JPS6334711A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6334711A JPS6334711A JP61176934A JP17693486A JPS6334711A JP S6334711 A JPS6334711 A JP S6334711A JP 61176934 A JP61176934 A JP 61176934A JP 17693486 A JP17693486 A JP 17693486A JP S6334711 A JPS6334711 A JP S6334711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic body
- magnetic material
- lower magnetic
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の技術
従来より磁気記録媒体に信号を記録再生するために、−
例として第２図に示すような構成の薄膜磁気ヘッドが用
いられている。
例として第２図に示すような構成の薄膜磁気ヘッドが用
いられている。
すなわち、基板１上にパーマロイやアモルファス磁性体
などからなる下部磁性体２が形成され、その上にＳｉＯ
２やＡｅ２０３などの絶縁層３を介してＣｕやＡｌから
なるコイル４が形成される。さらに絶縁膜６を介して上
部磁性体１０が形成される。
などからなる下部磁性体２が形成され、その上にＳｉＯ
２やＡｅ２０３などの絶縁層３を介してＣｕやＡｌから
なるコイル４が形成される。さらに絶縁膜６を介して上
部磁性体１０が形成される。
下部磁性体２と上部磁性体１０は、磁気ギャップ３を含
むリングヘッドとしての磁気回路を構成し、またその磁
気回路にコイル４が鎖交している。
むリングヘッドとしての磁気回路を構成し、またその磁
気回路にコイル４が鎖交している。
このような構成の薄膜磁気ヘッドにおいては通常、下部
磁性体２および上部磁性体１０にはトランク幅方向と平
行に磁化容易軸を持つ磁気異方性が付与され、リングヘ
ッドとしての磁気回路を通る磁束の流れは磁化容易方向
と直交させている。
磁性体２および上部磁性体１０にはトランク幅方向と平
行に磁化容易軸を持つ磁気異方性が付与され、リングヘ
ッドとしての磁気回路を通る磁束の流れは磁化容易方向
と直交させている。
このようにして下部磁性体２および上部磁性体１０は高
透磁率で、高周波特性の良い動作をする。
透磁率で、高周波特性の良い動作をする。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来技術の薄膜磁気ヘッドにおいて
、記録密度を向上させるためにトラック幅を小さくした
場合、下部磁性体２および上部磁性体１０の磁化の向き
は、磁性体に付与された磁気異方性によってトラック幅
方向と平行になろうとするが、下部磁性体２および上部
磁性体１ｏのトランク幅方向端部に現われる磁性によっ
て生じる反磁界によってトラック幅方向と直交するよう
になる。このため、透磁率の低下、高周波特性の劣化が
生じる。
、記録密度を向上させるためにトラック幅を小さくした
場合、下部磁性体２および上部磁性体１０の磁化の向き
は、磁性体に付与された磁気異方性によってトラック幅
方向と平行になろうとするが、下部磁性体２および上部
磁性体１ｏのトランク幅方向端部に現われる磁性によっ
て生じる反磁界によってトラック幅方向と直交するよう
になる。このため、透磁率の低下、高周波特性の劣化が
生じる。
問題点を解決するだめの手段
上記の問題点を解決するために、下部磁性体、上部磁性
体のうち少なくとも一方に凸部を形成し、凸部面におい
て下部磁性体と上部磁性体とが突き合わされ、磁気ギャ
ップが形成される。さらに、下部磁性体と上部磁性体の
磁気ギャップ以外の面は、磁気ギヤノブ面と平行になら
ないようにする。
体のうち少なくとも一方に凸部を形成し、凸部面におい
て下部磁性体と上部磁性体とが突き合わされ、磁気ギャ
ップが形成される。さらに、下部磁性体と上部磁性体の
磁気ギャップ以外の面は、磁気ギヤノブ面と平行になら
ないようにする。
作 用
この場合、下部磁性体、あるいは上部磁性体の端部に現
われる磁性によって生じる反磁界を小さくするために、
上部磁性体あるいは下部磁性体の全幅を充分大きくして
おけば、磁性体内の磁化の向きは、付与した異方性の向
き、すなわち上下磁性体の幅方向を向く。トラック幅は
、下部磁性体あるいは上部磁性体に形成された凸部面の
長さで決まる。この長さを小さくした場合、すなわちト
ランク幅を小さくした場合、凸部内の磁化は、付与した
異方性の向き、すなわちトラック幅方向を向き、凸部の
