JPS6335496A - 単結晶ガ−ネツト体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、単結晶ガーネット体、特に分解溶融を示すも
のの製造法に関するものであり、更に詳しくは多結晶体
を固体状態において単結晶化せしめて得られる単結晶ガ
ーネット体の品質を向上せしめる方法に関するものであ
る。

（背景技術） 従来から、単結晶ガーネットなどの単結晶体の製法とし
ては、原料を溶融点以上の高温で溶融せしめて得られる
液相より、目的とする単結晶を育成する手法が採用され
てきており、例えば鉄ガーネツト系単結晶体は、フラッ
クス法、フローティングゾーン（Ｆ　Ｚ）法、液相エピ
タキシャル（ＬＰＥ）法等により製造されている。

しかしながら、フローティングゾーン（ＦＺ）法による
単結晶の製造法は、ハロゲンランプの光を回転楕円画境
により集光して、棒状の多結晶体を局部的に加熱、溶融
せしめ、単結晶を成長させる手法であるが、この方法で
は、１０ｍｍφ程度の小さな棒状の単結晶体しか得るこ
とが出来ず、しかも単結晶の育成に長時間を要し、著し
く生産性の悪いものであった。そして、当然のことなが
ら、その得られた単結晶体のコストも著しく高いもので
あった。

さらに、フラックス法は、Ｐｂｏ、　Ｂｚｏ３等の融剤
を含んだ溶液を徐冷し、種子単結晶を結晶成長させ、目
的とする単結晶体を得るようにした方法であるが、この
方法では、結晶成長に際し、前記した融剤が単結晶中に
取り込まれたり、異相の析出があり、得られる単結晶体
の品質を低下せしめる等といった問題点があった。

また、ＬＰＥ法は、例えばガトリニウムガリウムガーネ
７）（ＧＧＧ）基板上に結晶成長させ、目的とする単結
晶体を得る方法であるが、薄膜しか得られないこと、お
よび高価な基板を必要としたり、量産性が劣るなどとい
った問題点があった。

このように、従来の単結晶体の各種の製造手法において
は、何れも、製造コスト上において、また設備的に、更
には生産性の面において、或いは品質的に、何等かの問
題を有するものであったのである。

そこで、本発明者らは、このような単結晶体の製造手法
における問題点を悉く解消するために、別途、種単結晶
に接触せしめた多結晶体を固体状態において単結晶化せ
しめて、分解溶融を示す単結晶体、特にガーネット単結
晶体を効果的に製造し得る方法を提案した。即ち、この
方法は、単結晶化されるべき多結晶材と所定の種単結晶
材とを接触させて、共晶温度以上、分解溶融温度未満の
温度で加熱せしめ、前記多結晶材を溶融させることなく
、所定の単結晶を前記単結晶材より前記多結晶打方向に
結晶成長させて、単結晶を育成するものであり、これに
よって、均質な単結晶体、特にガーネット単結晶体を量
産性よく、また経済的に有利に製造し得ることとなった
のである。

而して、本発明者らの更なる検討によれば、このように
して得られたガーネット単結晶体には、単結晶化原料た
るガーネット系多結晶材に起因して、成る程度の気泡（
気孔）が含まれるようになルカ、このガーネット単結晶
体が光アイソレータ、電極（磁界）センサー用ファラデ
ー素子等の光磁気材料として用いられることを考えると
、そのような気孔の存在によって光の乱反射等が惹起さ
れて、性能の低下がもたらされないように、そのような
気泡を該ガーネット単結晶体から除去するのが望ましい
ことが明らかとなった。

（発明の目的） ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その目的とするところは、量産生に
富み、均質な、しがち残存気孔の極めて少ない単結晶ガ
ーネット体の製造法を提供することにある。

（発明の構成） そして、本発明は、かかる目的を達成するために、ガー
ネット系多結晶材と少なくとも一部が単結晶である単結
晶ガーネット材とを接触させて、加熱せしめることによ
り、前記ガーネット系多結晶材を溶融させることなく、
該単結晶ガーネット材のガーネット単結晶を、該ガーネ
ット系多結晶材側に結晶成長させて、ガーネット単結晶
を育成し、単結晶ガーネット化体を形成せしめた後、こ
の得られた単結晶ガーネット化体を、熱間静水圧プレス
法により加圧熱処理することを特徴とするものである。

