JPS6340816A - 温度−湿度−ガス濃度検知多機能セラミツクスセンサ素子用セラミツクス素子及びその製法 - Google Patents
温度−湿度−ガス濃度検知多機能セラミツクスセンサ素子用セラミツクス素子及びその製法Info
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- JPS6340816A JPS6340816A JP61072648A JP7264886A JPS6340816A JP S6340816 A JPS6340816 A JP S6340816A JP 61072648 A JP61072648 A JP 61072648A JP 7264886 A JP7264886 A JP 7264886A JP S6340816 A JPS6340816 A JP S6340816A
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-
- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
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- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
-
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- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/223—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor characterised by the shape of the resistive element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は温度と湿度とガス濃度とを検知できる多機能セ
ラミックスセンサ素子用セラミックス素子及びその製法
に関するものである。
ラミックスセンサ素子用セラミックス素子及びその製法
に関するものである。
周知のように、産業界でも向上の生産工程と物品の好運
においても、さらに、家電分野で事務室や居室などにお
いても、常に周囲環境には温度検知、湿度検知、様々な
ガス濃度検知が必要であるが、−ＪＲにこれらの検知の
ためそれぞれ独立した機能素子が使用されるが、よりよ
い雰囲気制御には、理想的に単一素子で多機能を発揮す
るセンサによって行なわれることが要望されている。
においても、さらに、家電分野で事務室や居室などにお
いても、常に周囲環境には温度検知、湿度検知、様々な
ガス濃度検知が必要であるが、−ＪＲにこれらの検知の
ためそれぞれ独立した機能素子が使用されるが、よりよ
い雰囲気制御には、理想的に単一素子で多機能を発揮す
るセンサによって行なわれることが要望されている。
こうした要望を満たすものとしてＢａＴｉ０ｚ＝ＳｒＴ
ｉ０３系温度湿度両機能センサとＭｇＣｒｚＯｓＴ ｉ
Ｏ２茶温度ガス濃度両機能センサが開発された。前者
は空調機器、乾燥機、食品調理器には使用され、後者は
電子レンジなどには使用されているが、これらのセンサ
は単一素子で同時に温度、湿度、ガス濃度を検知できず
、そのため、従来は温度、湿度、ガス濃度検知には温度
湿度検知素子とガス濃度検知素とを、或は温度検知素子
とガス濃度検知素子とを使用し、それぞれの回路を別個
独立に構成して二系統ないし三系統の回路構成を採るこ
とによりその要望に応じていた。従って回路構成が複雑
となり、しかもコストと保持費用もアップされた。
ｉ０３系温度湿度両機能センサとＭｇＣｒｚＯｓＴ ｉ
Ｏ２茶温度ガス濃度両機能センサが開発された。前者
は空調機器、乾燥機、食品調理器には使用され、後者は
電子レンジなどには使用されているが、これらのセンサ
