JPS6340763A - カ−ボン治具 - Google Patents
カ−ボン治具Info
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- JPS6340763A JPS6340763A JP61184724A JP18472486A JPS6340763A JP S6340763 A JPS6340763 A JP S6340763A JP 61184724 A JP61184724 A JP 61184724A JP 18472486 A JP18472486 A JP 18472486A JP S6340763 A JPS6340763 A JP S6340763A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の目的
［産業上の利用分野］
木発ｌ′Ｊ１は、カーボン治具に関し、特に半導体デバ
イス用シリコンウェーへに対し薄膜を形成するための薄
膜形成装置において電極およびサセプタとして兼用され
るカーボン治具ないしは電極間の連結部材等として使用
されるカーボン材料具に関するものである。
イス用シリコンウェーへに対し薄膜を形成するための薄
膜形成装置において電極およびサセプタとして兼用され
るカーボン治具ないしは電極間の連結部材等として使用
されるカーボン材料具に関するものである。
［従来の技術］
従来この種のカーボン治具は、コークスを粉砕して粉末
状のカーボン材料を作成する工程に次いて粉末状のカー
ボン材料に適宜のバインダを添加して混練する工程を実
行し、混線材料を成型して成型素体を作成する工程を実
行したのち成型素体を焼成する工程を実行し、更に焼成
素体を熱処理によって黒鉛化する工程を実行することに
より作成されていた。カーボン治具は、半導体デバイス
用シリコンウェーへか載置されホットウォール型のプラ
ズマＣＶＤ装に内に挿入された状態て、半導体デバイス
用シリコンウェーへに対し適宜の熱処理を施すために電
極として使用されていた。したがってカーボン治具上に
も窒化物あるいは酸化物が付着され、使用回数を重ねる
にしたがって次第にプラズマか安定して発生しにくくな
り、ひいては半導体デバイス用シリコンウェーハ上に均
一なＣＶＤ膜か形成されにくくなっていたので、付着さ
れた窒化物あるいは酸化物を取り除く必要かあり、フレ
オンガス等を用いて定期的にカーボン治具を洗浄してい
た。この定期的な洗浄に伴ってカーボン治具からカーボ
ン粒子か脱落し易くなり、プラズマＣＶＤ処理中に脱落
して半導体デバイス用シリコンウェーへに対し付着する
おそれかあったのて、これを防ＩＦするためにカーボン
治具の表面にカーボンに対し密着性か良く剥離しにくい
ＳｉＣ膜を形成していた。
状のカーボン材料を作成する工程に次いて粉末状のカー
ボン材料に適宜のバインダを添加して混練する工程を実
行し、混線材料を成型して成型素体を作成する工程を実
行したのち成型素体を焼成する工程を実行し、更に焼成
素体を熱処理によって黒鉛化する工程を実行することに
より作成されていた。カーボン治具は、半導体デバイス
用シリコンウェーへか載置されホットウォール型のプラ
ズマＣＶＤ装に内に挿入された状態て、半導体デバイス
用シリコンウェーへに対し適宜の熱処理を施すために電
極として使用されていた。したがってカーボン治具上に
も窒化物あるいは酸化物が付着され、使用回数を重ねる
にしたがって次第にプラズマか安定して発生しにくくな
り、ひいては半導体デバイス用シリコンウェーハ上に均
一なＣＶＤ膜か形成されにくくなっていたので、付着さ
れた窒化物あるいは酸化物を取り除く必要かあり、フレ
オンガス等を用いて定期的にカーボン治具を洗浄してい
た。この定期的な洗浄に伴ってカーボン治具からカーボ
ン粒子か脱落し易くなり、プラズマＣＶＤ処理中に脱落
して半導体デバイス用シリコンウェーへに対し付着する
おそれかあったのて、これを防ＩＦするためにカーボン
治具の表面にカーボンに対し密着性か良く剥離しにくい
ＳｉＣ膜を形成していた。
［解決すべき問題点］
しかしながら従来のカーボン治具では、（１）高価なＳ
ｉＣ膜を形成しなければならない欠点かあり、また（２
）プラズマＣＶＤ装は内においてフレオンガスによる洗
浄を行なおうとするとフレオンガスかＳｉＣと反応しカ
ーボンを露出せしめていたのて、湿式洗浄すなわちフッ
ショウ酸などを用いてプラズマＣＶＤ装置とは別製は内
て洗浄する必要かあり、洗浄作業か煩雑となり作業１Ｆ