なお、かかる本発明手法においては、前記加圧熱処理は
、好適には、前記単結晶ガーネット化体を、分解溶融温
度未満で、且つ該分解溶融温度より１００℃低い温度以
上の温度において、５００ｋｇ　／　ｃｍ　”以上の圧
力にて、熱間静水圧プレスすることにより、実施される
こととなる。

また、本発明の好ましい実施態様に従えば、前記育成さ
れるガーネット単結晶はイツトリウム鉄ガーネット（Ｙ
ＩＧ）単結晶であり、且つ前記加圧熱処理が、単結晶ガ
ーネット化体を、１４５０℃〜１５５０℃の温度範囲に
おいて、５００ｋｇ／ｃｍ２以上の圧力にて、熱間静水
圧プレスすることにより、実施されることとなる。

（構成の具体的説明） ところで、かかる本発明では、先ず、単結晶化原料たる
ガーネット系多結晶材と所定の種単結晶材、即ち少なく
とも一部がガーネット単結晶から構成されている単結晶
ガーネット材とを接触させ、一般にそれらの接合状態下
において、かかる種単結晶材のガーネット単結晶を、そ
れらの接触界面を乗り越えさせて、ガーネット系多結晶
析側に成長せしめ、かかる多結晶材を単結晶化せしめる
、該多結晶材の固体状態下における単結晶ガーネットの
育成が実施されるが、そのような単結晶の育成にあって
は、かかる多結晶材を溶融させることなく、該多結晶材
の結晶粒界に液相を生成させることにより、単結晶が多
結晶打方向に効果的に成長せしめられるのである。

なお、このような液相を生成させるには、一般に、種単
結晶材に接触せしめられたガーネット系多結晶材を、そ
の共晶温度以上、分解溶融温度未満の温度で加熱するよ
うにされる。

例えば、イツトリウム鉄ガーネット　（Ｙ　Ｉ　Ｇ）材
料にあっては、その相図［Ｊ、Ｈ，Ｖａｎ　Ｈｏｏｋ　
；　Ｊ、Ａｍ。

Ｃｅｒａｍ、Ｓｏｃ、４５．　１６２　（１９６２）　
］において、材料組成が、ＹｚＯ３＝　３７．５　ｎ＋
ｏ１％の化学量論組成よりＦｅ２Ｏ３の多い組成につい
て、液相を生成せしめることが可能であり、またその際
の加熱温度としては、１４６９℃（共晶温度）〜１５５
５℃（分解溶融温度）であり、この加熱温度領域におい
て、ガーネットと液体が共存しているのである。なお、
この領域内において、温度の高い程、また温度保持時間
の長い程、単結晶の成長長さは長くなる。また、加熱温
度が１４６９℃よりも低くなると、単結晶が実質的に成
長しなくなり、一方、１５５５℃よりも高くなると、結
晶が分解する等の不都合が惹起されるのである。

また、かかる本発明に従って単結晶化せしめられるガー
ネット系多結晶材としては、一般に、共晶温度以上、分
解溶融温度未満の温度において、固相（ガーネット）の
体積比率が９５％以上となる組成からなる多結晶材料が
好適に用いられることとなる。けだし、加熱時において
、ガーネット系多結晶材中の液相量が多くなり過ぎると
、ガーネット単結晶の成長が妨げられる等の不都合が惹
起されるからである。

一方、かかるガーネット系多結晶材を単結晶化するため
の種単結晶である種単結晶材は、少なくとも一部が単結
晶である、換言すれば単結晶ガーネットを少な（とも一
部に有するガーネット材料であって、通常、前記ガーネ
ット系多結晶材と同−若しくは類似の組成の種単結晶材
が用いられるものであり、このような種単結晶材の使用
によって、そこに存在するガーネット単結晶部分がらガ
ーネット系多結晶析側に向かって、単結晶が成長するよ
うになるのである。尤も、種単結晶材は、その全体が一
つの単結晶にて形成されたものであっても何等差支えな
いが、経済的な観点からすれば、部分的に単結晶ガーネ
ット部分を有する複合ガーネット材料も好適に用いるこ
とが出来る。

ところで、本発明において育成されるガーネット単結晶
は、好適には、３ＲＺＯ３・５Ｒ“ＺＯＸで示され、そ
してＲがＹ　％　Ｓ　ｍ　、Ｅ　ｕ　、Ｇ　ｄ　、Ｔ　
ｂ　％Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒＸＴｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ。