は単一素子で同時に温度、湿度、ガス濃度を検知できず
、そのため、従来は温度、湿度、ガス濃度検知には温度
湿度検知素子とガス濃度検知素とを、或は温度検知素子
とガス濃度検知素子とを使用し、それぞれの回路を別個
独立に構成して二系統ないし三系統の回路構成を採るこ
とによりその要望に応じていた。従って回路構成が複雑
となり、しかもコストと保持費用もアップされた。
また、最近、産業界全最にシステム化が進められ、その
ため、各種センサの開発が要望されている。さらに家電
分野でも、例えば電子レンジなどの食品調理器から出る
ガスや湿度、温度の検知など、多機能センサとしての応
用分野は拡大されつつある。しかし単一素子で温度、湿
度、ガス濃度を検知できないのは現実である。
ため、各種センサの開発が要望されている。さらに家電
分野でも、例えば電子レンジなどの食品調理器から出る
ガスや湿度、温度の検知など、多機能センサとしての応
用分野は拡大されつつある。しかし単一素子で温度、湿
度、ガス濃度を検知できないのは現実である。
本発明の目的は温度、湿度、ガス濃度を単一検知素子で
検知できる新規なセンサ素子用セラミックス素子を提供
することである。すなわち、温度、湿度、還元性ガスく
例えばプロピレンやアルコールなど）を単一素子で検知
するための多機能セラミックスセンサ素子用セラミック
ス素子には次のことが要求される：温度、湿度、ガス濃
度に敏感に作用し、それらの変化によって電気的信号で
検知できること、温度、湿度、ガス濃度検知の分離性が
高いこと、耐酸化還元性及び耐熱性、耐スポーリング性
、経時変化性が良いこと、感度が高く、応答速度が速い
ことなど。
検知できる新規なセンサ素子用セラミックス素子を提供
することである。すなわち、温度、湿度、還元性ガスく
例えばプロピレンやアルコールなど）を単一素子で検知
するための多機能セラミックスセンサ素子用セラミック
ス素子には次のことが要求される：温度、湿度、ガス濃
度に敏感に作用し、それらの変化によって電気的信号で
検知できること、温度、湿度、ガス濃度検知の分離性が
高いこと、耐酸化還元性及び耐熱性、耐スポーリング性
、経時変化性が良いこと、感度が高く、応答速度が速い
ことなど。
前記のＢ ａＴ ｉｏ ＊ −３ｒＴ ｉｏ、系素子は
ガス濃度に感度が低く、前記のＭｇＣｒ２０＜ Ｔ！
０２系素子は温度の変化に感度もあまり高くないため、
本発明は温度の変化による誘電率の変化、湿度の変化に
よる抵抗率の変化及びガス濃度の変化による抵抗率の変
化がともに大きい多孔質のＰ型金属酸化物半導体Ｂ ａ
Ｔ ｉｏ ３− Ｂ ａＳ ｎｏ ３を多機能センサセ
ラミックス材料として、それに電気的なパラメーター分
離技術と周波数分離技術と温度分離技術と湿度分離技術
とを採用し、単一素子で雰囲気の温度、湿度、ガス濃度
を検知する新しい多機能センサ素子を実現したものであ
る。
ガス濃度に感度が低く、前記のＭｇＣｒ２０＜ Ｔ！
０２系素子は温度の変化に感度もあまり高くないため、
本発明は温度の変化による誘電率の変化、湿度の変化に
よる抵抗率の変化及びガス濃度の変化による抵抗率の変
化がともに大きい多孔質のＰ型金属酸化物半導体Ｂ ａ
Ｔ ｉｏ ３− Ｂ ａＳ ｎｏ ３を多機能センサセ
ラミックス材料として、それに電気的なパラメーター分
離技術と周波数分離技術と温度分離技術と湿度分離技術
とを採用し、単一素子で雰囲気の温度、湿度、ガス濃度
を検知する新しい多機能センサ素子を実現したものであ
る。
本発明はセンサ素子がＢａ（Ｔｉ＋４Ｓｎｘ）Ｏｓ（ｘ
＝素子で、温度、湿度及びガス濃度を検知できる、多機
能セラミックスセンサ素子用セラミックス素子に関する
。
＝素子で、温度、湿度及びガス濃度を検知できる、多機
能セラミックスセンサ素子用セラミックス素子に関する
。
さらに本発明はＢａＴｉ０＝粉末とＢａ５ｎＯ，粉末と
を所定の割合に混合し、これに造孔剤を添加して５００
〜１０００ｋｇ／ｃ翔２で加圧成型し、１２００〜１３
５０℃で焼結することを特徴とする、温度、湿度及びガ