５率か低下する欠点および洗浄装首か高価となる欠点が
あった。
ｉＣ膜を形成しなければならない欠点かあり、また（２
）プラズマＣＶＤ装は内においてフレオンガスによる洗
浄を行なおうとするとフレオンガスかＳｉＣと反応しカ
ーボンを露出せしめていたのて、湿式洗浄すなわちフッ
ショウ酸などを用いてプラズマＣＶＤ装置とは別製は内
て洗浄する必要かあり、洗浄作業か煩雑となり作業１Ｆ
５率か低下する欠点および洗浄装首か高価となる欠点が
あった。
そこて本発明は、この欠点を除去し、ＳｉＣ膜を形成す
る必要がなくしかもプラズマＣＶＤ装置内においてフレ
オンガスを用いて洗浄可能なカーボンガフ具を提供せん
とするものである。
る必要がなくしかもプラズマＣＶＤ装置内においてフレ
オンガスを用いて洗浄可能なカーボンガフ具を提供せん
とするものである。
（２）発１１の構成
［ＩＦ、１題点の解決手段］
そのために本発明は、「；コニ密度が１．５〜１．９ｇ
／ＣＩｌ：Ｉ、曲げ強さが４００ｋｇｆ／ｃｍ２以上、
固有抵抗か２０００〜７０００膳ΩＣ■、ショア硬度か
８０以上、開気孔率か２０％以下でなることを特徴とす
るカーボン治具」によって、貸来の問題点を解決する。
／ＣＩｌ：Ｉ、曲げ強さが４００ｋｇｆ／ｃｍ２以上、
固有抵抗か２０００〜７０００膳ΩＣ■、ショア硬度か
８０以上、開気孔率か２０％以下でなることを特徴とす
るカーボン治具」によって、貸来の問題点を解決する。
［作用］
本発明のカーボン治具は、１．５〜１．９ ｇ／ｃ■３
の嵩密度を有することにより表面か粗くなり過ぎること
および黒鉛化し過ぎることを防止しており。
の嵩密度を有することにより表面か粗くなり過ぎること
および黒鉛化し過ぎることを防止しており。
４００ｋｇｆ／ｃ麿２以上の曲げ強さを有することによ
りカーボン粒子間の結合力か弱くなり過ぎることを防１
トしており、２０００〜７０００ ｇΩＣ謙の固有抵抗
を有することによりカーボン粒子の結晶性が良好となり
過ぎひいては柔軟となり過ぎることおよび発熱量か過大
となり温度制御か困難となることを防止しており、８０
以上のショア硬度を有することにより柔軟となり過ぎる
ことを防止しており、２０％以下の開気孔率を有するこ
とによりカーボン粒子間の空隙か増大し過ぎひいては結
合力が低下し過ぎることを防止しており、結果的にプラ
ズマＣＶＤ装置における半導体デバイス用シリコンウェ
ーハの処理時にカーボン粒子か脱落して付着することを
防止している。
りカーボン粒子間の結合力か弱くなり過ぎることを防１
トしており、２０００〜７０００ ｇΩＣ謙の固有抵抗
を有することによりカーボン粒子の結晶性が良好となり
過ぎひいては柔軟となり過ぎることおよび発熱量か過大
となり温度制御か困難となることを防止しており、８０
以上のショア硬度を有することにより柔軟となり過ぎる
ことを防止しており、２０％以下の開気孔率を有するこ
とによりカーボン粒子間の空隙か増大し過ぎひいては結
合力が低下し過ぎることを防止しており、結果的にプラ
ズマＣＶＤ装置における半導体デバイス用シリコンウェ
ーハの処理時にカーボン粒子か脱落して付着することを
防止している。
［実施例コ
次に本発明について実施例を挙げ具体的に説明する。
（実施例１〜７および比較例１〜１０）ピッチな熱処理
し重質化する工程に次いで、重質化されたピッチを適宜
の粉砕手段により粉砕し平均粒径が１２ｇｍである粉末
状のカーボン材料を作成する工程を実行した。粉末状の
カーボン材料を適宜の成型装置に入れ、１トン／ｃｍ２
の成型圧力て等静圧プレスにより成型し成型素体を作成
する工程に次いて、成型素体を窒素雰囲気下で９００°
Ｃの温度により焼成する工程を実行した。次いで焼成素
体を２３００°Ｃて熱処理し黒鉛化する工程を実行する
ことによりカーボン治具素体を作成した。そののちカー
ボン治具素体を適宜に加工し、カーボンｆｔＪ几を作成
した。
し重質化する工程に次いで、重質化されたピッチを適宜
の粉砕手段により粉砕し平均粒径が１２ｇｍである粉末
状のカーボン材料を作成する工程を実行した。粉末状の
カーボン材料を適宜の成型装置に入れ、１トン／ｃｍ２
の成型圧力て等静圧プレスにより成型し成型素体を作成
する工程に次いて、成型素体を窒素雰囲気下で９００°
Ｃの温度により焼成する工程を実行した。次いで焼成素
体を２３００°Ｃて熱処理し黒鉛化する工程を実行する
ことによりカーボン治具素体を作成した。そののちカー
ボン治具素体を適宜に加工し、カーボンｆｔＪ几を作成
した。
カーボン治具素体は、アルキメデス法により嵩密度およ