Ｐ　ｒ　−、Ｎ　ｄ　、８１　％　Ｃａのうちの少なく
とも１種からなり、Ｒ’がＦｅ、ＡＺＸＧａ、Ｉｎ、Ｖ
。

Ｓｎのうちの少なくとも１種からなるガーネット型酸化
物、例えば前記したＹＩＧ単結晶などであるが、それに
は、このような単結晶を与えるようにガーネット系多結
晶材が調製されねばならない。

而して、かかる育成単結晶ガーネットを与える多結晶材
としては、一般に、次式：　６２．５　ｍｏ１％くＲ’
、Ｏ，≦６３．５ｍｏ１％を満足する割合のＲ’、０３
成分（従って、Ｒ２Ｏ３成分としては、３６．５ｍｏ１
％≦ＲｚＣ）＋＜　３７．５　ｍｏ１％の範囲となる）
を有する組成となるように調製されることとなる。なお
、このＲ′２０３の代表的なものは、Ｆｅ２ｏ３である
るが、このＦｅ２Ｏ３の他にも、またこのＦｅ、０゜と
共に、前示の各種の元素の酸化物が単独に或いは複数で
用いられ、更にＲ２０，としては、代表的にはＹ　ｚ　
Ｏ３が用いられるものである。

なお、ガーネット系多結晶材の組成に関して、Ｆｅ、Ｏ
，などのＲ’ｚＯ＋　１が多い程、多結晶体中の液相量
は多く、単結晶成長開始温度は低くなる。

しかし、Ｒ’、Ｏ，量が６３．５ｍｏ１％以上となると
、多結晶体内部で不連続結晶粒成長が惹起され易く、そ
してそれによって巨大な粒子となり、ガーネット単結晶
の成長を妨げる等の不都合を惹起するところから、余り
にも多くのＲ“２０３量の存在は避けることが望ましく
、特に好適には、６３．０ｍｏ１％までとすることが望
ましい。一方、ＦｅｔＯ，などのＲ”ｚＯｚｌが６２．
５ｍｏ１％以下では、単結晶の成長は認められないので
ある。尤も、このようなＲ’　ｚ　Ｏ３と共に、ガーネ
ット系多結晶材の主成分となるＲ２Ｏ３は、かかるＲ’
ｔｏｘ’！ｋに対応して、３６．５ｍｏ１％以上、望ま
しくは３７、Ｏａ＋ｏ１％以上、３７．５ｍｏ１％未満
とされる必要がある。

また、かくの如き手法に従うガーネット単結晶の成長に
際しては、ガーネット単結晶に成長面の異方性があり、
鉄ガーネツト系の成長面は（１１０）面であることが認
められているところから、種子単結晶ガーネットを（１
１０）面とすることにより、換言すれば種単結晶材のガ
ーネット系多結晶材に対する接合面を（１１Ｑ）面とす
ることにより、均一なガーネット単結晶の成長を行なわ
せることが出来、これによって、その後の加工における
ガーネット単結晶の有効利用を図り得る利点を生ずるの
である。

なお、このような単結晶化手法において、ガーネット系
多結晶材と種単結晶材とを接触させて、所定のガーネッ
ト単結晶を育成せしめるに際しては、それらガーネット
系多結晶材及び種単結晶材は、それらの接触に先立って
、相互の密着のために、それらの接触面に対して充分な
鏡面研磨が施されることとなる。また、かかるガーネッ
ト系多結晶材と種単結晶材の突合わせによる接触は、そ
れらの当接部分に、それらを溶解する酸、例えば塩酸、
硝酸、硫酸等、或いはその塩を介在せしめて突き合わせ
、それらガーネット系多結晶材及び種単結晶材を仮接着
させることが望ましい。その理由は、種単結晶材とガー
ネット系多結晶材の相互の位置を、そのような酸によっ
て形成される或いは最初から存在させられる、それら材
料成分の塩により、固定せしめることが望ましいからで
あり、特に前記したように、ガーネット単結晶の成長面
である（１１０）面を固定して、ガーネット系多結晶材
に接触せしめること力ぐ望ましいからである。

そして、このように、種単結晶材をガーネット系多結晶
材に接触せしめた状態において、加熱することにより、
前記したように、ガーネット単結晶が育成せしめられて
、ガーネット系多結晶材の単結晶化が行なわれることと
なるのである。