ス濃度検知多機能セラミックスセンサ素子用セラミック
ス素子の製法にも関する。
を所定の割合に混合し、これに造孔剤を添加して５００
〜１０００ｋｇ／ｃ翔２で加圧成型し、１２００〜１３
５０℃で焼結することを特徴とする、温度、湿度及びガ
ス濃度検知多機能セラミックスセンサ素子用セラミック
ス素子の製法にも関する。
第１図に本発明にかかる多機能妊＝＃セラミックス素子
を備えたセラミックスセンサ素子（以下センサ素子とい
う）の構造の一例を示す０図において、（１）はセラミ
ックス素子、＜２ ）、（３）は電極、（４）、（５）
、（６）はリード線である。セラミックス素子（１）は
Ｐ型金属酸化物半導体Ｂａ（Ｔ ｉ、４Ｓ ｎｘ） ０
３（略称ＢＳＴ、ｘ＝０．０５〜０．５）である、電極
（２）、（３）はそれぞれＡｕ＜Ｌ型状電極とＲｕ Ｏ
ｚ多孔質電極、＜４ ）、（５）、＜６ ）はＰＬ−Ｉ
ｒリード線である。
を備えたセラミックスセンサ素子（以下センサ素子とい
う）の構造の一例を示す０図において、（１）はセラミ
ックス素子、＜２ ）、（３）は電極、（４）、（５）
、（６）はリード線である。セラミックス素子（１）は
Ｐ型金属酸化物半導体Ｂａ（Ｔ ｉ、４Ｓ ｎｘ） ０
３（略称ＢＳＴ、ｘ＝０．０５〜０．５）である、電極
（２）、（３）はそれぞれＡｕ＜Ｌ型状電極とＲｕ Ｏ
ｚ多孔質電極、＜４ ）、（５）、＜６ ）はＰＬ−Ｉ
ｒリード線である。
第２図は素子を加熱できるように構成したセンサ素子の
例を示す。同図において（７）は抵抗発熱体、（８）は
保持ベース、（９）、（１０）、（１１）。
例を示す。同図において（７）は抵抗発熱体、（８）は
保持ベース、（９）、（１０）、（１１）。
（１２）はリード端子である。図かられかるように、素
子のリード線（４）、（５）は保持ベース（８）を経て
、端子＜９）、（１０）より検知回路に接続し、抵抗発
熱体（７）は保持ベースを経て、端子（１１）。
子のリード線（４）、（５）は保持ベース（８）を経て
、端子＜９）、（１０）より検知回路に接続し、抵抗発
熱体（７）は保持ベースを経て、端子（１１）。
（１２）より加熱電源に接続することができる。
第３図は多機能セラミックス素子を製造する工程を示す
、セラミックスの出発原料として化学純試薬Ｂ ａＣＯ
３、Ｔ ｉ Ｏ２、Ｓｎ○２を用い、Ｂ ａ Ｔ ｉ
Ｏ３とＢａ５ｎＯａの示性式によってそれぞれＢａＣ０
ｚとＴｉＯ２、ＢａＣＯ５とＳｎＯ□を別途に配合し、
メノウボール入りプラスチックミルで湿式混合した。得
られた混合物を乾燥させてから１０００ ｋｇ／ ０ｍ
２圧力で素坏体に成型し、１２００〜１３００℃の範囲
内の温度で２〜５時間仮焼して合成したＢａＴｉＯｓ塊
状物とＢ ａＳ ｎｏ ３塊状物とをそれぞれ粉砕した
。得られた粉末を所定の割合で配合し二回目の湿式混合
粉砕を行った。
、セラミックスの出発原料として化学純試薬Ｂ ａＣＯ
３、Ｔ ｉ Ｏ２、Ｓｎ○２を用い、Ｂ ａ Ｔ ｉ
Ｏ３とＢａ５ｎＯａの示性式によってそれぞれＢａＣ０
ｚとＴｉＯ２、ＢａＣＯ５とＳｎＯ□を別途に配合し、
メノウボール入りプラスチックミルで湿式混合した。得
られた混合物を乾燥させてから１０００ ｋｇ／ ０ｍ
２圧力で素坏体に成型し、１２００〜１３００℃の範囲
内の温度で２〜５時間仮焼して合成したＢａＴｉＯｓ塊
状物とＢ ａＳ ｎｏ ３塊状物とをそれぞれ粉砕した
。得られた粉末を所定の割合で配合し二回目の湿式混合
粉砕を行った。
得られた混合物を乾燥してから混合物に対して１０〜６
０体積％の造孔剤を添加した。造孔剤としてはメチルセ
ルロースまたはポリビニルアルコールのうちまたはそれ
ら両者を選んで使用した。
０体積％の造孔剤を添加した。造孔剤としてはメチルセ
ルロースまたはポリビニルアルコールのうちまたはそれ
ら両者を選んで使用した。
造孔剤を添加した混合物を均一に混合して造粒し、５０
０〜１０００ ｋｌ？／ ｃａｂ２圧力でφ５Ｘ０．２
５ｎ＋＋ａの寸法の内盛形に成型した。この成型体を空
