JPS6045158B2 - 薄板状単結晶フエライトの製造方法 - Google Patents
薄板状単結晶フエライトの製造方法Info
- Publication number
- JPS6045158B2 JPS6045158B2 JP6613579A JP6613579A JPS6045158B2 JP S6045158 B2 JPS6045158 B2 JP S6045158B2 JP 6613579 A JP6613579 A JP 6613579A JP 6613579 A JP6613579 A JP 6613579A JP S6045158 B2 JPS6045158 B2 JP S6045158B2
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- JP
- Japan
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- ferrite
- single crystal
- crystal ferrite
- polycrystalline
- partial pressure
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶フェライトの製造方法に係り、特に任意
の結晶方位が選択出来且つ均一な組成で且つ収率高く薄
板状単結晶フェライトが得られる製造方法に関する。
の結晶方位が選択出来且つ均一な組成で且つ収率高く薄
板状単結晶フェライトが得られる製造方法に関する。
従来、単結晶フェライトは、原料フェライトを熔融後、
徐々に冷却し直接単結晶化するブリツヂマン法、或いは
低融点のＰｂＯ、ＰｂＦ。
徐々に冷却し直接単結晶化するブリツヂマン法、或いは
低融点のＰｂＯ、ＰｂＦ。
等の融液に原料フェライトを熔融し、徐々に冷却、析出
させ単結晶化するフラックス法で製作されている。とこ
ろでブリツヂマン法の長所は、比較的容易に大形の単結
晶フェライトの得られることだが、フェライトの融点が
１６００℃前後と極めて高いため、加熱装置が大形化す
るため高価になること、及び、フェライト融液の化学的
活性が高いため、融液を保持するルツボに高価な貴金属
製のものを使用しなければならないと云う短所がある。
一方、フラックス法は比較的低温で単結晶化出来ると云
う長所はあるものの、やはりフラックスの化学的活性が
高いため貴金属製のルツボを使用しなければならず、更
にフラックスに用いるＰｂＯやＰｂＦ２等の低融点物質
に有害なものが多く、単結晶育成中にこれらが蒸発し易
いと云う難点がある。本発明はかかる従来の単結晶フェ
ライト製造方法の難点を改良した薄板状フェライトの製
造方法を提供することにある。
させ単結晶化するフラックス法で製作されている。とこ
ろでブリツヂマン法の長所は、比較的容易に大形の単結
晶フェライトの得られることだが、フェライトの融点が
１６００℃前後と極めて高いため、加熱装置が大形化す
るため高価になること、及び、フェライト融液の化学的
活性が高いため、融液を保持するルツボに高価な貴金属
製のものを使用しなければならないと云う短所がある。
一方、フラックス法は比較的低温で単結晶化出来ると云
う長所はあるものの、やはりフラックスの化学的活性が
高いため貴金属製のルツボを使用しなければならず、更
にフラックスに用いるＰｂＯやＰｂＦ２等の低融点物質
に有害なものが多く、単結晶育成中にこれらが蒸発し易
いと云う難点がある。本発明はかかる従来の単結晶フェ
ライト製造方法の難点を改良した薄板状フェライトの製
造方法を提供することにある。
本発明によれば予め製作された単結晶フェライトと多結
晶フェライトとを接触させ、接触面に垂直に圧力を印加
しながら、比較的低温の熱処理を行ない、単結晶フェラ
イトと多結晶フェライトとの直接的な固相反応により両
者を接合（併合）するに当り、接合時の温度・酸素分圧
条件を単結晶フェライト作製時の温度・酸素分圧条件に
比べ酸Ｊ化性に、また多結晶フェライト作製時の温度・
酸素分圧条件に比べ還元性に選択することにより、多結
晶フェライトが著しく早い速度で単結晶フェライト部分
に併合され、一体化しうるもので、種々の実験により見
出したことにより為されたものである。
晶フェライトとを接触させ、接触面に垂直に圧力を印加
しながら、比較的低温の熱処理を行ない、単結晶フェラ
イトと多結晶フェライトとの直接的な固相反応により両
者を接合（併合）するに当り、接合時の温度・酸素分圧
条件を単結晶フェライト作製時の温度・酸素分圧条件に
