JPS6337518B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6337518B2 JPS6337518B2 JP54026491A JP2649179A JPS6337518B2 JP S6337518 B2 JPS6337518 B2 JP S6337518B2 JP 54026491 A JP54026491 A JP 54026491A JP 2649179 A JP2649179 A JP 2649179A JP S6337518 B2 JPS6337518 B2 JP S6337518B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- holes
- photosensitive film
- film
- green sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/098—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIC，LSI等の半導体素子を塔載する高
密度回路基板の製造方法に関する。
密度回路基板の製造方法に関する。
IC，LSI等の半導体素子の高密度化に伴い、こ
れら素子をパツケージして塔載する回路基板も、
より配線密度の高いものが要求されている。回路
基板の配線密度を高めるためには、導体回路の線
幅を微細化し、かつ多層化することが必要であ
る。
れら素子をパツケージして塔載する回路基板も、
より配線密度の高いものが要求されている。回路
基板の配線密度を高めるためには、導体回路の線
幅を微細化し、かつ多層化することが必要であ
る。
回路基板の導体回路は通常スクリーン印刷法に
より形成される。これはシルクスクリーン或いは
ナイロン等の網目より導体ペーストを押出し厚膜
の導体パターンを形成するもので、シルク或いは
ナイロンのワイヤ太さは30μｍが限界で、これ以
上細くできない。従つてこれによつて形成された
導体回路幅の最小は125μｍが精一杯の幅である。
従来のスクリーン印刷法による導体回路では
100μｍ以下の微細な導体回路幅を形成すること
は困難であり、これが回路基板の高密度化の障害
となつていた。
より形成される。これはシルクスクリーン或いは
ナイロン等の網目より導体ペーストを押出し厚膜
の導体パターンを形成するもので、シルク或いは
ナイロンのワイヤ太さは30μｍが限界で、これ以
上細くできない。従つてこれによつて形成された
導体回路幅の最小は125μｍが精一杯の幅である。
従来のスクリーン印刷法による導体回路では
100μｍ以下の微細な導体回路幅を形成すること
は困難であり、これが回路基板の高密度化の障害
となつていた。
本発明の目的は微細な導体回路およびバイアホ
ールをもつグリーンシートを作成し、これを積
層、焼成することにより集積度の高い半導体素子
の塔載が可能な高密度回路基板を提供することに
ある。
ールをもつグリーンシートを作成し、これを積
層、焼成することにより集積度の高い半導体素子
の塔載が可能な高密度回路基板を提供することに
ある。
本発明の特徴はポリエステルフイルム上に感光
性フイルムをラミネートし、露光、現像して導体
回路形成用溝を作成した後、該溝に導体ペースト
を埋め込み、ついで該導体回路形成部を含む前記
感光フイルム全面にグリーンシートを形成し、所
要位置にレーザ等により孔明けを行い、該孔に導
体ペーストを埋め込んだ後、ポリエステルフイル
ムを感光性フイルムと共に剥離することにより、
微細な導体回路およびバイアホールをもつグリー
ンシートを作成し、該グリーンシートをラミネー
トすることにより高密度回路基板を得ることにあ
る。
性フイルムをラミネートし、露光、現像して導体
回路形成用溝を作成した後、該溝に導体ペースト
を埋め込み、ついで該導体回路形成部を含む前記
感光フイルム全面にグリーンシートを形成し、所
要位置にレーザ等により孔明けを行い、該孔に導
体ペーストを埋め込んだ後、ポリエステルフイル
ムを感光性フイルムと共に剥離することにより、
微細な導体回路およびバイアホールをもつグリー
ンシートを作成し、該グリーンシートをラミネー
トすることにより高密度回路基板を得ることにあ
る。
以下図面により、本発明による回路基板の製造
工程の一実施例を工程順に説明する。
工程の一実施例を工程順に説明する。
図において
(a) ポリエステルフイルム２上に感光性フイルム
１をラミネートする。ポリエステルフイルム２
は次に示す(b)から(g)の露光、現像、印刷等の工
程中に変形の起らないものでなければならな
い。従つて厚さ100μｍのマイラーフイルムが
適当である。
１をラミネートする。ポリエステルフイルム２
