JPS6334755A - 光磁気デイスク用光学ヘツド - Google Patents
光磁気デイスク用光学ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6334755A JPS6334755A JP17735786A JP17735786A JPS6334755A JP S6334755 A JPS6334755 A JP S6334755A JP 17735786 A JP17735786 A JP 17735786A JP 17735786 A JP17735786 A JP 17735786A JP S6334755 A JPS6334755 A JP S6334755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- magneto
- optical disk
- optical
- polarizing beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 28
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000002907 paramagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁化方向を熱磁気的に変更することで情報が書
き込まれた光磁気ディスクから情報を読み出し、もしく
は情報を書き込むための光磁気ディスク用光学ヘッドに
関する。
き込まれた光磁気ディスクから情報を読み出し、もしく
は情報を書き込むための光磁気ディスク用光学ヘッドに
関する。
[従来の技術]
この種の光学ヘッドは、磁性体に直線偏光光を投射した
ときその磁化方向に応じて反射光の偏光面が所定角度回
転するカー効果を利用して光磁気ディスクに記録された
情報を読み出すもので、通常、半導体レーザ等の直線偏
光光を発する発光素子から光磁気ディスクまでの光路上
に入射光を所定の割合(例えば50%)で分離するハー
フミラ−を設け、このハーフミラ−により発光素子から
光磁気ディスクに投射した光の反射光を分離して情報信
号検出系及びサーボ信号検出系に伝達することで、光磁
気ディスクに記録された情報を表わす情報信号や光磁気
ディスクへの光の投射状態を表わすサーボ信号を検出す
るようされている。
ときその磁化方向に応じて反射光の偏光面が所定角度回
転するカー効果を利用して光磁気ディスクに記録された
情報を読み出すもので、通常、半導体レーザ等の直線偏
光光を発する発光素子から光磁気ディスクまでの光路上
に入射光を所定の割合(例えば50%)で分離するハー
フミラ−を設け、このハーフミラ−により発光素子から
光磁気ディスクに投射した光の反射光を分離して情報信
号検出系及びサーボ信号検出系に伝達することで、光磁
気ディスクに記録された情報を表わす情報信号や光磁気
ディスクへの光の投射状態を表わすサーボ信号を検出す
るようされている。
[発明が解決しようとする問題点]
ところが上記従来の光学ヘッドでは、発光素子からの投
射光がハーフミラ−を通過する度に所定の割合いで減衰
されるため、上記各信号検出系に伝達される光磁気ディ
スクからの反射光が小さくなって、検出信号のS/N比
が悪くなったり、或いは光の利用効率が低くなり、光源
に大出力の発光素子が必要となる等の問題がおった。ま
た光磁気ディスクからの反射光のうちハーフミラ−で分
離されない光は発光素子に戻るので、発光素子からの投
射光に雑音が発生するといった問題もあった。
射光がハーフミラ−を通過する度に所定の割合いで減衰
されるため、上記各信号検出系に伝達される光磁気ディ
スクからの反射光が小さくなって、検出信号のS/N比
が悪くなったり、或いは光の利用効率が低くなり、光源
に大出力の発光素子が必要となる等の問題がおった。ま
た光磁気ディスクからの反射光のうちハーフミラ−で分
離されない光は発光素子に戻るので、発光素子からの投
射光に雑音が発生するといった問題もあった。
そこで本発明は、発光素子から光磁気ディスクまでの光
の損失を減少すると共にその反射光を効率よく分離する
ことができ、しがも反射光が発光素子まで戻ることのな
い光磁気ディスク用光学ヘッドを提供することを目的と
してなされた。
の損失を減少すると共にその反射光を効率よく分離する
ことができ、しがも反射光が発光素子まで戻ることのな
い光磁気ディスク用光学ヘッドを提供することを目的と
してなされた。
[問題点を解決するための手段]
即ち上記問題点を解決するための本発明の構成は、光磁
気ディスクと該光磁気ディスクに光を投射する投射手段
との間の光路上に、透過する光の偏光面が互いに45度
異なるようにして二つの偏光ビームスプリッタを配置す
ると共に、上記二つの偏光ビームスプリッタの間に、入
射する光の偏光面を45度回転させて透過させるファラ
デ回転子を設け、更に、上記二つの偏光ビームスプリッ
タで分離された上記光磁気ディスクからの反射光を検出
