるた
め、それらの上に形成した金属層５はその厚さが
全面において均一になつており、金属層５が断線
したり、これに穴が発生したりすることがない。
したがつて、金属層６がn-形半導体層２に侵入
することによつて発生するダイオードの劣化を防
止することができる。
第６図に上述した本発明に係る電子照射形増幅
管用ターゲツトの実施例の製造方法の一例を示
す。
管用ターゲツトの実施例の製造方法の一例を示
す。
まず、n+形シリコン基板１の上にエピタキシ
ヤル成長法によつて、n-形シリコン層２を形成
した半導体基板のn-形シリコン層２の上に窒化
シリコン膜２４を被着し、この窒化シリコン膜２
４の一部をリング状にホトエツチング法により選
択エツチングして除去してから、n-形半導体層
２にXeランプ光を照射しながら、弗酸水溶液中
で電解電極反応処理を行なつて、窒化シリコン膜
が被着されていないn-形半導体層２の領域に数
μｍ程度の深さの多孔質層２５を形成する（図
ａ）。つぎに、n-形半導体層２の多孔質層２５の
周辺上にある窒化シリコン膜２４を除去した後、
酸素雰囲気中で加熱して、n-形半導体層２の多
孔質層２５ならびにその周辺のn-形半導体層２
の表面を酸化させて、多孔質の酸化シリコン層２
１と緻密な酸化シリコン層２３を形成する（図
ｂ）。つぎに、n-形半導体層２の多孔質酸化シリ
コン層２１に囲まれた領域上の窒化シリコン膜２
４を除去し、低温の雰囲気中でCVD法によつて
厚さ数μｍ程度の多孔質酸化シリコン層２２を
n-形シリコン層２側の全面上に形成し、ホトエ
ツチング法によつて多孔質酸化シリコン層２１で
囲まれたn-形半導体層２上の多孔質酸化シリコ
ン層２２を選択的に除去する（図ｃ）。つぎに、
これを酸化硼素（B2O3）の雰囲気中で加熱して、
多孔質酸化シリコン層２１に囲まれたn-形シリ
コン層２中に数1000Å程度の厚さのp+形シリコ
ン層３を形成し、さらに、p+形シリコン層３上
および多孔質絶縁体層２２上の一部に数100Åか
ら数1000Å程度の厚さのMo層５を真空蒸着法に
より形成し、その後、Mo層５の周辺上および多
孔質酸化シリコン層２２上に多孔質酸化シリコン
層２１をおおうように数1000Å程度の厚さのTi
−Pt層６′をスパツタ法により形成し、このTi−
Pt層６′上に数1000Åから数μｍ程度の厚さのAu
層６をスパツタ法により形成すれば、第６図ｄに
示すように、第３図に示した本発明に係る実施例
のターゲツトが得られる。
ヤル成長法によつて、n-形シリコン層２を形成
した半導体基板のn-形シリコン層２の上に窒化
シリコン膜２４を被着し、この窒化シリコン膜２
４の一部をリング状にホトエツチング法により選
択エツチングして除去してから、n-形半導体層
２にXeランプ光を照射しながら、弗酸水溶液中
で電解電極反応処理を行なつて、窒化シリコン膜
が被着されていないn-形半導体層２の領域に数
μｍ程度の深さの多孔質層２５を形成する（図
ａ）。つぎに、n-形半導体層２の多孔質層２５の
周辺上にある窒化シリコン膜２４を除去した後、
酸素雰囲気中で加熱して、n-形半導体層２の多
孔質層２５ならびにその周辺のn-形半導体層２
の表面を酸化させて、多孔質の酸化シリコン層２
１と緻密な酸化シリコン層２３を形成する（図
ｂ）。つぎに、n-形半導体層２の多孔質酸化シリ
コン層２１に囲まれた領域上の窒化シリコン膜２
４を除去し、低温の雰囲気中でCVD法によつて
厚さ数μｍ程度の多孔質酸化シリコン層２２を
n-形シリコン層２側の全面上に形成し、ホトエ
ツチング法によつて多孔質酸化シリコン層２１で
囲まれたn-形半導体層２上の多孔質酸化シリコ
ン層２２を選択的に除去する（図ｃ）。つぎに、
これを酸化硼素（B2O3）の雰囲気中で加熱して、
多孔質酸化シリコン層２１に囲まれたn-形シリ
コン層２中に数1000Å程度の厚さのp+形シリコ
ン層３を形成し、さらに、p+形シリコン層３上
および多孔質絶縁体層２２上の一部に数100Åか
ら数1000Å程度の厚さのMo層５を真空蒸着法に
より形成し、その後、Mo層５の周辺上および多
孔質酸化シリコン層２２上に多孔質酸化シリコン
層２１をおおうように数1000Å程度の厚さのTi
−Pt層６′をスパツタ法により形成し、このTi−
Pt層６′上に数1000Åから数μｍ程度の厚さのAu
層６をスパツタ法により形成すれば、第６図ｄに
示すように、第３図に示した本発明に係る実施例
のターゲツトが得られる。
以上の製造工程において、第６図ｃにおける多
孔質酸化シリコン層２２を形成する工程をはぶく
ことによつて、第５図に示す本発明に係る他の実
施例のターゲツトが得られる。
孔質酸化シリコン層２２を形成する工程をはぶく
ことによつて、第５図に示す本発明に係る他の実
施例のターゲツトが得られる。
以上のようにして製造された多孔質絶縁体の比
誘電率は、従来の同種絶縁体の比誘電率が４〜５
程度であつたのに対して、２〜３程度に減ずるこ
とが可能である。また、n-形半導体層中に形成
した絶縁体層は、この製法によると、10μｍ程度
の厚さまで製作することが可能になる。