段差部に磁性が発生する。しかし、この磁性は、下部磁
性体２あるいは上部磁性体の凸部以外の部分が存在する
ため弱められる。そのために、凸部内の磁化の向きは、
トラック幅方向を向くことになり、透磁率の低下、高周
波特性の劣化は防ぐことができる。
われる磁性によって生じる反磁界を小さくするために、
上部磁性体あるいは下部磁性体の全幅を充分大きくして
おけば、磁性体内の磁化の向きは、付与した異方性の向
き、すなわち上下磁性体の幅方向を向く。トラック幅は
、下部磁性体あるいは上部磁性体に形成された凸部面の
長さで決まる。この長さを小さくした場合、すなわちト
ランク幅を小さくした場合、凸部内の磁化は、付与した
異方性の向き、すなわちトラック幅方向を向き、凸部の
段差部に磁性が発生する。しかし、この磁性は、下部磁
性体２あるいは上部磁性体の凸部以外の部分が存在する
ため弱められる。そのために、凸部内の磁化の向きは、
トラック幅方向を向くことになり、透磁率の低下、高周
波特性の劣化は防ぐことができる。
下部磁性体あるいは上部磁性体の凸部面以外の面が、凸
部面よりなる磁気ギャップ面と平行のときは、この面が
疑似的な磁気ギヤツブとして動作する恐れがある。凸部
面以外の面を真の磁気ギャップ面に対して傾斜させたり
、あるいは曲面にしたりすることによって、これを防ぐ
ことが可能である。
部面よりなる磁気ギャップ面と平行のときは、この面が
疑似的な磁気ギヤツブとして動作する恐れがある。凸部
面以外の面を真の磁気ギャップ面に対して傾斜させたり
、あるいは曲面にしたりすることによって、これを防ぐ
ことが可能である。
実施例
本発明の実施例を第１図に示す。
結晶化ガラスの基板１の上にＣｏＮｂＺｒアモルファス
磁性体よりなる下部磁性体２が１ｏμｍの厚さして形成
される。下部磁性体２の記録媒体摺接面の近傍の表面に
は、７ｔトエソチングにより縞状の凹凸が形成される。
磁性体よりなる下部磁性体２が１ｏμｍの厚さして形成
される。下部磁性体２の記録媒体摺接面の近傍の表面に
は、７ｔトエソチングにより縞状の凹凸が形成される。
ＳｉＯ２などの絶縁膜３を介して２μｍ厚のＡｌのコイ
ル４がフォトエツチングにより形成される。絶縁膜３に
フォトエツチングで穴をあけ、その部分に下部磁性体凸
部６ａおよび５ｂが形成される。下部磁性体凸部６ａお
よび５ｂは、リフトオフ法で形成された６μｍ厚のアモ
ルファス磁性体である。この上にＡ１２ｏ３の絶縁膜６
を形成した後、表面をラッピングすることにより絶縁膜
６と下部磁性体凸部５ａおよび５ｂの上面が平坦化され
、下部磁性体５ａおよび６ｂが表面に露出される。下部
磁性体凸部５ａの上に磁気ギャップとなるＳ ｉ ０２
の絶縁膜７が形成され、上部磁性体凸部８が形成される
。上部磁性体凸部８はリフトオフ法で形成された６μｍ
厚のアモルファス磁性体である。この上にＡｅ２０３の
絶縁膜９を形成した後、表面をラッピングすることによ
り絶縁膜９と上部磁性体凸部８の上面が平坦化され、上
部磁性体凸部８の上面が表面に露出される。絶縁膜９の
記録媒体摺接面の近傍の表面には、フォトエツチングに
より縞状の凹凸が形成される。この上にアモルファス磁
性体よりなる上部磁性体１０が１０μｍの厚さに形成さ
れる。さらに厚さ１０μｍのＡＩ！２０３の保護膜１１
が形成されてヘッドとなる。
ル４がフォトエツチングにより形成される。絶縁膜３に
フォトエツチングで穴をあけ、その部分に下部磁性体凸
部６ａおよび５ｂが形成される。下部磁性体凸部６ａお
よび５ｂは、リフトオフ法で形成された６μｍ厚のアモ
ルファス磁性体である。この上にＡ１２ｏ３の絶縁膜６
を形成した後、表面をラッピングすることにより絶縁膜
６と下部磁性体凸部５ａおよび５ｂの上面が平坦化され
、下部磁性体５ａおよび６ｂが表面に露出される。下部
磁性体凸部５ａの上に磁気ギャップとなるＳ ｉ ０２
の絶縁膜７が形成され、上部磁性体凸部８が形成される
。上部磁性体凸部８はリフトオフ法で形成された６μｍ
厚のアモルファス磁性体である。この上にＡｅ２０３の
絶縁膜９を形成した後、表面をラッピングすることによ
り絶縁膜９と上部磁性体凸部８の上面が平坦化され、上
部磁性体凸部８の上面が表面に露出される。絶縁膜９の
記録媒体摺接面の近傍の表面には、フォトエツチングに
より縞状の凹凸が形成される。この上にアモルファス磁
性体よりなる上部磁性体１０が１０μｍの厚さに形成さ
れる。さらに厚さ１０μｍのＡＩ！２０３の保護膜１１
が形成されてヘッドとなる。
各磁性体はトラック幅方向に磁化容易軸が向くように異
方性がつけられる。
方性がつけられる。
記録媒体摺接面側から見た図を第１図（ｂ）に示すが、
下部磁性体凸部５ａと上部磁性体凸部８の幅がトランク
幅となり、トラック幅部分以外の磁性体２および１ｏの