気中において１２００〜１３５０℃の温度で０．１〜１
時間保持して焼結した。このようにして得られたセラミ
ックス素子（１）は均一な気孔径、且つ三次元の連通の
気孔分布の多孔質構造になった。セラミックス素子（１
）の総気孔率は２５〜５０％で、平均粒径は２μｍ以下
で、平均気孔径は０．７５μｍ以下である。さらに素子
の一方の面にＲｕ０＝を含むペーストをスクリーンメツ
シュ法で印刷して電極（３）を焼き付けた。このＲｕ
Ｏ２系電極はかなり多孔質である。素子の他方の面にＡ
ｕを真空蒸着法でくし型状電極（２）に蒸着した。次に
ｐｔ−Ｉｒ線を導電ガラスで焼き付は接着してリード線
（４）、（５）及び（６）を電極（２）および（３）に
接続した。さらに（セラミックス）センナ素子（第１図
）とヒータ（７）をベース（８）にボッティングして組
み立てた。
０〜１０００ ｋｌ？／ ｃａｂ２圧力でφ５Ｘ０．２
５ｎ＋＋ａの寸法の内盛形に成型した。この成型体を空
気中において１２００〜１３５０℃の温度で０．１〜１
時間保持して焼結した。このようにして得られたセラミ
ックス素子（１）は均一な気孔径、且つ三次元の連通の
気孔分布の多孔質構造になった。セラミックス素子（１
）の総気孔率は２５〜５０％で、平均粒径は２μｍ以下
で、平均気孔径は０．７５μｍ以下である。さらに素子
の一方の面にＲｕ０＝を含むペーストをスクリーンメツ
シュ法で印刷して電極（３）を焼き付けた。このＲｕ
Ｏ２系電極はかなり多孔質である。素子の他方の面にＡ
ｕを真空蒸着法でくし型状電極（２）に蒸着した。次に
ｐｔ−Ｉｒ線を導電ガラスで焼き付は接着してリード線
（４）、（５）及び（６）を電極（２）および（３）に
接続した。さらに（セラミックス）センナ素子（第１図
）とヒータ（７）をベース（８）にボッティングして組
み立てた。
温度、湿度、ガス濃度検知の分離性を向上するため、温
度検知の温度影響と湿度検知の温度影響を低下するため
、前記ＢＳＴ粉末には、Ｔ ｉ Ｏｚ（０，１〜０．４
重量％〕、５ｎＯ７（１〜４重量％）、ペロブスカイト
型構造系化合物、スピネル型構造系化合物、パイロクロ
ア型構造系化合物、タングステンブロンズ盟構造系化合
物のうちの一種または二種以上を添加し前記同じ方法で
多機能センサ素子を製造することができる。また、感温
特性を測定する周波数は１００ＫＨｚ〜ＩＭＨｚの高周
波で、感湿特性を測定する周波数はＩＫＨｚ以下の低周
波である。感温の動作温度は一４０〜１５０℃、ガス濃
度検知のため、センサ素子の加熱温度は２００〜５５０
℃である。
度検知の温度影響と湿度検知の温度影響を低下するため
、前記ＢＳＴ粉末には、Ｔ ｉ Ｏｚ（０，１〜０．４
重量％〕、５ｎＯ７（１〜４重量％）、ペロブスカイト
型構造系化合物、スピネル型構造系化合物、パイロクロ
ア型構造系化合物、タングステンブロンズ盟構造系化合
物のうちの一種または二種以上を添加し前記同じ方法で
多機能センサ素子を製造することができる。また、感温
特性を測定する周波数は１００ＫＨｚ〜ＩＭＨｚの高周
波で、感湿特性を測定する周波数はＩＫＨｚ以下の低周
波である。感温の動作温度は一４０〜１５０℃、ガス濃
度検知のため、センサ素子の加熱温度は２００〜５５０
℃である。
次に、センサ素子の温度−進講電率特性を、測定雰囲気
の温度を変化させて、素子電極間の進講電率を測定した
（第４図）、さらに相対湿度−抵抗特性についても、雰
囲気の湿度を変化させて、電極間の抵抗を測定すること
によって調べたく第５図）、相対湿度−電気容量特性の
周波数依存性を、測定周波数を変化させて調べたく第６
図）、相対湿度−抵抗特性の周波数依存性を、測定周波
数を変化させて調べた。各種ガス濃度−抵抗特性を、雰
囲気ガス濃度を変化させて調べた。その結果を、それぞ
れ第４図〜第８図、表１に示す。
の温度を変化させて、素子電極間の進講電率を測定した
（第４図）、さらに相対湿度−抵抗特性についても、雰
囲気の湿度を変化させて、電極間の抵抗を測定すること
によって調べたく第５図）、相対湿度−電気容量特性の