比べ酸Ｊ化性に、また多結晶フェライト作製時の温度・
酸素分圧条件に比べ還元性に選択することにより、多結
晶フェライトが著しく早い速度で単結晶フェライト部分
に併合され、一体化しうるもので、種々の実験により見
出したことにより為されたものである。
以下に本発明を実施例に基づき説明する。
実施例１
Ｍｎ０．６０ｚｎ０．３４Ｆｅ２．１。
０４なる組成の単結晶フェライトを空気中で１７００℃
の熔融状態から製作した。
の熔融状態から製作した。
次に同組成の多結晶フェライトを１４００℃、１３００
℃、１２００℃の焼成温度で熱間加圧して製作した。熱
間加圧時の酸素分圧はいずれも０．０５気圧とした。次
にこれらの単結晶フェライトと多結晶フェライトとを組
合せ、いずれも１３００℃で０ｋｇ／ｄの圧力を印加し
、１時間保持し、３種の接合されたフェライトを製作し
た。熱間加圧時の酸素分圧はいずれも０．０５気圧とし
た。第１図はＭｒｌＯ．６ＯｚｎＯ．３４Ｆｅ２．ｌ２
Ｏ４なる組成のフェライトの平衡状態図であり、第１図
中Ａは相境界で、Ａの右上はフェライトとα−Ｆｅ２Ｏ
３等とが共存する多相領域で、Ａの左下はフェライト単
相の領域である。
℃、１２００℃の焼成温度で熱間加圧して製作した。熱
間加圧時の酸素分圧はいずれも０．０５気圧とした。次
にこれらの単結晶フェライトと多結晶フェライトとを組
合せ、いずれも１３００℃で０ｋｇ／ｄの圧力を印加し
、１時間保持し、３種の接合されたフェライトを製作し
た。熱間加圧時の酸素分圧はいずれも０．０５気圧とし
た。第１図はＭｒｌＯ．６ＯｚｎＯ．３４Ｆｅ２．ｌ２
Ｏ４なる組成のフェライトの平衡状態図であり、第１図
中Ａは相境界で、Ａの右上はフェライトとα−Ｆｅ２Ｏ
３等とが共存する多相領域で、Ａの左下はフェライト単
相の領域である。
Ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇはフェライト中に含まれる
（Ｆｅ２つの量（重量％）を示すもので、順次１．８７
，１．８，１。７，１．５，１．３，１．１，０．９％
に対応している。
（Ｆｅ２つの量（重量％）を示すもので、順次１．８７
，１．８，１。７，１．５，１．３，１．１，０．９％
に対応している。
第１図から読みとれるように、接合処理を行なつた１３
００℃、酸素分圧０．０５気圧と云う条件は、単結晶フ
ェライト及び１４００℃で製作した多結晶フェライトに
関し、Ｆｅ２＋の濃度が減少し、Ｆｅ３＋の濃度が増加
する条件、即ち酸化性の条件であり、１３００℃で製作
した多結晶フェライトに関し中性の条件であり、１２０
０℃で製作した多結晶フェライトに関し、Ｆｅ２＋の濃
度が増加し、Ｆｅ３＋の濃度が減少する条件、即ち還元
性の条件である。第２図は、これら３種の接合されたフ
ェライトの接合境界部近傍の顕微鏡写真である。
００℃、酸素分圧０．０５気圧と云う条件は、単結晶フ
ェライト及び１４００℃で製作した多結晶フェライトに
関し、Ｆｅ２＋の濃度が減少し、Ｆｅ３＋の濃度が増加
する条件、即ち酸化性の条件であり、１３００℃で製作
した多結晶フェライトに関し中性の条件であり、１２０
０℃で製作した多結晶フェライトに関し、Ｆｅ２＋の濃
度が増加し、Ｆｅ３＋の濃度が減少する条件、即ち還元
性の条件である。第２図は、これら３種の接合されたフ
ェライトの接合境界部近傍の顕微鏡写真である。
イは接合時の温度・酸素分圧条件が単結晶フェライトに
関し酸化性、多結晶フェライトに関し還元性の場合、明
ま単結晶フェライトに関し酸化性、多結晶！フェライト
に関し中性の場合、ハは単結晶フェライトに関し酸化性
、多結晶フェライトに関し酸化性の場合に対応している
。また、ａは単結晶フェライト部分、ｂは多結晶フェラ
イト部分、１は接合前の単結晶フェライトと多結晶フェ
ライトとの１境界部の位置であり、２は接合後の境界で
あり、３は接合に伴ない単結晶フェライト部分に併合さ
れた多結晶フェライト粒子層である。第２図から判るよ
うに、接合時の温度・酸素分圧条件が単結晶フェライト
に関し酸化性、多結晶フェライトに関し還元性である場
合（第２図イ）には、接合過程で単結晶フェライト部分
に併合される多結晶フェライト部分の厚さは約２００μ
ｍにも達している。
関し酸化性、多結晶フェライトに関し還元性の場合、明
ま単結晶フェライトに関し酸化性、多結晶！フェライト
に関し中性の場合、ハは単結晶フェライトに関し酸化性
、多結晶フェライトに関し酸化性の場合に対応している
。また、ａは単結晶フェライト部分、ｂは多結晶フェラ
イト部分、１は接合前の単結晶フェライトと多結晶フェ