する検出手段を設けたことを特徴とする。
気ディスクと該光磁気ディスクに光を投射する投射手段
との間の光路上に、透過する光の偏光面が互いに45度
異なるようにして二つの偏光ビームスプリッタを配置す
ると共に、上記二つの偏光ビームスプリッタの間に、入
射する光の偏光面を45度回転させて透過させるファラ
デ回転子を設け、更に、上記二つの偏光ビームスプリッ
タで分離された上記光磁気ディスクからの反射光を検出
する検出手段を設けたことを特徴とする。
[作用]
光磁気ディスクへ向って投射手段から投eJJされた光
はまず偏光ビームスプリッタに入射されて、直線偏光成
分の光だけとなって通過し、続いてファラデ回転子に入
射される。ファラデ回転子に入射された光はその偏光面
が45度回転されて、ファラデ回転子を通過し、もう1
つの偏光ビームスプリッタに入射される。すると光は偏
光ビームスプリッタを反射されることなくそのまま通過
して光磁気ディスク上に投射される。
はまず偏光ビームスプリッタに入射されて、直線偏光成
分の光だけとなって通過し、続いてファラデ回転子に入
射される。ファラデ回転子に入射された光はその偏光面
が45度回転されて、ファラデ回転子を通過し、もう1
つの偏光ビームスプリッタに入射される。すると光は偏
光ビームスプリッタを反射されることなくそのまま通過
して光磁気ディスク上に投射される。
そして光磁気ディスクで反射された光は投射された部分
の磁化によるカー効果を受けてその偏光方向にカー回転
角が加えられ再び偏光ビームスプリッタに入射される。
の磁化によるカー効果を受けてその偏光方向にカー回転
角が加えられ再び偏光ビームスプリッタに入射される。
すると偏光ビームスプリッタでは入射された光のうちカ
ー回転成分の光だけが所定方向に反射され、残りの光は
そのまま通過する。そして通過した光は続いてファラデ
回転子に入射され、ファラデ回転子でその偏光面にざら
1:45度回転を加えられて、投射時と90度異なった
直線偏光光となり、偏光ビームスプリッタで反射される
。そしてこの反射された光は先に偏光ビームスプリッタ
で反射されたカー回転成分の光と合わせて検出手段で検
出される。
ー回転成分の光だけが所定方向に反射され、残りの光は
そのまま通過する。そして通過した光は続いてファラデ
回転子に入射され、ファラデ回転子でその偏光面にざら
1:45度回転を加えられて、投射時と90度異なった
直線偏光光となり、偏光ビームスプリッタで反射される
。そしてこの反射された光は先に偏光ビームスプリッタ
で反射されたカー回転成分の光と合わせて検出手段で検
出される。
尚偏光ビームスプリッタとしては従来より、例えばBK
7等の光学硝子で作製された直角プリズムの斜面に種々
の誘電体薄膜を多層コートしたものにコートしない他の
直角プリズムを貼り合せて構成したもの、或いは方解石
等の複屈折性を示す結晶により構成したもの等が知られ
ており、これらのものを用いればよい。またファラデ回
転子としでは従来より、常磁性体FR−5(商品名:H
OYA社製)等のファラデ硝子、YIG(イツトリウム
・アイアン・ガーネット)等の磁性ガーネットの結晶、
或いはそのa11Mに、所定の磁界を印加する永久磁石
やコイルを設けたものが知られており、これを用いれば
よい。
7等の光学硝子で作製された直角プリズムの斜面に種々
の誘電体薄膜を多層コートしたものにコートしない他の
直角プリズムを貼り合せて構成したもの、或いは方解石
等の複屈折性を示す結晶により構成したもの等が知られ
ており、これらのものを用いればよい。またファラデ回
転子としでは従来より、常磁性体FR−5(商品名:H
OYA社製)等のファラデ硝子、YIG(イツトリウム
・アイアン・ガーネット)等の磁性ガーネットの結晶、
或いはそのa11Mに、所定の磁界を印加する永久磁石
やコイルを設けたものが知られており、これを用いれば
よい。
[実施例1
以下に本発明の実施例を第1図及び第2図を用いて説明
する。尚第1図は光磁気ディスク用光学ヘッドの光学系
全体の構成を表わす構成図、第2図はその光学系の通過
によって変化するレーリ゛光の偏光面を表わす説明図で
、第2図において(a)〜(1)は夫々第1図に矢印a
〜1で示すレーザ光に対応している。
する。尚第1図は光磁気ディスク用光学ヘッドの光学系
全体の構成を表わす構成図、第2図はその光学系の通過
によって変化するレーリ゛光の偏光面を表わす説明図で
、第2図において(a)〜(1)は夫々第1図に矢印a
〜1で示すレーザ光に対応している。
図に示す如く本実施例の光学ヘッドでは、半導体レーザ
2から偏光面p1のレーザ光が投射されると、レーザ光
aはコリメートレンズ4で平行光にされた後、偏光ビー
ムスプリッタ6に入射される。偏光ビームスプリッタ6
は偏光面p1の光を透過し、それと直交する偏光面s1
の光を反射するよう設置されており、従って上記入射さ
れたレーザ光aはそのまま透過する。そしてその透過し
たレーザ光すは、入射した光の偏光面を45度回転1−