このようにして得られた単結晶ガーネット化体（ガーネ
ット系多結晶材一種単結晶相接合体の単結晶化物）は、
組成が均質で、従って光磁気特性が安定しており、また
他の手法に比して、量産化が極めて容易であり、その製
造コストを安価と為し得る等の特徴を有しているが、反
面、この単結晶ガーネット化体には、サブミクロンから
数μｍ径の均一に分布した気孔が含まれているところか
ら、本発明にあっては、この単結晶ガーネット化体に対
して所定のＨＩＰ法を適用して、加圧熱処理するように
したのである。

すなわち、本発明は、単結晶ガーネット化体に対して、
ＨＩＰ法による加圧熱処理を施すことにより、その内部
に存在する気孔が有利に減少せしめられ得るとの知見に
基づいて、完成されたものである。そして、その際のＨ
ＩＰ圧力・温度条件は、処理されるべき単結晶ガーネッ
ト化体の種類や気孔の存在状態、更には目的とする気孔
の減少程度等に応じて適宜に選択されることとなるが、
一般に、ＨＩＰ圧力としては、５００ｋｇ／ｃｍ２以上
の圧力が好適に採用され、これによって気孔の減少が有
利に達成される。なお、ＨＩ　Ｐ圧力の上限は装置によ
って決まり、２０００　ｋｇ／ｃｍ２を越えるような高
い圧力を加える場合にあっては、装置が大掛かりとなり
、量産用装置としては不適当である。従って、ＨＩＰ圧
力条件は、５００〜２０００　ｋｇ／　ｃｔｓｚの範囲
で適宜に選択されることとなるが、なかでも１０００〜
１５００ｋｇ／ｃｎ”の範囲内の圧力が好適に採用され
ることとなる。ＨＩＰ圧力が１０００ｋｇ／ｃａ＋２よ
りも低くなると、単結晶ガーネット化体中に存在する気
孔を減少せしめるために、より高い温度が必要となるか
らであり、また１　５００　ｋｇ／ｃｍｚを越えるＨＩ
Ｐ圧力下においては、装置の損傷が激しくなるからであ
る。

また、Ｈｔｐｇ度としては、単結晶ガーネット化体の分
解溶融温度未満で、該分解溶融温度より１００℃低い温
度以上の範囲内の温度を採用するのが適切である。単結
晶ガーネット化体中の気孔の減少は、分解溶融温度より
１００℃低い温度以上の温度下における熱処理によって
、より顕著となるからであり、一方分解溶融温度を越え
るＨＩＰ温度下においては、単結晶ガーネット化体の劣
化が惹起されてしまうからである。なお、育成される単
結晶ガーネットがイツトリウム鉄ガーネット（ＹＩＧ）
であるときは、このＨＩＰ温度としては、実用的には、
１４５０℃〜１５５０℃の温度範囲が採用されることと
なる。

そして、このようなＨＩ　Ｐ処理によって、単結晶ガー
ネット化体中の気孔は、著しく低減せしめられ、気孔率
が有利には０．０１％以下とされ得、以て気孔による悪
影響が極力回避され得、品質の良好な単結晶ガーネット
体が有利に製造され得るのである。また、そのような単
結晶ガーネット体は、固体状態下での単結晶の育成によ
って得られる単結晶ガーネット化体が用いられるもので
あるところから、量産性に冨み、また組成が均質で、且
つ製造コストの安価な単結晶体である特徴を有している
のである。

なお、本発明において、気孔率とは、試料の任意の切断
面における気孔の占める面積を百分率にて示したもので
あり、具体的には、次のようにして求められた値である
。即ち、所定の試料の任意の切断面に対して研磨を施し
、その研磨面を金属顕微鏡を用いて１０００倍の倍率に
て検査し、視野中の気孔径：ｄと、その個数：ｎを測定
して、全視野面積に対する気孔面積より、下式に従って
気孔率（Ｐ）が求められるのである。

ｄ。

但し、ｄ、：気孔径（長径） ｎ、：気孔径ｄ、の気孔数 （実施例） 以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発明を更に
具体的に明らかにすることとするが、本発明が、かかる
実施例の記載によって同等制限的に解釈されるものでな
いことは、言うまでもないところである。

また、本発明が、以下の実施例の他にも、更に上記した
具体的記述の他にも、本発明の趣旨を逸脱しない限りに
おいて、当業者の知識に基づいて種々なる形態において
実施され得るものであることも、理解されるべきである
。