周波数依存性を、測定周波数を変化させて調べたく第６
図）、相対湿度−抵抗特性の周波数依存性を、測定周波
数を変化させて調べた。各種ガス濃度−抵抗特性を、雰
囲気ガス濃度を変化させて調べた。その結果を、それぞ
れ第４図〜第８図、表１に示す。
以上の説明から明らかな様に、本発明によれば単一素子
で温度、湿度及びガス濃度の三種を高感度で検知でき且
つ信頼性の高い多機能センサ素子を得ることができる。
で温度、湿度及びガス濃度の三種を高感度で検知でき且
つ信頼性の高い多機能センサ素子を得ることができる。
従って空調管理、気象、紡織工業、食品工業、石油化学
、医化学関係などの分野に使用され検知装置の構成が簡
略化でき、装置コストの低減化を果たすことができる。
、医化学関係などの分野に使用され検知装置の構成が簡
略化でき、装置コストの低減化を果たすことができる。
実施例１
９ａＴｉＯコ成分７８モル％とＢａ５ｎＯａ成分２２モ
ル％とを含む混合粉末には２０体積％のメチルセルロー
スを添加し、均一に混合して５００ ｋｇ／ｅ１１２圧
力で成型した。この成型体を空気中において１２３０℃
の温度で１０分間保持して焼結した。
ル％とを含む混合粉末には２０体積％のメチルセルロー
スを添加し、均一に混合して５００ ｋｇ／ｅ１１２圧
力で成型した。この成型体を空気中において１２３０℃
の温度で１０分間保持して焼結した。
得られたＢａ（０，７８Ｔｉ○・０．２２３ｎ）０３多
孔質セラミツクスは平均粒径が１．５μｍ、平均気孔径
が０．５μＩＩＩ、平均比表面積が０．８ｍ２／ｇであ
る。
孔質セラミツクスは平均粒径が１．５μｍ、平均気孔径
が０．５μＩＩＩ、平均比表面積が０．８ｍ２／ｇであ
る。
その総気孔率が３５．６％（開気孔率が２７．６％。
閉気孔率８％である）で、且つ三次元の連通の気孔構造
をもった。セラミックス素子（１）上には、上述の方法
で電ｆｉ（２＞、（３）とリード線（４）、（５）。
をもった。セラミックス素子（１）上には、上述の方法
で電ｆｉ（２＞、（３）とリード線（４）、（５）。
（６）を付与した。さらに抵抗発熱体（７）、ベース（
８）を組み立てた。得られたセンサ素子は１〜１００％
の相対湿度領域において高い感度を示し、湿度検知の動
作範囲が一４０〜１５０℃で、４００℃まで加熱素子の
ガス濃度検知の極限範囲がプロピレン、エチレン、アル
コールに対して１０〜１００００ ｐｐｍである（表１
に示す）。
８）を組み立てた。得られたセンサ素子は１〜１００％
の相対湿度領域において高い感度を示し、湿度検知の動
作範囲が一４０〜１５０℃で、４００℃まで加熱素子の
ガス濃度検知の極限範囲がプロピレン、エチレン、アル
コールに対して１０〜１００００ ｐｐｍである（表１
に示す）。
実施例２
ＢａＴｉＯ，成分７８モル％とＢａＳｎＯｓ２２モル％
とを含む混合粉末には０．２重量％のＴ ｉ Ｏｚと２
０体積％のメチルセルロースを添加し、実施例ら２．５
ｘ １０−’（１／’Ｃ）に低下し、且つ−・４０〜１
５０℃温度領域において直線な進講電率一温度特性を示
す（表２に示す）。従って素子の３温特性の線性度と精
度を改善された。
とを含む混合粉末には０．２重量％のＴ ｉ Ｏｚと２
０体積％のメチルセルロースを添加し、実施例ら２．５
ｘ １０−’（１／’Ｃ）に低下し、且つ−・４０〜１
５０℃温度領域において直線な進講電率一温度特性を示
す（表２に示す）。従って素子の３温特性の線性度と精
度を改善された。
実施例３
ＢａＴｉ○３成分７８モル％とＢａＳｎＯ３成分２２モ
ル％とを含む混合粉末に１．８重１％のＳ ｎ Ｏ２と
２０体積％のメチルセルロースを添加し、実施１と同じ
方法でセンサ素子を製造した。この素子は実施例１の素
子に比べて３湿の敏怒度が１２５０から４０２０まで向
上されたく表３に示ず）。
ル％とを含む混合粉末に１．８重１％のＳ ｎ Ｏ２と
２０体積％のメチルセルロースを添加し、実施１と同じ
方法でセンサ素子を製造した。この素子は実施例１の素