ノで透過させるファラデ回転子8に入射され、偏光面が
plから45度回転した偏光面p201ノーザ光Cとな
って偏光ビームスプリッタ1oに入射される。この偏光
ビームスプリッタ1oは鵠九面p2の光を透過し、それ
と直交する偏光面S2の光を反射するよう設置されてお
り、入射したレーザ光Cをそのまま透過する。
2から偏光面p1のレーザ光が投射されると、レーザ光
aはコリメートレンズ4で平行光にされた後、偏光ビー
ムスプリッタ6に入射される。偏光ビームスプリッタ6
は偏光面p1の光を透過し、それと直交する偏光面s1
の光を反射するよう設置されており、従って上記入射さ
れたレーザ光aはそのまま透過する。そしてその透過し
たレーザ光すは、入射した光の偏光面を45度回転1−
ノで透過させるファラデ回転子8に入射され、偏光面が
plから45度回転した偏光面p201ノーザ光Cとな
って偏光ビームスプリッタ1oに入射される。この偏光
ビームスプリッタ1oは鵠九面p2の光を透過し、それ
と直交する偏光面S2の光を反射するよう設置されてお
り、入射したレーザ光Cをそのまま透過する。
次に偏光ビームスプリッタ10を透過したレーザ光dは
、対物レンズ14を介して光磁気ディスク16上に投射
され、その集光点での磁化方向に応じて偏光面が±θに
回転されて反射される。そしてその反射されたレーザ光
eは対物レンズ14を介して再び偏光ビームスプリッタ
10に入射される。
、対物レンズ14を介して光磁気ディスク16上に投射
され、その集光点での磁化方向に応じて偏光面が±θに
回転されて反射される。そしてその反射されたレーザ光
eは対物レンズ14を介して再び偏光ビームスプリッタ
10に入射される。
偏光ビームスプリッタ10では、強度■のレーザ光eが
、カー回転成分である偏光面S2.強度l5in(±θ
K)のレーザ光fと、偏光面D2゜強度丁COS (±
θK)のレーザ光Qと、に分割される。モしてレーザ光
fは当該光路上から分離され、偏光ビームスプリッタ1
7に入射される。
、カー回転成分である偏光面S2.強度l5in(±θ
K)のレーザ光fと、偏光面D2゜強度丁COS (±
θK)のレーザ光Qと、に分割される。モしてレーザ光
fは当該光路上から分離され、偏光ビームスプリッタ1
7に入射される。
へ一方、偏光ビームスプリッタ10をそのまま透過した
レーザ光qは再び偏光面がファラデ回転子8により45
度回転させられ、偏光面S1のレーザ光りとなって偏光
、ビームスプリッタ6に入射される。偏光ビームスプリ
ッタ6は偏光面S1の光を反射するので、レーザ光りは
偏光ビームスプリッタ6を透過することなく当該光路上
から分離される。この分離されたレーザ光iはハーフミ
ラ−18でまた透過レーザ光と反射レーザ光jとに二分
割される。
レーザ光qは再び偏光面がファラデ回転子8により45
度回転させられ、偏光面S1のレーザ光りとなって偏光
、ビームスプリッタ6に入射される。偏光ビームスプリ
ッタ6は偏光面S1の光を反射するので、レーザ光りは
偏光ビームスプリッタ6を透過することなく当該光路上
から分離される。この分離されたレーザ光iはハーフミ
ラ−18でまた透過レーザ光と反射レーザ光jとに二分
割される。
次にハーフミラ−18を透過した透過レーザ光はハーフ
ミラ−20に入射され、このハーフミラ−20でさらに
二分割される。そして二分割された一方のレーザ光は2
分割フォトダイオート22に入射され、使方のレーザ光
は集光レンズ24及び円筒レンズ26を介して4分割フ
ォトダイオード28に入射されて、それぞれトラッキン
グ信号、フォーカスエラー信号として受光される。
ミラ−20に入射され、このハーフミラ−20でさらに
二分割される。そして二分割された一方のレーザ光は2
分割フォトダイオート22に入射され、使方のレーザ光
は集光レンズ24及び円筒レンズ26を介して4分割フ
ォトダイオード28に入射されて、それぞれトラッキン
グ信号、フォーカスエラー信号として受光される。
一方、ハーフミラ−18で一部反射された反則レーザ光
jは偏光面回転子30を通って偏光面が45度回転させ
られ、偏光面p2のレーザ光にとなって偏光ビームスプ
リッタ17に入射される。
jは偏光面回転子30を通って偏光面が45度回転させ
られ、偏光面p2のレーザ光にとなって偏光ビームスプ
リッタ17に入射される。
偏光ビームスプリッタ17は偏光面p2の光を反射して
、偏光面S2の光を透過するので、偏光面p2のレーザ
光Kを全て反射させると共に上記偏光ビームスプリッタ
10で分離された偏光面S2のレーザ光fを透過させて
、互いのレーザ光を合成する。
、偏光面S2の光を透過するので、偏光面p2のレーザ
光Kを全て反射させると共に上記偏光ビームスプリッタ
10で分離された偏光面S2のレーザ光fを透過させて
、互いのレーザ光を合成する。
合成されたレーザ光1は第2図(1)で示されるように
合成される迄に経由した2本のレーザ光の光路差から楕
円偏光光となっているので1/4波長板32を介して直