実施例　１ 純度：９９．９９％の酸化イツトリウムと純度＝９９．
５％の酸化第２鉄とを原料として用いて、Ｙ２０ｚ　＝
　３７．４　ｍｏ１％、Ｆ　ｅ　ｚｏｘ＝　６２．６　
ｍｏ１％の調合物を調製した後、かかる調合物を成形し
、そしてそれを１３５０℃で４時間焼成することにより
、ＹＩＧ系の多結晶体を得た。

次いで、この多結晶体とＦＺ法により作られたＹＩＧ単
結晶とから、それぞれ、ｌＱｍｍＸＩＱｍｍ×１０１−
の多結晶材と１０龍×１０龍×０．５鶴の種単結晶材と
を試料として切り出し、そしてその接合面を、ダイヤモ
ンド砥粒を用いてスズ盤で研磨して、平滑度：Ｒｍａｘ
が０．０３μｍの面と為した後、更にその接合面に硝酸
を塗布して、それら種単結晶材と多結晶材を重ね合わせ
、そして１３００℃で１時間加熱することにより、それ
ら多結晶材と種単結晶材とを接合した。

そして、この得られた接合体に対して、更に昇温速度＝
３００℃／時で１５３０℃まで昇温し、そのまま８時間
温度保持して加熱した後、冷却することからなる単結晶
育成操作を施した結果、単結晶成長長さ８龍のＹＩＧ単
結晶化物を得た。そして、この単結晶化物の気孔率を測
定したところ、０．５％であった。

次いで、このようにして得られたＹＩＧ単結晶化物をＨ
ＩＰ炉に入れ、そしてＡｒガスを加圧媒体として、３０
０℃／時の昇温速度で昇温し、下記第１表に示した保持
温度、圧力条件で１時間保持した後、冷却して、かかる
ＹＩＧ単結晶化物の気孔率を測定したところ、下記第１
表の如くなった。

かかる第１表から明らかなように、温度の高い程、また
圧力の高い程、ＹＩＧ単結晶化物中の気孔は減少した。

そして、温度：ｔ４ｓｏ℃以上、圧カニ　５００　ｋｇ
／ｃｒａ”以上の条件の組合せで、気孔率が０．１％以
下のＹＩＧ単結晶化物を有利に得ることが出来た。

第　　１　　表 実施例　２ 純度：９９．９９％の酸化インドリウム、純度：９９．
９％の酸化テルビウム、純度：９９．９％の酸化鉄を原
料として使用して得られた、ＹｚＯ３＝３０．３ｍｏ１
％、Ｔ　ｂ　ｚｏｓ＝　７．１　ｍｏ１％、Ｆｅ、Ｏ。

＝６２．６ｍｏ１％の調合物を成形し、そしてその成形
体を１４００℃の温度で４時間焼成することにより、ガ
ーネット系多結晶体を得た。

次いで、この得られた多結晶体及びこれと路間−の組成
を有する単結晶体とから、それぞれ、１０龍ｘｌＱｍｍ
Ｘ１０龍の原料多結晶材と１０１霞×１０ｍｍＸＱ、５
＋ｎの種単結晶材とを試料として切り出し、そしてその
接合面を、ダイヤモンド砥粒を用いてスズ盤で研磨して
、平滑度：Ｒｍａｘが０．０３μｍの平滑面と為し、更
にその接合面に硝酸を塗布した後、それら単結晶材と多
結晶材を重ね合わせ、そして１３００℃の温度で１時間
加熱せしめて、接合した。

そして、この得られた接合体を、更に、昇温速度；３０
０℃／時で１５３０℃まで昇温し、そのまま４時間温度
保持した後、冷却することにより、単結晶育成扱作を行
なった結果、種子単結晶材より単結晶が５　ｕ＋成長し
たブロック状の単結晶体を得た。この単結晶体の気孔率
は０．３％であった。

次に、この単結晶化ブロックをＨＩＰ炉中に入れ、そし
てＡｒガスを媒体として、３００℃／時の昇温速度で昇
温し、温度：　１５３０℃、圧力；１５００　ｋｇ／　
ｃｓ”で加熱・加圧処理した後、冷却し、気孔率を測定
したところ、０．０１％以下であった。