び開気孔率か測定され、三点曲げ試験法により曲げ強さ
が測定され、電圧降下法により固有抵抗が測定され、Ｃ
型ショア硬度計によりショア硬度が測定され、ブタノー
ル含浸法により真比重か測定された。測定結果は、第１
表に示されているとおりてあった。
び開気孔率か測定され、三点曲げ試験法により曲げ強さ
が測定され、電圧降下法により固有抵抗が測定され、Ｃ
型ショア硬度計によりショア硬度が測定され、ブタノー
ル含浸法により真比重か測定された。測定結果は、第１
表に示されているとおりてあった。
カーボン治具は、ホットウォール型のプラズマＣＶＤ装
置により寿命試験に処された。カーボン治具の表面から
カーボン粒子か脱落し半導体デバイス用シリコンウェー
へに付着するまでのプラズマＣＶＤ装こによるフレオン
ガスを用いた洗浄処理回数が寿命として第１表に示され
ている。
置により寿命試験に処された。カーボン治具の表面から
カーボン粒子か脱落し半導体デバイス用シリコンウェー
へに付着するまでのプラズマＣＶＤ装こによるフレオン
ガスを用いた洗浄処理回数が寿命として第１表に示され
ている。
第１表より明らかなように次の条件が満足されるとき、
寿命か十分に長いカーボン治具を作成できる。
寿命か十分に長いカーボン治具を作成できる。
嵩密度 １．５〜１．９ｇ／ｃｍ’曲げ強さ
４００ｋｇｆ／ａｍ２以上第１表 （“） クラックの危しにより寿命試験を中止した。
４００ｋｇｆ／ａｍ２以上第１表 （“） クラックの危しにより寿命試験を中止した。
［ｃ’ａ’ｌ’／Ｉｒｆ、抗 ２０００〜７００
０ ｕΩｃ■ショア硬度 ８０以上 開気孔率 ２０％以下 このとき嵩密度を１．５〜１．９ｇ／ｃｍ’とする根拠
は、１．５ｇ／ｃｍ３未満となるとカーボン治具の表面
の組織か粗くその上；に載こされた被処理体たる半導体
デバイス川シリコンウェーへの表面に温度差が生じ成長
膜の膜厚を均一とてきす、一方１．９ｇ／ｃ■１をこえ
るとカーボン治具の黒鉛化か良好となりプラズマＣＶＤ
装とによるプラズマ洗浄に伴ってその表面か損傷され易
くひいてはプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用
シリコンウェーへの処理時にカーボン粒子の脱落を生じ
易いことにある。
０ ｕΩｃ■ショア硬度 ８０以上 開気孔率 ２０％以下 このとき嵩密度を１．５〜１．９ｇ／ｃｍ’とする根拠
は、１．５ｇ／ｃｍ３未満となるとカーボン治具の表面
の組織か粗くその上；に載こされた被処理体たる半導体
デバイス川シリコンウェーへの表面に温度差が生じ成長
膜の膜厚を均一とてきす、一方１．９ｇ／ｃ■１をこえ
るとカーボン治具の黒鉛化か良好となりプラズマＣＶＤ
装とによるプラズマ洗浄に伴ってその表面か損傷され易
くひいてはプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用
シリコンウェーへの処理時にカーボン粒子の脱落を生じ
易いことにある。
また曲げ強さを４００ｋｇｆ／ｃ＋ｓ２以上とする根拠
は、４００ｋｇｆ／ｃｍ２未満となるとカーボン治具を
構成するカーボン粒子間の結合力が弱くプラズマＣＶＤ
装りによるプラズマ洗浄に伴ってその表面がｉ傷され易
くひいてはプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用
シリコンウェーへの処理時にカーボン粒子の脱落を生し
易いことにある。
は、４００ｋｇｆ／ｃｍ２未満となるとカーボン治具を
構成するカーボン粒子間の結合力が弱くプラズマＣＶＤ
装りによるプラズマ洗浄に伴ってその表面がｉ傷され易
くひいてはプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用
シリコンウェーへの処理時にカーボン粒子の脱落を生し
易いことにある。
加えて固有抵抗を２０００〜７０００ルΩｃｍとする根
拠は、 ２０００ｇΩＣ會未満となるとカーボン治具を
構成するカーボン粒子の結晶性か良好で柔軟となってお
りプラズマＣＶＤ装置によるプラズマ洗浄に伴ってその
表面が損傷され易くひいてはプラズマＣＶＤ装置による
半導体デバイス用シリコンウェーへの処理時にカーボン
粒子の脱落を生じ易く、一方７０００ｕＬΩＣ■をこえ
るとプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用シリコ
ンウェーへの処理時にカーボン治具の発熱量が大きくな
り温度の制御が困難となる。