線偏光光にされる。尚、この1/4波長板32を通った
レー普ア光1の偏光面はp2方向を中心として角度十θ
に+、−θに°回転された偏光面となってあり、その角
度θに°は光磁気ディスク16で反射された直後のレー
ザ光のカー回転角θにに比べてp2方向成分が小さくな
った分だCブ、大きくなっている。そして第3図に示す
ようにこのレーザ光1はp2方向に対し+θに゛角度と
α角度を加えた方向を透過方向とするよう設けられた検
光子34を通って、フォトダイオード36に入射される
。このとき、検光子34の入射前のレーザ光の強度を1
0とすると、偏光面がp2方向に対し一部に゛角度回転
されたレーザ光は検光子34を通るど強度IOCO3(
2θに′+α)の微弱光となってフォトダイオード36
で受光される。偏光面がp2方向に対し+θに゛角度回
転されたレーザ光はほとんど反射されることなく、強度
IOCO3αとなって比較的強い光のままフォトダイオ
ード36で受光される。このため受光された光の光f差
の中間にしきい値を設ければ、光磁気゛ディスク16上
に記憶されている磁化の方向を判別できて情報を読み取
ることができるようになる。
合成される迄に経由した2本のレーザ光の光路差から楕
円偏光光となっているので1/4波長板32を介して直
線偏光光にされる。尚、この1/4波長板32を通った
レー普ア光1の偏光面はp2方向を中心として角度十θ
に+、−θに°回転された偏光面となってあり、その角
度θに°は光磁気ディスク16で反射された直後のレー
ザ光のカー回転角θにに比べてp2方向成分が小さくな
った分だCブ、大きくなっている。そして第3図に示す
ようにこのレーザ光1はp2方向に対し+θに゛角度と
α角度を加えた方向を透過方向とするよう設けられた検
光子34を通って、フォトダイオード36に入射される
。このとき、検光子34の入射前のレーザ光の強度を1
0とすると、偏光面がp2方向に対し一部に゛角度回転
されたレーザ光は検光子34を通るど強度IOCO3(
2θに′+α)の微弱光となってフォトダイオード36
で受光される。偏光面がp2方向に対し+θに゛角度回
転されたレーザ光はほとんど反射されることなく、強度
IOCO3αとなって比較的強い光のままフォトダイオ
ード36で受光される。このため受光された光の光f差
の中間にしきい値を設ければ、光磁気゛ディスク16上
に記憶されている磁化の方向を判別できて情報を読み取
ることができるようになる。
以上本実施例の光磁気ディスクの光学ヘッドによれば半
導体レーザから光磁気ディスクへの光路上に設けられた
一対の偏光ビームスプリッタによって光磁気ディスクで
反射された反射レーザ光をその光路−ヒから損失なく、
分離できる。このため、効率良く反射レーザ光を検出系
に伝達できると共に反射レーザ光は半導体レーザの戻り
光とはならず、戻り光によるレーザ光の雑音を防止でき
、かつ半導体レーザを安定に駆動できる。
導体レーザから光磁気ディスクへの光路上に設けられた
一対の偏光ビームスプリッタによって光磁気ディスクで
反射された反射レーザ光をその光路−ヒから損失なく、
分離できる。このため、効率良く反射レーザ光を検出系
に伝達できると共に反射レーザ光は半導体レーザの戻り
光とはならず、戻り光によるレーザ光の雑音を防止でき
、かつ半導体レーザを安定に駆動できる。
また光磁気ディスクで生じるカー回転角を見かけ上人ぎ
なカー回転角として検出系に伝達できるので、検出信号
のS/N比を向上させることができる。
なカー回転角として検出系に伝達できるので、検出信号
のS/N比を向上させることができる。
また第4図に示すように、上記実施例の偏光面回転子3
0及び1/4波長板32.検出子34゜フォトダイオー
ド36の検出系を偏光ビームスプリッタ17の反射面に
対して対称に位置させても、前記と同様に検出でき、光
学ヘッドの構成に汎用性を持たせることができる。
0及び1/4波長板32.検出子34゜フォトダイオー
ド36の検出系を偏光ビームスプリッタ17の反射面に
対して対称に位置させても、前記と同様に検出でき、光
学ヘッドの構成に汎用性を持たせることができる。
さらに光磁気ディスク16と手前の偏光ビームスプリッ
タ10との間にファラデ回転子を追加設置しても同じよ
うに検出できる。この場合、偏光ビームスプリッタ17
、ハーフミラ−18以後の検出系を互いに置き換える必
要がある。
タ10との間にファラデ回転子を追加設置しても同じよ
うに検出できる。この場合、偏光ビームスプリッタ17
、ハーフミラ−18以後の検出系を互いに置き換える必
要がある。
[発明の効果]
以上本発明の光磁気ディスク用光学ヘッドを用いれば、
投射手段から光磁気ディスクの光路上に設けられた一対
の偏光ビームスプリッタによって光磁気ディスクで反射
された反射光をその光路上から損失なく分離できる。こ
のため、投射手段として大出力の光源を必要とすること
なく光の利用効率を高めてS/N比を改善できると共に
投射手段の戻り光とすることなく、戻り光による投射光