誘電率は、従来の同種絶縁体の比誘電率が４〜５
程度であつたのに対して、２〜３程度に減ずるこ
とが可能である。また、n-形半導体層中に形成
した絶縁体層は、この製法によると、10μｍ程度
の厚さまで製作することが可能になる。
このように構成された電子照射形増幅管用ター
ゲツトは、ターゲツトの静電容量を従来のターゲ
ツトと同程度にすれば、絶縁体層上に形成する充
分厚い金属層の面積を従来の約３〜４倍にできる
ので、二次電子やＸ線によるダイオードの劣化を
防ぐことが可能になる。また、絶縁体層上に形成
する金属層の面積を従来のターゲツトと同程度に
すれば、ターゲツトの静電容量は従来のものの約
0.9倍になるので、周波数特性が改善される。さ
らにまた、第５図の構造のターゲツトでは、n-
形半導体層のp+形半導体層の表面とp+形半導体
層の周辺に形成した絶縁体層２３の表面が同一平
面上に構成されているので、n-形半導体層上に
形成した金属層に断線や穴が発生することがな
く、ダイオードの耐圧が低下するなどの劣化を防
止できる。
ゲツトは、ターゲツトの静電容量を従来のターゲ
ツトと同程度にすれば、絶縁体層上に形成する充
分厚い金属層の面積を従来の約３〜４倍にできる
ので、二次電子やＸ線によるダイオードの劣化を
防ぐことが可能になる。また、絶縁体層上に形成
する金属層の面積を従来のターゲツトと同程度に
すれば、ターゲツトの静電容量は従来のものの約
0.9倍になるので、周波数特性が改善される。さ
らにまた、第５図の構造のターゲツトでは、n-
形半導体層のp+形半導体層の表面とp+形半導体
層の周辺に形成した絶縁体層２３の表面が同一平
面上に構成されているので、n-形半導体層上に
形成した金属層に断線や穴が発生することがな
く、ダイオードの耐圧が低下するなどの劣化を防
止できる。
以上の説明では、半導体層中に絶縁体層を形成
する方法については、電解電極反応と熱酸化によ
る方法を述べたが、この他に、半導体層を選択エ
ツチングし、CVD法やスパツタ法等により、エ
ツチングした領域に絶縁体層を形成する方法など
があり、いずれの方法を用いても本発明の効果を
得ることができる。
する方法については、電解電極反応と熱酸化によ
る方法を述べたが、この他に、半導体層を選択エ
ツチングし、CVD法やスパツタ法等により、エ
ツチングした領域に絶縁体層を形成する方法など
があり、いずれの方法を用いても本発明の効果を
得ることができる。
以上詳細に説明したように、本発明に係る電子
照射形増幅管用ターゲツトは、活性領域の形成さ
れている半導体基板層の内部において、活性領域
の周囲を多孔質の絶縁体層で囲むように構成して
ある。このため、ターゲツトの静電容量を増加さ
せることなく、管内に発生する二次電子やＸ線な
どによるダイオードの劣化を防止できる利点があ
る。また、ダイオードの面積を減少させることな
く、ターゲツトの静電容量を減少させることがで
きるため、出力電流や電力を低下させずにパルス
立上り特性などの周波数特性の改善をはかること
が可能になる。さらにまた、半導体基板層の活性
領域の表面と半導体基板層内に活性領域を囲んで
設けた絶縁体層の表面が同一平面上にあるように
構成したものでは、半導体基板層上に形成した金
属層に断線が穴が発生することがなく、ダイオー
ドの耐圧が低下したり、もれ電流が増加するなど
の劣化を防止することができる。
照射形増幅管用ターゲツトは、活性領域の形成さ
れている半導体基板層の内部において、活性領域
の周囲を多孔質の絶縁体層で囲むように構成して
ある。このため、ターゲツトの静電容量を増加さ
せることなく、管内に発生する二次電子やＸ線な
どによるダイオードの劣化を防止できる利点があ
る。また、ダイオードの面積を減少させることな
く、ターゲツトの静電容量を減少させることがで
きるため、出力電流や電力を低下させずにパルス
立上り特性などの周波数特性の改善をはかること
が可能になる。さらにまた、半導体基板層の活性
領域の表面と半導体基板層内に活性領域を囲んで
設けた絶縁体層の表面が同一平面上にあるように
構成したものでは、半導体基板層上に形成した金
属層に断線が穴が発生することがなく、ダイオー
ドの耐圧が低下したり、もれ電流が増加するなど
の劣化を防止することができる。
第１図は従来の電子照射形増幅管用ターゲツト
の構成と外部接続回路を示す図、第２図は第１図
のターゲツトの静電容量の等価回路を示す図、第
３図は本発明に係る電子照射形増幅管用ターゲツ
トの一実施例の構成を示す図、第４図は第３図の
ターゲツトの静電容量の等価回路を示す図、第５
図は本発明に係る電子照射形増幅管用ターゲツト
の他の実施例の構成を示す図、第６図は本発明に
係る電子照射形増幅管用ターゲツトの製造方法の
一例を示す図である。 図において、１：n+形半導体基板、２：n-形
半導体層、３：p+形半導体層、４：絶縁体層、
５，６，６′：金属層、７：一次電子、８：ビー
ムカツター、９：負荷抵抗、１０：バイアス電
源、１１：コンデンサー、２１，２２：多孔質絶
縁体層、２３：絶縁体層、２４：窒化シリコン
膜、２５：多孔質半導体層。