ライトとの１境界部の位置であり、２は接合後の境界で
あり、３は接合に伴ない単結晶フェライト部分に併合さ
れた多結晶フェライト粒子層である。第２図から判るよ
うに、接合時の温度・酸素分圧条件が単結晶フェライト
に関し酸化性、多結晶フェライトに関し還元性である場
合（第２図イ）には、接合過程で単結晶フェライト部分
に併合される多結晶フェライト部分の厚さは約２００μ
ｍにも達している。
一方、単結晶フェライトに関し酸化性、多結晶フェライ
トに関し、中性若しくは酸化性の場合（第２図叫ハ）に
は、接合過程で単結晶フェライト部分に併合される多結
晶フェライト部分の厚さは極めてわずかである。なお、
接合フ処理により単結晶フェライト部分に併合された多
結晶フェライト部分は、この併合層にエッチビットが多
いことから明瞭に判別出来る。以上の結果から明らかの
ように、単結晶フェライトと多結晶フェライトとを接触
させ、圧力を加門え、熱処理を行ない両者の直接的な固
相反応により両者を一体化、接合する際の温度・酸素分
圧条件を、単結晶フェライト製作時の温度・酸素分圧条
件に比べ酸化性とし、多結晶フェライト製作時の温度・
酸素分圧条件に比べ還元性とした場合、゛多結晶フェラ
イト部分は著しく早い速度で単結晶フェライト部分に併
合されること、即ち単結晶フェライト化出来ることが判
る。
トに関し、中性若しくは酸化性の場合（第２図叫ハ）に
は、接合過程で単結晶フェライト部分に併合される多結
晶フェライト部分の厚さは極めてわずかである。なお、
接合フ処理により単結晶フェライト部分に併合された多
結晶フェライト部分は、この併合層にエッチビットが多
いことから明瞭に判別出来る。以上の結果から明らかの
ように、単結晶フェライトと多結晶フェライトとを接触
させ、圧力を加門え、熱処理を行ない両者の直接的な固
相反応により両者を一体化、接合する際の温度・酸素分
圧条件を、単結晶フェライト製作時の温度・酸素分圧条
件に比べ酸化性とし、多結晶フェライト製作時の温度・
酸素分圧条件に比べ還元性とした場合、゛多結晶フェラ
イト部分は著しく早い速度で単結晶フェライト部分に併
合されること、即ち単結晶フェライト化出来ることが判
る。
実施例２
Ｍｎ０◆６０ｚｎ０・３４Ｆｅ２◆１２０４なる組成の
単結晶フェライトを空気中で１７００℃の熔融状態から
製作した。
単結晶フェライトを空気中で１７００℃の熔融状態から
製作した。
次に同組成の多結晶フェライトを酸素分圧０．０５気圧
のガス気流中、１２００℃の焼成温度で熱間加圧して製
作した。しかる後これらの単結晶フェライトと多結晶フ
ェライトとを４０７！Ｒｍφ×１ＴＩ！Ｍｔの寸法に仕
上げ、両者を組合せ、酸素分圧０．０５気圧のガス気流
中、１４００℃で５ｋｇ／Ｃｌｔの圧力を印加し、２時
間保持した。かくして製作した接合（併合）されたフェ
ライトを切断し、研磨、エッチングを施したところ多結
晶フェライト部分は全て単結晶フェライトに併合されて
いた。以上説明したように、本発明によれば比較的低温
で、高価な貴金属製のルツボを使用することなく、また
有害物質を使用することなく薄板状の単結晶フェライト
を製造することが出来る。
のガス気流中、１２００℃の焼成温度で熱間加圧して製
作した。しかる後これらの単結晶フェライトと多結晶フ
ェライトとを４０７！Ｒｍφ×１ＴＩ！Ｍｔの寸法に仕
上げ、両者を組合せ、酸素分圧０．０５気圧のガス気流
中、１４００℃で５ｋｇ／Ｃｌｔの圧力を印加し、２時
間保持した。かくして製作した接合（併合）されたフェ
ライトを切断し、研磨、エッチングを施したところ多結
晶フェライト部分は全て単結晶フェライトに併合されて
いた。以上説明したように、本発明によれば比較的低温
で、高価な貴金属製のルツボを使用することなく、また
有害物質を使用することなく薄板状の単結晶フェライト
を製造することが出来る。
また本発明によれば組成の均一な多結晶フェライトを単
結晶化するため得られる単結晶フェライトの組成が均一
になると云う利点もある。
結晶化するため得られる単結晶フェライトの組成が均一
になると云う利点もある。
更に予め製作された単結晶フェライトを単結晶化のシー
トとするため得られる単結晶フェライトの結晶方位がシ
ートと同一、即ち、所望の結晶方位の単結晶フェライト
を得ることが出来る。しかして、単結晶フェライトを部
品化、回路素子化する工程において単結晶フェライトは
所定の寸法に仕上げられることが通例だが、本発明によ
れば所定の寸法のものを容易に得ることが出来る。なお
、上記説明或いは実施例から容易に類推出来るように、