子に比べて３湿の敏怒度が１２５０から４０２０まで向
上されたく表３に示ず）。
寸゛
一゛・仁ユニ
１と同じ方法でセンサ素子を製造した。この素子は室温
抵抗温度定数が１３０ Ｘ １０−３（１／’Ｃ）か註
：１．抵抗温度系数 ２．測定条件３Ｖ、 ＩＫＨｚ、温度範囲３０〜１５０
℃註：１．感湿敏感度 ２、測定条件３Ｖ、 ＩＫＨｚ、湿度範囲１２％Ｆｉｌ
ｌ〜９３％ＲＨ
抵抗温度定数が１３０ Ｘ １０−３（１／’Ｃ）か註
：１．抵抗温度系数 ２．測定条件３Ｖ、 ＩＫＨｚ、温度範囲３０〜１５０
℃註：１．感湿敏感度 ２、測定条件３Ｖ、 ＩＫＨｚ、湿度範囲１２％Ｆｉｌ
ｌ〜９３％ＲＨ
第１図は本発明において使用されるセラミックス素子の
斜視図、第２図は加熱装置を備えた一５機能セラミック
スセンサ素子の斜視図、第３図は本発明の多機能セラミ
ックスセンサ索子の製造工程を示す工程図、第４図は本
発明のセラミックスセンサ素子の温度−進講電率特性を
示す図、第５図は゛相対湿度−抵抗特性を示す図、第６
図は静電容量−相対湿度特性の周波数依存性を示す図、
第７図は相対湿度−抵抗特性の周波数依存性を示す図、
及び第８図はガス濃度の感度特性を示す図である。 図中： １・・・セラミックス素子、２．３・・・電極、４．５
．６・・・リード線、７・・・抵抗発熱体、８・・・保
持ベース、９．１０，１１．１２・・・リード線端子。 ′−二一。 特許出願人代理人 曾 我 道 照 ｌｌ馬２図 漉３図 漉４図 丁 莞５図 尾６図 相大寸温慢 Ｒ，Ｈ，１％１ 兇７図 第８図 濃度 （ρｐｍｌ ２、発明の名称 温度−湿度−ガス濃度検知−５機能セラミックスセンサ
素子用セラミックス素子及びその製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ツィンファ・ユニバーシティ ４、代理人 〒１００ 住 所 東京部千代田区丸の内二丁目４番１号丸の内ビ
ルディング４階 −−９」 ５、補正命令の日付 昭和６１年６月２４日 ６、補正の対象 ７、補正の内容 （１）別紙願書の通り、特許出願人の住所を訂正し、代
表者氏名を補充する。 （２）別紙委任状を提出する。 （３）別紙法人証明書を提出する。 （４）願書に最初に添付した図面の浄書・別紙の通り（
内容に変更なし） ８、添付書類の目録 （１）訂正願書
１通（２）委任状及びその訳文
各１通（３）公証人証明書及びその訳文
各２通（４）理由８１通
斜視図、第２図は加熱装置を備えた一５機能セラミック
スセンサ素子の斜視図、第３図は本発明の多機能セラミ
ックスセンサ索子の製造工程を示す工程図、第４図は本
発明のセラミックスセンサ素子の温度−進講電率特性を
示す図、第５図は゛相対湿度−抵抗特性を示す図、第６
図は静電容量−相対湿度特性の周波数依存性を示す図、
第７図は相対湿度−抵抗特性の周波数依存性を示す図、
及び第８図はガス濃度の感度特性を示す図である。 図中： １・・・セラミックス素子、２．３・・・電極、４．５
．６・・・リード線、７・・・抵抗発熱体、８・・・保
持ベース、９．１０，１１．１２・・・リード線端子。 ′−二一。 特許出願人代理人 曾 我 道 照 ｌｌ馬２図 漉３図 漉４図 丁 莞５図 尾６図 相大寸温慢 Ｒ，Ｈ，１％１ 兇７図 第８図 濃度 （ρｐｍｌ ２、発明の名称 温度−湿度−ガス濃度検知−５機能セラミックスセンサ
素子用セラミックス素子及びその製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ツィンファ・ユニバーシティ ４、代理人 〒１００ 住 所 東京部千代田区丸の内二丁目４番１号丸の内ビ
ルディング４階 −−９」 ５、補正命令の日付 昭和６１年６月２４日 ６、補正の対象 ７、補正の内容 （１）別紙願書の通り、特許出願人の住所を訂正し、代
表者氏名を補充する。 （２）別紙委任状を提出する。 （３）別紙法人証明書を提出する。 （４）願書に最初に添付した図面の浄書・別紙の通り（
内容に変更なし） ８、添付書類の目録 （１）訂正願書