の構成と外部接続回路を示す図、第２図は第１図
のターゲツトの静電容量の等価回路を示す図、第
３図は本発明に係る電子照射形増幅管用ターゲツ
トの一実施例の構成を示す図、第４図は第３図の
ターゲツトの静電容量の等価回路を示す図、第５
図は本発明に係る電子照射形増幅管用ターゲツト
の他の実施例の構成を示す図、第６図は本発明に
係る電子照射形増幅管用ターゲツトの製造方法の
一例を示す図である。 図において、１：n+形半導体基板、２：n-形
半導体層、３：p+形半導体層、４：絶縁体層、
５，６，６′：金属層、７：一次電子、８：ビー
ムカツター、９：負荷抵抗、１０：バイアス電
源、１１：コンデンサー、２１，２２：多孔質絶
縁体層、２３：絶縁体層、２４：窒化シリコン
膜、２５：多孔質半導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｎ半導体基板上にｎ形半導体層を設け、該ｎ
形半導体層の表面近傍部にｐ形半導体層からなる
活性領域層を形成したpn接合型ダイオードを用
いた電子照射形増幅管用ターゲツトにおいて、上
記活性領域層の厚さ以上の溝深さを有し、かつ上
記活性領域を囲むように形成した環状溝絶縁体部
と、pn接合型ダイオードの活性領域層の上部に
形成し電気的にコンタクトするとともに、一次電
子ビームが透過しうる程度の薄い第１の金属層
と、上記第１の金属層と電気的にコンタクトする
とともに、該第１の金属層の周辺上部並びに、上
記環状溝絶縁体部の上部を覆うように形成し、か
つ一次電子ビームの照射により発生する二次電子
およびＸ線が透過しない程度の充分な厚さを有す
る第２の金属層とから構成したことを特徴とした
電子照射形増幅管用ターゲツト。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の電子照射形増幅
管用ターゲツトにおいて、上記pn接合型ダイオ
ードを構成するｐ半導体層の活性領域層表面と、
上記活性領域を囲むように形成した環状溝絶縁体
部の表面とが同一平面上になるように形成したこ
とを特徴とした電子照射形増幅管用ターゲツト。 ３ 特許請求の範囲第１項記載または特許請求の
範囲第２項記載の電子照射形増幅管用ターゲツト
において、上記環状溝絶縁体部が多孔質SiO2で
構成されたことを特徴とした電子照射形増幅管用
ターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7544378A JPS553143A (en) | 1978-06-23 | 1978-06-23 | Target for electron emission amplifier tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7544378A JPS553143A (en) | 1978-06-23 | 1978-06-23 | Target for electron emission amplifier tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS553143A JPS553143A (en) | 1980-01-10 |
| JPS633469B2 true JPS633469B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=13576385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7544378A Granted JPS553143A (en) | 1978-06-23 | 1978-06-23 | Target for electron emission amplifier tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS553143A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4584159B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2010-11-17 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007227749A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157070A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor radioactive rays detector |
-
1978
- 1978-06-23 JP JP7544378A patent/JPS553143A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS553143A (en) | 1980-01-10 |
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