本発明は組成、成分比の異なるフェライトについても摘
用出来る。
トとするため得られる単結晶フェライトの結晶方位がシ
ートと同一、即ち、所望の結晶方位の単結晶フェライト
を得ることが出来る。しかして、単結晶フェライトを部
品化、回路素子化する工程において単結晶フェライトは
所定の寸法に仕上げられることが通例だが、本発明によ
れば所定の寸法のものを容易に得ることが出来る。なお
、上記説明或いは実施例から容易に類推出来るように、
本発明は組成、成分比の異なるフェライトについても摘
用出来る。
また、接合時の温度・酸素分圧条件を多結晶フェライト
製作時の温度・酸素分圧条件に比べ還元性にするには、
多結晶フェライトの製作温度と接合処理温度とが同一の
場合でも、酸素分圧条件のみを還元性にすれば良い。
製作時の温度・酸素分圧条件に比べ還元性にするには、
多結晶フェライトの製作温度と接合処理温度とが同一の
場合でも、酸素分圧条件のみを還元性にすれば良い。
第１図はＭｒｌＯ．．ＺｒＸＯ．３４Ｆｅ２．ｌ２Ｏ４
なる組成のフェライトの平衡状態図、第２図は多結晶フ
ェライトと単結晶フェライトとを接合（併合）して得た
単結晶フェライトの顕微鏡写真であり、イは本発明方法
によつた場合を、町ハは本発明外の方法によつた場合を
それぞれ示す。
なる組成のフェライトの平衡状態図、第２図は多結晶フ
ェライトと単結晶フェライトとを接合（併合）して得た
単結晶フェライトの顕微鏡写真であり、イは本発明方法
によつた場合を、町ハは本発明外の方法によつた場合を
それぞれ示す。
Claims (1)
- １ 単結晶フェライトと多結晶フェライトとを接触させ
、熱間で加圧し、両者の直接的な固相反応により相互拡
散層を形成せしめ、単結晶フェライトを製造するに当り
、前記熱間加圧時の温度、酸素分圧条件を素体である単
結晶フェライトに関し酸化性、多結晶フェライトに関し
還元性に選択することを特徴とする薄板状単結晶フェラ
イトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6613579A JPS6045158B2 (ja) | 1979-05-30 | 1979-05-30 | 薄板状単結晶フエライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6613579A JPS6045158B2 (ja) | 1979-05-30 | 1979-05-30 | 薄板状単結晶フエライトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55158199A JPS55158199A (en) | 1980-12-09 |
| JPS6045158B2 true JPS6045158B2 (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=13307113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6613579A Expired JPS6045158B2 (ja) | 1979-05-30 | 1979-05-30 | 薄板状単結晶フエライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045158B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628864U (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-20 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162496A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-17 | Ngk Insulators Ltd | Manufacture of single crystal |
-
1979
- 1979-05-30 JP JP6613579A patent/JPS6045158B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628864U (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55158199A (en) | 1980-12-09 |
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