は次に示す(b)から(g)の露光、現像、印刷等の工
程中に変形の起らないものでなければならな
い。従つて厚さ100μｍのマイラーフイルムが
適当である。
また、感光性フイルム１はフイルムの厚さが
厚く、感光性の良好なものが望ましく、本実施
例２では、Dupont社製（米国）のRiston1015
フイルムを使用した。
厚く、感光性の良好なものが望ましく、本実施
例２では、Dupont社製（米国）のRiston1015
フイルムを使用した。
(b) 感光性フイルム１をラミネートした後、ガラ
ス乾板４を用いてレーザ光３によりフイルム１
を露光する。
ス乾板４を用いてレーザ光３によりフイルム１
を露光する。
(c) 次に、現像液（クロロセン）に浸漬し、所望
の形状の導体回路形成用溝５を作成する。この
方法を用いた場合、導体幅60μｍ以下30μｍ位
までの微細な溝５の作成が可能である。
の形状の導体回路形成用溝５を作成する。この
方法を用いた場合、導体幅60μｍ以下30μｍ位
までの微細な溝５の作成が可能である。
(d) 作成された溝５にスクリーン印刷法により導
体ペースト６を埋め込む。導体ペーストは通常
の厚膜導体としての特性の他に、感光性フイル
ムと化学的な反応の起らない材料でなければな
らない。本実施例では電気抵抗の低いAuペー
ストを使用した。
体ペースト６を埋め込む。導体ペーストは通常
の厚膜導体としての特性の他に、感光性フイル
ムと化学的な反応の起らない材料でなければな
らない。本実施例では電気抵抗の低いAuペー
ストを使用した。
(e) 次に導体ペースト６を埋め込んだ感光性フイ
ルム１上にグリンシート（以下セラミツク生シ
ート）７を成形する。セラミツク生シート７は
(h)工程で積層され焼成されるため、導体ペース
ト６を一体焼成が可能な材料でなければならな
い。そのため本実施例ではアルミナとホウケイ
酸ガラスからなるガラスセラミツク複合材料を
使用した。なお、本実施例に使用したガラス―
セラミツク複合材料はアルミナとホウケイ酸ガ
ラスを等量混合したものであり、900℃で焼成
が可能である。従つてAu等の厚膜導体との一
体焼成が可能な材料である。
ルム１上にグリンシート（以下セラミツク生シ
ート）７を成形する。セラミツク生シート７は
(h)工程で積層され焼成されるため、導体ペース
ト６を一体焼成が可能な材料でなければならな
い。そのため本実施例ではアルミナとホウケイ
酸ガラスからなるガラスセラミツク複合材料を
使用した。なお、本実施例に使用したガラス―
セラミツク複合材料はアルミナとホウケイ酸ガ
ラスを等量混合したものであり、900℃で焼成
が可能である。従つてAu等の厚膜導体との一
体焼成が可能な材料である。
(f) 次にバイアホール形成のための孔８の孔明を
行う。この孔８は孔明ダレを防ぐために裏返し
てポリエステルフイルム２の面より孔明を行
う。孔明方法はドリル，パンチ，レーザ等が考
えられるが、微細な孔８を作成するためには、
レーザ加工が有利である。
行う。この孔８は孔明ダレを防ぐために裏返し
てポリエステルフイルム２の面より孔明を行
う。孔明方法はドリル，パンチ，レーザ等が考
えられるが、微細な孔８を作成するためには、
レーザ加工が有利である。
(g) 厚膜回路形成用溝５に埋め込んだものと同じ
Auペーストを用い、バイアホール形成用孔８
を孔埋めする。（バイアホール９） (h) 次にポリエステルフイルム２を手で剥離し、
微細な導体回路６とバイアホール９をもつセラ
ミツク生シート７′を作成する。このセラミツ
ク生シート７′を積層し、900℃大気雰囲気中で
焼成する。
Auペーストを用い、バイアホール形成用孔８
を孔埋めする。（バイアホール９） (h) 次にポリエステルフイルム２を手で剥離し、
微細な導体回路６とバイアホール９をもつセラ
ミツク生シート７′を作成する。このセラミツ
ク生シート７′を積層し、900℃大気雰囲気中で
焼成する。
以上工程により回路基板の微細な導体回路とバ
イアホールとを形成した高密度回路基板を製造す
ることができる。
イアホールとを形成した高密度回路基板を製造す
ることができる。
以上実施例により本発明を説明したが、本発明
によればポリエステルフイルム上に感光性フイル
ムをラミネートレ、露光、現像して半導体回路形
成用溝を作成した後、該溝に導体ペーストを埋め
込み、ついで該導体回路形成部を含む前記感光フ
イルム全面にグリーンシートを成形し、所要位置
にレーザ等により孔明けを行い、該孔に導体ペー
ストを埋め込んだ後、ポリエステルフイルムを感
光性フイルムと共に剥離することにより微細な導
体回路およびバイアホールをもつグリーンシート
を作成し、該グリーンシートをラミネートするこ
とにより、スクリーン印刷法では出来なかつた微