の雑音を防止でき、かつ安定に投射手段を駆動できる。
投射手段から光磁気ディスクの光路上に設けられた一対
の偏光ビームスプリッタによって光磁気ディスクで反射
された反射光をその光路上から損失なく分離できる。こ
のため、投射手段として大出力の光源を必要とすること
なく光の利用効率を高めてS/N比を改善できると共に
投射手段の戻り光とすることなく、戻り光による投射光
の雑音を防止でき、かつ安定に投射手段を駆動できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例の光磁気ディスク用光学ヘッドの′光
学系全体の構成を表わす構成図、第2図はその光学系の
矢印a〜1で示されるレーザ光の偏光面の変化を表わす
説明図、第3図は矢印Iで示されるレーリ゛光の偏光方
向とそれが入射される検光子の透過方向を表わす説明図
、第4図は第1図と対応して、一部が変更された光学系
全体の構成を表わす構成図である。 2・・・半導体レーザ 8・・・ファラデ回転子
6.10.17−・・偏光ビームスプリッタ16・・・
光磁気ディスク
学系全体の構成を表わす構成図、第2図はその光学系の
矢印a〜1で示されるレーザ光の偏光面の変化を表わす
説明図、第3図は矢印Iで示されるレーリ゛光の偏光方
向とそれが入射される検光子の透過方向を表わす説明図
、第4図は第1図と対応して、一部が変更された光学系
全体の構成を表わす構成図である。 2・・・半導体レーザ 8・・・ファラデ回転子
6.10.17−・・偏光ビームスプリッタ16・・・
光磁気ディスク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光磁気ディスクと該光磁気ディスクに光を投射する投射
手段との間の光路上に、透過する光の偏光面が互いに4
5度異なるようにして二つの偏光ビームスプリッタを配
置すると共に、 上記二つの偏光ビームスプリッタの間に、入射する光の
偏光面を45度回転させて透過させるファラデ回転子を
設け、 更に、上記二つの偏光ビームスプリッタで分離された上
記光磁気ディスクからの反射光を検出する検出手段を設
けたことを特徴とする光磁気ディスク用光学ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17735786A JPS6334755A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 光磁気デイスク用光学ヘツド |
| US07/066,015 US4812637A (en) | 1986-07-07 | 1987-06-24 | Optical disc head with high signal-to-noise ratio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17735786A JPS6334755A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 光磁気デイスク用光学ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334755A true JPS6334755A (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16029552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17735786A Pending JPS6334755A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-28 | 光磁気デイスク用光学ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334755A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4919451A (en) * | 1987-08-05 | 1990-04-24 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Automatic seat belt device |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP17735786A patent/JPS6334755A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4919451A (en) * | 1987-08-05 | 1990-04-24 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Automatic seat belt device |
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