面は凹凸が形成されているため磁気ギャップとして動作
しない。
下部磁性体凸部５ａと上部磁性体凸部８の幅がトランク
幅となり、トラック幅部分以外の磁性体２および１ｏの
面は凹凸が形成されているため磁気ギャップとして動作
しない。
本実施例では、下部磁性体凸部および上部磁性体凸部を
設けたが、簡単化のために上部磁性体凸部を省略しても
よい。
設けたが、簡単化のために上部磁性体凸部を省略しても
よい。
発明の効果
下部磁性体あるいは上部磁性体の少なくとも一方に凸部
面を設け、この部分をトラック幅とすることにより、従
来のヘッドのように狭トラック化した時に、トラック幅
端部での磁性による反磁界で、磁化の向きがトラック幅
方向と直交することが無く、透磁率の低下、高周波特性
の劣化を防ぐことができる。
面を設け、この部分をトラック幅とすることにより、従
来のヘッドのように狭トラック化した時に、トラック幅
端部での磁性による反磁界で、磁化の向きがトラック幅
方向と直交することが無く、透磁率の低下、高周波特性
の劣化を防ぐことができる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッ
ドを示す断面図、第１図（ｂ）は同実施例の記録媒体摺
接面を示す正面図、第２図は従来例の薄膜磁気ヘッドを
示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下部磁性体、４・
・・・・・コイル、５ａ・・・・・・下部磁性体凸部、
５ｂ・・・・・・下部磁性体凸部、８・・・・・・上部
磁性体凸部、１ｏ・・・・・・上部磁性体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
ドを示す断面図、第１図（ｂ）は同実施例の記録媒体摺
接面を示す正面図、第２図は従来例の薄膜磁気ヘッドを
示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・下部磁性体、４・
・・・・・コイル、５ａ・・・・・・下部磁性体凸部、
５ｂ・・・・・・下部磁性体凸部、８・・・・・・上部
磁性体凸部、１ｏ・・・・・・上部磁性体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (2)
- （１）第１の磁性層、第２の磁性層のうち少なくとも一
方が凸部を有し、該凸部面において第１の磁性層および
第２の磁性層が突き合わされ、磁気ギャップを形成した
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - （２）第１の磁性層および第２の磁性層の磁気ギャップ
以外の面が磁気ギャップ面と平行でないことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176934A JPS6334711A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176934A JPS6334711A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334711A true JPS6334711A (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16022295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61176934A Pending JPS6334711A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334711A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62126881A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-09 | Shinko Electric Co Ltd | 負荷慣性の補償制御方法 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP61176934A patent/JPS6334711A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62126881A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-09 | Shinko Electric Co Ltd | 負荷慣性の補償制御方法 |
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