拠は、 ２０００ｇΩＣ會未満となるとカーボン治具を
構成するカーボン粒子の結晶性か良好で柔軟となってお
りプラズマＣＶＤ装置によるプラズマ洗浄に伴ってその
表面が損傷され易くひいてはプラズマＣＶＤ装置による
半導体デバイス用シリコンウェーへの処理時にカーボン
粒子の脱落を生じ易く、一方７０００ｕＬΩＣ■をこえ
るとプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用シリコ
ンウェーへの処理時にカーボン治具の発熱量が大きくな
り温度の制御が困難となる。
更にショア硬度を８０以上とする根拠は、８０未満とな
るとカーボン治具か柔軟となりプラズマＣＶＤ装置によ
るプラズマ洗浄に伴ってその表面か損傷され易くひいて
はプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用シリコン
ウェーハの処理時にカーボン粒子の脱落を生じ易いこと
にある。
るとカーボン治具か柔軟となりプラズマＣＶＤ装置によ
るプラズマ洗浄に伴ってその表面か損傷され易くひいて
はプラズマＣＶＤ装置による半導体デバイス用シリコン
ウェーハの処理時にカーボン粒子の脱落を生じ易いこと
にある。
更にまた開気孔率を２０％以下とする根拠は、２０％を
こえるとカーボン治具を構成するカーボン粒子間の空隙
か増大しひいては結合力か低下するのてプラズマＣＶＤ
装置による半導体デバイス用シリコンウェーへの処理時
にカーボン粒子の脱落を生し易いことにある。
こえるとカーボン治具を構成するカーボン粒子間の空隙
か増大しひいては結合力か低下するのてプラズマＣＶＤ
装置による半導体デバイス用シリコンウェーへの処理時
にカーボン粒子の脱落を生し易いことにある。
なお第１表より明らかなように真比重か２．０５以下で
あれば、カーボン治具の寿命を一層遷延せしめることか
できる。
あれば、カーボン治具の寿命を一層遷延せしめることか
できる。
このとき真比重を２．０５以下とする根拠は、２．０５
をこえるとカーボン治具を構成するカーボン粒子の結晶
性が良好で柔軟となっておりプラズマＣＶＤ装置による
半導体デバイス用シリコンウェーハの処理時にカーボン
粒子の脱落を生じ易いことにある。
をこえるとカーボン治具を構成するカーボン粒子の結晶
性が良好で柔軟となっておりプラズマＣＶＤ装置による
半導体デバイス用シリコンウェーハの処理時にカーボン
粒子の脱落を生じ易いことにある。
（３）発明の効果
上述より明らかなように本発明のカーボン治具は、嵩密
度が１．５〜１．９ｇ／ｃｓ’、曲げ強さが４００ｋｇ
ｆ／ｃｍ”以上、固有抵抗か２０００〜７０００ ＩＬ
ΩＣ■。
度が１．５〜１．９ｇ／ｃｓ’、曲げ強さが４００ｋｇ
ｆ／ｃｍ”以上、固有抵抗か２０００〜７０００ ＩＬ
ΩＣ■。
ショア硬度か８０以上、開気孔率が２０％以下でなるの
で、（１）カーボン粒子の結合力か強くプラズマＣＶＤ
装置による半導体デバイス用シリコンウェーハの処理時
にもカーボン粒子か脱落しにくい効果を有し、ひいては
（２） ＳｉＣＩＩ！２を形成する必要かなく湿式洗浄
を行なうことを要せず洗浄作業をＭ潔化ｆ＠率化できる
効果を有し、併せて（３）洗浄装置を廉価とてきる効果
も有する。また本発明は、（４）薄膜形成装置において
利用される電極サセプタ兼用部材を提供するばかりでな
く電極間の連結部材も提供てきる効果を有する。
で、（１）カーボン粒子の結合力か強くプラズマＣＶＤ
装置による半導体デバイス用シリコンウェーハの処理時
にもカーボン粒子か脱落しにくい効果を有し、ひいては
（２） ＳｉＣＩＩ！２を形成する必要かなく湿式洗浄
を行なうことを要せず洗浄作業をＭ潔化ｆ＠率化できる
効果を有し、併せて（３）洗浄装置を廉価とてきる効果
も有する。また本発明は、（４）薄膜形成装置において
利用される電極サセプタ兼用部材を提供するばかりでな
く電極間の連結部材も提供てきる効果を有する。
Claims (2)
- （１）嵩密度か１．５〜１．９ｇ／ｃｍ＾３、曲げ強さ
が４００ｋｇｆ／ｃｍ＾２以上、固有抵抗が２０００〜
７０００μΩｃｍ、ショア硬度が８０以上、開気孔率が