１通（２）委任状及びその訳文
各１通（３）公証人証明書及びその訳文
各２通（４）理由８１通
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、センサ素子がＢａ（Ｔｉ＿１＿−＿ｘＳｎ＿ｘ）Ｏ
＿３（ｘ＝０．０５〜０．５）で表される組成をもつセ
ラミックス素子を備えることを特徴とする、単一センサ
素子で、温度、湿度及びガス濃度を検知できる、多機能
セラミックスセンサ素子用セラミックス素子。 ２、セラミックス素子Ｂａ（Ｔｉ＿１＿−＿ｘＳｎ＿ｘ
）Ｏ＿３（ｘ＝０．０５〜０．５）にＴｉＯ＿２０．１
〜０．４重量％とＳｎＯ＿２１〜４重量％の中から選ば
れた少なくとも一種が含まれる特許請求の範囲第１項記
載の多機能セラミックスセンサ素子用セラミックス素子
。 ３、ＢａＴｉＯ＿３粉末とＢａＳｎＯ＿３粉末とを所定
の割合に混合し、これに造花剤を添加して５００〜１０
００ｋｇ／ｃｍ＾２で加圧成型し、１２００〜１３５０
℃で焼結することを特徴とする、温度、湿度及びガス濃
度検知多機能セラミックスセンサ素子用セラミックス素
子の製法。 ４、ＢａＴｉＯ＿３がＢａＣＯ＿３とＴｉＯ＿２とから
造られる特許請求の範囲第３項記載の製法。 ５、ＢａＳｎＯ＿３がＢａＣＯ＿３とＳｎＯ＿２とから
造られる特許請求の範囲第３項記載の製法。 ６、ＢａＴｉＯ＿３粉末とＢａＳｎＯ＿３粉末にさらに
ＴｉＯ＿２０．１〜０．４重量％またはＳｎＯ＿２１〜
４重量％またはそれら両者を添加する特許請求の範囲第
３項記載の製法。 ７、造孔剤がメチルセルロースまたはポリビニルアルコ
ールまたはそれら両者から選ばれる特許請求の範囲第３
項記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN85100146 | 1985-04-01 | ||
| CN85100146A CN85100146B (zh) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 热--湿--气多功能敏感陶瓷元件及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340816A true JPS6340816A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=4790925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61072648A Pending JPS6340816A (ja) | 1985-04-01 | 1986-04-01 | 温度−湿度−ガス濃度検知多機能セラミツクスセンサ素子用セラミツクス素子及びその製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4794323A (ja) |
| EP (1) | EP0205777A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6340816A (ja) |
| CN (1) | CN85100146B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006275950A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | New Cosmos Electric Corp | 半導体式ガス検知素子及びその製造方法 |
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- 1986-04-01 US US06/846,630 patent/US4794323A/en not_active Expired - Fee Related
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