実施例　３ 純度：９９．９９％の酸化イツトリウム、純度：９９．
９％の酸化鉄、純度：９９．９％の炭酸カルシウム、純
度：９９．９％の二酸化スズ、及び純度：９９．９％の
五酸化バナジウムを原料として用いて得られた、ＹｚＯ
３＝　２１．１　　ｍｏ１％、ＦｅｚＯ３＝４４．７＋
ｎｏ１％、Ｃａ０＝２１．１　ｍｏ１％、５ｎｏｚ”１
０．５ｍｏ１％、ＶｚＯｓ＝２．６　ｍｏ１％の調合物
を１２００℃で仮焼した後、粉砕し、そしてこの得られ
た粉末を成形し、その成形物を１３５０℃で４時間焼成
することにより、多結晶体を得た。

この多結晶体と類似の組成を有する単結晶体とから、そ
れぞれ、１０龍Ｘ１０龍ＸＩＱｍｍの多結晶材とＩ　Ｑ
ｍ＠Ｘ　Ｉ　Ｑ＋ｎＸＱ、５ｍｍの種単結晶材とを試料
として切り出し、その接合面をダイヤモンド砥粒を用い
てスズ盤で研磨して、平滑度：Ｒｍａｘが０．０３μｍ
の平滑面と為し、そしてその接合面に硝酸を塗布した後
、それら種単結晶材と多結晶材とを重ね合わせて、１３
００℃の温度で１時間加熱することにより、接合せしめ
た。

そして、この接合物を、更に、昇温速度：３００゛Ｃ／
時で１４００℃まで昇温し、そして１４００℃から１０
℃７７時の昇温速度で１５００℃まで昇温した後、冷却
して、得られたガーネット単結晶育成物の気孔率を測定
したところ、０．０５％であった。

次いで、このガーネット単結晶化ブロックをＨＩＰ炉中
に入れ、そしてＡｒガスを媒体として、３００℃／時の
速度で昇温し、温度：１４５０℃、圧カニ　２０００　
ｋｇ／ｃｓ”で１時間保持した後、冷却し、気孔率を測
定したところ、０．０１％以下であった。

（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、本発明に従えば、単結
晶化原料たるガーネット系多結晶材を種単結晶材（ガー
ネット単結晶）に接触させて、該多結晶材を溶融させる
ことなく、固体状態にてガーネット単結晶の育成を行な
い、そして得られた単結晶ガーネット化体をＨＩＰ処理
することによって、その内部の気孔を有利に除去せしめ
ることが出来るものであるところから、量産性に著しく
富み、しかも従来の装置の如く、単結晶材や多結晶材を
回転させつつ、単結晶化せしめる必要が全（ないために
、装置的にも掻めて簡略化され、また大型装置を必要と
せず、コスト的に他の手法に比べて安価であり、しかも
工程としても簡単である等の特徴を有しているのであり
、以て低気孔で、安価な単結晶ガーネット体、特にＹＩ
Ｇ系単結晶体を有利に提供し得ることとなったのである
。

そして、このようにして得られた均質な単結晶ガーネッ
ト体、特にＹＩＧ系単結晶体は、光アイソレータや電流
（磁界）センサー用ファラデー素子等の磁気光学材料と
して、有利に用いられることとなったのである。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガーネット系多結晶材と少なくとも一部が単結晶
   である単結晶ガーネット材とを接触させて、加熱せしめ
   ることにより、前記ガーネット系多結晶材を溶融させる
   ことなく、該単結晶ガーネット材のガーネット単結晶を
   、該ガーネット系多結晶材側に結晶成長させて、ガーネ
   ット単結晶を育成し、単結晶ガーネット化体を形成せし
   めた後、この得られた単結晶ガーネット化体を熱間静水
   圧プレス法により加圧熱処理することを特徴とする単結
   晶ガーネット体の製造法。
2. （２）前記加圧熱処理が、前記単結晶ガーネット化体を
   、分解溶融温度未満で、且つ該分解溶融温度より１００
   ℃低い温度以上の温度において、５００ｋｇ／ｃｍ＾２
   以上の圧力にて、熱間静水圧プレスすることからなる特
   許請求の範囲第１項記載の単結晶ガーネット体の製造法
   。
3. （３）前記ガーネット単結晶がイットリウム鉄ガーネッ
   ト単結晶であり、且つ前記加圧熱処理が、単結晶ガーネ
   ット化体を、１４５０℃〜１５５０℃の温度範囲におい
   て、５００ｋｇ／ｃｍ＾２以上の圧力にて、熱間静水圧
   プレスすることからなる特許請求の範囲第１項または第
   ２項記載の単結晶ガーネット体の製造法。