２０％以下でなることを特徴とするカーボン治具。 - （２）真比重か２．０５以下でなることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のカーボン治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184724A JPH0829984B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | カ−ボン治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184724A JPH0829984B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | カ−ボン治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340763A true JPS6340763A (ja) | 1988-02-22 |
| JPH0829984B2 JPH0829984B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16158255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61184724A Expired - Fee Related JPH0829984B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | カ−ボン治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0829984B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528168B1 (en) | 1997-03-31 | 2003-03-04 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Carbon/silicon carbide composite material |
| JP2005020000A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Siltronic Ag | 半導体ウェハを搭載するためのサセプタ及び半導体ウェハを製造する方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198654A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Ｅｐｒｏｍパツケ−ジ製造用治具 |
| JPS6314453A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Fudo Kagaku Kogyo Kk | ガラス融着用治具 |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP61184724A patent/JPH0829984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198654A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Ｅｐｒｏｍパツケ−ジ製造用治具 |
| JPS6314453A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Fudo Kagaku Kogyo Kk | ガラス融着用治具 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6528168B1 (en) | 1997-03-31 | 2003-03-04 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Carbon/silicon carbide composite material |
| JP2005020000A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Siltronic Ag | 半導体ウェハを搭載するためのサセプタ及び半導体ウェハを製造する方法 |
| JP2008060591A (ja) * | 2003-06-26 | 2008-03-13 | Siltronic Ag | 半導体ウェハ及び半導体ウェハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0829984B2 (ja) | 1996-03-27 |
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