細な導体回路幅の形成が可能となり、より集積度
の高い半導体素子の塔載が可能な高密度回路基板
が得られる効果は大きい。
によればポリエステルフイルム上に感光性フイル
ムをラミネートレ、露光、現像して半導体回路形
成用溝を作成した後、該溝に導体ペーストを埋め
込み、ついで該導体回路形成部を含む前記感光フ
イルム全面にグリーンシートを成形し、所要位置
にレーザ等により孔明けを行い、該孔に導体ペー
ストを埋め込んだ後、ポリエステルフイルムを感
光性フイルムと共に剥離することにより微細な導
体回路およびバイアホールをもつグリーンシート
を作成し、該グリーンシートをラミネートするこ
とにより、スクリーン印刷法では出来なかつた微
細な導体回路幅の形成が可能となり、より集積度
の高い半導体素子の塔載が可能な高密度回路基板
が得られる効果は大きい。
図は本発明による高密度回路基板の製造工程を
示す図で、 図中、１は感光性フイルム、２はポリエステル
フイルム、３はレーザ光、４はガラス乾板、５は
導体回路形成用溝、６は導体回路、７，７′はセ
ラミツク生シート、８はバイアホール形成用孔、
９はバイアホール、である。
示す図で、 図中、１は感光性フイルム、２はポリエステル
フイルム、３はレーザ光、４はガラス乾板、５は
導体回路形成用溝、６は導体回路、７，７′はセ
ラミツク生シート、８はバイアホール形成用孔、
９はバイアホール、である。
Claims (1)
- １ ポリエステルフイルム上に感光性フイルムを
ラミネートし、露光、現像して導体回路形成用溝
を作成した後、該溝に導体ペーストを埋め込み、
ついで該導体回路形成部を含む前記感光性フイル
ム全面にグリーンシートを成形し、所要位置にレ
ーザ等により孔明けを行い該孔に導体ペーストを
埋め込んだ後、ポリエステルフイルムを感光性フ
イルムと共に剥離することにより、微細な導体回
路及びバイアホールをもつグリーンシートを作成
し、該グリーンシートをラミネートすることによ
り高密度回路基板を作成することを特徴とする高
密度回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2649179A JPS55118654A (en) | 1979-03-07 | 1979-03-07 | Manufacture of high density circuit substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2649179A JPS55118654A (en) | 1979-03-07 | 1979-03-07 | Manufacture of high density circuit substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55118654A JPS55118654A (en) | 1980-09-11 |
| JPS6337518B2 true JPS6337518B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=12194961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2649179A Granted JPS55118654A (en) | 1979-03-07 | 1979-03-07 | Manufacture of high density circuit substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55118654A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5292548A (en) * | 1990-04-03 | 1994-03-08 | Vistatech Corporation | Substrates used in multilayered integrated circuits and multichips |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5064768A (ja) * | 1973-10-12 | 1975-06-02 |
-
1979
- 1979-03-07 JP JP2649179A patent/JPS55118654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55118654A (en) | 1980-09-11 |
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